JPH04225250A - 温度測定装置 - Google Patents
温度測定装置Info
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- JPH04225250A JPH04225250A JP2407010A JP40701090A JPH04225250A JP H04225250 A JPH04225250 A JP H04225250A JP 2407010 A JP2407010 A JP 2407010A JP 40701090 A JP40701090 A JP 40701090A JP H04225250 A JPH04225250 A JP H04225250A
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K15/00—Testing or calibrating of thermometers
- G01K15/005—Calibration
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ＩＣの温度印加
試験において用いられる温度測定装置に関し、特に試験
温度印加治具又は装置により印加されたＩＣパッケージ
内温度の測定を外部からの影響を受けずに正確に測定す
る温度測定装置に関する。
試験において用いられる温度測定装置に関し、特に試験
温度印加治具又は装置により印加されたＩＣパッケージ
内温度の測定を外部からの影響を受けずに正確に測定す
る温度測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体ＩＣの高速化、大容量化に
伴う半導体ＩＣ自体の試験規格に対する余裕度の減少か
ら、温度印加試験時における実際のＩＣパッケージ内温
度の正確な制御が要求されている。このため、温度印加
試験に用いる試験温度印加治具又は装置の温度印加によ
るＩＣパッケージ内温度の測定が一層高い精度で行われ
る必要がある。
伴う半導体ＩＣ自体の試験規格に対する余裕度の減少か
ら、温度印加試験時における実際のＩＣパッケージ内温
度の正確な制御が要求されている。このため、温度印加
試験に用いる試験温度印加治具又は装置の温度印加によ
るＩＣパッケージ内温度の測定が一層高い精度で行われ
る必要がある。
【０００３】図３及び図４は、従来の印加温度測定装置
を示し、温度センサとしては、半導体ダイオード３０（
図３）又は白金等の感温抵抗体４０（図４）が使用され
ている。これらのダイオード３０又は抵抗体４０は、Ｉ
Ｃパッケージ３２内の半導体チップ３３上に形成され、
ＩＣパッケージ３２に設けられている。一対のリード端
子３４ａ、３４ｂに接続されている。各リード端子３４
ａ、３４ｂには、測定回路３６から延ばされた接触子３
８ａ、３８ｂが接触され、温度回路３６の電流源３６ａ
から接触子３８ａ、３８ｂを介して測定電流がダイオー
ド３０又は抵抗体４０に供給される。ＩＣパッケージ３
２内の温度は、温度センサとしてのダイオード３０又は
抵抗体４０に流れる電流量を測定回路３６内の電圧測定
部３６ｂによって測定し、温度に換算することによって
得られる。
を示し、温度センサとしては、半導体ダイオード３０（
図３）又は白金等の感温抵抗体４０（図４）が使用され
ている。これらのダイオード３０又は抵抗体４０は、Ｉ
Ｃパッケージ３２内の半導体チップ３３上に形成され、
ＩＣパッケージ３２に設けられている。一対のリード端
子３４ａ、３４ｂに接続されている。各リード端子３４
ａ、３４ｂには、測定回路３６から延ばされた接触子３
８ａ、３８ｂが接触され、温度回路３６の電流源３６ａ
から接触子３８ａ、３８ｂを介して測定電流がダイオー
ド３０又は抵抗体４０に供給される。ＩＣパッケージ３
２内の温度は、温度センサとしてのダイオード３０又は
抵抗体４０に流れる電流量を測定回路３６内の電圧測定
部３６ｂによって測定し、温度に換算することによって
得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の印加温度測定装
置では、直接外部から電流を温度センサに流し、そこか
らの出力電圧地をＩＣパッケージ外部で測定するために
、温度センサが搭載されている半導体ＩＣパッケージ３
２のリード端子３４ａ、３４ｂと接触子３８ａ、３８ｂ
との接触抵抗あるいは電流リークの影響を受け、その測
定値がかなりの誤差を含む可能性が常にあった。精度の
