JPH04225612A - フィルタ装置 - Google Patents
フィルタ装置Info
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- JPH04225612A JPH04225612A JP40749990A JP40749990A JPH04225612A JP H04225612 A JPH04225612 A JP H04225612A JP 40749990 A JP40749990 A JP 40749990A JP 40749990 A JP40749990 A JP 40749990A JP H04225612 A JPH04225612 A JP H04225612A
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- Japan
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- electrode film
- capacitor
- coil
- dielectric layer
- connecting piece
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- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 49
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
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- Filters And Equalizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＣ共振回路を２個備
えたバンドパスフィルタやデュプレクサなどのフィルタ
装置に関する。
えたバンドパスフィルタやデュプレクサなどのフィルタ
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】上記フィルタ装置としては、従来、例え
ば長方形状をした誘電体層の長手方向片側に、誘電体層
を挟んで対向するコンデンサ電極膜と、誘電体層の片面
側に非対向状態でコイル電極膜とを形成して、これらコ
ンデンサ電極膜及びコイル電極膜からなる第１のＬＣ共
振回路が形成され、もう一方の片側に、同様に誘電体層
を挟んで対向するコンデンサ電極膜と、誘電体層の片面
側に非対向状態でコイル電極膜とを形成してなる第２の
ＬＣ共振回路を備えた構造のものが知られている。
ば長方形状をした誘電体層の長手方向片側に、誘電体層
を挟んで対向するコンデンサ電極膜と、誘電体層の片面
側に非対向状態でコイル電極膜とを形成して、これらコ
ンデンサ電極膜及びコイル電極膜からなる第１のＬＣ共
振回路が形成され、もう一方の片側に、同様に誘電体層
を挟んで対向するコンデンサ電極膜と、誘電体層の片面
側に非対向状態でコイル電極膜とを形成してなる第２の
ＬＣ共振回路を備えた構造のものが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】したがって、従来のフ
ィルタ装置においては、２つのＬＣ共振回路を横に並べ
た構成であるので、電極膜を形成するための面積が大き
くなり、この結果として前記誘電体層として大きいもの
を使用する必要があり全体的に大型化する。また、隣合
う２つのＬＣ共振回路のコイル間で磁気結合が生じ易く
、磁気結合が不要なものの場合には不都合が生じるとい
う問題点があった。
ィルタ装置においては、２つのＬＣ共振回路を横に並べ
た構成であるので、電極膜を形成するための面積が大き
くなり、この結果として前記誘電体層として大きいもの
を使用する必要があり全体的に大型化する。また、隣合
う２つのＬＣ共振回路のコイル間で磁気結合が生じ易く
、磁気結合が不要なものの場合には不都合が生じるとい
う問題点があった。
【０００４】本発明はかかる課題を解決すべくなされた
ものであり、２つのＬＣ共振回路間で磁気的に結合せず
