JPH04225231A - シリコンウエハのエッチング方法及びその装置 - Google Patents
シリコンウエハのエッチング方法及びその装置Info
- Publication number
- JPH04225231A JPH04225231A JP40665790A JP40665790A JPH04225231A JP H04225231 A JPH04225231 A JP H04225231A JP 40665790 A JP40665790 A JP 40665790A JP 40665790 A JP40665790 A JP 40665790A JP H04225231 A JPH04225231 A JP H04225231A
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- JP
- Japan
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- wafer
- etching
- etched
- silicon wafer
- silicon oxide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンウエハ上の片
面のシリコン酸化膜のみをエッチングする方法及びその
装置に関する。
面のシリコン酸化膜のみをエッチングする方法及びその
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】エピタキシャル成長を実施するシリコン
ウエハ基板は通常高濃度ドーピングした基板が使用され
ているが、高温で行われるエピタキシャル成長時に基板
の高濃度のドーパントが遊離し、エピタキシャル層を拡
散するオートドープ現象が一般に知られており、エピタ
キシャル層の所定の抵抗率が得られない等不都合の点が
あった。
ウエハ基板は通常高濃度ドーピングした基板が使用され
ているが、高温で行われるエピタキシャル成長時に基板
の高濃度のドーパントが遊離し、エピタキシャル層を拡
散するオートドープ現象が一般に知られており、エピタ
キシャル層の所定の抵抗率が得られない等不都合の点が
あった。
【０００３】これを防ぐために、あらかじめ高濃度シリ
コン基板の裏面にシリコン酸化膜を形成し、エピタキシ
ャル成長時のオートドーピングを防止する方法がとられ
ている。しかるに通常シリコン基板にシリコン酸化膜を
形成する際は両面に形成されてしまい、ポリシング時に
除去する場合は、シリコンとシリコン酸化膜とのポリシ
ング溶液（通常はアルカリ溶液）に対するエッチング速
度の差から、平坦なポリシング面が得られない欠点があ
った。また、両面に形成されたシリコン酸化膜のうち、
片面のみをエッチングする方法は、非エッチング面にレ
ジストを塗布した後にエッチングする方法があるが工程
が多く、またコストが高い欠点があった。
コン基板の裏面にシリコン酸化膜を形成し、エピタキシ
ャル成長時のオートドーピングを防止する方法がとられ
ている。しかるに通常シリコン基板にシリコン酸化膜を
形成する際は両面に形成されてしまい、ポリシング時に
除去する場合は、シリコンとシリコン酸化膜とのポリシ
ング溶液（通常はアルカリ溶液）に対するエッチング速
度の差から、平坦なポリシング面が得られない欠点があ
った。また、両面に形成されたシリコン酸化膜のうち、
片面のみをエッチングする方法は、非エッチング面にレ
ジストを塗布した後にエッチングする方法があるが工程
が多く、またコストが高い欠点があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来、両面に形成され
たシリコン酸化膜の内、片面のみをエッチングする簡便
な方法はなく、またポリシング（通常はアルカリ溶液）
にて除去する際にも平坦な面が得られない欠点があった
。本発明はシリコン酸化膜の片面エッチングを簡便に行
うための技術を提供するのを目的とする。
たシリコン酸化膜の内、片面のみをエッチングする簡便
な方法はなく、またポリシング（通常はアルカリ溶液）
にて除去する際にも平坦な面が得られない欠点があった
。本発明はシリコン酸化膜の片面エッチングを簡便に行
うための技術を提供するのを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明方法はシリコンウ
エハの片面に形成されたシリコン酸化膜をエッチングす
るに当り、被エッチング面を下向きに保持し、下方より
フッ化水素酸水溶液の液滴を付着させてエッチングし、
次いで洗浄水を吹付けて洗浄することを特徴とするシリ
コンウエハのエッチング方法である。この方法を好適に
実施をすることができる本発明の装置は、シリコンウエ
ハを被エッチング面を下向きに保持する手段と、下方よ
り前記被エッチング面にエッチング液を付着させるエッ
チング液供給ノズルと、前記被エッチング面を洗浄する
洗浄液供給ノズルと、前記ウエハ保持手段を前記エッチ
ング液供給ノズルから洗浄液供給ノズルへ相対的に移動
させる手段と、前記エッチング液及び洗浄液の排液を処
理する手段とを備えたことを特徴とするシリコンウエハ
のエッチング装置である。
エハの片面に形成されたシリコン酸化膜をエッチングす
