JPH04222887A - 絶縁樹脂ペースト - Google Patents
絶縁樹脂ペーストInfo
- Publication number
- JPH04222887A JPH04222887A JP2418176A JP41817690A JPH04222887A JP H04222887 A JPH04222887 A JP H04222887A JP 2418176 A JP2418176 A JP 2418176A JP 41817690 A JP41817690 A JP 41817690A JP H04222887 A JPH04222887 A JP H04222887A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- paste
- curing agent
- silica filler
- epoxy resin
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
Landscapes
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＩＣ、ＬＳＩ等の半導体
素子を金属フレーム等に接着する絶縁ペーストに関する
ものである。
素子を金属フレーム等に接着する絶縁ペーストに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】エレクトロニクス業界の最近の著しい発
展により、トランジスター、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩと
進化してきており、これら半導体素子に於ける回路の集
積度が急激に増大すると共に大量生産が可能となり、こ
れらを用いた半導体製品の普及に伴って、その量産に於
ける作業性の向上並びにコストダウンが重要な問題とな
ってきた。従来は半導体素子を金属フレームなどの導体
にＡｕ−Ｓｉ共晶法により接合し、次いでハーメチック
シールによって封止して、半導体製品とするのが普通で
あった。しかし量産時の作業性、コストの面より、樹脂
封止法が開発され、現在は、一般化されている。これに
伴い、マウント工程に於けるＡｕ−Ｓｉ共晶法の改良と
してハンダ材料や導電性樹脂ペーストや絶縁ペーストと
いったマウント用樹脂による方法が取り上げられるよう
になった。
展により、トランジスター、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩと
進化してきており、これら半導体素子に於ける回路の集
積度が急激に増大すると共に大量生産が可能となり、こ
れらを用いた半導体製品の普及に伴って、その量産に於
ける作業性の向上並びにコストダウンが重要な問題とな
ってきた。従来は半導体素子を金属フレームなどの導体
にＡｕ−Ｓｉ共晶法により接合し、次いでハーメチック
シールによって封止して、半導体製品とするのが普通で
あった。しかし量産時の作業性、コストの面より、樹脂
封止法が開発され、現在は、一般化されている。これに
伴い、マウント工程に於けるＡｕ−Ｓｉ共晶法の改良と
してハンダ材料や導電性樹脂ペーストや絶縁ペーストと
いったマウント用樹脂による方法が取り上げられるよう
になった。
【０００３】しかし、ハンダ法では信頼性が低いこと、
素子の電極を汚染を起こし易いこと等が欠点とされ、高
熱伝導性を要するパワートランジスター、パワーＩＣの
素子に使用が限られている。これに対しマウント用樹脂
はハンダ法に較べ、作業性に於いても信頼性等に於いて
も優れており、その需要が急激に増大している。中でも
、シリカ粉末を用いた絶縁ペーストは貴金属を全く用い
ていないため安価であり、特に導電性を必要としない用
途での需要が増大している。
素子の電極を汚染を起こし易いこと等が欠点とされ、高
熱伝導性を要するパワートランジスター、パワーＩＣの
素子に使用が限られている。これに対しマウント用樹脂
はハンダ法に較べ、作業性に於いても信頼性等に於いて
も優れており、その需要が急激に増大している。中でも
、シリカ粉末を用いた絶縁ペーストは貴金属を全く用い
ていないため安価であり、特に導電性を必要としない用
途での需要が増大している。
【０００４】更に最近、ＩＣ等の集積度の高密度化によ
り、チップが大型化してきており、一方従来用いられて
きたリードフームである４２合金フレームが高価なこと
より、コストダウンの目的から銅フレームが用いられる
ようになってきた。ここで、ＩＣ等のチップの大きさが
約４〜５ｍｍ角より、大きくなるとマウント法としてＡ
ｕ−Ｓｉ共晶法を用いた場合には組立工程での加熱によ
りチップと銅フレームの熱膨張率の差に基づくチップの
クラックや反りが発生しこれに起因する特性不良が問題
となっている。
り、チップが大型化してきており、一方従来用いられて
きたリードフームである４２合金フレームが高価なこと
より、コストダウンの目的から銅フレームが用いられる
ようになってきた。ここで、ＩＣ等のチップの大きさが
