JPH04230860A - 抗体被覆結晶化学物質センサ - Google Patents
抗体被覆結晶化学物質センサInfo
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- JPH04230860A JPH04230860A JP3088635A JP8863591A JPH04230860A JP H04230860 A JPH04230860 A JP H04230860A JP 3088635 A JP3088635 A JP 3088635A JP 8863591 A JP8863591 A JP 8863591A JP H04230860 A JPH04230860 A JP H04230860A
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- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は一般に化学物質センサ、
特に抗体被覆発振器を使用する化学物質センサに関する
。
特に抗体被覆発振器を使用する化学物質センサに関する
。
【0002】
【従来の技術】高選択性、低誤信号率および108 乃
至109 分の1程度の高感度の化学物質探知器が必要
とされている。感応性化学物質検出器は麻薬および密輸
検出およびプラスチック爆弾およびダイナマイトを含む
爆弾検出に望ましい。さらに、化学物質センサは環境浄
化および危険材料の分野において使用されることができ
る。例えば、スペクトル分析器のような装置を含んでい
る極めて特殊な化学物質検出器が存在するが、しかしこ
のような装置は比較的感度レベルが低い。感度の非常に
高い化学物質検出器も存在するが、しかしこれらは1つ
の化学物質を特定することが困難で(低選択性)、した
がって誤信号率を高める。
至109 分の1程度の高感度の化学物質探知器が必要
とされている。感応性化学物質検出器は麻薬および密輸
検出およびプラスチック爆弾およびダイナマイトを含む
爆弾検出に望ましい。さらに、化学物質センサは環境浄
化および危険材料の分野において使用されることができ
る。例えば、スペクトル分析器のような装置を含んでい
る極めて特殊な化学物質検出器が存在するが、しかしこ
のような装置は比較的感度レベルが低い。感度の非常に
高い化学物質検出器も存在するが、しかしこれらは1つ
の化学物質を特定することが困難で(低選択性)、した
がって誤信号率を高める。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ニューオーリンズ大学
のGeorge Guilbault氏は、抗体による
水晶発振器の被覆を実験している。彼の研究は、雑誌(
“Immobilization Methods
For Piezoelectric Biose
nsors ”,Bio/Technology 出版
,Vol.7,1989年4月,349 乃至351
頁)において論じられている。しかしながら、これらの
発振器は、温度、圧力および湿度に関して補正されなけ
ればならない。実験は要求される感度補正のために実験
室で行われなければならない。これらの補正はそのよう
な装置の感度を減少させる。
のGeorge Guilbault氏は、抗体による
水晶発振器の被覆を実験している。彼の研究は、雑誌(
“Immobilization Methods
For Piezoelectric Biose
nsors ”,Bio/Technology 出版
,Vol.7,1989年4月,349 乃至351
頁)において論じられている。しかしながら、これらの
発振器は、温度、圧力および湿度に関して補正されなけ
ればならない。実験は要求される感度補正のために実験
室で行われなければならない。これらの補正はそのよう
な装置の感度を減少させる。
【0004】したがって、選択性および高感度であり、
制御された実験室条件外で使用されることができる検出
器を有することは化学検出技術において有効である。
制御された実験室条件外で使用されることができる検出
器を有することは化学検出技術において有効である。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、抗体が限定す
る粒子が抗体によってトラップされたときに周波数の変
化を検出するために高いQの結晶発振器上に付着された
特有の抗体を使用する。トラップされた粒子は結晶の実
効的質量を変化させ、したがってその振動周波数を変化
する。特に抗体で被覆されたものと、被覆されていない