高い温度の測定が困難であるといる問題を生じていた。
置では、直接外部から電流を温度センサに流し、そこか
らの出力電圧地をＩＣパッケージ外部で測定するために
、温度センサが搭載されている半導体ＩＣパッケージ３
２のリード端子３４ａ、３４ｂと接触子３８ａ、３８ｂ
との接触抵抗あるいは電流リークの影響を受け、その測
定値がかなりの誤差を含む可能性が常にあった。精度の
高い温度の測定が困難であるといる問題を生じていた。
【０００５】本発明は半導体用ＩＣパッケージのリード
端子と接触子の接触抵抗あるいは電流リークの影響を受
けずに正確にパッケージ内温度を測定する事を目的とす
る。
端子と接触子の接触抵抗あるいは電流リークの影響を受
けずに正確にパッケージ内温度を測定する事を目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】図１に本発明の原理的構
成を示す。測定対象のＩＣパッケージ内に収容する半導
体チップ１上には、測定ブロック２と制御ブロック３が
形成されている。測定ブロック２は、温度センサを含む
温度検出部１０及び電源電圧検出部１２を備える。これ
らの検出部１０、１２のアナログ測定値ａは、Ａ／Ｄ変
換部１４でディジタルデータｂに変換され、演算部１６
において、補正値記憶部１８からの補正データｃに基い
て補正される。補正は、温度センサの非線形特性等に基
く真値からのずれや、電源電圧の変動の影響を除去する
ために行う。補正された測定データｄは、ＩＣパッケー
ジに設けられた入出力ピン端子４を通じて外部に導出さ
れる。
成を示す。測定対象のＩＣパッケージ内に収容する半導
体チップ１上には、測定ブロック２と制御ブロック３が
形成されている。測定ブロック２は、温度センサを含む
温度検出部１０及び電源電圧検出部１２を備える。これ
らの検出部１０、１２のアナログ測定値ａは、Ａ／Ｄ変
換部１４でディジタルデータｂに変換され、演算部１６
において、補正値記憶部１８からの補正データｃに基い
て補正される。補正は、温度センサの非線形特性等に基
く真値からのずれや、電源電圧の変動の影響を除去する
ために行う。補正された測定データｄは、ＩＣパッケー
ジに設けられた入出力ピン端子４を通じて外部に導出さ
れる。
【０００７】補正値記憶部１８は、外部から書込み可能
なＰＲＯＭ等で構成され、補正データｅは、外部から上
記入出力ピン端子４を通じて演算部１６を経て補正値記
憶部に供給される。このとき高電圧印加ピン端子５を通
じて書込み用高電圧ｆが記憶部１８に与えられる。制御
ブロック３は、制御部３ａと電源断続制御部３ｂとから
成る。制御部３ａは、演算部１６の補正演算等の制御、
補正データの書込み／読出しの制御、測定データの入出
力制御、検出部１０、１２の切替制御等を行う制御信号
ｈをブロック２に供給する。
なＰＲＯＭ等で構成され、補正データｅは、外部から上
記入出力ピン端子４を通じて演算部１６を経て補正値記
憶部に供給される。このとき高電圧印加ピン端子５を通
じて書込み用高電圧ｆが記憶部１８に与えられる。制御
ブロック３は、制御部３ａと電源断続制御部３ｂとから
成る。制御部３ａは、演算部１６の補正演算等の制御、
補正データの書込み／読出しの制御、測定データの入出
力制御、検出部１０、１２の切替制御等を行う制御信号
ｈをブロック２に供給する。
【０００８】電源断続制御部３ｂは、ＩＣパッケージに
設けられた電源ピン端子６から測定ブロック２に供給さ
れる電源ｇを断続し、測定時と、その後のディジタル測
定データの送出に必要な時間だけ測定ブロック２に給電
する制御を行う。上述の各制御に必要な指令信号ｉは、
ＩＣパッケージに設けられた制御ピン端子７を通して外
部から制御ブロック３に与えられる。
設けられた電源ピン端子６から測定ブロック２に供給さ
れる電源ｇを断続し、測定時と、その後のディジタル測
定データの送出に必要な時間だけ測定ブロック２に給電
する制御を行う。上述の各制御に必要な指令信号ｉは、
ＩＣパッケージに設けられた制御ピン端子７を通して外
部から制御ブロック３に与えられる。
【０００９】
【作用】温度測値はディジタルデータの形でＩＣパッケ
ージの外部に伝送されるので、ＩＣパッケージのリード
端子を接触子との間の接触抵抗あるいは電流リークの影
響を全く受けないで、ＩＣパッケージの内部温度の測定
が可能となる。補正値記憶部１８に記憶された補正デー
タに基いて測定データを補正するので、検出部１０（セ
