JPH04225150A - 半導体材料のライフタイム評価方法及びその装置 - Google Patents
半導体材料のライフタイム評価方法及びその装置Info
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- JPH04225150A JPH04225150A JP41525190A JP41525190A JPH04225150A JP H04225150 A JPH04225150 A JP H04225150A JP 41525190 A JP41525190 A JP 41525190A JP 41525190 A JP41525190 A JP 41525190A JP H04225150 A JPH04225150 A JP H04225150A
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体材料のライフ
タイム評価方法及びその装置に関し、特に励起用光とマ
イクロ波を利用した非接触・非破壊による計測について
の半導体材料のライフタイム評価方法及びその装置に関
する。
タイム評価方法及びその装置に関し、特に励起用光とマ
イクロ波を利用した非接触・非破壊による計測について
の半導体材料のライフタイム評価方法及びその装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体材料として一般的に大量に生産さ
れ各種デバイスに加工されるＳｉ（シリコン）結晶やＳ
ｉウェハーの品質管理においては、電気特性を計測する
ことによるライフタイム計測が行なわれている。ライフ
タイムとは、Ｓｉ材料に光，電気等のエネルギーを加え
ることにより発生した自由電子（少数キャリア）が再結
合するまでの時間を意味する。この少数キャリアのライ
フタイムは材料たるＳｉ材料の質を評価する重要な因子
であり、このようなライフタイム計測は、半導体プロセ
スにおけるＳｉ材料の表面及び内部の品質評価、デバイ
ス自体の品質を評価し得るのみならず、プロセス工程に
おける汚染等の問題を発見し得ると同時に生産管理面か
らも重要欠くべからざる因子であるといえる。
れ各種デバイスに加工されるＳｉ（シリコン）結晶やＳ
ｉウェハーの品質管理においては、電気特性を計測する
ことによるライフタイム計測が行なわれている。ライフ
タイムとは、Ｓｉ材料に光，電気等のエネルギーを加え
ることにより発生した自由電子（少数キャリア）が再結
合するまでの時間を意味する。この少数キャリアのライ
フタイムは材料たるＳｉ材料の質を評価する重要な因子
であり、このようなライフタイム計測は、半導体プロセ
スにおけるＳｉ材料の表面及び内部の品質評価、デバイ
ス自体の品質を評価し得るのみならず、プロセス工程に
おける汚染等の問題を発見し得ると同時に生産管理面か
らも重要欠くべからざる因子であるといえる。
【０００３】再結合には試料たるＳｉ材料の表面での表
面再結合と材料の内部での内部再結合とがあり、表面再
結合によるライフタイムを表面ライフタイムと呼び、内
部再結合によるライフタイムをバルクライフタイムと一
般に呼んでいる。
面再結合と材料の内部での内部再結合とがあり、表面再
結合によるライフタイムを表面ライフタイムと呼び、内
部再結合によるライフタイムをバルクライフタイムと一
般に呼んでいる。
【０００４】ところで、ライフタイム評価方法にはＣＴ
法，ＰＣＶ法，ダイオード法といわれる電極加工を施し
て電界を印加して計測するいわゆる接触・破壊評価方法
に準ずる方法と、励起用光とマイクロ波を利用して計測
するいわゆる非接触・非破壊方法に準ずる方法とがあり
、前者，後者ともに利点，欠点を有している。
法，ＰＣＶ法，ダイオード法といわれる電極加工を施し
て電界を印加して計測するいわゆる接触・破壊評価方法
に準ずる方法と、励起用光とマイクロ波を利用して計測
するいわゆる非接触・非破壊方法に準ずる方法とがあり
、前者，後者ともに利点，欠点を有している。
【０００５】前者は、よりデバイスに近い状態でのライ
フタイムの評価を行なえることが利点であるが、電極の
