JPH04224162A - Ｉｔｏ焼結体 - Google Patents
Ｉｔｏ焼結体Info
- Publication number
- JPH04224162A JPH04224162A JP2412483A JP41248390A JPH04224162A JP H04224162 A JPH04224162 A JP H04224162A JP 2412483 A JP2412483 A JP 2412483A JP 41248390 A JP41248390 A JP 41248390A JP H04224162 A JPH04224162 A JP H04224162A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ito
- diffraction
- powder
- sintered body
- phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、透明導電膜の形成に使
用するスパッタリング用ターゲットあるいは蒸着用ペレ
ットとして用いる酸化インジウム−酸化錫焼結体、即ち
ＩＴＯ焼結体に関する。
用するスパッタリング用ターゲットあるいは蒸着用ペレ
ットとして用いる酸化インジウム−酸化錫焼結体、即ち
ＩＴＯ焼結体に関する。
【０００２】
【従来技術】スパッタリング法、蒸着法によって得られ
る透明導電膜として、酸化インジウム−酸化錫から成る
ＩＴＯは、その比抵抗の低さから有望な膜として注目さ
れている。例えば３００℃程度の高温に加熱された基板
上に、適当な条件でＩＴＯを物理蒸着することにより、
透明性がよく且つ比抵抗値が２．０×１０−４Ω・ｃｍ
以下の良質なＩＴＯ膜が得られる。このような高温に加
熱された基板上に比抵抗値の低いＩＴＯ膜を成膜するた
めのＩＴＯ焼結体として、特開昭６２−２１７５１号公
報には、Ｉｎ２ Ｏ３ 粉末とＳｎＯ２ 粉末を適当な
量だけ配合し、混合・粉砕を行い、これを成形し仮焼し
た後、再度粉砕を行って粉末とし、得られた仮焼済粉末
をさらに成形・焼成して製造されたＩＴＯ焼結体が開示
されている。
る透明導電膜として、酸化インジウム−酸化錫から成る
ＩＴＯは、その比抵抗の低さから有望な膜として注目さ
れている。例えば３００℃程度の高温に加熱された基板
上に、適当な条件でＩＴＯを物理蒸着することにより、
透明性がよく且つ比抵抗値が２．０×１０−４Ω・ｃｍ
以下の良質なＩＴＯ膜が得られる。このような高温に加
熱された基板上に比抵抗値の低いＩＴＯ膜を成膜するた
めのＩＴＯ焼結体として、特開昭６２−２１７５１号公
報には、Ｉｎ２ Ｏ３ 粉末とＳｎＯ２ 粉末を適当な
量だけ配合し、混合・粉砕を行い、これを成形し仮焼し
た後、再度粉砕を行って粉末とし、得られた仮焼済粉末
をさらに成形・焼成して製造されたＩＴＯ焼結体が開示
されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、カラー液晶ディ
スプレイ用として、カラーフィルター上へのＩＴＯ膜の
コーティングが行われている。また、ディスプレイの軽
量化の面から、プラスチック基板へのＩＴＯ膜のコーテ
ィングも行われるようになつてきた。しかしながら、こ
れらのカラーフィルターやプラスチック基板は耐熱性に
劣るため、従来行われてきた高温でのスパッタリングは
行えず、基板加熱温度は２００℃以下という制約をうけ
ている。前述した先行技術に開示されたＩＴＯ焼結体に
おいては、高温での基板加熱によるスパッタリングによ
れば比抵抗値の低い膜が得られるが、２００℃以下の低
温の基板加熱によるスパッタリングでは、得られるＩＴ
Ｏ膜の比抵抗値は、５×１０−４Ω・ｃｍ以上であり、
比抵抗値の低い膜を得ることが困難となっている。
スプレイ用として、カラーフィルター上へのＩＴＯ膜の
コーティングが行われている。また、ディスプレイの軽
量化の面から、プラスチック基板へのＩＴＯ膜のコーテ
ィングも行われるようになつてきた。しかしながら、こ
れらのカラーフィルターやプラスチック基板は耐熱性に
劣るため、従来行われてきた高温でのスパッタリングは
行えず、基板加熱温度は２００℃以下という制約をうけ