ンサ）が有している固有の誤差や電源電圧の変動による
影響を除去した状態で測定データを取り出すことができ
る。測定用チップ１を収容したＩＣパッケージごとに、
固有の補正データを補正値記憶部１８の記憶させること
により、測定値が有している誤差を無視して温度印加試
験を実施することができる。
ージの外部に伝送されるので、ＩＣパッケージのリード
端子を接触子との間の接触抵抗あるいは電流リークの影
響を全く受けないで、ＩＣパッケージの内部温度の測定
が可能となる。補正値記憶部１８に記憶された補正デー
タに基いて測定データを補正するので、検出部１０（セ
ンサ）が有している固有の誤差や電源電圧の変動による
影響を除去した状態で測定データを取り出すことができ
る。測定用チップ１を収容したＩＣパッケージごとに、
固有の補正データを補正値記憶部１８の記憶させること
により、測定値が有している誤差を無視して温度印加試
験を実施することができる。
【００１０】また電源断続制御部３ｂによって測定に必
要な時間だけ測定ブロック２に給電されるので、長時間
にわたって連続して温度を測定しても、測定に要する電
力で測定用チップ１が温度上昇することは殆どなく、印
加されたＩＣパッケージの内温度を正確に測定すること
ができるようになる。
要な時間だけ測定ブロック２に給電されるので、長時間
にわたって連続して温度を測定しても、測定に要する電
力で測定用チップ１が温度上昇することは殆どなく、印
加されたＩＣパッケージの内温度を正確に測定すること
ができるようになる。
【００１１】
【実施例】図２は本発明の一実施例を示す、ＩＣパッケ
ージ内温度の測定に使用する温度測定装置のブロック図
であり、図１に対応する部分には同一の符号が付されて
いる。温度検出部１０は、温度センサとしてダイオード
１０ａを備え、定電流発生部１０ｂから定電流を供給さ
れる。このダイオード１０ａの両端の電圧は電圧測定部
１０ｃで測定される。電圧測定部１０ｃは、電源電圧検
出部１２としても動作し、温度測定時にはダイオード１
０ａのアノード側に接続されていた切換スイッチ２２が
電源電圧測定時には電源Ｖの側に切換えられて、電源電
圧が測定される。スイッチ２２の切換えは測定部切替制
御部３ｄによって行われる。
ージ内温度の測定に使用する温度測定装置のブロック図
であり、図１に対応する部分には同一の符号が付されて
いる。温度検出部１０は、温度センサとしてダイオード
１０ａを備え、定電流発生部１０ｂから定電流を供給さ
れる。このダイオード１０ａの両端の電圧は電圧測定部
１０ｃで測定される。電圧測定部１０ｃは、電源電圧検
出部１２としても動作し、温度測定時にはダイオード１
０ａのアノード側に接続されていた切換スイッチ２２が
電源電圧測定時には電源Ｖの側に切換えられて、電源電
圧が測定される。スイッチ２２の切換えは測定部切替制
御部３ｄによって行われる。
【００１２】電圧測定部１０ｃから得られる温度又は電
源電圧に対応するアナログ出力ａは、Ａ／Ｄ変換部１４
でディジタルデータｂに変換され、フリップフロップ等
で構成されたデータ保持部１５でラッチされた後、演算
部１６に供給される。演算部１６は補正値記憶部１８か
ら書込み／読出し制御部３ｅを介して読出される補正デ
ータｃに基いて、温度測定データを補正する。補正デー
タを後述の校正、処理により予め計算され、補正値記憶
部１８に書込まれている。
源電圧に対応するアナログ出力ａは、Ａ／Ｄ変換部１４
でディジタルデータｂに変換され、フリップフロップ等
で構成されたデータ保持部１５でラッチされた後、演算
部１６に供給される。演算部１６は補正値記憶部１８か
ら書込み／読出し制御部３ｅを介して読出される補正デ
ータｃに基いて、温度測定データを補正する。補正デー
タを後述の校正、処理により予め計算され、補正値記憶
部１８に書込まれている。
【００１３】補正値記憶部１８は、入力の測定データｂ
をアドレスとして、補正されたデータを読出す変換テー
ブル形式のＲＯＭであってよい。入力の測定データは、
上述の温度測定データと電源電圧測定データとから成る
。演算部１６の演算制御及び書込み／読出し制御部３ｅ
の制御は、演算制御部３ｇによって行われる。演算部１
６において補正された測定データｄは、入出力バッファ
部１７を通じてＩＣパッケージの入出力ピン端子４から
外部に導出される。この入出力バッファ部１７は、補正
値記録部１８の書込み時に外部からピン端子４を介して