取付けや拡散炉等の試料作成時の金属その他の汚染因子
の混入による計測への悪影響を除去し得ないという問題
を含んでいる。一方、後者は、ライフタイム評価上最も
理想的な評価方式ではあるが、試料たる材料の表面は不
安定な再結合中心が多数存在するため、励起用光とマイ
クロ波を用いたこの方式で得られたライフタイム値はほ
とんど表面再結合による表面ライフタイムを計測したも
のであり、純粋なバルクライフタイムを評価し得ないと
いう欠点を有している。
フタイムの評価を行なえることが利点であるが、電極の
取付けや拡散炉等の試料作成時の金属その他の汚染因子
の混入による計測への悪影響を除去し得ないという問題
を含んでいる。一方、後者は、ライフタイム評価上最も
理想的な評価方式ではあるが、試料たる材料の表面は不
安定な再結合中心が多数存在するため、励起用光とマイ
クロ波を用いたこの方式で得られたライフタイム値はほ
とんど表面再結合による表面ライフタイムを計測したも
のであり、純粋なバルクライフタイムを評価し得ないと
いう欠点を有している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、比較的理想
に近いライフタイム評価である非接触・非破壊方式にお
いて、上述した表面再結合の影響で内部再結合評価を得
にくいという欠点を補正する手段として、試料表面に酸
化膜を付加して計測する方法，正・負電荷膜処理を施し
て計測する方法，得られたライフタイム波形のデータ解
析によりキャリアの内部再結合に起因するライフタイム
のみを処理解析する方法等が一般的に用いられてきた。
に近いライフタイム評価である非接触・非破壊方式にお
いて、上述した表面再結合の影響で内部再結合評価を得
にくいという欠点を補正する手段として、試料表面に酸
化膜を付加して計測する方法，正・負電荷膜処理を施し
て計測する方法，得られたライフタイム波形のデータ解
析によりキャリアの内部再結合に起因するライフタイム
のみを処理解析する方法等が一般的に用いられてきた。
【０００７】しかしながら、酸化膜処理及び正・負電荷
膜処理は破壊加工手段であるので理想的であるとは言え
ず、得られたライフタイム波形をデータ解析してバルク
ライフタイム値を導き出す方法も、現実には酸化膜を施
したサンプルの内部再結合によるライフタイム値に程遠
い値しか得られないという問題点があった。
膜処理は破壊加工手段であるので理想的であるとは言え
ず、得られたライフタイム波形をデータ解析してバルク
ライフタイム値を導き出す方法も、現実には酸化膜を施
したサンプルの内部再結合によるライフタイム値に程遠
い値しか得られないという問題点があった。
【０００８】この発明は上述のような事情から成された
ものであり、この発明の目的は、非接触・非破壊方式に
よる真のバルク及び表面ライフタイムの評価を可能とし
た半導体材料のライフタイム評価方法及びその装置を提
供することにある。
ものであり、この発明の目的は、非接触・非破壊方式に
よる真のバルク及び表面ライフタイムの評価を可能とし
た半導体材料のライフタイム評価方法及びその装置を提
供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、特に励起用
光とマイクロ波を利用した非接触・非破壊による計測に
ついての半導体材料のライフタイム評価方法及びその装
置に関するものであり、この発明の上記目的は、半導体
材料に励起用光とマイクロ波を照射することにより非接
触・非破壊で少数キャリアを発生させてライフタイム計
測を行なう半導体材料のライフタイム評価方法において
、前期励起用光とマイクロ波の照射前に、紫外線領域の
バイアス光を前記半導体材料に照射することによって達
成される。また、半導体材料の両面に紫外線領域のバイ
アス光を照射する紫外線照射手段と、前記紫外線照射手
段により一定時間紫外線が照射された前記半導体材料を
励起して少数キャリアを発生させるための励起用光源と
、前記励起用光源により励起された前記半導体材料にマ
イクロ波を照射して反射波を検出するマイクロ波発生・
検出手段とを備えることによって達成される。