約４〜５ｍｍ角より、大きくなるとマウント法としてＡ
ｕ−Ｓｉ共晶法を用いた場合には組立工程での加熱によ
りチップと銅フレームの熱膨張率の差に基づくチップの
クラックや反りが発生しこれに起因する特性不良が問題
となっている。
【０００５】即ちこれは、チップの材料であるシリコン
等の熱膨張率が３×１０−６／℃であるのに対し、４２
合金フレームでは８×１０−６／℃であるが、銅フレー
ムでは２０×１０−６／℃と大きくなる為である。これ
に対し、マウント法としてマウント用樹脂を用いること
が考えられるが、従来のエポキシ樹脂ペーストでは、熱
硬化性樹脂で三次元硬化する為、弾性率が大きく、チッ
プと銅フレームとの歪を吸収するに至らなかった。一方
、線状高分子タイプのポリイミド樹脂系ではエポキシ樹
脂に較べ弾性率が小さく、チップの反りは改良される。 しかし、ポリイミド樹脂をマウント用樹脂として用いる
には、作業性の点から、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、
Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアルド等の多量の極性溶剤に溶
解して、粘度を低くしなければならない。この時の溶剤
量は、マウント樹脂中の３０重量％以上にもなり、チッ
プと金属フレームとの接着に用いた場合、硬化加熱時の
溶剤の抜け跡として硬化物中にボイドが生成し、接着強
度低下、電気伝導及び熱伝導不良の原因となり、信頼性
面から好ましくない。
等の熱膨張率が３×１０−６／℃であるのに対し、４２
合金フレームでは８×１０−６／℃であるが、銅フレー
ムでは２０×１０−６／℃と大きくなる為である。これ
に対し、マウント法としてマウント用樹脂を用いること
が考えられるが、従来のエポキシ樹脂ペーストでは、熱
硬化性樹脂で三次元硬化する為、弾性率が大きく、チッ
プと銅フレームとの歪を吸収するに至らなかった。一方
、線状高分子タイプのポリイミド樹脂系ではエポキシ樹
脂に較べ弾性率が小さく、チップの反りは改良される。 しかし、ポリイミド樹脂をマウント用樹脂として用いる
には、作業性の点から、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、
Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアルド等の多量の極性溶剤に溶
解して、粘度を低くしなければならない。この時の溶剤
量は、マウント樹脂中の３０重量％以上にもなり、チッ
プと金属フレームとの接着に用いた場合、硬化加熱時の
溶剤の抜け跡として硬化物中にボイドが生成し、接着強
度低下、電気伝導及び熱伝導不良の原因となり、信頼性
面から好ましくない。
【０００６】また絶縁樹脂ペーストにおいて、低弾性率
化を試みる目的でシリカフィラー含有率を３０重量％以
下にするとペーストの揺変度が小さくなりすぎ、ペース
トのたれ、糸引き等が発生し好ましくなかった。
化を試みる目的でシリカフィラー含有率を３０重量％以
下にするとペーストの揺変度が小さくなりすぎ、ペース
トのたれ、糸引き等が発生し好ましくなかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は揺変性が高く
、ディスペンサー塗布時の作業に優れ、ＩＣ等の大型チ
ップと銅フレームとの組合せでもチップクラックやチッ
プの反りによるＩＣ等の特性不良が起らない絶縁ペース
トを提供するものである。
、ディスペンサー塗布時の作業に優れ、ＩＣ等の大型チ
ップと銅フレームとの組合せでもチップクラックやチッ
プの反りによるＩＣ等の特性不良が起らない絶縁ペース
トを提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明はシリカフィラー
（Ａ）と常温で液状のエポキシ樹脂（Ｂ）および硬化剤
（Ｃ）とを必須成分とし、該成分中にシリカフィラー（
Ａ）を１０〜３０重量％含有し、シリカフィラー中の１
０〜５０重量％が一次粒子の平均粒径が２〜５０ｎｍの
超微粒子シリカ粉末からなる絶縁樹脂ペーストで、作業
性が良好でかつ硬化物の弾性率が小さく、チップと銅フ
レームとの熱膨張率の差による歪みを吸収し、応力緩和
に優れているものである。
（Ａ）と常温で液状のエポキシ樹脂（Ｂ）および硬化剤
（Ｃ）とを必須成分とし、該成分中にシリカフィラー（
Ａ）を１０〜３０重量％含有し、シリカフィラー中の１
０〜５０重量％が一次粒子の平均粒径が２〜５０ｎｍの
超微粒子シリカ粉末からなる絶縁樹脂ペーストで、作業
性が良好でかつ硬化物の弾性率が小さく、チップと銅フ
レームとの熱膨張率の差による歪みを吸収し、応力緩和
に優れているものである。
【０００９】本発明に用いるエポキシ樹脂は常温で液状
のものに限定してあるが、常温で液状のものでないとシ
リカフィラーとの混練において、溶剤を必要とする。溶
剤は気泡発生の原因となり、硬化物の接着強度を低下さ
せてしまう。