ている。前述した先行技術に開示されたＩＴＯ焼結体に
おいては、高温での基板加熱によるスパッタリングによ
れば比抵抗値の低い膜が得られるが、２００℃以下の低
温の基板加熱によるスパッタリングでは、得られるＩＴ
Ｏ膜の比抵抗値は、５×１０−４Ω・ｃｍ以上であり、
比抵抗値の低い膜を得ることが困難となっている。
【０００４】従って本発明は、基板温度が低い条件にお
いても、比抵抗値が低いＩＴＯ膜を成膜できるスパッタ
リング用ターゲット材あるいは蒸着用ペレットを提供す
ることを目的とするものである。
いても、比抵抗値が低いＩＴＯ膜を成膜できるスパッタ
リング用ターゲット材あるいは蒸着用ペレットを提供す
ることを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、実質的
にインジウム、錫および酸素から成るＩＴＯ焼結体であ
って、Ｘ線回折により面間隔が２．８６〜２．８９Åお
よび３．０５〜３．０８Åである回折面を持つ相が形成
されており、且つこれら回折ピークの積分強度が、それ
ぞれＩｎ２ Ｏ３ 相の（２２２）面の回折ピークの積
分強度の０．１％以上であることを特徴とするＩＴＯ焼
結体が提供される。
にインジウム、錫および酸素から成るＩＴＯ焼結体であ
って、Ｘ線回折により面間隔が２．８６〜２．８９Åお
よび３．０５〜３．０８Åである回折面を持つ相が形成
されており、且つこれら回折ピークの積分強度が、それ
ぞれＩｎ２ Ｏ３ 相の（２２２）面の回折ピークの積
分強度の０．１％以上であることを特徴とするＩＴＯ焼
結体が提供される。
【０００６】本発明のＩＴＯ焼結体においては、Ｘ線回
折による面間隔が２．８６〜２．８９Åおよび３．０５
〜３．０８Åである回折面を持つ相が形成されているこ
とが顕著な特徴である。即ち、従来公知のＩＴＯ焼結体
は、Ｉｎ２ Ｏ３ 相、ＳｎＯ２ 相、あるいは （Ｉ
ｎｘ Ｓｎ１−ｘ ）２Ｏ３ 〔ｘ＝０．６〜０．７〕
の構造を有する中間化合物相といった熱的に安定な結晶
質の相から構成されており、上記のような面間隔の回折
面による回折ピークは認められていない。
折による面間隔が２．８６〜２．８９Åおよび３．０５
〜３．０８Åである回折面を持つ相が形成されているこ
とが顕著な特徴である。即ち、従来公知のＩＴＯ焼結体
は、Ｉｎ２ Ｏ３ 相、ＳｎＯ２ 相、あるいは （Ｉ
ｎｘ Ｓｎ１−ｘ ）２Ｏ３ 〔ｘ＝０．６〜０．７〕
の構造を有する中間化合物相といった熱的に安定な結晶
質の相から構成されており、上記のような面間隔の回折
面による回折ピークは認められていない。
【０００７】本発明の焼結体に特有の回折ピークを有す
る相は、１０数原子から数１０原子を単位として、規則
性をもって配列している原子集団（クラスター）から成
り立っている。この相は、Ｉｎ２ Ｏ３ 相とＳｎＯ２
相とが反応する際、その反応界面に形成される熱的に
不安定な相であると考えられ、かかる相の存在により、
基板温度が低い場合にも比抵抗値の低いＩＴＯ膜を形成
することが可能となるものと信じられる。即ち、上記ク
ラスター界面は原子の結合エネルギーが低いために、ス
パッタリングによりＩＴＯ膜を形成するに際して、励起
されたアルゴンイオンによりクラスターの状態で焼結体
から放出され易く、また放出されたクラスターはそのま
ま基板まで到達し易くなる。ところで、一般には、基板
加熱温度が低下していくと、基板上での結晶粒の生成お
よび成長が起こりにくくなるために、成膜されたＩＴＯ
膜の構造は、結晶質から非晶質へと移行し易くなり、こ
のために電子の易動度が低下し、ＩＴＯ膜の比抵抗値を
高くすることが知られている。しかしながら、本発明の
ＩＴＯ焼結体においては、該焼結体から放出される原子
がクラスター状をなしており、これがそのまま基板まで
到達した場合には、基板温度が低くともこのクラスター
が結晶核となり、他の相から放出される孤立原子が配列
を乱さないように付着することによって結晶質のＩＴＯ
膜が形成されるようになる。従って、本発明によれば、
基板温度が低い場合にも比抵抗値の低いＩＴＯ膜を形成
することが可能となるのである。
る相は、１０数原子から数１０原子を単位として、規則
性をもって配列している原子集団（クラスター）から成