光とマイクロ波を利用した非接触・非破壊による計測に
ついての半導体材料のライフタイム評価方法及びその装
置に関するものであり、この発明の上記目的は、半導体
材料に励起用光とマイクロ波を照射することにより非接
触・非破壊で少数キャリアを発生させてライフタイム計
測を行なう半導体材料のライフタイム評価方法において
、前期励起用光とマイクロ波の照射前に、紫外線領域の
バイアス光を前記半導体材料に照射することによって達
成される。また、半導体材料の両面に紫外線領域のバイ
アス光を照射する紫外線照射手段と、前記紫外線照射手
段により一定時間紫外線が照射された前記半導体材料を
励起して少数キャリアを発生させるための励起用光源と
、前記励起用光源により励起された前記半導体材料にマ
イクロ波を照射して反射波を検出するマイクロ波発生・
検出手段とを備えることによって達成される。
【００１０】
【作用】この発明にあっては、励起する前に紫外線領域
のバイアス光を照射することにより、半導体材料の表面
再結合は著しく抑制される。
のバイアス光を照射することにより、半導体材料の表面
再結合は著しく抑制される。
【００１１】
【実施例】以下、図面に基づいてこの発明の実施例につ
いて詳細に説明する。
いて詳細に説明する。
【００１２】図２は、この発明の基礎となる原理を説明
するための図である。ところで、従来行なわれていた表
面再結合を抑制するための酸化膜処理や化学処理膜（正
・負電荷膜）の方法によれば、これらの膜がキャリア再
結合を抑える空乏層（電界の谷）を表面に形成するとい
う事実は、これらに準ずる他の手段や理論解析等から明
らかとなっている。そこで、図２は酸化膜（自然酸化膜
を含む）１３により表面に空乏層１４が存在するＰ型シ
リコン１５の電界層断面図であるが、この状態で更に何
らかの手段により電子１１，正孔１２を供給すると、更
にこの空乏層１４の電界ＥＶが安定かつ強固となる。し
たがって、この電界強度を向上，安定させるための電子
１１，正孔１２の供給を維持し、更にレーザによって発
生した少数キャリアのライフタイムをマイクロ波で計測
すれば、表面再結合はこの電界の谷で抑制されるため内
部再結合に起因するバルクライフタイムのみの情報を計
測できることになる。
するための図である。ところで、従来行なわれていた表
面再結合を抑制するための酸化膜処理や化学処理膜（正
・負電荷膜）の方法によれば、これらの膜がキャリア再
結合を抑える空乏層（電界の谷）を表面に形成するとい
う事実は、これらに準ずる他の手段や理論解析等から明
らかとなっている。そこで、図２は酸化膜（自然酸化膜
を含む）１３により表面に空乏層１４が存在するＰ型シ
リコン１５の電界層断面図であるが、この状態で更に何
らかの手段により電子１１，正孔１２を供給すると、更
にこの空乏層１４の電界ＥＶが安定かつ強固となる。し
たがって、この電界強度を向上，安定させるための電子
１１，正孔１２の供給を維持し、更にレーザによって発
生した少数キャリアのライフタイムをマイクロ波で計測
すれば、表面再結合はこの電界の谷で抑制されるため内
部再結合に起因するバルクライフタイムのみの情報を計
測できることになる。
【００１３】ところで、電界強度の向上，安定を図るた
めにはある種の光が有効であることは知られていたが、
そのような光をライフタイム計測との関わりにおいて波
長や強度、更には照射時間の面から深く詳細に考察され
たことはなく、この発明において、一定の光を材料に照
射することにより、表面再結合を抑えることができる安
定した空乏層を形成する方法を確立した。
めにはある種の光が有効であることは知られていたが、
そのような光をライフタイム計測との関わりにおいて波
長や強度、更には照射時間の面から深く詳細に考察され
たことはなく、この発明において、一定の光を材料に照
射することにより、表面再結合を抑えることができる安
定した空乏層を形成する方法を確立した。
【００１４】すなわち、電界強度が強くかつ試料たるＳ
ｉ材料表面（表面〜数オングストローム）に効率よく吸
収される波長の紫外線を特定し、その紫外線を照射した
後ライフタイムを計測するという方法とその装置を提案
する。