供給される補正データｅのバッファとしても機能する。 入出力バッファ部１７のデータ伝送方向の制御は、入出
力制御３ｆによって行われる。
をアドレスとして、補正されたデータを読出す変換テー
ブル形式のＲＯＭであってよい。入力の測定データは、
上述の温度測定データと電源電圧測定データとから成る
。演算部１６の演算制御及び書込み／読出し制御部３ｅ
の制御は、演算制御部３ｇによって行われる。演算部１
６において補正された測定データｄは、入出力バッファ
部１７を通じてＩＣパッケージの入出力ピン端子４から
外部に導出される。この入出力バッファ部１７は、補正
値記録部１８の書込み時に外部からピン端子４を介して
供給される補正データｅのバッファとしても機能する。 入出力バッファ部１７のデータ伝送方向の制御は、入出
力制御３ｆによって行われる。
【００１４】総合制御部３ｃは、制御ピン端子７を介し
て外部から与えられる指令信号ｉに基いて、入出力制御
部３ｆ、演算制御部３ｇ、測定部切換制御部３ｄの夫々
に与える制御信号ｊ、ｋ、ｌを夫々形成する。また電源
断続制御部３ｂは、制御ピン端子７から与えられる指令
信号に基いて、電源制御スイッチ２０ａ〜２０ｄを開閉
する電源制御信号ＰＣを形成する。これらのスイッチ２
０ａ〜２０ｄは、１回の温度測定において、測定から測
定データをピン端子４に送出するまでの間のみ閉じられ
る。これらのスイッチ２０ａ〜２０ｃはＩＣパッケージ
の電源ピン端子６からの電源電圧ｇを、定電流発生部１
０ｂ、電圧測定部１０ｃ及びＡ／Ｄ変換部１４に夫々供
給する。またスイッチ２０ａは、断続制御された電源電
圧ＶＣを演算制御部３ｇ、入出力制御部３ｆ、データ保
持部１５、演算部１６、入出力バッファ部１７及びクロ
ック発生部１９の夫々に供給する。
て外部から与えられる指令信号ｉに基いて、入出力制御
部３ｆ、演算制御部３ｇ、測定部切換制御部３ｄの夫々
に与える制御信号ｊ、ｋ、ｌを夫々形成する。また電源
断続制御部３ｂは、制御ピン端子７から与えられる指令
信号に基いて、電源制御スイッチ２０ａ〜２０ｄを開閉
する電源制御信号ＰＣを形成する。これらのスイッチ２
０ａ〜２０ｄは、１回の温度測定において、測定から測
定データをピン端子４に送出するまでの間のみ閉じられ
る。これらのスイッチ２０ａ〜２０ｃはＩＣパッケージ
の電源ピン端子６からの電源電圧ｇを、定電流発生部１
０ｂ、電圧測定部１０ｃ及びＡ／Ｄ変換部１４に夫々供
給する。またスイッチ２０ａは、断続制御された電源電
圧ＶＣを演算制御部３ｇ、入出力制御部３ｆ、データ保
持部１５、演算部１６、入出力バッファ部１７及びクロ
ック発生部１９の夫々に供給する。
【００１５】またクロック発生部１９は、クロックパル
スＣＫをＡ／Ｄ変換部１４、データ保持部１５、演算制
御部３ｇ、演算部１６、書込み／読出し制御部３ｅ、入
出力バッファ１７及び入出力制御部３ｆに供給する。次
に電源断続制御を詳細に説明する。上述のように実施例
では、多数の回路を１チップ上に集積するため、動作時
に発生する熱を抑える目的で電源の断続制御を行ってい
る。総合制御部３ｃの電源は常にオンとなっていて、電
源断続制御部３ｂに対し必要な指令を与える役目を持つ
。制御ピン端子７より測定開始の指令信号ｉが与えられ
ると、電源供給制御信号ＰＣによりスイッチ２０ａ〜２
０ｃがオンとなり、検出部１０、１２、Ａ／Ｄ変換部１
４に電源が供給される。検出部１０、測定部１０ｃが温
度及び電源電圧の測定を終了し、測定値がＡ／Ｄ変換部
１４でディジタルデータに変換され、データ保持部１５
へのデータ転送が終了すると、スイッチ２０ｄがオンと
なると共に、スイッチ２０ａ〜２０ｃがオフとなって検
出部１０、１２及びＡ／Ｄ変換部１４への給電が断たれ
る。スイッチ２０ｄのオンによって演算部１６、入出力
バッファ部１７、演算制御部３ｇ、入出力制御部３ｆ、
書込み／読出し制御部３ｅが動作可能となると、データ
保持部１５からのデータの読出し、読出されたデータに
対して必要な補正データの読出し及び補正演算及び補正
値の外部への出力が行われる。これが終了すると、総合
制御部３ｃの電源を除いて全回路の電源がオフにされる
。
スＣＫをＡ／Ｄ変換部１４、データ保持部１５、演算制
御部３ｇ、演算部１６、書込み／読出し制御部３ｅ、入
出力バッファ１７及び入出力制御部３ｆに供給する。次
に電源断続制御を詳細に説明する。上述のように実施例
では、多数の回路を１チップ上に集積するため、動作時
に発生する熱を抑える目的で電源の断続制御を行ってい