り立っている。この相は、Ｉｎ２ Ｏ３ 相とＳｎＯ２
相とが反応する際、その反応界面に形成される熱的に
不安定な相であると考えられ、かかる相の存在により、
基板温度が低い場合にも比抵抗値の低いＩＴＯ膜を形成
することが可能となるものと信じられる。即ち、上記ク
ラスター界面は原子の結合エネルギーが低いために、ス
パッタリングによりＩＴＯ膜を形成するに際して、励起
されたアルゴンイオンによりクラスターの状態で焼結体
から放出され易く、また放出されたクラスターはそのま
ま基板まで到達し易くなる。ところで、一般には、基板
加熱温度が低下していくと、基板上での結晶粒の生成お
よび成長が起こりにくくなるために、成膜されたＩＴＯ
膜の構造は、結晶質から非晶質へと移行し易くなり、こ
のために電子の易動度が低下し、ＩＴＯ膜の比抵抗値を
高くすることが知られている。しかしながら、本発明の
ＩＴＯ焼結体においては、該焼結体から放出される原子
がクラスター状をなしており、これがそのまま基板まで
到達した場合には、基板温度が低くともこのクラスター
が結晶核となり、他の相から放出される孤立原子が配列
を乱さないように付着することによって結晶質のＩＴＯ
膜が形成されるようになる。従って、本発明によれば、
基板温度が低い場合にも比抵抗値の低いＩＴＯ膜を形成
することが可能となるのである。
【０００８】また本発明においては、面間隔が２．８６
〜２．８９Åおよび３．０５〜３．０８Åのところに現
れる回折ピークの積分強度が、それぞれ、Ｉｎ２ Ｏ３
相の（２２２）面の回折ピークの積分強度の０．１％
以上、好ましくは０．３％以上であることも重要である
。即ち、この積分強度比が０．１％未満の場合には、完
全に結晶化していない熱的に不安定な化合物の相が少な
いために、ＩＴＯ膜の形成に際し、焼結体から放出され
るクラスターが減少し、このために結晶質のＩＴＯ膜を
形成することが困難となる。
〜２．８９Åおよび３．０５〜３．０８Åのところに現
れる回折ピークの積分強度が、それぞれ、Ｉｎ２ Ｏ３
相の（２２２）面の回折ピークの積分強度の０．１％
以上、好ましくは０．３％以上であることも重要である
。即ち、この積分強度比が０．１％未満の場合には、完
全に結晶化していない熱的に不安定な化合物の相が少な
いために、ＩＴＯ膜の形成に際し、焼結体から放出され
るクラスターが減少し、このために結晶質のＩＴＯ膜を
形成することが困難となる。
【０００９】本発明のＩＴＯ焼結体は、上述した特有の
回折ピークを有する化合物相を有していることを除けば
、その組成は、従来公知のＩＴＯ焼結体と同様であり、
一般に錫の平均組成が３〜１５重量％であり、インジウ
ムの平均組成が６０〜８０重量％の範囲にある。
回折ピークを有する化合物相を有していることを除けば
、その組成は、従来公知のＩＴＯ焼結体と同様であり、
一般に錫の平均組成が３〜１５重量％であり、インジウ
ムの平均組成が６０〜８０重量％の範囲にある。
【００１０】上述した本発明のＩＴＯ焼結体は、以下に
述べる方法によって製造される。先ず、平均粒径が０．
１ミクロン以下の酸化インジウム粉末と、平均粒径が０
．１ミクロン以下の酸化錫粉末とを、目的とするＩＴＯ
焼結体の組成に応じて配合し、必要に応じて適当量のパ
ラフィンワックスを添加した後、湿式ボールミルで混合
する。この混合は、酸化錫粉末を微細に均一分散させる
ために、通常、２４時間以上行なうことが望ましい。
述べる方法によって製造される。先ず、平均粒径が０．
１ミクロン以下の酸化インジウム粉末と、平均粒径が０
．１ミクロン以下の酸化錫粉末とを、目的とするＩＴＯ
焼結体の組成に応じて配合し、必要に応じて適当量のパ
ラフィンワックスを添加した後、湿式ボールミルで混合
する。この混合は、酸化錫粉末を微細に均一分散させる
ために、通常、２４時間以上行なうことが望ましい。
【００１１】次いで、上記混合粉末を、９００〜１２０
０℃の温度において、大気中等の酸素雰囲気下で熱処理
を行なうことにより、Ｉｎ２ Ｏ３表面に微量のＳｎ原
子を拡散させる。この熱処理温度においては、ＳｎＯ２
は安定であり、例えば従来の焼結体における中間の化
合物相の生成が抑制されるのである。また酸素雰囲気下