ｉ材料表面（表面〜数オングストローム）に効率よく吸
収される波長の紫外線を特定し、その紫外線を照射した
後ライフタイムを計測するという方法とその装置を提案
する。
【００１５】図１は、この発明における半導体材料のラ
イフタイム評価方法を実現する装置の一実施例の構成図
である。同図において、試料たるＳｉウェハー４はステ
ージ５によりスライドして移動し紫外線光源１，２に挟
まれる空間３に挿入される。空間３は、照射紫外線を効
率よくＳｉウェハー４に照射できるようにできる限り狭
い間隔に維持される。一定時間紫外線が照射されたＳｉ
ウェハー４は更に計測エリアに挿入され、励起用光源レ
ーザ６により励起された後、一体化構造のマイクロ波発
生用ＧＵＮ及び反射マイクロ波ディテクタ７によりライ
フタイム計測が行なわれる。
イフタイム評価方法を実現する装置の一実施例の構成図
である。同図において、試料たるＳｉウェハー４はステ
ージ５によりスライドして移動し紫外線光源１，２に挟
まれる空間３に挿入される。空間３は、照射紫外線を効
率よくＳｉウェハー４に照射できるようにできる限り狭
い間隔に維持される。一定時間紫外線が照射されたＳｉ
ウェハー４は更に計測エリアに挿入され、励起用光源レ
ーザ６により励起された後、一体化構造のマイクロ波発
生用ＧＵＮ及び反射マイクロ波ディテクタ７によりライ
フタイム計測が行なわれる。
【００１６】ここで、紫外線光源１，２に挟まれる空間
３に挿入されたＳｉウェハー４に紫外線領域のバイアス
光が照射されると、紫外線による自由電子がその表・裏
面に形成される。このとき、通常は表面再結合による自
由電子の減衰はあるが、紫外線を十分与えた場合には上
述した如く過剰自由電子が自然酸化膜空乏層に蓄積され
、徐々に安定，強固な表面電界の谷を形成する。この表
面電界の谷は紫外線照射を終了した後でも数秒間は維持
されるので、その数秒の間にマイクロ波発生用ＧＵＮ及
び反射マイクロ波ディテクタ７によりライフタイム計測
を行なえば、表面再結合は著しく抑制されて内部再結合
に起因するバルクライフタイムのみを計測することがで
きる。
３に挿入されたＳｉウェハー４に紫外線領域のバイアス
光が照射されると、紫外線による自由電子がその表・裏
面に形成される。このとき、通常は表面再結合による自
由電子の減衰はあるが、紫外線を十分与えた場合には上
述した如く過剰自由電子が自然酸化膜空乏層に蓄積され
、徐々に安定，強固な表面電界の谷を形成する。この表
面電界の谷は紫外線照射を終了した後でも数秒間は維持
されるので、その数秒の間にマイクロ波発生用ＧＵＮ及
び反射マイクロ波ディテクタ７によりライフタイム計測
を行なえば、表面再結合は著しく抑制されて内部再結合
に起因するバルクライフタイムのみを計測することがで
きる。
【００１７】以下具体的な測定結果に基づいて説明する
。図３〜図５は、同一サンプルで条件のみ変えた場合の
ライフタイム計測の一例を示す図であり、図３は紫外線
を照射せずに計測した場合のライフタイム波形とライフ
タイム値を示す図、図４は紫外線を片面（ミラー面）の
み照射して計測した場合のライフタイム波形とライフタ
イム値を示す図、図５は紫外線を両面（ミラー面，バッ
ク面）に照射して計測した場合のライフタイム波形とラ
イフタイム値を示す図である。
。図３〜図５は、同一サンプルで条件のみ変えた場合の
ライフタイム計測の一例を示す図であり、図３は紫外線
を照射せずに計測した場合のライフタイム波形とライフ
タイム値を示す図、図４は紫外線を片面（ミラー面）の
み照射して計測した場合のライフタイム波形とライフタ
イム値を示す図、図５は紫外線を両面（ミラー面，バッ
ク面）に照射して計測した場合のライフタイム波形とラ
イフタイム値を示す図である。
【００１８】図３においては、従来のデータ処理により
近似バルクライフタイムとみなされた遅い減衰波形ｂが
見られ、表面の早い減衰波形ａを伴っている。減衰波形
ａにおけるライフタイムは約７μｓであり、減衰波形ｂ
の近似バルクライフタイムは約１０μｓである。これに
対し図５においては、照射した紫外線により表・裏面再
結合が抑えられ、図３に現れていた早い減衰波形ａは全
