JPH04225401A - 処理室の圧力制御装置 - Google Patents

処理室の圧力制御装置

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JPH04225401A
JPH04225401A JP41431490A JP41431490A JPH04225401A JP H04225401 A JPH04225401 A JP H04225401A JP 41431490 A JP41431490 A JP 41431490A JP 41431490 A JP41431490 A JP 41431490A JP H04225401 A JPH04225401 A JP H04225401A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば薄膜成長やエッ
チング等の処理を行う処理室のように、圧力制御手段に
よって所望の圧力に制御される処理室の圧力制御装置に
係り、特に処理室の圧力をより迅速かつ的確に要求圧力
に到達させるための装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】上記のような処理室の圧力制御は、従来
、圧力センサを利用したクローズループ系が一般的であ
る。この圧力制御装置は、圧力センサのほか、給気系ま
たは排気系に設けた圧力調整バルブと、圧力調整器から
なっている。なお、圧力調整器はプログラム方式(ソフ
トウェア処理方式)で代替えしたものもある。制御はP
ID制御が主流であり、プログラム方式によるものに時
間遅れを持たせたON・OFF制御も一部で行なわれて
いた。圧力センサはキャパシタンス・マノメータで、そ
の出力はアナログ信号であり、PID制御を組込んだ圧
力調整器またはプログラム方式は、圧力センサからのア
ナログ信号である直流電圧信号を受取り、指令された値
と比較して実際の圧力が指令値と等しくなるように圧力
調整バルブの開度を制御するものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】PID制御などのクロ
ーズループ制御は、到達圧力を正確に制御できる利点を
有しているが、目標圧力に到達する過程でオーバーシュ
ートおよびアンダーシュートを繰返し、所定圧力に到達
して安定するまでの時間が掛ると共に、オーバーシュー
トおよびアンダーシュートによる圧力変動によって処理
特性にバラツキを生じたり、処理室内に堆積した微粉等
の異物を舞上がらせたりするなどの不具合を生ずる。ま
た、オープンループ制御は要求圧力に対して圧力調整バ
ルプに与える制御量が適性であれば、迅速かつ的確に要
求圧力に到達させることができるが、要求圧力に対して
制御量を適正値に定めることが困難であり、かつ要求圧
力に対する制御量の適正値は処理に用いるガスの種類,
その流量ならびに処理温度等の処理条件によっても異な
るため、制御精度を高めることが困難である。
【0004】本発明は、上記オープンループ制御の迅速
かつ的確な制御性を生かすと共に、適正な制御量の設定
の困難性を解決し、迅速、的確にしてより高精度な圧力
制御を容易に行うことのできる処理室の圧力制御装置を
提供することを目的としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、圧力調整バルブのような圧力制御手段によ
って所望の圧力に制御可能な処理室の圧力制御装置にお
いて、処理室の圧力を処理条件に従って定められる所定
値にほぼ保つことのできる圧力制御情報をそれぞれ記憶
する手段と、処理室の要求圧力に応じて前記圧力制御情
報から要求圧力に応じた圧力制御情報を選定する手段と
、選定された圧力制御情報を圧力制御手段に出力する手
段とを具備するものである。なお、上記圧力制御装置に
は、処理室の圧力を所定値にほぼ保つことのできる圧力
制御情報を学習し、この圧力制御情報を記憶手段に記憶
させる手段を具備させることが好ましく、また処理室の
圧力を所定値にほぼ保つことのできる圧力制御情報が、
処理に用いるガスの種類,その流量ならびに処理温度等
の処理条件と組合わせて記憶されていることが好ましい
。
【0006】
【作用】好ましくは所定の処理条件のもとで学習された