で熱処理を行なうことにより、還元による錫の飛散を防
止することができる。このような熱処理は、通常、２４
時間以上行なうことが好適である。
０℃の温度において、大気中等の酸素雰囲気下で熱処理
を行なうことにより、Ｉｎ２ Ｏ３表面に微量のＳｎ原
子を拡散させる。この熱処理温度においては、ＳｎＯ２
は安定であり、例えば従来の焼結体における中間の化
合物相の生成が抑制されるのである。また酸素雰囲気下
で熱処理を行なうことにより、還元による錫の飛散を防
止することができる。このような熱処理は、通常、２４
時間以上行なうことが好適である。
【００１２】さらに熱処理後の粉末を用いてプレス成形
を行ない、１３５０〜１４５０℃の温度で焼結を行なう
ことにより、前述した特有の回折ピークを有する相が形
成されている本発明のＩＴＯ焼結体が得られる。プレス
成形は、それ自体公知の方法で行なうことができ、例え
ば、適当な金型を用いて、１ｔｏｎ／ｃｍ２ 以上の圧
力で行なわれる。また焼結時間は、温度によっても異な
るが、一般に５時間以下、特に１〜３時間とすることが
好適である。
を行ない、１３５０〜１４５０℃の温度で焼結を行なう
ことにより、前述した特有の回折ピークを有する相が形
成されている本発明のＩＴＯ焼結体が得られる。プレス
成形は、それ自体公知の方法で行なうことができ、例え
ば、適当な金型を用いて、１ｔｏｎ／ｃｍ２ 以上の圧
力で行なわれる。また焼結時間は、温度によっても異な
るが、一般に５時間以下、特に１〜３時間とすることが
好適である。
【００１３】
【実施例】実施例１
ベット法によって測定した平均粒子径が０．０７ミクロ
ンのＩｎ２ Ｏ３ 粉末と、同じく平均粒子径が０．０
９ミクロンのＳｎＯ２ 粉末とを、ＳｎＯ２ が１０重
量％となるように配合し、これにバインダーとして１重
量％のパラフィンワックスを添加し、ボールミル中で４
０時間、混合・粉砕を行なった。この粉末について、酸
素中、１０００℃にて４８時間の熱処理を行なった後に
、再度ボールミルにて混合・粉砕を２０時間行なった。 この粉末を乾燥した後、１ｔｏｎ／ｃｍ２ の圧力でプ
レス成形を行ない、７５ｍｍ径、５ｍｍ厚の円板状の成
形体を得た。この成形体について、１４００℃の温度で
３時間焼結を行ない、ＩＴＯ焼結体を得た。
ンのＩｎ２ Ｏ３ 粉末と、同じく平均粒子径が０．０
９ミクロンのＳｎＯ２ 粉末とを、ＳｎＯ２ が１０重
量％となるように配合し、これにバインダーとして１重
量％のパラフィンワックスを添加し、ボールミル中で４
０時間、混合・粉砕を行なった。この粉末について、酸
素中、１０００℃にて４８時間の熱処理を行なった後に
、再度ボールミルにて混合・粉砕を２０時間行なった。 この粉末を乾燥した後、１ｔｏｎ／ｃｍ２ の圧力でプ
レス成形を行ない、７５ｍｍ径、５ｍｍ厚の円板状の成
形体を得た。この成形体について、１４００℃の温度で
３時間焼結を行ない、ＩＴＯ焼結体を得た。
【００１４】得られた焼結体の断面を研磨した後、Ｘ線
回折を行ない、従来のＩＴＯ焼結体では認められなかっ
た２つの回折ピークの面間隔およびＩｎ２ Ｏ３ 相の
（２２２）面の回折ピークに対する積分強度比を求めた
。その結果、各ピークの面間隔は２．８７Åおよび３．
０６Åであり、各ピークの積分強度は、Ｉｎ２ Ｏ３
相の（２２２）面の回折ピークに対する積分強度の０．
５％および０．４％であった。尚、面間隔（ｄ）は、半
値幅の中点から求めた回折角度（２θ）から下記式によ
って算出した。 ｄ＝（λ／２）ｓｉｎ−１（θ） 但し、λはＸ線の波長である。
回折を行ない、従来のＩＴＯ焼結体では認められなかっ
た２つの回折ピークの面間隔およびＩｎ２ Ｏ３ 相の
（２２２）面の回折ピークに対する積分強度比を求めた
。その結果、各ピークの面間隔は２．８７Åおよび３．
０６Åであり、各ピークの積分強度は、Ｉｎ２ Ｏ３
相の（２２２）面の回折ピークに対する積分強度の０．
５％および０．４％であった。尚、面間隔（ｄ）は、半
値幅の中点から求めた回折角度（２θ）から下記式によ
って算出した。 ｄ＝（λ／２）ｓｉｎ−１（θ） 但し、λはＸ線の波長である。
【００１５】上記焼結体をターゲットとして用い、ＤＣ
マグネトロンスパッタにより、ポリエチレンテレフタレ