く見ることができない。図５に示すライフタイム値は図
３による近似バルクライフタイム値の約１３倍であり、
Ｓｉウェハー４の厚さ，表面再結合等の因子を実測，予
想した解析バルクライフタイムに準ずるバルクライフタ
イム値が得られることを明確に示している。また、図４
に示す結果から紫外線を片面に照射した場合には紫外線
を照射しない場合と両面に照射した場合との中間のライ
フタイム値が得られる。このことは紫外線照射の片面に
与える効果を顕著に物語っている。そこで、紫外線を照
射しない場合，紫外線を片面に照射した場合及び紫外線
を両面に照射した場合により得られる全てのデータを解
析することにより、現実に即した表面再結合，表面再結
合速度及びバルクライフタイム（内部再結合速度）の解
析が可能となる。
近似バルクライフタイムとみなされた遅い減衰波形ｂが
見られ、表面の早い減衰波形ａを伴っている。減衰波形
ａにおけるライフタイムは約７μｓであり、減衰波形ｂ
の近似バルクライフタイムは約１０μｓである。これに
対し図５においては、照射した紫外線により表・裏面再
結合が抑えられ、図３に現れていた早い減衰波形ａは全
く見ることができない。図５に示すライフタイム値は図
３による近似バルクライフタイム値の約１３倍であり、
Ｓｉウェハー４の厚さ，表面再結合等の因子を実測，予
想した解析バルクライフタイムに準ずるバルクライフタ
イム値が得られることを明確に示している。また、図４
に示す結果から紫外線を片面に照射した場合には紫外線
を照射しない場合と両面に照射した場合との中間のライ
フタイム値が得られる。このことは紫外線照射の片面に
与える効果を顕著に物語っている。そこで、紫外線を照
射しない場合，紫外線を片面に照射した場合及び紫外線
を両面に照射した場合により得られる全てのデータを解
析することにより、現実に即した表面再結合，表面再結
合速度及びバルクライフタイム（内部再結合速度）の解
析が可能となる。
【００１９】図６は、図３〜図５に示した場合とは異な
るサンプルに従来の酸化膜処理を施してライフタイム計
測した場合のライフタイム波形とライフタイム値を示す
図である。また、図７は、図６のサンプルと同一ロッド
の酸化膜処理前の生ウェハーに紫外線を照射してライフ
タイム計測した場合のライフタイム波形とライフタイム
値を示す図である。更に、図８は紫外線を照射しない生
ウェハー状態でのライフタイム波形とライフタイム値を
示す図である。図６に示された結果より酸化膜処理を施
すことにより表面の早い減衰波形がなくなっている点で
図８に示したものと比較して酸化膜処理が有効であるこ
とは顕著であるが、図７に示されたライフタイム値と比
較した場合、約３割のライフタイム値の減少が認められ
る。このことは、酸化膜処理の際、酸化炉での熱処理等
によりＳｉ材料が質的変化を受けることを裏付けるもの
である。これは、真の内部再結合ライフタイムを評価す
る上で理想とはいえない。
るサンプルに従来の酸化膜処理を施してライフタイム計
測した場合のライフタイム波形とライフタイム値を示す
図である。また、図７は、図６のサンプルと同一ロッド
の酸化膜処理前の生ウェハーに紫外線を照射してライフ
タイム計測した場合のライフタイム波形とライフタイム
値を示す図である。更に、図８は紫外線を照射しない生
ウェハー状態でのライフタイム波形とライフタイム値を
示す図である。図６に示された結果より酸化膜処理を施
すことにより表面の早い減衰波形がなくなっている点で
図８に示したものと比較して酸化膜処理が有効であるこ
とは顕著であるが、図７に示されたライフタイム値と比
較した場合、約３割のライフタイム値の減少が認められ
る。このことは、酸化膜処理の際、酸化炉での熱処理等
によりＳｉ材料が質的変化を受けることを裏付けるもの
である。これは、真の内部再結合ライフタイムを評価す
る上で理想とはいえない。
【００２０】図９は、紫外線照射後のライフタイム値の
時間変化を２枚のサンプルで計測比較した結果を示す図
であり、紫外線照射後の試料の質的変化を調べたもので
ある。同図に示された結果より紫外線照射後４〜７分で
ライフタイムはほぼ完全に照射前の状態に復帰している