るに当り、被エッチング面を下向きに保持し、下方より
フッ化水素酸水溶液の液滴を付着させてエッチングし、
次いで洗浄水を吹付けて洗浄することを特徴とするシリ
コンウエハのエッチング方法である。この方法を好適に
実施をすることができる本発明の装置は、シリコンウエ
ハを被エッチング面を下向きに保持する手段と、下方よ
り前記被エッチング面にエッチング液を付着させるエッ
チング液供給ノズルと、前記被エッチング面を洗浄する
洗浄液供給ノズルと、前記ウエハ保持手段を前記エッチ
ング液供給ノズルから洗浄液供給ノズルへ相対的に移動
させる手段と、前記エッチング液及び洗浄液の排液を処
理する手段とを備えたことを特徴とするシリコンウエハ
のエッチング装置である。
【０００６】シリコンウエハ基板上の両面にシリコン酸
化膜を形成したウエハの片面をチャッキングにより水平
に保持し、下面にフッ化水素酸水溶液（５〜５０ｖｏｌ
％）の液滴（０．５〜１０ｃｃ）を付着させ、浸蝕によ
りシリコンウエハの片面のシリコン酸化膜のみをエッチ
ングする。
化膜を形成したウエハの片面をチャッキングにより水平
に保持し、下面にフッ化水素酸水溶液（５〜５０ｖｏｌ
％）の液滴（０．５〜１０ｃｃ）を付着させ、浸蝕によ
りシリコンウエハの片面のシリコン酸化膜のみをエッチ
ングする。
【０００７】
【作用】本発明者はフッ化水素酸水溶液のシリコン酸化
膜の単結晶シリコンに対する選択エッチング比は非常に
大きく、フッ化水素酸水溶液（５〜５０ｖｏｌ％）をシ
リコン酸化膜面に０．５〜１０ｃｃ付着させるのみで片
面を完全にエッチングすることができることを見出し、
この知見に基いて本発明を完成した。
膜の単結晶シリコンに対する選択エッチング比は非常に
大きく、フッ化水素酸水溶液（５〜５０ｖｏｌ％）をシ
リコン酸化膜面に０．５〜１０ｃｃ付着させるのみで片
面を完全にエッチングすることができることを見出し、
この知見に基いて本発明を完成した。
【０００８】図１の（ａ）に示すように、ウエハチャッ
キングシャフト２はウエハ１の被エッチング面が下にな
るようにシリコンウエハ１を保持する。ウエハ１を矢印
１０方向に移動してフッ化水素酸水溶液供給ノズル３に
近接させ、ノズル３にフッ化水素酸水溶液４を供給し、
フッ化水素酸水溶液４とシリコンウエハ１とを接触させ
る。シャフト２は矢印１１のように回転させる。フッ化
水素酸水溶液により裏面のシリコン酸化膜がエッチング
された後、直ちに図１の（ｂ）に示すようにウエハチャ
ッキングシャフト２を矢印１２方向へ移動する。純水供
給ノズル５より純水６をウエハ裏面に噴流する。同時に
上面の純水ノズル７から純水８をウエハ１の上面にリン
スする。
キングシャフト２はウエハ１の被エッチング面が下にな
るようにシリコンウエハ１を保持する。ウエハ１を矢印
１０方向に移動してフッ化水素酸水溶液供給ノズル３に
近接させ、ノズル３にフッ化水素酸水溶液４を供給し、
フッ化水素酸水溶液４とシリコンウエハ１とを接触させ
る。シャフト２は矢印１１のように回転させる。フッ化
水素酸水溶液により裏面のシリコン酸化膜がエッチング
された後、直ちに図１の（ｂ）に示すようにウエハチャ
ッキングシャフト２を矢印１２方向へ移動する。純水供
給ノズル５より純水６をウエハ裏面に噴流する。同時に
上面の純水ノズル７から純水８をウエハ１の上面にリン
スする。
【０００９】装置としては、チャッキングシャフト２を
矢印１２方向に移動する機構に限定されるのではなく、
シャフト２を固定して、２つの供給ノズル３、５を移動
してエッチングと洗浄を行う機構であってももちろんよ
い。
矢印１２方向に移動する機構に限定されるのではなく、
シャフト２を固定して、２つの供給ノズル３、５を移動
してエッチングと洗浄を行う機構であってももちろんよ
い。
【００１０】
【実施例】直径６インチのＰ型ボロン高ドーピングのＣ
Ｚ基板（抵抗率２０／１０００Ω−ｃｍ）をブライトエ
ッチングしたものに、シリコン酸化膜を形成した。この
シリコン酸化膜の形成は横型炉にて、ＬＰ−ＣＶＤ成長
により行った。ウエハは図２に示すように２枚貼合わせ
た形で石英ボート９に載せてシリコン酸化膜を形成した
。このためエッチングすべきウエハ面には、主に周辺部
にシリコン酸化膜が形成されていた。これを図１の（ａ
）に示すように、５０％フッ化水素酸水溶液４に２秒間
接触させた後、２０秒後に図１の（ｂ）に示す純水リン
スを行ったところ、片面のみのシリコン酸化膜エッチン
グを行うことができた。
Ｚ基板（抵抗率２０／１０００Ω−ｃｍ）をブライトエ
ッチングしたものに、シリコン酸化膜を形成した。この
シリコン酸化膜の形成は横型炉にて、ＬＰ−ＣＶＤ成長
により行った。ウエハは図２に示すように２枚貼合わせ
た形で石英ボート９に載せてシリコン酸化膜を形成した
。このためエッチングすべきウエハ面には、主に周辺部
にシリコン酸化膜が形成されていた。これを図１の（ａ
）に示すように、５０％フッ化水素酸水溶液４に２秒間
接触させた後、２０秒後に図１の（ｂ）に示す純水リン
スを行ったところ、片面のみのシリコン酸化膜エッチン
グを行うことができた。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば、フッ化水素酸のシリコ