る。総合制御部３ｃの電源は常にオンとなっていて、電
源断続制御部３ｂに対し必要な指令を与える役目を持つ
。制御ピン端子７より測定開始の指令信号ｉが与えられ
ると、電源供給制御信号ＰＣによりスイッチ２０ａ〜２
０ｃがオンとなり、検出部１０、１２、Ａ／Ｄ変換部１
４に電源が供給される。検出部１０、測定部１０ｃが温
度及び電源電圧の測定を終了し、測定値がＡ／Ｄ変換部
１４でディジタルデータに変換され、データ保持部１５
へのデータ転送が終了すると、スイッチ２０ｄがオンと
なると共に、スイッチ２０ａ〜２０ｃがオフとなって検
出部１０、１２及びＡ／Ｄ変換部１４への給電が断たれ
る。スイッチ２０ｄのオンによって演算部１６、入出力
バッファ部１７、演算制御部３ｇ、入出力制御部３ｆ、
書込み／読出し制御部３ｅが動作可能となると、データ
保持部１５からのデータの読出し、読出されたデータに
対して必要な補正データの読出し及び補正演算及び補正
値の外部への出力が行われる。これが終了すると、総合
制御部３ｃの電源を除いて全回路の電源がオフにされる
。
【００１６】従って連続して温度を測定したとしても、
実際には一定時間は常に電源オフの状態が起こる様に制
御され、チップ上の温度上昇を無視できる範囲に抑える
事が可能である。次に補正値記憶部１８に補正データを
書込むための校正処理について説明する。
実際には一定時間は常に電源オフの状態が起こる様に制
御され、チップ上の温度上昇を無視できる範囲に抑える
事が可能である。次に補正値記憶部１８に補正データを
書込むための校正処理について説明する。
【００１７】まず、本チップを搭載したパッケージを恒
温装置の内部に、そのパッケージ近辺を測定する為の、
別系統の温度測定装置に接続された温度測定センサとと
もに入れる。そして恒温装置の内部温度を予め決められ
た校正温度に設定し、温度が安定するまで待ち時間をと
り、別系統の温度測定装置からの温度測定値を真値とみ
なす。その後、制御ピン端子７より本チップに対し補正
値時データ読み出し指令を与えると、総合制御部３ｃが
検出部１１、１２及びＡ／Ｄ変換部１４の電源をオンす
る。測定部１０ｃが温度および電源電圧の測定を終了し
、その値がディジタルされデータ保持部１５への転送が
終了すると、次にデータ保持部からのデータを読み出し
てそれに対して補正演算は行わずに符号演算のみを行い
、温度測定データおよび電源電圧測定データを入出力ピ
ン端子４から出力する。外部では本チップより伝送され
た温度測定データおよび電源電圧測定データを別系統の
真値とみなされる温度測定装置からの温度測定データと
ともに記憶しておく。以上を必要な補正精度に応じた恒
温装置の内部設定点数、電源電圧設定点数に対して行い
これらを全て外部に記憶しておく。その後、これらのデ
ータをもとに本チップ上に書き込むべき補正データ内容
を外部の独立した演算装置で演算しておき、制御ピン端
子７より本チップに対し補正値データ書き込み指令を与
えると、総合制御部３ｃが演算部１６、入出力バッファ
部１７、演算制御部３ｇ、書込み／読出し制御部３ｅ、
入出力制御部３ｆの電源をオンにし、入出力制御部３ｆ
を通じて入手出力バッファ部１７を書き込みモードに切
り換える。外部からは本チップに対して、予め決められ
た形式に従って符号変換した本チップ上に書き込むべき
補正データを入出力ピン端子４から与え、又必要に応じ
て高電圧印加ピン端子５から補正値記録部１８の書き込
みに必要な高電圧を印加すると、補正データ演算部１６
を通じて補正値記憶部１８に書き込まれる。
温装置の内部に、そのパッケージ近辺を測定する為の、
別系統の温度測定装置に接続された温度測定センサとと
もに入れる。そして恒温装置の内部温度を予め決められ
た校正温度に設定し、温度が安定するまで待ち時間をと
り、別系統の温度測定装置からの温度測定値を真値とみ
なす。その後、制御ピン端子７より本チップに対し補正
値時データ読み出し指令を与えると、総合制御部３ｃが
検出部１１、１２及びＡ／Ｄ変換部１４の電源をオンす
る。測定部１０ｃが温度および電源電圧の測定を終了し
、その値がディジタルされデータ保持部１５への転送が
終了すると、次にデータ保持部からのデータを読み出し
てそれに対して補正演算は行わずに符号演算のみを行い
、温度測定データおよび電源電圧測定データを入出力ピ
ン端子４から出力する。外部では本チップより伝送され
た温度測定データおよび電源電圧測定データを別系統の
真値とみなされる温度測定装置からの温度測定データと