ことが確認できる。したがって、紫外線照射は試料の質
的変化に影響をもたらさない。尚、サンプル■とサンプ
ル■とで復帰時間に差異が生じたのは、同一ロッドでも
ウェハーごとに表面の状態が大きく異なることに起因す
るものである。
時間変化を２枚のサンプルで計測比較した結果を示す図
であり、紫外線照射後の試料の質的変化を調べたもので
ある。同図に示された結果より紫外線照射後４〜７分で
ライフタイムはほぼ完全に照射前の状態に復帰している
ことが確認できる。したがって、紫外線照射は試料の質
的変化に影響をもたらさない。尚、サンプル■とサンプ
ル■とで復帰時間に差異が生じたのは、同一ロッドでも
ウェハーごとに表面の状態が大きく異なることに起因す
るものである。
【００２１】
【発明の効果】以上のようにこの発明の半導体材料のラ
イフタイム評価方法及びその装置によれば、機械的，電
気的，かつ熱的，化学的に処理することなく、また、計
測前後で何ら試料に質的変化を与えることなく、従来の
非接触・非破壊計測方式の欠点とされた表面再結合ライ
フタイムの影響を除去し、Ｓｉ材料ウェハーの真の表面
・内部再結合時間評価が可能となる。また、各方面で検
討されているＳｉウェハーの表面再結合速度，厚さ等の
ライフタイムに与える影響等の解析に有効な実測データ
を提供できる。
イフタイム評価方法及びその装置によれば、機械的，電
気的，かつ熱的，化学的に処理することなく、また、計
測前後で何ら試料に質的変化を与えることなく、従来の
非接触・非破壊計測方式の欠点とされた表面再結合ライ
フタイムの影響を除去し、Ｓｉ材料ウェハーの真の表面
・内部再結合時間評価が可能となる。また、各方面で検
討されているＳｉウェハーの表面再結合速度，厚さ等の
ライフタイムに与える影響等の解析に有効な実測データ
を提供できる。
【図１】この発明における半導体材料のライフタイム評
価方法を実現する装置の一実施例の構成図である。
価方法を実現する装置の一実施例の構成図である。
【図２】この発明の基礎となる原理を説明するための図
である。
である。
【図３】ある条件におけるライフタイム計測の一例を示
す図である。
す図である。
【図４】ある条件におけるライフタイム計測の一例を示
す図である。
す図である。
【図５】ある条件におけるライフタイム計測の一例を示
す図である。
す図である。
【図６】図３〜図５に示した場合とは異なるサンプルに
従来の酸化膜処理を施してライフタイム計測した場合の
ライフタイム波形とライフタイム値を示す図である。
従来の酸化膜処理を施してライフタイム計測した場合の
ライフタイム波形とライフタイム値を示す図である。
【図７】図６のサンプルと同一ロッドの酸化膜処理前の
生ウェハーに紫外線を照射してライフタイム計測した場
合のライフタイム波形とライフタイム値を示す図である
。
生ウェハーに紫外線を照射してライフタイム計測した場
合のライフタイム波形とライフタイム値を示す図である
。
【図８】紫外線を照射しない生ウェハー状態でのライフ
タイム波形とライフタイム値を示す図である。
タイム波形とライフタイム値を示す図である。
【図９】紫外線照射後のライフタイム値の時間変化を２
枚のサンプルで計測比較した結果を示す図である。
枚のサンプルで計測比較した結果を示す図である。
１ 紫外線光源
２ 紫外線光源
３ 空間
４ Ｓｉウェハー
５ ステージ
６ 励起用光源レーザ
７ マイクロ波発生用ＧＵＮ及び反射マイクロ波
ディテクタ １１ 電子 １２ 正孔 １３ 酸化膜 １４ 空乏層 １５ Ｐ型シリコン
ディテクタ １１ 電子 １２ 正孔 １３ 酸化膜 １４ 空乏層 １５ Ｐ型シリコン
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体材料に励起用光とマイクロ波を
照射することにより非接触・非破壊で少数キャリアを発
生させてライフタイム計測を行なう半導体材料のライフ
タイム評価方法において、前期励起用光とマイクロ波の
照射前に、紫外線領域のバイアス光を前記半導体材料に
照射するようにした半導体材料のライフタイム評価方法
。 - 【請求項２】 半導体材料の両面に紫外線領域のバイ
