JPH04225251A - 半導体ウェーハの劈開方法 - Google Patents
半導体ウェーハの劈開方法Info
- Publication number
- JPH04225251A JPH04225251A JP40767890A JP40767890A JPH04225251A JP H04225251 A JPH04225251 A JP H04225251A JP 40767890 A JP40767890 A JP 40767890A JP 40767890 A JP40767890 A JP 40767890A JP H04225251 A JPH04225251 A JP H04225251A
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- Japan
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- cross
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- Pending
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 48
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体ウェーハおよび
ペレットのＳＥＭ断面観察に用いる半導体ウェーハの劈
開方法に関し、特に超微細パターンの断面観察試料の作
製方法に関する。
ペレットのＳＥＭ断面観察に用いる半導体ウェーハの劈
開方法に関し、特に超微細パターンの断面観察試料の作
製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のＳＥＭ断面観察用試料は
、半導体ウェーハがその結晶方位方向に沿って劈開され
るという性質を有するために、専ら人が各自の技量によ
って、ダイヤモンドポイントを使い、観察したいパター
ン近辺にキズを入れ、半導体ウェーハの劈開を行って作
製していた。
、半導体ウェーハがその結晶方位方向に沿って劈開され
るという性質を有するために、専ら人が各自の技量によ
って、ダイヤモンドポイントを使い、観察したいパター
ン近辺にキズを入れ、半導体ウェーハの劈開を行って作
製していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の従来
のＳＥＭ観察用半導体ウェーハの劈開方法は、半導体ウ
ェーハが結晶方位方向に沿って劈開されるため、キズを
所望パターンから離れた位置に入れると、正確に所望パ
ターン部を劈開できないし、反対に所望パターン上にキ
ズを入れた場合は、正確に所望パターン部を劈開できる
が、ＳＥＭ観察用断面がキズのために荒れてしまい、的
確な断面観察ができないという問題があり、専ら人の技
量に頼っているので、誰もが正確に同じ時間内に断面Ｓ
ＥＭ観察用の試料を作ることができないという欠点があ
った。
のＳＥＭ観察用半導体ウェーハの劈開方法は、半導体ウ
ェーハが結晶方位方向に沿って劈開されるため、キズを
所望パターンから離れた位置に入れると、正確に所望パ
ターン部を劈開できないし、反対に所望パターン上にキ
ズを入れた場合は、正確に所望パターン部を劈開できる
が、ＳＥＭ観察用断面がキズのために荒れてしまい、的
確な断面観察ができないという問題があり、専ら人の技
量に頼っているので、誰もが正確に同じ時間内に断面Ｓ
ＥＭ観察用の試料を作ることができないという欠点があ
った。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明のＳＥＭ観察試
料作製用の半導体ウェーハの劈開方法は、断面観察所望
パターンに対応するウェーハ裏面に２条の平行なレーザ
溝および裏面に入れた２条のレーザ溝の中間部にウェー
ハ表面よりレーザ溝を入れることと、表面より入れたレ
ーザ溝を支点として裏面から機械的力を加えるという方
法である。
料作製用の半導体ウェーハの劈開方法は、断面観察所望
パターンに対応するウェーハ裏面に２条の平行なレーザ
溝および裏面に入れた２条のレーザ溝の中間部にウェー
ハ表面よりレーザ溝を入れることと、表面より入れたレ
ーザ溝を支点として裏面から機械的力を加えるという方
法である。
【０００５】
【作用】上記の方法によると、裏面に形成した２条のレ
ーザ溝のいずれか一方に沿って半導体ウェーハを劈開で
きるので、各自の技量に関係なくＳＥＭ観察用断面を劈
開することができ、誰もが正確にかつ一定時間内に微細
パターンの断面観察用試料を作ることができる。
ーザ溝のいずれか一方に沿って半導体ウェーハを劈開で
きるので、各自の技量に関係なくＳＥＭ観察用断面を劈
開することができ、誰もが正確にかつ一定時間内に微細
パターンの断面観察用試料を作ることができる。
【０００６】
【実施例】以下、この発明について図面を参照して説明
する。図１はこの発明の方法の実施に用いる一実施例装
置の概略斜視図である。図において１は断面観察位置決
め用顕微鏡、２はウェーハ、３はウェーハ固定用ステー
ジ、４はウェーハ裏面溝入れ用レーザガン、５はウェー
ハ表面溝入れ用レーザガンである。
する。図１はこの発明の方法の実施に用いる一実施例装
置の概略斜視図である。図において１は断面観察位置決
め用顕微鏡、２はウェーハ、３はウェーハ固定用ステー
ジ、４はウェーハ裏面溝入れ用レーザガン、５はウェー
ハ表面溝入れ用レーザガンである。
【０００７】図２（ａ），（ｂ）は半導体ウェーハの表
面および裏面の平面図で、６はウェーハ裏面レーザ溝ａ
、７はウェーハ裏面レーザ溝ｂ、８はウェーハ表面レー
ザ溝、Ａ，Ａ’は断面観察所望パターンである。
面および裏面の平面図で、６はウェーハ裏面レーザ溝ａ
、７はウェーハ裏面レーザ溝ｂ、８はウェーハ表面レー
ザ溝、Ａ，Ａ’は断面観察所望パターンである。
【０００８】次に上記のＳＥＭ観察用試料作製のための
半導体ウェーハの劈開方法について説明する。この実施