、また小型化を図れるフィルタ装置を提供することを目
的とする。
ものであり、２つのＬＣ共振回路間で磁気的に結合せず
、また小型化を図れるフィルタ装置を提供することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係るフィルタ装
置は、誘電体層の表面に電極膜を形成してなるＬＣ共振
回路を２個備え、一方のＬＣ共振回路が他方のＬＣ共振
回路の上方に配して形成され、両ＬＣ共振回路の間にシ
ールド電極膜が介装されていることを特徴とする。
置は、誘電体層の表面に電極膜を形成してなるＬＣ共振
回路を２個備え、一方のＬＣ共振回路が他方のＬＣ共振
回路の上方に配して形成され、両ＬＣ共振回路の間にシ
ールド電極膜が介装されていることを特徴とする。
【０００６】
【作用】本発明にあっては、２つのＬＣ共振回路が積重
なっているので小型化できる。また、両ＬＣ共振回路の
間がシールド電極膜にて遮蔽されているので、コイル間
での磁気結合が生じにくくなる。
なっているので小型化できる。また、両ＬＣ共振回路の
間がシールド電極膜にて遮蔽されているので、コイル間
での磁気結合が生じにくくなる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて具体的に説明
する。図１は本発明をデュプレクサに適用した場合の一
実施例を示す断面図である。このデュプレクサは、所定
のパターンで導電性の電極膜をプリントした１０枚の誘
電体層Ｕ１〜Ｕ１０と、電極膜の形成がない誘電体層Ｕ
１１〜Ｕ１４とを積層し、その後、図２に示すように側
面の８箇所に狭幅の帯状をした外部電極Ｔ１〜Ｔ８を上
下方向に形成することにより作製されている。
する。図１は本発明をデュプレクサに適用した場合の一
実施例を示す断面図である。このデュプレクサは、所定
のパターンで導電性の電極膜をプリントした１０枚の誘
電体層Ｕ１〜Ｕ１０と、電極膜の形成がない誘電体層Ｕ
１１〜Ｕ１４とを積層し、その後、図２に示すように側
面の８箇所に狭幅の帯状をした外部電極Ｔ１〜Ｔ８を上
下方向に形成することにより作製されている。
【０００８】具体的には、上側から、電極膜の形成がな
い誘電体層Ｕ１１と、上表面に第一コイル用電極膜１が
形成された誘電体層Ｕ１と、同様に第１コイル用電極膜
２が形成された誘電体層Ｕ２と、電極膜の形成がない誘
電体層Ｕ１２と、第１コンデンサ用電極膜３が形成され
た誘電体層Ｕ３と、第２コンデンサ用電極膜４が形成さ
れた誘電体層Ｕ４と、第３コンデンサ用電極膜５が形成
された誘電体層Ｕ５と、アース（シールド）用電極膜６
が形成された誘電体層Ｕ６と、電極膜の形成がない誘電
体層Ｕ１３と、第２コイル用電極膜７が形成された誘電
体層Ｕ７と、電極膜の形成がない誘電体層Ｕ１４と、第
４コンデンサ用電極膜８が形成された誘電体層Ｕ８と、
第５コンデンサ用電極膜９ａと第６コンデンサ用電極膜
９ｂが形成された誘電体層Ｕ９と、アース（シールド）
用電極膜１０が形成された誘電体層Ｕ１０とが積層され
ている。
い誘電体層Ｕ１１と、上表面に第一コイル用電極膜１が
形成された誘電体層Ｕ１と、同様に第１コイル用電極膜
２が形成された誘電体層Ｕ２と、電極膜の形成がない誘
電体層Ｕ１２と、第１コンデンサ用電極膜３が形成され
た誘電体層Ｕ３と、第２コンデンサ用電極膜４が形成さ
れた誘電体層Ｕ４と、第３コンデンサ用電極膜５が形成
された誘電体層Ｕ５と、アース（シールド）用電極膜６
が形成された誘電体層Ｕ６と、電極膜の形成がない誘電
体層Ｕ１３と、第２コイル用電極膜７が形成された誘電
体層Ｕ７と、電極膜の形成がない誘電体層Ｕ１４と、第
４コンデンサ用電極膜８が形成された誘電体層Ｕ８と、
第５コンデンサ用電極膜９ａと第６コンデンサ用電極膜
９ｂが形成された誘電体層Ｕ９と、アース（シールド）
用電極膜１０が形成された誘電体層Ｕ１０とが積層され
ている。
【０００９】そして、積層されたものの対向する２つの
側面に露出している前記第３コンデンサ用電極膜５の接
続片５ａ部分に外部電極Ｔ１を形成し、第１コイル用電
極膜１の一方の接続片１ａと第２コンデンサ用電極膜４