ともに記憶しておく。以上を必要な補正精度に応じた恒
温装置の内部設定点数、電源電圧設定点数に対して行い
これらを全て外部に記憶しておく。その後、これらのデ
ータをもとに本チップ上に書き込むべき補正データ内容
を外部の独立した演算装置で演算しておき、制御ピン端
子７より本チップに対し補正値データ書き込み指令を与
えると、総合制御部３ｃが演算部１６、入出力バッファ
部１７、演算制御部３ｇ、書込み／読出し制御部３ｅ、
入出力制御部３ｆの電源をオンにし、入出力制御部３ｆ
を通じて入手出力バッファ部１７を書き込みモードに切
り換える。外部からは本チップに対して、予め決められ
た形式に従って符号変換した本チップ上に書き込むべき
補正データを入出力ピン端子４から与え、又必要に応じ
て高電圧印加ピン端子５から補正値記録部１８の書き込
みに必要な高電圧を印加すると、補正データ演算部１６
を通じて補正値記憶部１８に書き込まれる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば温
度検出部の測定結果を符号化して外部へ伝送するため、
半導体ＩＣ用パッケージのリード端子と接触子の接触抵
抗あるいは電流リークの影響を受けずに正確なパッケー
ジ内温度を測定する事ができ、温度印加試験時における
実際のＩＣパッケージ内温度の正確な制御の向上に寄与
するところが大きい。
度検出部の測定結果を符号化して外部へ伝送するため、
半導体ＩＣ用パッケージのリード端子と接触子の接触抵
抗あるいは電流リークの影響を受けずに正確なパッケー
ジ内温度を測定する事ができ、温度印加試験時における
実際のＩＣパッケージ内温度の正確な制御の向上に寄与
するところが大きい。
【００１９】また請求項２の発明では、補正値記憶部を
内蔵して温度測定系の固有の誤差や電源電圧の変動によ
る測定誤差などを除去した補正データをＩＣパッケージ
のピン端子から導出しているので、測定データを校正さ
れたものとして扱うことができ、温度印加試験を正確に
かつ迅速に実施することが可能となる。また請求項３の
発明では、電源の断続制御部を設けて、測定時のみ測定
系に給電するようにしたから、長時間にわたって温度印
加試験を行う場合でも、測定に要する電力で半導体チッ
プが温度上昇することが無いので、半導体ＩＣに印加す
る試験温度を正確に設定（制御）することができる。
内蔵して温度測定系の固有の誤差や電源電圧の変動によ
る測定誤差などを除去した補正データをＩＣパッケージ
のピン端子から導出しているので、測定データを校正さ
れたものとして扱うことができ、温度印加試験を正確に
かつ迅速に実施することが可能となる。また請求項３の
発明では、電源の断続制御部を設けて、測定時のみ測定
系に給電するようにしたから、長時間にわたって温度印
加試験を行う場合でも、測定に要する電力で半導体チッ
プが温度上昇することが無いので、半導体ＩＣに印加す
る試験温度を正確に設定（制御）することができる。
【図１】本発明の温度測定装置の原理的構成を示す要部
ブロック図である。
ブロック図である。
【図２】本発明の温度測定装置の一実施例を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
【図３】従来の温度測定装置の系統図である。
【図４】従来の温度測定装置の系統図である。
【符号の説明】
１…半導体チップ
２…測定ブロック
３…制御ブロック
３ａ…制御部
３ｂ…入出力ピン端子
５…高電圧印加ピン端子
６…電源ピン端子
７…制御ピン端子
１０…温度検出部
１２…電源電圧検出部
１４…Ａ／Ｄ変換部
１６…演算部
１８…補正値記憶部
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体チップ上に、当該半導体チップ
を収納するＩＣパッケージの温度を検出する温度検出部
と、当該温度検出部の温度検出出力をディジタル測定値
に変換する変換部とを設け、上記ディジタル測定値をＩ
Ｃパッケージの外部に伝送してＩＣパッケージ内の温度
を測定することを特徴とする温度測定装置。 - 【請求項２】 上記変換部の出力に対する補正値を記
憶する補正値記憶部と、上記ディジタル測定値を上記補
正値に基いて補正してＩＣパッケージの外部に導出する
演算部とを上記半導体チップ上に設けたことを特徴とす
る請求項１記載の温度測定装置。 - 【請求項３】 外部からの指令により電源供給を断続
する電源断続制御部を上記半導体チップ上に設けたこと