圧力制御情報を記憶させておき、さらに好ましくは圧力
以外の条件と共に要求圧力を与えれば、適正な圧力制御
情報が選定されて圧力制御手段に出力され、いわゆるオ
ープンループ制御によって処理室が要求圧力に迅速かつ
的確に制御される。なお、処理室の圧力が要求圧力の近
傍に到達した後にはPID制御等のクローズループ制御
に切換えてもよい。
【0007】
【実施例】以下本発明の一実施例について図1ないし図
10を参照して説明する。図1は縦型気相成長装置の外
観図で、11は高周波発生部、12,13は処理炉R1
,R2を備えた気相成長装置の本体である。14は制御
部で、各処理炉R1,R2へのガス流量、温度および後
述する圧力などを制御するためのものである。14Aは
操作パネルであり、操作キー入力部や、ディスプレイユ
ニットを含んでいる。12A,13Aは、処理炉R1,
R2の開閉等の操作を行うための操作盤である。
【0008】図2は、処理炉R1またはR2の断面と圧
力制御構成機器を示す図である。図2において、ベース
20上にはリング21が設置され、このリング21上に
はベルジャ22が昇降ユニット23により上下に移動可
能に置かれている。ベルジャ22はクランプ片24によ
り下方へ押圧され、ベルジャ22とリング21との間お
よびリング21とベース20との間をそれぞれ気密に閉
じ、処理室25を形成するようになっている。
【0009】リング21の中心には、ベース20の下方
から処理室25内に伸びる中空軸26が設けられ、この
中空軸26の上端に円板上のサセプタ27が取付けられ
ている。中空軸26は伝動装置28を介してサーボモー
タ等の回転速度を制御可能なモータ29により回転を与
えられるようになっている。中空軸26内にはノズル3
0が設けられ、下端30aから反応ガスやパージガスを
導入し、上部のノズル孔31から処理室25へ反応ガス
等を吹出すようになっている。
【0010】40は、処理室25から排ガスおよび未反
応の反応ガス等を排出するための排気管であり、わずか
な負圧を含む常圧時には排気バルブ41およびスクラバ
等の処理槽42を介して排気する。減圧時には、ゲート
バルブ43,バタフライバルブ等の圧力制御手段44お
よび真空ポンプ45を介して処理槽42へ排気する。4
6は圧力センサであり、処理室25の圧力を所定値に保
つための検出器である。
【0011】サセプタ27の下方には加熱コイル32が
うず巻状に設けられ、図1に示した高周波発生部11か
ら高周波電力を供給され、サセプタ27を加熱すること
により、その上に配列された基板100を誘導加熱し、
ノズル孔31から吹出された反応ガスにより基板100
の表面上に気相成長させるようになっている。
【0012】図3は圧力制御ブロック図で、47は図1
に示した制御部14内に組込まれている圧力調整ユニッ
トである。この圧力調整ユニット47は市販されている
圧力調整器またはプログラム方式のいずれでもよい。圧
力調整ユニット47は、後述する圧力制御情報θを与え
られ、これに応じてバタフライバルブ等の圧力制御手段
44を作動させるオープンループによる制御部47aと
PID制御部47bを有している。圧力センサ46から
の信号は、圧力調整ユニット47に対してはPID制御
部47bにフィードバックされる。
【0013】図4は気相成長装置の制御ブロック図で、
50は主計算機の中央処理ユニット(以下CPUという
)、51はデータバス、52はi/oバスである。デー
タバス51には、ROM等からなる固定データを登録す
る第1記憶部53と、処理炉R1またはR2において行
われる一連の処理プロセスに関する例えば加熱温度,ガ
ス流量ならびに処理室圧力などのデータや後述する圧力
制御情報θを貯える第2記憶部54が接続されている。 データバス51には、さらに、第3記憶部55が接続さ
れている。第3記憶部55は、気相成長装置を働かせる
ためのプロセス処理プログラム55a,圧力制御情報θ
を学習させる学習プログラム55b,学習された圧力制
御情報θによって処理室25の圧力を制御する圧力制御
プログラム55cおよび例えば第1記憶部53から第2
記憶部54に移されたデータを後述する入出力機器58
中のキーボードからの指令によって修正・保存・登録し
たりするためのその他(OTHER  JOB)処理プ
ログラム55dを貯蔵している。