の接続片４ａを接続して外部電極Ｔ２を形成する。また
、アース用電極膜６の一方の接続片６ａとアース用電極
膜１０の一方の接続片１０ａを接続して外部電極Ｔ３を
、第１コイル用電極膜２の一方の接続片２ａ、第１コン
デンサ用電極膜３の接続片３ａ及び第４コンデンサ用電
極膜８の接続片８ａを接続して外部電極Ｔ４を、第２コ
イル用電極膜７の一方の接続片７ａと第５コンデンサ用
電極膜９ａの接続片９ｃを接続して外部電極Ｔ５を、第
１コイル用電極膜１の他方の接続片１ｂと第１コイル用
電極膜２の他方の接続片２ｂを接続して外部電極Ｔ６を
、第２コイル用電極膜７の他方の接続片７ｂと第６コン
デンサ用電極膜９ｂの接続片９ｄを接続して外部電極Ｔ
７を、アース用電極膜６の他方の接続片６ｂとアース用
電極膜１０の他方の接続片１０ｂを接続して外部電極Ｔ
８を形成する。なお、誘電体層Ｕ１〜Ｕ１４の代わりに
絶縁体層を用いてもよい。
側面に露出している前記第３コンデンサ用電極膜５の接
続片５ａ部分に外部電極Ｔ１を形成し、第１コイル用電
極膜１の一方の接続片１ａと第２コンデンサ用電極膜４
の接続片４ａを接続して外部電極Ｔ２を形成する。また
、アース用電極膜６の一方の接続片６ａとアース用電極
膜１０の一方の接続片１０ａを接続して外部電極Ｔ３を
、第１コイル用電極膜２の一方の接続片２ａ、第１コン
デンサ用電極膜３の接続片３ａ及び第４コンデンサ用電
極膜８の接続片８ａを接続して外部電極Ｔ４を、第２コ
イル用電極膜７の一方の接続片７ａと第５コンデンサ用
電極膜９ａの接続片９ｃを接続して外部電極Ｔ５を、第
１コイル用電極膜１の他方の接続片１ｂと第１コイル用
電極膜２の他方の接続片２ｂを接続して外部電極Ｔ６を
、第２コイル用電極膜７の他方の接続片７ｂと第６コン
デンサ用電極膜９ｂの接続片９ｄを接続して外部電極Ｔ
７を、アース用電極膜６の他方の接続片６ｂとアース用
電極膜１０の他方の接続片１０ｂを接続して外部電極Ｔ
８を形成する。なお、誘電体層Ｕ１〜Ｕ１４の代わりに
絶縁体層を用いてもよい。
【００１０】上記外部電極Ｔ１〜Ｔ８の形成により、図
３に示す等価回路をもつデュプレクサが作製される。即
ち、前記接続片５ａに接続した外部電極Ｔ１は低周波側
入力端子Ｙであり、この低周波側入力端子Ｙの接続され
た第３コンデンサ用電極膜５と、その上の第２コンデン
サ用電極膜４との間で第２コンデンサＣ２が形成される
。その第２コンデンサ用電極膜４は、その接続片４ａと
外部電極Ｔ２を介して接続片１ａを有する第１コイル用
電極膜１と接続される。この第１コイル用電極膜１は、
他方の接続片１ｂと外部電極Ｔ６を介して他方の接続片
２ｂをもつ第１コイル用電極膜２に接続される。この第
１コイル用電極膜２と前記第１コイル用電極膜１とは第
１コイルＬ１を構成し、また第１コイルＬ１の一端、つ
まり接続片２ａと接続する外部電極Ｔ４は、共通出力端
子Ｘを構成する。
３に示す等価回路をもつデュプレクサが作製される。即
ち、前記接続片５ａに接続した外部電極Ｔ１は低周波側
入力端子Ｙであり、この低周波側入力端子Ｙの接続され
た第３コンデンサ用電極膜５と、その上の第２コンデン
サ用電極膜４との間で第２コンデンサＣ２が形成される
。その第２コンデンサ用電極膜４は、その接続片４ａと
外部電極Ｔ２を介して接続片１ａを有する第１コイル用
電極膜１と接続される。この第１コイル用電極膜１は、
他方の接続片１ｂと外部電極Ｔ６を介して他方の接続片
２ｂをもつ第１コイル用電極膜２に接続される。この第
１コイル用電極膜２と前記第１コイル用電極膜１とは第
１コイルＬ１を構成し、また第１コイルＬ１の一端、つ
まり接続片２ａと接続する外部電極Ｔ４は、共通出力端
子Ｘを構成する。
【００１１】上記共通出力端子Ｘに接続してある接続片
２ａは、外部電極Ｔ４を介して接続片３ａをもつ第１コ
ンデンサ用電極膜３に接続される。この第１コンデンサ
用電極膜３は、誘電体層Ｕ３を挟んで形成された第２コ
ンデンサ用電極膜４との間で第１コンデンサＣ１を構成
する。つまり、第２コンデンサＣ２と共通出力端子Ｘと
の間には、第１コイルＬ１と第１コンデンサＣ１とが並
列接続された第１ＬＣ共振回路Ｑ１が構成される。