を特徴とする請求項１又は２記載の温度測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2407010A JPH04225250A (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | 温度測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2407010A JPH04225250A (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | 温度測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04225250A true JPH04225250A (ja) | 1992-08-14 |
Family
ID=18516632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2407010A Withdrawn JPH04225250A (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | 温度測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04225250A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5795068A (en) * | 1996-08-30 | 1998-08-18 | Xilinx, Inc. | Method and apparatus for measuring localized temperatures and voltages on integrated circuits |
| JP2006019700A (ja) * | 2004-06-03 | 2006-01-19 | Denso Corp | 半導体装置 |
| JP2007024905A (ja) * | 2006-09-08 | 2007-02-01 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の試験方法 |
| EP2511682A2 (en) | 2011-04-13 | 2012-10-17 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and temperature data generation method |
-
1990
- 1990-12-26 JP JP2407010A patent/JPH04225250A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6067508A (en) * | 1996-08-30 | 2000-05-23 | Xilinx, Inc. | Method and apparatus for measuring localized temperatures on integrated circuits |
| JP2006019700A (ja) * | 2004-06-03 | 2006-01-19 | Denso Corp | 半導体装置 |
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| EP2511682A2 (en) | 2011-04-13 | 2012-10-17 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and temperature data generation method |
| US9360381B2 (en) | 2011-04-13 | 2016-06-07 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and data generation method |
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|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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