例によれば、ＳＥＭ断面観察を行いたい断面観察所望パ
ターンＡを断面位置決め用顕微鏡１で確認し、ステージ
の動きとは関係なくステージ下に設置したウェーハ裏面
溝入れ用レーザガン４により断面観察所望パターンＡの
裏面にウェーハ裏面レーザ溝６をウェーハの一端から他
端まで付ける。次に断面観察所望パターンＡ’において
も同様にウェーハ裏面レーザ溝７を平行に付ける。ウェ
ーハ裏面レーザ溝６，７の中間点の表面側ウェーハ周辺
にウェーハ表面溝入れ用レーザガン５によりウェーハ表
面レーザ溝８を付け、これを支点に裏面より加圧し、劈
開を行うものである。ウェーハ表面レーザ溝８から開始
した劈開は、当初結晶方位方向にしたがって進行するが
、ウェーハ裏面レーザ溝６，７のいずれかに達すると、
以後、この裏面レーザ溝６または７に沿って劈開が進行
し、断面観察所望パターンＡまたはＡ’位置で確実に劈
開できる。
半導体ウェーハの劈開方法について説明する。この実施
例によれば、ＳＥＭ断面観察を行いたい断面観察所望パ
ターンＡを断面位置決め用顕微鏡１で確認し、ステージ
の動きとは関係なくステージ下に設置したウェーハ裏面
溝入れ用レーザガン４により断面観察所望パターンＡの
裏面にウェーハ裏面レーザ溝６をウェーハの一端から他
端まで付ける。次に断面観察所望パターンＡ’において
も同様にウェーハ裏面レーザ溝７を平行に付ける。ウェ
ーハ裏面レーザ溝６，７の中間点の表面側ウェーハ周辺
にウェーハ表面溝入れ用レーザガン５によりウェーハ表
面レーザ溝８を付け、これを支点に裏面より加圧し、劈
開を行うものである。ウェーハ表面レーザ溝８から開始
した劈開は、当初結晶方位方向にしたがって進行するが
、ウェーハ裏面レーザ溝６，７のいずれかに達すると、
以後、この裏面レーザ溝６または７に沿って劈開が進行
し、断面観察所望パターンＡまたはＡ’位置で確実に劈
開できる。
【０００９】このようにして、正確に所望のパターンＡ
，Ａ’を切断でき、誰もが正確に一定時間でＳＥＭ断面
観察用試料を作製できるという利点がある。
，Ａ’を切断でき、誰もが正確に一定時間でＳＥＭ断面
観察用試料を作製できるという利点がある。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、この発明は断面観
察パターン位置決め用顕微鏡等で断面観察用所望パター
ンを特定し、レーザガンでウェーハ裏面から断面観察用
所望パターンを横切る２条の平行なレーザ溝を入れるこ
とにより、人の技量に関係なく正確にかつ一定時間内に
微細パターンの断面観察用試料を作ることができる効果
がある。
察パターン位置決め用顕微鏡等で断面観察用所望パター
ンを特定し、レーザガンでウェーハ裏面から断面観察用
所望パターンを横切る２条の平行なレーザ溝を入れるこ
とにより、人の技量に関係なく正確にかつ一定時間内に
微細パターンの断面観察用試料を作ることができる効果
がある。
【図１】 この発明の実施例に用いる一実施例装置を
示す斜視図
示す斜視図
【図２】 （ａ）この発明の一実施例方法を示すウェ
ーハ表面平面図 （ｂ）この発明の一実施例方法を示すウェーハ裏面平面
図である
ーハ表面平面図 （ｂ）この発明の一実施例方法を示すウェーハ裏面平面
図である
１ 断面観察位置決め用顕微鏡
２ ウェーハ
３ ウェーハ固定用ステージ
４ ウェーハ裏面溝入れ用レーザガン５ ウェーハ
表面溝入れ用レーザガン６ ウェーハ裏面レーザ溝ａ ７ ウェーハ裏面レーザ溝ｂ ８ ウェーハ表面レーザ溝 ９ ウェーハ断面 Ａ，Ａ’ 断面観察所望パターン
表面溝入れ用レーザガン６ ウェーハ裏面レーザ溝ａ ７ ウェーハ裏面レーザ溝ｂ ８ ウェーハ表面レーザ溝 ９ ウェーハ断面 Ａ，Ａ’ 断面観察所望パターン
Claims (1)
- 【請求項１】半導体ウェーハおよびペレットの断面観察
において、特定な微細パターンを切断するために、所望
のパターン部のウェーハ裏面にレーザでウェーハ厚に応
じた深さの溝をウェーハの端から端まで付け、前記溝か
ら所定寸法だけ離れた前記所望パターン部のウェーハ裏
面においても平行にレーザによる溝を付け、ウェーハ裏
面の２本のレーザ溝の中間部のウェーハ表面端に数ｍｍ
程度のレーザ溝を裏面レーザ溝と平行に付け、表面レー
ザを支点に裏面より加圧をし、所望のパターンの断面を
出すことを特徴とする半導体ウェーハの劈開方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40767890A JPH04225251A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 半導体ウェーハの劈開方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40767890A JPH04225251A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 半導体ウェーハの劈開方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04225251A true JPH04225251A (ja) | 1992-08-14 |
Family
ID=18517234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40767890A Pending JPH04225251A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 半導体ウェーハの劈開方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04225251A (ja) |
-
1990
- 1990-12-27 JP JP40767890A patent/JPH04225251A/ja active Pending
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