２ａは、外部電極Ｔ４を介して接続片３ａをもつ第１コ
ンデンサ用電極膜３に接続される。この第１コンデンサ
用電極膜３は、誘電体層Ｕ３を挟んで形成された第２コ
ンデンサ用電極膜４との間で第１コンデンサＣ１を構成
する。つまり、第２コンデンサＣ２と共通出力端子Ｘと
の間には、第１コイルＬ１と第１コンデンサＣ１とが並
列接続された第１ＬＣ共振回路Ｑ１が構成される。
【００１２】前記低周波側入力端子Ｙを接続した第３コ
ンデンサ用電極膜５は、その下のアース用電極膜６との
間で第３コンデンサＣ３を構成し、アース用電極膜６の
一方の接続片６ａはアース端子Ｅ１を構成する。前記共
通出力端子Ｘを構成する外部電極Ｔ４は、接続片８ａを
もつ第４コンデンサ用電極膜８と接続されている。第４
コンデンサ用電極膜８は、その下の第５コンデンサ用電
極膜９ａと対向し、第４コンデンサＣ４を構成する。第
５コンデンサ用電極膜９ａは、その下のアース用電極膜
１０との間で第５コンデンサＣ５を構成し、そのアース
用電極膜１０は上側の第６コンデンサ用電極膜９ｂとの
間で第６コンデンサＣ６を構成する。また、第５コンデ
ンサ用電極膜９ａの接続片９ｃと接続した外部電極Ｔ５
は、高周波側入力端子Ｚを構成し、またアース用電極膜
１０の他方の接続片１０ｂはアース端子Ｅ２を構成する
。
ンデンサ用電極膜５は、その下のアース用電極膜６との
間で第３コンデンサＣ３を構成し、アース用電極膜６の
一方の接続片６ａはアース端子Ｅ１を構成する。前記共
通出力端子Ｘを構成する外部電極Ｔ４は、接続片８ａを
もつ第４コンデンサ用電極膜８と接続されている。第４
コンデンサ用電極膜８は、その下の第５コンデンサ用電
極膜９ａと対向し、第４コンデンサＣ４を構成する。第
５コンデンサ用電極膜９ａは、その下のアース用電極膜
１０との間で第５コンデンサＣ５を構成し、そのアース
用電極膜１０は上側の第６コンデンサ用電極膜９ｂとの
間で第６コンデンサＣ６を構成する。また、第５コンデ
ンサ用電極膜９ａの接続片９ｃと接続した外部電極Ｔ５
は、高周波側入力端子Ｚを構成し、またアース用電極膜
１０の他方の接続片１０ｂはアース端子Ｅ２を構成する
。
【００１３】前記第５コンデンサＣ５を構成する第５コ
ンデンサ用電極膜９ａは、接続片９ｃと外部電極Ｔ５を
介して接続片７ａをもつ第２コイル用電極膜７に接続さ
れる。この第２コイル用電極膜７は、第２コイルＬ２を
構成し、その他方の接続片７ｂは外部電極Ｔ７を介して
前記第６コンデンサＣ６を構成する第６コンデンサ用電
極膜９ｂに接続される。よって、第４コンデンサＣ４の
高周波側入力端子Ｚ側と、アース端子Ｅ２との間におい
ては、直列接続された第２コイルＬ２と第６コンデンサ
Ｃ６に対して第５コンデンサＣ５が並列に接続されてな
る第２ＬＣ共振回路Ｑ２が接続されている。
ンデンサ用電極膜９ａは、接続片９ｃと外部電極Ｔ５を
介して接続片７ａをもつ第２コイル用電極膜７に接続さ
れる。この第２コイル用電極膜７は、第２コイルＬ２を
構成し、その他方の接続片７ｂは外部電極Ｔ７を介して
前記第６コンデンサＣ６を構成する第６コンデンサ用電
極膜９ｂに接続される。よって、第４コンデンサＣ４の
高周波側入力端子Ｚ側と、アース端子Ｅ２との間におい
ては、直列接続された第２コイルＬ２と第６コンデンサ
Ｃ６に対して第５コンデンサＣ５が並列に接続されてな
る第２ＬＣ共振回路Ｑ２が接続されている。
【００１４】したがって、このような構造となしたデュ
プレクサにあっては、２つのＬＣ共振回路Ｑ１とＱ２が
上下に積層された状態となり、従来のように同一平面上
に２つのＬＣ共振回路を形成する場合に比べて著しく小
型化できる。また、２つのＬＣ共振回路Ｑ１とＱ２の間
にアース用電極膜６が配設されているので、２つのＬＣ
共振回路Ｑ１とＱ２が相互にシールドされた状態となる
。
プレクサにあっては、２つのＬＣ共振回路Ｑ１とＱ２が
上下に積層された状態となり、従来のように同一平面上
に２つのＬＣ共振回路を形成する場合に比べて著しく小
型化できる。また、２つのＬＣ共振回路Ｑ１とＱ２の間
にアース用電極膜６が配設されているので、２つのＬＣ
共振回路Ｑ１とＱ２が相互にシールドされた状態となる
。
【００１５】また、このデュプレクサの周波数特性に関
しては次のようになる。共通出力端子Ｘ−低周波側入力
端子Ｙとの間の周波数特性を図４に示すが、図示の如く
零点ｆは２５４ＭＨｚであり、減衰極ｆ′は３８０ＭＨ
ｚである。一方、共通出力端子Ｘ−高周波側入力端子Ｚ
との間の周波数特性を図５に示すが、図示の如く零点ｆ
は３８０ＭＨｚであり、減衰極ｆ′は２５４ＭＨｚであ
る。両図中のＦは減衰量を示し、Ｇは反射損失を示す。 なお、上記図４は図８のようにして測定した結果であり
、図５は図９のようにして測定した結果である。参考ま
でに図４、図５に示した周波数特性をさらに広周波域で
測定したものを夫々図６、図７に示したが、いずれも同
様なポールが２箇所に存在していることがよく判る。 更に参考のため、図４〜図７の各周波数特性をもつ同様
の回路および素子値において、夫々シミュレーションを
行った周波数特性を図１０〜図１３に示した。これから
理解される如く、各シミュレーション結果は測定特性と
極めて類似したものとなっている。
しては次のようになる。共通出力端子Ｘ−低周波側入力
端子Ｙとの間の周波数特性を図４に示すが、図示の如く
零点ｆは２５４ＭＨｚであり、減衰極ｆ′は３８０ＭＨ
ｚである。一方、共通出力端子Ｘ−高周波側入力端子Ｚ
との間の周波数特性を図５に示すが、図示の如く零点ｆ
は３８０ＭＨｚであり、減衰極ｆ′は２５４ＭＨｚであ
る。両図中のＦは減衰量を示し、Ｇは反射損失を示す。 なお、上記図４は図８のようにして測定した結果であり
、図５は図９のようにして測定した結果である。参考ま
でに図４、図５に示した周波数特性をさらに広周波域で
測定したものを夫々図６、図７に示したが、いずれも同
様なポールが２箇所に存在していることがよく判る。 更に参考のため、図４〜図７の各周波数特性をもつ同様
の回路および素子値において、夫々シミュレーションを
行った周波数特性を図１０〜図１３に示した。これから
理解される如く、各シミュレーション結果は測定特性と
極めて類似したものとなっている。
【００１６】なお、上記実施例では両方のＬＣ共振回路
においてもコイルとコンデンサとが積層状態で形成して
あるが、本発明はこのようにせずともよく、例えば一方
のＬＣ共振回路、或いは両方のＬＣ共振回路においてコ
イルとコンデンサとを同一平面上に形成した構造をとる
ことも可能である。また、上記実施例ではデュプレクサ
の場合を例に挙げて説明しているが、本発明はこれに限
らず、バンドパスフィルタや他のフィルタなどにも同様
にして適用できることは勿論である。
においてもコイルとコンデンサとが積層状態で形成して
あるが、本発明はこのようにせずともよく、例えば一方
のＬＣ共振回路、或いは両方のＬＣ共振回路においてコ
イルとコンデンサとを同一平面上に形成した構造をとる
ことも可能である。また、上記実施例ではデュプレクサ
の場合を例に挙げて説明しているが、本発明はこれに限
らず、バンドパスフィルタや他のフィルタなどにも同様
にして適用できることは勿論である。
【００１７】
【発明の効果】以上詳述した如く本発明による場合には
、２つのＬＣ共振回路が積層されているので、小型化が
可能であり、また、両ＬＣ共振回路の間にシールド電極
膜が配設されているので、両ＬＣ共振回路を電気的に独
立させることが可能となり、コイル間の磁気結合を防止
することができるという優れた効果を奏する。
、２つのＬＣ共振回路が積層されているので、小型化が
可能であり、また、両ＬＣ共振回路の間にシールド電極
膜が配設されているので、両ＬＣ共振回路を電気的に独
立させることが可能となり、コイル間の磁気結合を防止
することができるという優れた効果を奏する。
【図１】本発明を適用したデュプレクサの一実施例を示
す分解斜視図である。
す分解斜視図である。
【図２】そのデュプレクサの積層状態を示す斜視図であ
る。
る。
【図３】そのデュプレクサの等価回路図である。
【図４】共通出力端子Ｘ−低周波側入力端子Ｙとの間の
周波数特性を示す図である。
周波数特性を示す図である。
【図５】共通出力端子Ｘ−高周波側入力端子Ｚとの間の
周波数特性を示す図である。
周波数特性を示す図である。
【図６】共通出力端子Ｘ−低周波側入力端子Ｙとの間の
周波数特性を示す図である。
周波数特性を示す図である。
【図７】共通出力端子Ｘ−高周波側入力端子Ｚとの間の
周波数特性を示す図である。
周波数特性を示す図である。
【図８】図４の周波数特性を測定した回路図である。
【図９】図５の周波数特性を測定した回路図である。
【図１０】図４に対応するシミュレーション結果の周波
数特性図である。
数特性図である。
【図１１】図５に対応するシミュレーション結果の周波
数特性図である。
数特性図である。
【図１２】図６に対応するシミュレーション結果の周波
数特性図である。
数特性図である。
【図１３】図７に対応するシミュレーション結果の周波
数特性図である。
数特性図である。
Ｑ１ 一方のＬＣ共振回路
Ｑ２ 他方のＬＣ共振回路
６ アース用電極膜
Claims (1)
- 【請求項１】 誘電体層の表面に電極膜を形成してな
るＬＣ共振回路を２個備え、一方のＬＣ共振回路が他方
のＬＣ共振回路の上方に配して形成され、両ＬＣ共振回
路の間にシールド電極膜が介装されていることを特徴と
するフィルタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40749990A JPH04225612A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | フィルタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40749990A JPH04225612A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | フィルタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04225612A true JPH04225612A (ja) | 1992-08-14 |
Family
ID=18517069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40749990A Pending JPH04225612A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | フィルタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04225612A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006157880A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-06-15 | Tdk Corp | 高周波モジュール |
| US7565116B2 (en) | 2004-11-15 | 2009-07-21 | Tdk Corporation | High frequency module |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62115813A (ja) * | 1985-11-15 | 1987-05-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | シ−ルド器 |
| JPH01297901A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-12-01 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 誘電体フィルタ |
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1990
- 1990-12-27 JP JP40749990A patent/JPH04225612A/ja active Pending
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