のものに限定してあるが、常温で液状のものでないとシ
リカフィラーとの混練において、溶剤を必要とする。溶
剤は気泡発生の原因となり、硬化物の接着強度を低下さ
せてしまう。
【００１０】本発明に用いるエポキシ樹脂としては、例
えばビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェノール
ノボラックとエピクロルヒドリンとの反応で得られるジ
グリシジルエーテルで常温で液状のもの、ビニルシクロ
ヘキセンジオキシド、ジシクロペンタジエンジオキシド
、アリサイクリックジエポキシーア ジペイトのよう
な脂環式エポキシ、更にはｎ−ブチルグリシジルエーテ
ル、バーサティック酸グリシジルエステル、スチレンオ
キサイド、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリ
シジルエーテル、ジシクロペンタジエンジエポキシドの
ような通常エポキシ樹脂の希釈剤として用いられるもの
がある。
えばビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェノール
ノボラックとエピクロルヒドリンとの反応で得られるジ
グリシジルエーテルで常温で液状のもの、ビニルシクロ
ヘキセンジオキシド、ジシクロペンタジエンジオキシド
、アリサイクリックジエポキシーア ジペイトのよう
な脂環式エポキシ、更にはｎ−ブチルグリシジルエーテ
ル、バーサティック酸グリシジルエステル、スチレンオ
キサイド、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリ
シジルエーテル、ジシクロペンタジエンジエポキシドの
ような通常エポキシ樹脂の希釈剤として用いられるもの
がある。
【００１１】また硬化剤としては特に限定されないがフ
ェノール樹脂系硬化剤とジシアンジアミド、アジピン酸
ヒドラジド等の潜在型アミン化合物の併用が好ましい。 更に、本発明においては、必要に応じ、硬化促進剤、顔
料、染料、消泡剤等の添加剤を用いることもできる。
ェノール樹脂系硬化剤とジシアンジアミド、アジピン酸
ヒドラジド等の潜在型アミン化合物の併用が好ましい。 更に、本発明においては、必要に応じ、硬化促進剤、顔
料、染料、消泡剤等の添加剤を用いることもできる。
【００１２】本発明に用いるシリカフィラーは平均粒径
が１μｍ以上、２０μｍ以下の溶融および／または粉砕
シリカ粉末および一次粒子の平均粒子径が２〜５０ｎｍ
の超微粒子シリカ粉末からなり、全シリカフィラー中の
超微粒子シリカ粉末は１０〜５０重量％である。更にシ
リカフィラーと常温で液状のエポキシ樹脂および、硬化
剤からなる組成物中に１０〜３０重量％のシリカフィラ
ーを含有する。
が１μｍ以上、２０μｍ以下の溶融および／または粉砕
シリカ粉末および一次粒子の平均粒子径が２〜５０ｎｍ
の超微粒子シリカ粉末からなり、全シリカフィラー中の
超微粒子シリカ粉末は１０〜５０重量％である。更にシ
リカフィラーと常温で液状のエポキシ樹脂および、硬化
剤からなる組成物中に１０〜３０重量％のシリカフィラ
ーを含有する。
【００１３】超微粒子粉末の平均粒子径が５０ｎｍを超
えると揺変度があがらずペーストのたれ、糸引き等の作
業性の向上が望めない。２ｎｍ未満だとかさ密度が小さ
くなるため、空気中に舞い易く、秤量などの仕込みが困
難であり、またペースト混練時においても均一に混練で
きず、固まりのまま残存しやすいため好ましくない。
えると揺変度があがらずペーストのたれ、糸引き等の作
業性の向上が望めない。２ｎｍ未満だとかさ密度が小さ
くなるため、空気中に舞い易く、秤量などの仕込みが困
難であり、またペースト混練時においても均一に混練で
きず、固まりのまま残存しやすいため好ましくない。
【００１４】シリカフィラーの含有量が１０重量％未満
だとマウント後の接着強度が不足し、３０重量％より多
いと、低応力効果が望めない。シリカフィラー中の超微
粒子シリカ粉末が１０重量％より少ないと、ペーストの
揺変度が小さすぎるため、ペーストのたれや、糸引きが
発生し、作業性が非常に悪くなる。また５０重量％より
多いと、ペーストの粘度が上がりすぎ、実用的ではない
。本発明の製造方法は例えば各成分を予備混合し、三本
ロールを用いて混練し、ペーストを得て、真空下脱泡す
ることなどがある。
だとマウント後の接着強度が不足し、３０重量％より多
いと、低応力効果が望めない。シリカフィラー中の超微
粒子シリカ粉末が１０重量％より少ないと、ペーストの
揺変度が小さすぎるため、ペーストのたれや、糸引きが
発生し、作業性が非常に悪くなる。また５０重量％より
多いと、ペーストの粘度が上がりすぎ、実用的ではない
。本発明の製造方法は例えば各成分を予備混合し、三本
ロールを用いて混練し、ペーストを得て、真空下脱泡す
ることなどがある。
【００１５】以下、実施例で本発明を具体的に説明する
。配合割合は重量部で示す。
。配合割合は重量部で示す。
【実施例】実施例１〜４
平均粒径が３μｍの球状無定形シリカ粉末（以下球状シ