ート（ＰＥＴ）フィルム上に１０００Åの厚さに成膜し
た。スパッタリング条件は、スパッタガスが容量比でＡ
ｒ：Ｏ２ ＝９９：１、スパッタ圧０．５Ｐａ、スパッ
タ出力２００Ｗ、ターゲット基板間距離６０ｍｍとした
。また基板温度を２００℃および１００℃としてスパッ
タリングは行なわれた。得られた膜の比抵抗を四探針法
により測定した。結果を第１表に示す。
マグネトロンスパッタにより、ポリエチレンテレフタレ
ート（ＰＥＴ）フィルム上に１０００Åの厚さに成膜し
た。スパッタリング条件は、スパッタガスが容量比でＡ
ｒ：Ｏ２ ＝９９：１、スパッタ圧０．５Ｐａ、スパッ
タ出力２００Ｗ、ターゲット基板間距離６０ｍｍとした
。また基板温度を２００℃および１００℃としてスパッ
タリングは行なわれた。得られた膜の比抵抗を四探針法
により測定した。結果を第１表に示す。
【００１６】比較例１平均粒子径が０．５ミクロンのＩ
ｎ２ Ｏ３ 粉末と、同じく平均粒子径が１ミクロンの
ＳｎＯ２ 粉末とを、ＳｎＯ２ が１０重量％となるよ
うに配合し、これにバインダーとして１重量％のポリビ
ニルアルコールを添加し、湿式ボールミル混合を２４時
間行ない、乾燥および造粒を行なった。この粉末を用い
、２ｔｏｎ／ｃｍ２の圧力でプレス成形を行ない、７７
ｍｍ径、５ｍｍ厚の円板状の成形体を得た。この成形体
について、１４００℃の温度で５時間焼結を行ない、Ｉ
ＴＯ焼結体を得た。得られた焼結体についてＸ線回折を
行なったところ、Ｉｎ２ Ｏ３ 相のピーク、少量のＳ
ｎＯ２ のピーク、および中間化合物相 （Ｉｎ０．６
Ｏ０．４）２ Ｏ３ のピークのみが観察され、面間
隔が２．８６〜２．８９Åおよび３．０５〜３．０８Å
の回折面を持つ相は認められなかった。この焼結体をス
パッタリング用ターゲットとして用い、実施例１と同様
にしてスパッタリングによる成膜試験を行ない、膜特性
の評価を行なった。結果を第１表に示す。
ｎ２ Ｏ３ 粉末と、同じく平均粒子径が１ミクロンの
ＳｎＯ２ 粉末とを、ＳｎＯ２ が１０重量％となるよ
うに配合し、これにバインダーとして１重量％のポリビ
ニルアルコールを添加し、湿式ボールミル混合を２４時
間行ない、乾燥および造粒を行なった。この粉末を用い
、２ｔｏｎ／ｃｍ２の圧力でプレス成形を行ない、７７
ｍｍ径、５ｍｍ厚の円板状の成形体を得た。この成形体
について、１４００℃の温度で５時間焼結を行ない、Ｉ
ＴＯ焼結体を得た。得られた焼結体についてＸ線回折を
行なったところ、Ｉｎ２ Ｏ３ 相のピーク、少量のＳ
ｎＯ２ のピーク、および中間化合物相 （Ｉｎ０．６
Ｏ０．４）２ Ｏ３ のピークのみが観察され、面間
隔が２．８６〜２．８９Åおよび３．０５〜３．０８Å
の回折面を持つ相は認められなかった。この焼結体をス
パッタリング用ターゲットとして用い、実施例１と同様
にしてスパッタリングによる成膜試験を行ない、膜特性
の評価を行なった。結果を第１表に示す。
【００１７】第１表
【００１８】
【発明の効果】本発明のＩＴＯ焼結体は、基板温度が低
い条件、例えば２００℃以下であっても、スパッタリン
グにより比抵抗値が低いＩＴＯ膜を形成することができ
る。従って本発明のＩＴＯ焼結体は、プラスチック基板
へのＩＴＯ膜の形成にも有効に使用することができる。
い条件、例えば２００℃以下であっても、スパッタリン
グにより比抵抗値が低いＩＴＯ膜を形成することができ
る。従って本発明のＩＴＯ焼結体は、プラスチック基板
へのＩＴＯ膜の形成にも有効に使用することができる。
Claims (1)
- 【請求項１】実質的にインジウム、錫および酸素から成
るＩＴＯ焼結体であって、Ｘ線回折により面間隔が２．
８６〜２．８９Åおよび３．０５〜３．０８Åである回
折面を持つ相が形成されており、且つこれら回折ピーク
の積分強度が、それぞれＩｎ２ Ｏ３ 相の（２２２）
面の回折ピークの積分強度の０．１％以上であることを