ン酸化膜への浸蝕作用を用いて、シリコン酸化膜の片面
エッチングをレジスト塗布によるプロテクト法に比べて
、１／５以下の作業時間で行うことができ、製造に伴う
コストを低減することができた。また、平坦な面を有す
るウエハを得ることができた。
ン酸化膜への浸蝕作用を用いて、シリコン酸化膜の片面
エッチングをレジスト塗布によるプロテクト法に比べて
、１／５以下の作業時間で行うことができ、製造に伴う
コストを低減することができた。また、平坦な面を有す
るウエハを得ることができた。
【図１】本発明のフッ化水素酸水溶液によりウエハの下
面のみをエッチングするステージおよび純水によりリン
スするステージの見取図である。
面のみをエッチングするステージおよび純水によりリン
スするステージの見取図である。
【図２】模型炉にてウエハを２枚貼合わせて、シリコン
酸化膜を成長させる状態の見取図である。
酸化膜を成長させる状態の見取図である。
１ シリコンウエハ
２ ウエハチャッキングシャフト３ フッ
化水素酸水溶液供給ノズル４ フッ化水素酸水溶
液 ５ 純水供給ノズル ６ 純水 ７ 純水供給ノズル ８ 純水 ９ 石英ボート
化水素酸水溶液供給ノズル４ フッ化水素酸水溶
液 ５ 純水供給ノズル ６ 純水 ７ 純水供給ノズル ８ 純水 ９ 石英ボート
Claims (2)
- 【請求項１】 シリコンウエハの片面に形成されたシ
リコン酸化膜をエッチングするに当り、被エッチング面
を下向きに保持し、下方よりフッ化水素酸水溶液の液滴
を付着させてエッチングし、次いで洗浄水を吹付けて洗
浄することを特徴とするシリコンウエハのエッチング方
法。 - 【請求項２】 シリコンウエハを被エッチング面を下
向きに保持する手段と、下方より前記被エッチング面に
エッチング液を付着させるエッチング液供給ノズルと、
前記被エッチング面を洗浄する洗浄液供給ノズルと、前
記ウエハ保持手段を前記エッチング液供給ノズルから洗
浄液供給ノズルへ相対的に移動させる手段と、前記エッ
チング液及び洗浄液の排液を処理する手段とを備えたこ
とを特徴とするシリコンウエハのエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40665790A JPH04225231A (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | シリコンウエハのエッチング方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40665790A JPH04225231A (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | シリコンウエハのエッチング方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04225231A true JPH04225231A (ja) | 1992-08-14 |
Family
ID=18516278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40665790A Pending JPH04225231A (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | シリコンウエハのエッチング方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04225231A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2367788A (en) * | 2000-10-16 | 2002-04-17 | Seiko Epson Corp | Etching using an ink jet print head |
| US6979071B2 (en) * | 2004-01-29 | 2005-12-27 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Image recording apparatus |
-
1990
- 1990-12-26 JP JP40665790A patent/JPH04225231A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2367788A (en) * | 2000-10-16 | 2002-04-17 | Seiko Epson Corp | Etching using an ink jet print head |
| US7431860B2 (en) | 2000-10-16 | 2008-10-07 | Seiko Epson Corporation | Etching process |
| US6979071B2 (en) * | 2004-01-29 | 2005-12-27 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Image recording apparatus |
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