アス光を照射する紫外線照射手段と、前記紫外線照射手
段により一定時間紫外線が照射された前記半導体材料を
励起して少数キャリアを発生させるための励起用光源と
、前記励起用光源により励起された前記半導体材料にマ
イクロ波を照射して反射波を検出するマイクロ波発生・
検出手段とを備えるようにした半導体材料のライフタイ
ム評価装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41525190A JPH04225150A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 半導体材料のライフタイム評価方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41525190A JPH04225150A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 半導体材料のライフタイム評価方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04225150A true JPH04225150A (ja) | 1992-08-14 |
Family
ID=18523630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP41525190A Pending JPH04225150A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 半導体材料のライフタイム評価方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04225150A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0883828A (ja) * | 1994-09-09 | 1996-03-26 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体ウェーハの内部欠陥の測定方法およびこれを用いた熱酸化炉の管理方法 |
| WO2019102759A1 (ja) * | 2017-11-22 | 2019-05-31 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶基板の選別方法及びシリコン単結晶基板 |
-
1990
- 1990-12-27 JP JP41525190A patent/JPH04225150A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0883828A (ja) * | 1994-09-09 | 1996-03-26 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体ウェーハの内部欠陥の測定方法およびこれを用いた熱酸化炉の管理方法 |
| WO2019102759A1 (ja) * | 2017-11-22 | 2019-05-31 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶基板の選別方法及びシリコン単結晶基板 |
| JP2019096736A (ja) * | 2017-11-22 | 2019-06-20 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶基板の選別方法及びシリコン単結晶基板 |
| CN111386593A (zh) * | 2017-11-22 | 2020-07-07 | 信越半导体株式会社 | 单晶硅基板的分选方法以及单晶硅基板 |
| CN111386593B (zh) * | 2017-11-22 | 2023-09-26 | 信越半导体株式会社 | 单晶硅基板的分选方法以及单晶硅基板 |
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