特徴とするＩＴＯ焼結体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2412483A JP2979648B2 (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | Ｉｔｏ焼結体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2412483A JP2979648B2 (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | Ｉｔｏ焼結体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04224162A true JPH04224162A (ja) | 1992-08-13 |
| JP2979648B2 JP2979648B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=18521317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2412483A Expired - Fee Related JP2979648B2 (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | Ｉｔｏ焼結体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2979648B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100814320B1 (ko) * | 2005-06-29 | 2008-03-18 | 미츠이 긴조쿠 고교 가부시키가이샤 | 스퍼터링 타겟의 제조방법 |
| JP2013091854A (ja) * | 2013-01-24 | 2013-05-16 | Toyobo Co Ltd | 透明導電性フィルムの製造方法 |
| WO2014034575A1 (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | 株式会社カネカ | 透明電極付き基板の製造方法、および透明電極付き基板 |
-
1990
- 1990-12-20 JP JP2412483A patent/JP2979648B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100814320B1 (ko) * | 2005-06-29 | 2008-03-18 | 미츠이 긴조쿠 고교 가부시키가이샤 | 스퍼터링 타겟의 제조방법 |
| WO2014034575A1 (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | 株式会社カネカ | 透明電極付き基板の製造方法、および透明電極付き基板 |
| JPWO2014034575A1 (ja) * | 2012-08-31 | 2016-08-08 | 株式会社カネカ | 透明電極付き基板の製造方法、および透明電極付き基板 |
| US10138541B2 (en) | 2012-08-31 | 2018-11-27 | Kaneka Corporation | Method for producing substrate with transparent electrode, and substrate with transparent electrode |
| JP2013091854A (ja) * | 2013-01-24 | 2013-05-16 | Toyobo Co Ltd | 透明導電性フィルムの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2979648B2 (ja) | 1999-11-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10037830B2 (en) | Indium oxide transparent conductive film | |
| JP3179287B2 (ja) | 導電性透明基材およびその製造方法 | |
| JPH0971860A (ja) | ターゲットおよびその製造方法 | |