リカ）と一次粒子の平均粒径が１２ｎｍの超微粒子シリ
カ粉末（以下シリカＡ）およびビスフェノールＡとエピ
クロルヒドリンとの反応により得られるジグリジルエー
テル（エポキシ当量１８０で常温で液状、以下エポキシ
樹脂）とフェノールノボラック樹脂（ＯＨ当量１０４、
軟化点１１０℃）、ジシアンジアミド、希釈剤のクレジ
ルグリシジルエーテルを表１に示す割合で配合し三本ロ
ールで混練して絶縁樹脂ペーストを得た。この絶縁樹脂
ペーストを真空チャンバーにて２ｍｍＨｇで３０分間脱
泡した後、以下の方法により各性能を評価した。結果を
表１に示す。
リカ）と一次粒子の平均粒径が１２ｎｍの超微粒子シリ
カ粉末（以下シリカＡ）およびビスフェノールＡとエピ
クロルヒドリンとの反応により得られるジグリジルエー
テル（エポキシ当量１８０で常温で液状、以下エポキシ
樹脂）とフェノールノボラック樹脂（ＯＨ当量１０４、
軟化点１１０℃）、ジシアンジアミド、希釈剤のクレジ
ルグリシジルエーテルを表１に示す割合で配合し三本ロ
ールで混練して絶縁樹脂ペーストを得た。この絶縁樹脂
ペーストを真空チャンバーにて２ｍｍＨｇで３０分間脱
泡した後、以下の方法により各性能を評価した。結果を
表１に示す。
【００１６】粘度
Ｅ型粘度計を用い２５℃、２５ｒｐｍでの値を粘度とし
た。揺変度次式に従い０．５ｒｐｍと２５ｒｐｍでの粘
度の比をもって揺変度とした。 ペーストのたれ 内径１．０ｍｍのニードルをつけたシリンジにペースト
を５ｍｌ入れ、ニードルを下にして試験管立てに垂直に
置き、３０分後ニードルの先端にたれたペーストの重量
を測定した。糸ひき性絶縁樹詣ペーストの中へ直径１ｍ
ｍφのピンを深さ５ｍｍまで沈めて、それを３００ｍｍ
／分の速度で引き上げペーストが切れた時の高さを測定
した。チップ歪 銅フレーム上に絶縁ペーストを塗布しシリコンチップ（
サイズ：６×１２×０．３ｍｍ）をマウントして２００
℃１時間オーブン中で硬化した。これを表面粗さ計にて
チップの両端を結ぶ線上から垂直にチップの反りの頂上
までの高さを測定した。比較例１〜６表１に示す配合割
合で実施例１と同様にして絶縁ペーストを得た。比較例
５では一次粒子の平均粒径が１ｎｍの超微粒子シリカ粉
末（以下微粉シリカＢ）を、比較例６では一次粒子の平
均粒径が７０ｎｍの超微粒子シリカ粉末（以下微粉シリ
カＣ）を用いた。結果を表１に示す。
た。揺変度次式に従い０．５ｒｐｍと２５ｒｐｍでの粘
度の比をもって揺変度とした。 ペーストのたれ 内径１．０ｍｍのニードルをつけたシリンジにペースト
を５ｍｌ入れ、ニードルを下にして試験管立てに垂直に
置き、３０分後ニードルの先端にたれたペーストの重量
を測定した。糸ひき性絶縁樹詣ペーストの中へ直径１ｍ
ｍφのピンを深さ５ｍｍまで沈めて、それを３００ｍｍ
／分の速度で引き上げペーストが切れた時の高さを測定
した。チップ歪 銅フレーム上に絶縁ペーストを塗布しシリコンチップ（
サイズ：６×１２×０．３ｍｍ）をマウントして２００
℃１時間オーブン中で硬化した。これを表面粗さ計にて
チップの両端を結ぶ線上から垂直にチップの反りの頂上
までの高さを測定した。比較例１〜６表１に示す配合割
合で実施例１と同様にして絶縁ペーストを得た。比較例
５では一次粒子の平均粒径が１ｎｍの超微粒子シリカ粉
末（以下微粉シリカＢ）を、比較例６では一次粒子の平
均粒径が７０ｎｍの超微粒子シリカ粉末（以下微粉シリ
カＣ）を用いた。結果を表１に示す。
【００１７】
【表１】
【００１８】
【発明の効果】本発明の絶縁樹脂ペーストはディスペン
サーによる塗布時においてペーストのたれや糸ひきが極
めて少なく作業性が良好でかつ銅、４２アロイ等の金属
フレーム、セラミック基板、ガラスエポキシ等の有機基
板へのＩＣ等の半導体素子の接着に用いることができ、
特に銅フレーム上への大型チップの接着に適しており、
銅フレームとシリコーンチップとの熱膨張率の差による
ＩＣ等の組立工程での加熱処理時のチップクラック，チ
ップ歪によりＩＣ等の特性不良を防ぐことができ、従来
になかった応力緩和特性に優れたマウント用絶縁樹脂ペ
ーストである。
サーによる塗布時においてペーストのたれや糸ひきが極
めて少なく作業性が良好でかつ銅、４２アロイ等の金属
フレーム、セラミック基板、ガラスエポキシ等の有機基
板へのＩＣ等の半導体素子の接着に用いることができ、
特に銅フレーム上への大型チップの接着に適しており、
銅フレームとシリコーンチップとの熱膨張率の差による
ＩＣ等の組立工程での加熱処理時のチップクラック，チ
ップ歪によりＩＣ等の特性不良を防ぐことができ、従来
になかった応力緩和特性に優れたマウント用絶縁樹脂ペ
ーストである。
Claims (1)
- 【請求項１】 （Ａ）シリカフィラー、（Ｂ）常温で
液状のエポキシ樹脂、（Ｃ）硬化剤を必須成分とし、該
成分中にシリカフィラー（Ａ）を１０〜３０重量％含有
し、シリカフィラー中の１０〜５０重量％が一次粒子の
平均粒径が２〜５０ｎｍの超微粒子シリカ粉末であるこ