【0014】第2記憶部54は、気相成長装置の稼動中
に使用されるデータ、例えば後述する入出力機器58の
キーボードおよび各種スイッチ,圧力センサ46からの
アナログ信号をデジタル変換したもの等の入力データお
よびON・OFF情報,ならびに第1記憶部53から移
されたプロセス情報等のデータを一時的に貯える領域で
ある。
【0015】i/oバス52には、圧力制御手段44を
作動させる圧力調整ユニット47等の各種作動部(図5
には圧力制御ユニット47のみを示す)を制御するため
の出力モジュール56が接続されている。またi/oバ
ス52には、気相成長装置に付随している例えばキーボ
ード,リミットスイッチ,圧力スイッチ,押ボタンスイ
ッチ,弁,ランプならびに発光ダイオード等の入出力機
器58とCPU50とを接続するためのインターフェイ
スモジュール57が接続されている。なお、前述した圧
力制御手段44の開度を示す検出器や圧力センサ46は
入出力機器58に含まれる。
【0016】図5は、処理室25内で得られた学習圧力
(要求圧力)と圧力制御情報θならびにその登録・未登
録の条件フラグから構成されている圧力制御情報メモリ
の内容の一例を示す図である。学習圧力の単位は気相成
長装置に応じて決められるものであるが、本実施例にお
いてはtorrを採用している。また、θ30等で示し
ている圧力制御情報θの単位は圧力制御手段44に応じ
て決められるもので、パルス値または電圧値等で表わさ
れる。登録欄の“1”,“0”は登録と未登録をそれぞ
れ示している。このメモリは図4の第2記憶部54内に
あり、このメモリへの記憶,修正は、図4に示し後述す
る学習プログラム55bや入出力機器58中のキーボー
ドなどによって行われる。
【0017】図6は、プロセスを実行する上で必要な一
連のシーケンスに対応するデータを記憶させたプロセス
プログラム群の中の1つのシーケンスであるプロセスプ
ログラムPP(i)を表わしたものである。これは、一
連のシーケンス中におけるi番目のシーケンスが、どの
ような圧力,温度,ガス種とその流量で行われるかを示
している。ここに示す圧力データが本発明における要求
圧力である。このように圧力データは、プロセスプログ
ラムPP(i)毎に加熱温度データや使用ガスに関する
データと組合わせて用いられ、同一圧力値でも温度やガ
スによって圧力制御情報θが若干異なるため、より正確
に制御する意味から、図5において圧力制御情報θを圧
力のみでなく加熱温度や使用ガスの種類および流量との
組合わせで使用できるようにメモリに記憶させておくこ
とが好ましい。なお、前記圧力データおよび圧力制御情
報θは温度やガスと独立させてもよい。
【0018】図7は、図6に示したプロセスプログラム
群に従って気相成長装置を自動運転するためのプロセス
処理プログラム55a(図4参照)のフローチャートで
ある。図1に示した操作パネル14Aに設けられている
図示しないスタートスイッチを押すと、ST1−2で図
6に示したPP(i)のデータを取込み、ST1−3に
て圧力データが登録されていれば、図4に示し次に述べ
る圧力制御プログラム55cによって圧力を制御するた
め、この圧力データをセットする。前述したように圧力
データがPP(1)〜PP(i)〜PP(n)に共通の
データで温度やガスから独立し、かつ一定であるならば
、各PP(i)毎に圧力データを持たせる必要はない。 続いて、ST1−4にて加熱温度とガス流量のデータを
出力し、ST1−5で必要なバルブの開閉を行う。
【0019】図8は、図7のST1−3にて圧力データ
がセットされ、圧力制御要求フラグがONされてから圧
力制御を行う圧力制御プログラム55cのフローチャー
トである。ST2−1にて圧力制御要求(フラグON)
があるか調べ、要求がなければNOとして要求があるま
で待つ。要求が発生する(YES)と、ST2−2で要
求圧力が現在圧力と違っているかを調べる。差があるな
らば、要求圧力に対応した学習圧力(図5参照)の圧力
制御情報θを取出し、出力モジュール56から圧力制御
ユニット47に出力する。このとき、現在圧力との差が
大きければ、勾配制御(圧力/時間)を行うように所定
時間毎に圧力制御情報θに向けて圧力値を漸減または漸
増させるか、または、図9に示すように、理想とする圧
力制御曲線Pとなるように、時間tn,tn+1,tn
+2…または△tの一定時分割毎に学習された圧力制御
情報θn,θn+1,θn+2…を記憶させておき、こ
れを順次出力して制御するようにしてもよい。
【0020】差がなければ、ST2−5へ移る。ST2
−4は要求圧力に到達したか否かをチェックしており、
到達するまで待つ処理を行っている。到達すると、要求
圧力への移行のための圧力制御は終了するが、引き続き
ST2−5,ST2−6により圧力変化のチェックと変
化が大きい場合の補正を行って、圧力を一定に保つ。こ
のST2−5,ST2−6は、図3のPID制御部47
bによって行うこともできる。この場合、ST2−4に
おける到達精度はあまり高くなくてもよく、例えば±1
0%程度の差まで到達したところで到達YESとし、以
下PID制御に切換えてもよい。ST2−7は新しい圧
力制御要求の有無をチェックし、なければST2−5へ
戻り、あればST2−2へ戻り、新しい圧力値での制御
が実行される。
【0021】図10は、図5に示した圧力制御情報θを
学習して記憶させる学習プログラム55b(図4参照)
のフローチャートで、学習要求があるとST3−1から
ST3−2へ移り、登録するのか抹消するのか質問する
。登録が選択されると、ST3−3からST3−7まで
の登録制御を実行する。すなわち、ST3−3にて学習
圧力値(要求圧力値)をキーボードから入力する。入力
された学習圧力値は、例えば図3および図4に示した圧
力調整ユニット47へ与えられ、従来の圧力制御と同様
の方法で圧力制御手段41への出力値が決定され、オー
プンループによる制御部47aとPID制御部47bの
いずれか一方または前者から後者への切換えによる並用
などによって圧力制御手段41の開度などが制御される
。
【0022】この制御による処理室25の圧力は圧力セ
ンサ46からフィードバックされ、ST3−6にて学習
圧力に安定したか否かが判断される。ST3−6による
判断は人が行ってもよい。学習圧力に安定しないときは
ST3−5で補正が加えられてST3−4に戻り、安定
すればST3−7にて安定状態において圧力制御手段4
1に与えられているパルス値または電圧値等の圧力制御
情報θが、学習圧力と共に図5の対応するメモリ部分に
記憶され、その部分の登録欄が“0”から“1”になる
。ST3−2で抹消が選択されると、ST3−8,ST
3−9の処理が実行され、入力した学習圧力の登録欄が
“1”から“0”になり、圧力制御情報θが抹消される
。
【0023】上記図5に示した圧力情報メモリの学習圧
力と圧力制御情報θの記憶は、上記学習プログラム55
bによらず、実運転時における要求圧力と圧力制御情報
θを一時的に別のメモリに記憶させ、該実運転が良好で
あったとき、その値を記憶させる実運転学習としてもよ
い。
【0024】また、実運転に際し、要求圧力に該当する
学習圧力の圧力制御情報θが登録されていない場合には
、登録されている学習圧力から演算によって近似した圧
力制御情報θを選定し、出力するようにしてもよい。
【0025】図11は、連続型の気相成長装置に本発明
を適用した例を示すもので、300は気相成長装置本体
、301は本発明が組込まれた制御部、302はガス切
換装置、303はウェハ100を搬送する手段、304
はウェハ100を載置する支持台、305は気相成長用
ノズル、306はウェハ100を支持台304へ載置す
るためのローダ、307は気相成長されたウェハ100
を支持台304から図示しないカセットへ収納するため
のアンローダ、308はモータ、309は加熱手段、3
10はモータ308を駆動するドライバ、311は加熱
手段309を制御する熱発生制御手段であり、気相成長
装置本体300によって囲まれた処理室312の圧力を
、前述した実施例と同様に制御するものである。なお、
同図において、46は圧力センサ,44は圧力制御手段
,42は真空ポンプ,47は圧力調整ユニットである。
【0026】前述した実施例は、いずれも本発明を気相
成長装置に適用し、かつ減圧する例を示したが、本発明
は他の種々の装置に適用でき、かつ加圧の場合にも適用
できることは言うまでもない。
【0027】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、要求
圧力を与えるのみで、要求圧力に応じた圧力制御情報が