| EP2495224B1 (en) | Indium oxide sintered body and indium oxide transparent conductive film | |
| JPH04219359A (ja) | 導電性酸化亜鉛焼結体 | |
| US9224513B2 (en) | Zinc oxide sintered compact tablet and manufacturing method thereof | |
| JPH0350148A (ja) | 酸化亜鉛焼結体及びその製造法並びに用途 | |
| Sun et al. | Effects of oxygen contents on the electrical and optical properties of indium molybdenum oxide films fabricated by high density plasma evaporation | |
| Huang et al. | Highly conductive alumina-added ZnO ceramic target prepared by reduction sintering and its effects on the properties of deposited thin films by direct current magnetron sputtering | |
| Han et al. | Grain refinement for indium zinc oxide ceramic targets by praseodymium doped induced blocked boundary migration | |
| KR20080068228A (ko) | 투명 도전 산화막, 이의 제조방법, 인듐-주석 복합 산화물,및 소결체 | |
| EP1905864B1 (en) | In Sm OXIDE SPUTTERING TARGET | |
| KR100891952B1 (ko) | 투명 도전막용 산화물계 타겟 및 그 제조방법, 그리고산화물계 투명 도전막 | |
| JPH04224162A (ja) | Ｉｔｏ焼結体 | |
| KR102748330B1 (ko) | 투명도전막, 투명도전막용 타겟 및 이의 제조방법 | |
| JPH0316954A (ja) | 酸化物焼結体及びその製造法並びに用途 | |
| JPH03126655A (ja) | 酸化インジウム‐酸化錫焼結体及びその製造方法 | |
| JP2904358B2 (ja) | Ｉｔｏ焼結体の製造方法 | |
| JPH06248427A (ja) | 真空蒸着用原料 | |
| Wang et al. | Effect of MgO Doping on Microstructural Evolution and Densification Behavior of NiO Ceramic Targets | |
| JPS63199862A (ja) | 錫を含む物理蒸着用酸化インジウム焼結体 | |
| JPH04104936A (ja) | Ｉｔｏ焼結体の製造方法 | |
| JPH04341707A (ja) | 透明導電膜 | |
| JP3781398B2 (ja) | Ｉ．ｔ．ｏ焼結体、その製造方法及びｉ．ｔ．ｏ薄膜 | |
| JPH0832589B2 (ja) | Ｉｔｏ焼結体の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080917 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080917 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090917 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090917 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100917 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |