JPH04227231A - 低温磁石用変位プローブ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高磁界強度超伝導磁石
とともに使用される電気機械測定装置に関し、更に詳し
くは、磁石コイルと高磁界強度超伝導磁石の低温保持装
置の外側取り付け面との間の相対的変位を測定するプロ
ーブに関する。

【０００２】

【従来の技術】超伝導磁石は磁気共鳴像形成（ＭＲＩ）
において商業的に使用されている。ＭＲＩにおいては、
被撮像体の陽子は静磁界が存在する状態において被撮像
物に供給される無線周波磁界によって共鳴状態に励振さ
れる。静磁界は、冷凍剤内に浸けられ、かつ電流で励起
される超伝導ワイヤからなる多重コイルを有する超伝導
磁石によって形成される。数テスラの磁界強度が実質的
に電力消費なく達成される。

【０００３】無線周波磁界によって励振される被撮像物
の陽子の共鳴周波数は磁界の強度および陽子のある特性
に依存している。

【０００４】陽子が共鳴中に歳差運動しているとき、静
磁界よりも実質的に小さな強度のいくつかの勾配磁界が
被撮像体に供給され、被撮像物内の各陽子の位置に従っ
て陽子の共鳴の位相および周波数をシフトする。それか
ら、共鳴中の陽子によって出力される結合された信号が
数学的に分析され、被撮像体を通る「スライス」に沿っ
た被撮像体の画像を発生する。

【０００５】スライス画像に対する各共鳴中の陽子の貢
献度はその共鳴の位相および周波数に依存している。静
磁界が均一である場合、この位相および周波数は勾配磁
界内の陽子の位置にのみ依存する。静磁界が均一でない
場合には、陽子の共鳴の位相および周波数によって決定
される陽子の見かけ上の位置はシフトする。これは被撮
像体の再構成された画像にアーチファクトまたは他の歪
みを発生する。このようなアーチファクトを除去するに
は、ＭＲＩで使用される静磁界がきわめて均一でなけれ
ばならないということが必要である。撮像容積の全体に
わたって数ｐｐｍ　以下の磁界均一性が必要である。

【０００６】また、当然の結果として、静磁界は非常に
安定でなければならない。単一のＭＲＩスライス画像に
対するデータを収集するのに必要な時間は１つの像形成
技術では数分である。従って、時間における静磁界の変
動もまたアーチファクトを生じ、画像に歪みが発生する
。

【０００７】静磁界における不安定性の１つの原因は磁
石支持構造または低温保持装置内の超伝導磁石コイルの
機械的動作である。

【０００８】磁石コイルの動作は移動装置の用途に使用
されるＭＲＩ装置における特定の問題である。このＭＲ
Ｉ装置は建物の基礎部分よりもむしろ移動トレーラに取
り付けられるので、かなり多くの環境上の振動を受ける
。

【０００９】超伝導磁石のコイルは冷凍剤、典型的には
液体ヘリウム内に浸けられ、ヘリウム容器内に固定的に
保持される。冷凍剤４°Ｋ近くの温度にあり、約３００
°Ｋの周囲温度から絶縁されなければならない。これは
ヘリウム容器内への熱の伝達を低減するようにヘリウム
容器を取り囲んでいる低温保持装置を形成している一連
の熱遮閉部および真空シェルによって達成されている。

【００１０】ヘリウム容器は低温保持装置の外側シェル
に取り付けられた一連の張力をかけて張られた支持体に
よって低温保持装置内に吊されている。これらの支持体
は低温保持装置の外壁とヘリウム容器との間の熱伝達路
を形成するので、絶縁されると共に数が最小にされてい
る。一般に、支持体の数および大きさを決定する場合に
、低温保持装置の外側シェルに対してヘリウム容器を堅
固に保持するための支持装置の設計と支持体に沿ったヘ
リウム容器への熱の漏洩量を低減するための支持装置の
設計との間には兼ね合いがある。移動体への応用の場合
には、低温保持装置の外側シェルに対してヘリウム容器
を堅固に保持するための支持装置の設計と移動中の衝撃
に耐えるようにするための支持装置の設計との間に兼ね
合いがある。磁石コイル支持装置が振動を受ける度合を
正確に測定できることはこれらの兼ね合いを決める場合
に有益なことである。

【００１１】強磁界超伝導磁石の振動に対する耐性を測
定することは困難である。上述したように、ヘリウム容
器は放散遮蔽部によって取り囲まれ、超伝導温度で容器
内に保持されている。１．５テスラの磁石の場合、磁石
内の磁界強度は４．５テスラの大きさであり、すなわち
地球の磁界の強度の５００，０００倍を超えている。要
するに、通常の測定計器ではヘリウム容器に容易にアク
セスすることができない。

【００１２】

【発明の概要】本発明は、低温保持装置の外側シェルに
対する磁石コイルの極めて小さな動きを測定するプロー
ブを提供する。特に、このプローブは磁石コイルの一部
によって一端が受けられている細長い梁を有している。 締め付け具が梁の他端を磁石の支持シェルに固定してい
る。磁石コイルと支持シェルとの相対的動作は梁の縦方
向の歪みを測定するように梁の側部に取り付けられた歪
みゲージ配列によって検出される。歪みゲージ配列は対
向する電流の流れを有する２つの同一の広がりを有する
歪みゲージで構成される。

【００１３】従って、本発明の一目的は、磁石の周囲環
境に存在する相反する物理的条件によって影響されない
磁石の外側支持シェルに対する磁石コイルの動きを測定
する装置を提供することにある。簡単な曲げ梁の設計は
低温範囲における動作を可能とし、相殺する電流の流れ
を有する歪みゲージ配列を使用することによって磁石の
極めて高い磁界内における動作が可能となる。

【００１４】一実施例においては、２つの歪みゲージ配
列が梁の両側に取り付けられ、外部抵抗でブリッジに接
続されている。更に、梁は中空であり、ガス状の冷却剤
の通過を可能とし、梁のスチフネスを低減し、動きに対
するプローブの感度を増大している。

【００１５】本発明の他の目的は、動作している超伝導
磁石に容易に挿入し、また取り外すことができる変位プ
ローブを提供することにある。対向する歪みゲージ配列
は挿入後のプローブの冷却中の広い温度範囲における正
確な歪み測定を可能とする温度補償を行っている。中空
の梁は暖かいプローブを磁石に挿入することによって発
生する磁石の内部からのガス状の冷却剤の放出を可能と
し、プローブの温度の均等化を促進している。

【００１６】一実施例においては、梁は磁石に電気を供
給するために通常使用される磁石のランピング（ｒａｍ
ｐｉｎｇ　）ポートおよび電気ランピングプラグに取り
付けられている。

【００１７】従って、本発明の更に他の目的は、磁石に
特殊な変更を必要とすることなく磁石のシェルに対する
磁石コイルの動きを測定可能とすることである。

【００１８】磁石の磁石コイル支持構造は、磁石の支持
フレームに広い帯域の振動を加え、広い帯域の振動のス
ペクトルを記録することによって評価することができる
。変位プローブは支持フレームに対する磁石コイルの相
対的動きを測定するために使用される。磁石コイルの動
きのスペクトルは広い帯域の振動のスペクトルと比較さ
れ、磁石の振動に対する耐性が決定される。

【００１９】本発明の別の目的は、磁石の機械的特性を
評価する方法を提供することであり、従って改良された
磁石支持構造の設計を可能とすることである。

【００２０】本発明の上述したおよび他の目的および利
点は次の説明から明らかになるであろう。この説明では
、本発明の好適実施例を例として示している添付図面を
参照している。しかしながら、このような実施例は本発
明の全範囲を必ずしも示しているものでないので、本発
明の範囲の解釈には特許請求の範囲を参照されたい。

【００２１】

【実施例の説明】図１を参照すると、本発明で使用する
のに適した超伝導磁石１０が真空部を形成するようにロ
ール状の板で構成された低温冷却装置のほぼ円筒形の外
側壁部１２内に設けられている。支持フランジ１３が磁
石１０を支持するように低温保持装置の外側壁部１２に
取り付けられている。

【００２２】低温保持装置の外側壁部１２は、円盤状の
端板１４によって両端が閉じられている。この端板１４
は低温保持装置の外側壁部１２よりも半径が小さく、外
側壁部１２内に長手方向に中心を設けられ、外側壁部１
２と同心円的に設けられている穴管１６にアクセスでき
るように中央に設けられた円形開口部を有している。穴
管１６は患者が磁石１０にアクセスできるようにしてい
るものである。低温保持装置の外側壁部１２、端板およ
び穴管は共に磁石１０用の支持構造を構成する低温保持
装置の密封されたシェル１８を形成している。

【００２３】低温保持装置のシェル１８内には同様な形
状のヘリウム容器２０が中心に設けられている。このヘ
リウム容器２０は部分的に液体ヘリウムが充填され、コ
イル状の一連の磁石コイル（図示せず）を有している。 磁石コイルはコイル巻枠によってヘリウム容器２０に堅
固に取り付けられているので、磁石コイルの振動はヘリ
ウム容器２０の振動と同じであると考えられる。ヘリウ
ム容器２０と低温保持装置のシェル１８との間には２つ
の放射遮蔽部、すなわち８０°Ｋ遮蔽部２２および２０
°Ｋ遮蔽部２４がある。これらの遮蔽部は低温保持装置
のシェル１８と同様な形状であり、シェル１８内に同心
円的に設けられている。遮蔽部２２および２４は、ヘリ
ウム容器２０が２０°Ｋ遮蔽部２４の閉じた表面内に入
れ子式に設けられ、２０°Ｋ遮蔽部２４が８０°Ｋ遮蔽
部２２の閉じた表面内に保持され、８０°Ｋ遮蔽部２２
が低温保持装置シェル１８内に保持されるというように
設けられている。

【００２４】ヘリウム容器２０は内側に放射状に設けら
れたステンレス鋼の８本の支持体２６（図１では３本の
みが示されている）および外側に放射状に設けられてい
るステンレス鋼の８本の支持体２７（図１では１本のみ
が示されている）を介して低温保持装置のシェル１８に
よって支持されている。これらの１６本の放射状支持体
２６および２７はヘリウム容器２０の両端に設けられ、
ほぼ同じ面内にヘリウム容器２０の端板２８と平行に設
けられている。支持体２６および２７は低温保持装置の
シェル１８の中央面の周りに対称に設けられている。各
内側支持体２６はヘリウム容器２０の端板２８に堅固に
固定されたブロック３０を介してヘリウム容器２０に取
り付けられている。支持体２６の他端はピン３２によっ
て８０°Ｋ遮蔽部の端板２４の内側面に沿って取り付け
られている。

【００２５】また、各外側支持体２７もピン３３によっ
て８０°Ｋ遮蔽部の端板２４の内側面に沿って取り付け
られている。ピン３３の穴は支持体２７のねじ付端部を
受け入れ、ナット３５によって保持されている。それか
ら、支持体２７は８０°Ｋ遮蔽部の円筒形の外側壁部の
穴を通って低温保持装置の外側壁部１８の内面まで進み
、ここでピン３１によって端フランジ（図示せず）に固
定されている。内側および外側ストラップ２６および２
７は低温保持装置のシェル１８内にヘリウム容器２０を
吊し、低温保持装置の外側壁部１２からヘリウム容器２
０へのストラップ２６および２７を通る直接的な熱の流
れを防止するように作用している。

【００２６】ナット３４および３５を調整することによ
って支持体２６および２７の張力を調整することができ
、これによりヘリウム容器２０を低温保持装置のシェル
１８内に設け、両者間の相対的動きを低減する。

【００２７】直径の小さな同様な支持体（図示せず）を
使用して、低温保持装置のシェル１８に対するヘリウム
容器２０の軸方向の動きを防止する。

【００２８】また、本発明で使用するのに適切な第２の
低温磁石１０の詳細は米国特許第４，７２１，９３４号
に記載されている。

【００２９】ヘリウム容器２０内の磁石コイル（図示せ
ず）の端部は、真空容器２０の上面から延出して真空容
器に堅固に取り付けられているランピングプラグ４０に
接続されている。従って、ランピングプラグ４０は磁石
コイルに堅固に連結されていて、内側および外側同軸管
状導体４２および４４から構成されている。電流が外部
電源（図示せず）によってランピングプラグ４０を通っ
て磁石コイルに供給され、正しい磁界強度が達成される
と、電源は切断される。この処理は磁石コイルに電流を
徐々に供給することから「ランピング（ｒａｍｐｉｎｇ
　）」と称される。

【００３０】低温保持装置の外側壁部１２の上面上のラ
ンピングポート４６は低温保持装置の外壁部１２の内面
とヘリウム容器２０の外面との間に保持された可撓性の
ステンレス鋼のベローズ４８を通ってランピングプラグ
４０にアクセスすることを可能にしている。ベローズ４
８はヘリウム容器２０と低温保持装置のシェル１８との
間のスペースに保持された真空状態を完全に維持してい
る。ベローズ４８は２０°Ｋおよび８０°Ｋ遮蔽部２４
および２２を貫通し、上述したようにランピングプラグ
４０へのアクセスを可能にしている。

【００３１】図２を参照すると、ランピングポート４６
は低温保持装置の外側壁部１２の外面から延出している
外側にねじが形成された管状フランジ５０で構成されて
いる。フランジ５０は内部にねじ部が形成されたアルミ
ニウムの保持リング５２を受け止め、この保持リング５
２は上側リップ５４を有し、このリップ５４はリップの
下面とフランジ５０の上面との間にコネクタなどを捕捉
するようになっている。

【００３２】管状の真ちゅうスリーブ５６がこの真ちゅ
うスリーブ５６から半径方向に延出している整列隆起部
５８によってランピングポート４６に保持されている。 整列隆起部は保持リング５２のリップ５４の下面と、ね
じ付きフランジ５０の上面に設けられたＯリングとの間
に保持されている。

【００３３】また、真ちゅうスリーブ５６はステンレス
鋼の円筒形の保持部６２を保持している。この保持部６
２は低温保持装置のシェル１８の内部および外部に半径
方向にスライドし、ランピングポート４６から妨害され
ることなく、真ちゅうスリーブ５６内で回転するように
自由になっている。ステンレス鋼の保持部６２は一連の
留めねじ（図示せず）によって真ちゅうスリーブ５６に
ロックすることができる。

【００３４】ステンレス鋼の保持部６２の軸を通って半
径方向に延出する穴６４はフェノール製の管状の梁６６
を受けている。また、梁６６は低温保持装置のシェル１
８の内側および外側に半径方向にスライドし、ステンレ
ス鋼のスリーブ６２内で回転するように自由であるが、
ステンレス鋼のスリーブ６２内の第２の一連の留めねじ
６８によって所定位置に固定することができる。

【００３５】梁６６の長さは、梁がランピングポート４
６を通って低温保持装置のシェル１８内に挿入され、ヘ
リウム容器２０の表面まで延出することができるような
長さである。このように挿入される梁６６の第１の「穴
端部」は、約０．００１インチのクリアランスを維持し
ながら梁６６の長手方向の約１インチがランピングプラ
グ４０の内側の同軸導体４２によって受け入れられるよ
うな半径を有している。梁６６の穴端部はこの挿入処理
を助成するように面取りされている。

【００３６】一対の平坦面７０がステンレス鋼の保持部
６２の真下の梁６６の対向する壁部上に加工されている
が、これは梁６６が上述したようにランピングプラグ４
０内に挿入された場合、低温保持装置のシェル１８内に
なるようになっている。磁気的に補整された歪みゲージ
配列７２が梁６６の縦方向の歪みを測定するように低温
セメントによって前記加工された平坦部７０の面に取り
付けられている。この用途に適切な歪みゲージ配列７２
は、互いから電気的に絶縁されるが、互いに整列して実
質的に同一の広がりを有するように積層された一対の歪
みゲージで構成される。一方のゲージの各部分に流れる
電流は他方のゲージの対応する部分に流れる相殺電流と
匹敵するように直列に接続されている。本技術分野に専
門知識を有する者にわかるように、磁石１０の強い磁界
内の各ゲージ配列７２の動作によって発生する電流はこ
のように打ち消され、ゲージ配列７２の歪み読み取り値
を不明確にしない。適当なゲージは米国ノースカロライ
ナ州ラレイ所在のメジャメント・グループ（Ｍｅａｓｕ
ｒｅｍｅｎｔ　Ｇｒｏｕｐ　）からのＨシリーズのゲー
ジである。このように補整される歪みゲージは低温保持
装置のシェル１８内の静磁界よりもはるかに低いピーク
値を有する交流モータなどに関連する変動する磁界と使
用されることで知られている。

【００３７】低温保持装置のシェル１８に対するゲージ
配列７２の整列は梁６６の上端部に刻まれているライン
８８によって定められている。

【００３８】図２および図３を参照すると、２本のリー
ド線７４が各歪みゲージ配列７２に接続され、ステンレ
ス鋼のアダプタ６２を通って切断されたチャンネル７６
を通過し、低温保持装置のシェル１８の外側に出ている
。ステンレス鋼のアダプタ６２の外側部分に取り付けら
れた端子細片７８を使用し、歪みゲージ配列７２を通常
の全湾曲ブリッジ構造でブリッジ抵抗８０および８２お
よび基準電圧源８４に接続している。特に、一方の歪み
ゲージ配列７２の一方のリード線は基準電圧源８４の正
端子に取り付けられ、他方の歪みゲージ配列７２の一方
のリード線は基準電圧源８４の負端子に取り付けられて
いる。歪みゲージ配列７２の残りのリード線は互いに接
続されている。ブリッジ抵抗８０および８２は基準電圧
源８４の両端に直列に接続されている。歪みゲージ配列
７２の接続点とブリッジ抵抗８０および８２の接続点の
間の電圧は本技術分野で知られているように適当な計器
８６によって測定される。梁６６の対向する側部上の２
つの歪みゲージ配列７２を使用することによってフェノ
ール製の梁６６の縦方向の曲げの測定感度を効果的に倍
にし、各歪みゲージ配列７２に対する温度補償を行うこ
とができる。低温保持装置のシェル１８内の低温状態の
温度が各歪みゲージ配列に同等に影響を与えても、ブリ
ッジの接続点における電圧は変化しない。

【００３９】梁６６は低い温度および電気伝導率および
低い曲げスチフネスを有するように選択される。梁の管
状の形状は梁６６の曲げによって発生する歪みを増大し
、プローブの感度を増大する。また、梁６６は変位プロ
ーブの導入によって発生するガス状の冷凍剤の排出を可
能にし、冷却処理の間梁の温度を均一にするように管状
である。梁６６が磁石１０の内部温度近くになった後、
梁６６内の管状の開口は弾性プラグ（図示せず）によっ
て停止させられる。

【００４０】上述した変位プローブを使用する場合には
、まず梁６６の磁石端部の約１インチがランピングプラ
グ４０の内側の同軸導体４２によって受け入れられるよ
うに梁６６の長さが調整されることが必要である。留め
ねじ６８を締め付けて、真ちゅうスリーブ５６、ステン
レス鋼の保持部６２および梁６６を一緒に固定する。 それから、変位プローブが取り除かれ、梁６６の長さに
対してゲージ配列７２の目盛係数が電池測定法で決定さ
れる。変位プローブで得られる典型的な感度は０．００
２ｍｍ台のものである。それから、変位プローブは保持
リング５２によってランピングポート４６に締め付けら
れた真ちゅうスリーブ５６およびランピングポート４６
内に再び挿入される。それから、２つの歪みゲージ配列
７２によって定められた軸に沿った動きに対する変位測
定が行われる。異なる軸に沿って測定する場合には、ね
じ付リング５６を緩め、真ちゅうスリーブ５６を所望の
方向に回転させる。

【００４１】低温磁石１０の内部支持構造は低温保持装
置のシェル１８を振動させることによって評価される。 振動は広い帯域のものであることが好ましい。すなわち
、振動は種々の振動周波数を含んでいることが好ましい
。振動のスペクトルは低温保持装置のシェル１８に取り
付けられた加速度計（図示せず）によって測定され、ス
ペクトル分析器またはディジタルフーリエ変換技術によ
って分析される。

【００４２】低温保持装置のシェル１８の振動データと
同時に取られた変位プローブからの変位データも分析さ
れて、ヘリウム容器２０の振動スペクトルが測定され、
２つのスペクトルが比較される。両スペクトルにおける
同様なピーク値はヘリウム容器２０の共振モードを示し
、磁石コイル支持構造体の設計または製造された磁石１
０の品質管理を補助する。

【００４３】代わりに、静磁界における時間による変動
は小さなサンプル安定試験においてＭＲＩ装置を作動さ
せることによって測定することができる。この試験では
、周知の材料の小さなサンプルが磁石１０の穴内に設け
られ、ＭＲＩ装置の無線周波発生器（図示せず）によっ
て共鳴状態に励振させられる。上述したように、サンプ
ルの陽子の共鳴周波数は静磁界の強度に依存しているの
で、静磁界の不安定性はこの共鳴信号の周波数または位
相シフトを測定することによって決定される。静磁界に
おける変動のスペクトルが測定され、変位プローブの測
定から得られるスペクトルと比較される。変位プローブ
を使用して、ヘリウム容器２０の動きと磁界の不安定性
との間の推論された関係に基づく静磁界の不安定性に対
する製造された磁石１０を評価する。

【００４４】本発明の好適実施例について説明したが、
本技術分野に専門知識を有する者にとっては本発明の精
神から逸脱することなく種々の変更を行うことができる
ことは明らかであろう。例えば、梁６６のフェノール材
料を別の低いスチフネスの絶縁材料で置き換えたり、ス
リーブ５６および保持器６２を別の材料で容易に置き換
えることができる。また、梁６６の端部は異なる形式の
ランピングプラグを有するわずかに異なる機械的構成を
有する磁石とともに使用するように容易に改造すること
ができることは理解されることであろう。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明で使用するのに適し、ヘリウム容器を保
持する支持体およびランピングポートを示すように部分
的に破断されている強磁界超伝導磁石の斜視図である。

【図２】明確に示すために部分的に破断されると共に、
本発明の変位プローブの配置を示す図１の磁石のランピ
ングポートの断面図である。

【図３】図２の変位プローブの歪みゲージ配列を全ブリ
ッジに接続した構成を示す回路図である。

【符号の説明】

１０　　磁石 １２　　低温保持装置の外側壁部 １４　　端板 １６　　穴管 １８　　低温保持装置のシェル ２０　　ヘリウム容器 ２２，２４　　遮蔽部 ２６，２７　　支持体 ４０　　ランピングプラグ ４６　　ランピングポート

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　低温磁石（１０）に対して使用される
   変位プローブであって、堅固に連結された要素（４０）
   を有する低温磁石コイルと外側支持シェル（１８）との
   間の相対的動きを測定する変位プローブにおいて、第１
   の端部および第２の端部を分離する少なくとも１つの縦
   方向に細長い側部を有し、該第２の端部が磁石コイルの
   前記要素（４０）によって受けられるようになっている
   梁（６６）と、前記梁（６６）の第１の端部を前記支持
   シェル（１８）に取り付ける締め付け手段（５０，５２
   ，５８，６２）と、前記梁（６６）の側部に取り付けら
   れて該梁（６６）の縦方向の歪みを測定する歪みゲージ
   配列であって、相殺する電流の流れを維持する２つの同
   一の広がりを有する歪みゲージを有する歪みゲージ配列
   （７２）と、を有する変位プローブ。
2. 【請求項２】　　前記梁（６６）は管状である請求項１
   記載の変位プローブ。
3. 【請求項３】　　前記梁（６６）は前記第１の側部に対
   向する第２の縦方向に細長い側部を有し、この第２の側
   部には前記第１の歪みゲージ配列（７２）に対向して取
   り付けられた第２の歪みゲージ配列（７２）を有する請
   求項１記載の変位プローブ。
4. 【請求項４】　　前記低温磁石（１０）はランピングポ
   ート（４６）およびランピングプラグ（４０）を有し、
   前記梁（６６）の第１の端部は前記ランピングポート（
   ４６）に取り付けられ、前記梁（６６）の第２の端部は
   前記ランピングプラグ（４０）によって受けられている
   請求項１記載の変位プローブ。
5. 【請求項５】　　支持フレーム（１８）に対して低温磁
   石コイル構造（２０）を支持する低温磁石取り付け構造
   （２６，３０，３２，３４，３６，３８）を評価する方
   法であって、前記支持フレーム（１８）に広い帯域の振
   動を受けさせ、前記広い帯域の振動のスペクトルを記録
   し、前記支持フレーム（１８）に対する前記低温磁石コ
   イル構造（２０）の相対的動きを変位プローブで測定し
   て、変位履歴を作成し、前記広い帯域の振動のスペクト
   ルと前記変位履歴のスペクトルとを比較するステップを
   有する前記方法。