とを特徴とする絶縁樹脂ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2418176A JPH04222887A (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 絶縁樹脂ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2418176A JPH04222887A (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 絶縁樹脂ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04222887A true JPH04222887A (ja) | 1992-08-12 |
Family
ID=18526097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2418176A Pending JPH04222887A (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 絶縁樹脂ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04222887A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004327559A (ja) * | 2003-04-22 | 2004-11-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品固着剤 |
| JP2005235915A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用接着フィルムおよび半導体装置 |
| JP2006169288A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Tdk Corp | 接着剤、および、薄板の平板への接着方法 |
| WO2009107873A1 (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | 住友化学株式会社 | 物体の接着方法 |
| US7842178B2 (en) | 2005-04-18 | 2010-11-30 | University Of Iowa Research Foundation | Magnet incorporated electrically conductive electrodes |
| JP2013099183A (ja) * | 2011-11-04 | 2013-05-20 | Hitachi Ltd | 複合絶縁樹脂及びそれを用いた絶縁スペーサ並びにガス絶縁機器 |
-
1990
- 1990-12-25 JP JP2418176A patent/JPH04222887A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004327559A (ja) * | 2003-04-22 | 2004-11-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品固着剤 |
| JP2005235915A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用接着フィルムおよび半導体装置 |
| JP2006169288A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Tdk Corp | 接着剤、および、薄板の平板への接着方法 |
| US7842178B2 (en) | 2005-04-18 | 2010-11-30 | University Of Iowa Research Foundation | Magnet incorporated electrically conductive electrodes |
| WO2009107873A1 (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | 住友化学株式会社 | 物体の接着方法 |
| JP2009227986A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-10-08 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 物体の接着方法 |
| JP2013099183A (ja) * | 2011-11-04 | 2013-05-20 | Hitachi Ltd | 複合絶縁樹脂及びそれを用いた絶縁スペーサ並びにガス絶縁機器 |
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