自動的に選定されて圧力制御手段に出力されるため、圧
力を迅速かつ的確に所望の要求圧力に変化させることが
でき、特に圧力制御情報の選定を学習に基づいて行うこ
とにより制御精度を高めることができる。また、本発明
は圧力はもちろん、圧力に関係する温度、ガス種等が種
々異なる処理を行う場合の圧力制御において大きな効果
を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用した縦型気相成長装置の外観図で
ある。
【図2】図1に示されている処理炉の断面と圧力制御構
成機器を示す図である。
【図3】図1および図2に示した装置の圧力制御ブロッ
ク図である。
【図4】本発明の一実施例を示す制御ブロック図である
。
【図5】本発明の一部を構成する圧力制御情報メモリの
内容を示す図である。
【図6】本発明による要求圧力の設定状態を示す図であ
る。
【図7】図6に示したデータを取込んで自動運転するた
めのプロセス処理プログラムのフローチャートである。
【図8】図7の圧力データセットに従って遂行される本
発明による圧力制御の一例を示す圧力制御プログラムの
フローチャートである。
【図9】圧力制御情報を時分割で出力する例を示す図で
ある。
【図10】圧力制御情報の学習プログラムの一例を示す
フローチャートである。
【図11】本発明の他の適用例を示す連続型気相成長装
置と圧力制御構成機器の図である。
【符号の説明】
11  高周波発生部 12  気相成長装置本体 13  気相成長装置本体 R1  処理炉 R2  処理炉 14  制御部 14A  操作パネル 25  処理室 27  サセプタ 30  ノズル 32  加熱コイル 40  排気管 41  排気バルブ 42  処理槽 43  ゲートバルブ 44  圧力制御手段 45  真空ポンプ 46  圧力センサ 47  圧力制御ユニット 47a  オープンループ制御部 47b  PID制御部 50  CPU 51  データバス 52  i/oバス 53  第1記憶部 54  第2記憶部 55  第3記憶部 55a  プロセス処理プログラム 55b  学習プログラム 55c  圧力制御プログラム 55d  その他(OTHER  JOB)処理プログ
ラム56  出力モジュール 57  インターフェイスモジュール 58  入出力機器 100  ウェハ 300  気相成長装置本体 301  制御部 302  ガス切換装置 303  ウェハ搬送手段 305  ノズル 306  ローダ 307  アンローダ 309  加熱手段 310  ドライバ 311  熱発生制御手段 312  処理室
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012087688A (ja) * 2010-10-20 2012-05-10 Nidec Sankyo Corp ポンプ制御装置およびポンプ装置
JP2018106718A (ja) * 2016-12-26 2018-07-05 株式会社島津製作所 バルブ装置
JP2018189230A (ja) * 2017-03-07 2018-11-29 バット ホールディング アーゲー 真空弁のための真空弁による最適化された圧力調整
JP2019165117A (ja) * 2018-03-20 2019-09-26 株式会社島津製作所 目標開度推定器および圧力調整真空バルブ

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012087688A (ja) * 2010-10-20 2012-05-10 Nidec Sankyo Corp ポンプ制御装置およびポンプ装置
JP2018106718A (ja) * 2016-12-26 2018-07-05 株式会社島津製作所 バルブ装置
JP2018189230A (ja) * 2017-03-07 2018-11-29 バット ホールディング アーゲー 真空弁のための真空弁による最適化された圧力調整
JP2019165117A (ja) * 2018-03-20 2019-09-26 株式会社島津製作所 目標開度推定器および圧力調整真空バルブ

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