ものとの2つの結晶が使用される。これは、化学剤に対
する露出の前および後に被覆された発振器の振動周波数
間の絶対周波数差の検出を可能にする。
る粒子が抗体によってトラップされたときに周波数の変
化を検出するために高いQの結晶発振器上に付着された
特有の抗体を使用する。トラップされた粒子は結晶の実
効的質量を変化させ、したがってその振動周波数を変化
する。特に抗体で被覆されたものと、被覆されていない
ものとの2つの結晶が使用される。これは、化学剤に対
する露出の前および後に被覆された発振器の振動周波数
間の絶対周波数差の検出を可能にする。
【0006】結晶発振器上に付着された特有の抗体は、
化学物質粒子が抗体によってトラップされ、結晶の実効
的質量を変化したときの周波数の変化を検出する。抗体
で被覆されたものと、被覆されていないものとの2つの
結晶が使用される。これは2つ結晶の振動周波数間の周
波数差の検出を可能にし、したがって通常行われなけれ
ばならない圧力、温度および湿度補正を不要にする。
化学物質粒子が抗体によってトラップされ、結晶の実効
的質量を変化したときの周波数の変化を検出する。抗体
で被覆されたものと、被覆されていないものとの2つの
結晶が使用される。これは2つ結晶の振動周波数間の周
波数差の検出を可能にし、したがって通常行われなけれ
ばならない圧力、温度および湿度補正を不要にする。
【0007】本発明の別の実施例は、化学物質粒子が主
周波数の高調波の特定のノード位置において結晶上に吸
着することだけを可能にする質量負荷技術を使用する。 したがって高調波の振幅率が測定される。この技術は、
2つの結晶の方法と共に使用されてもよく、すなわち変
化している温度、圧力および湿度条件下におけるこの率
の安定性のために被覆されていない基準結晶なしに使用
されることができる。しかしながら、ピーク(周波数の
シフト)の位置を決定するためにさらに複雑な走査電子
回路が要求される。
周波数の高調波の特定のノード位置において結晶上に吸
着することだけを可能にする質量負荷技術を使用する。 したがって高調波の振幅率が測定される。この技術は、
2つの結晶の方法と共に使用されてもよく、すなわち変
化している温度、圧力および湿度条件下におけるこの率
の安定性のために被覆されていない基準結晶なしに使用
されることができる。しかしながら、ピーク(周波数の
シフト)の位置を決定するためにさらに複雑な走査電子
回路が要求される。
【0008】本発明の化学物質センサは例えばTNT、
DNT、コカインまたはマリファナのような特定の化学
物質に特に関連している抗体を使用することによって高
い限定率を維持する。センサは、2つの高いQの発振器
を使用することによって比較的良好な感度を実現し、ま
た典型的に通常のセンサで生じる温度、圧力および湿度
によるドリフト問題を解消する。さらにこの化学物質セ
ンサは堅牢であり、小さいパッケージ中に適合されるこ
とができ、一方多数の通常のセンサはそのようなことは
不可能である。
DNT、コカインまたはマリファナのような特定の化学
物質に特に関連している抗体を使用することによって高
い限定率を維持する。センサは、2つの高いQの発振器
を使用することによって比較的良好な感度を実現し、ま
た典型的に通常のセンサで生じる温度、圧力および湿度
によるドリフト問題を解消する。さらにこの化学物質セ
ンサは堅牢であり、小さいパッケージ中に適合されるこ
とができ、一方多数の通常のセンサはそのようなことは
不可能である。
【0009】水晶およびサファイヤを含む種々の結晶発
振器が使用されてもよい。さらに、結晶は水晶のQを1
0倍以上に実質的に増加させる液体ヘリウム温度に冷却
されてもよい。また、各結晶発振器に対する位相外れス
キムおよび最小から最大までの積分の使用は光子雑音限
界に達する可能性を与える。
振器が使用されてもよい。さらに、結晶は水晶のQを1
0倍以上に実質的に増加させる液体ヘリウム温度に冷却
されてもよい。また、各結晶発振器に対する位相外れス
キムおよび最小から最大までの積分の使用は光子雑音限
界に達する可能性を与える。
【0010】
【実施例】例えば、DNT、TNT、マリファナおよび
コカインを含む特定の分子と結合する生物学的に生成さ
れた分子は抗体と呼ばれている。抗体には、単一クロー
ン抗体および多クローン抗体の2タイプがある。単一ク
ローン抗体は特定の分子だけと相互作用し、高い限定率
を得るために使用されることができる。多抗体は、例え
ばDNTおよびTNTを含む複数の関連した分子に結合
する。抗体は現在DNT、TNT、マリファナ、コカイ
ンその他重要な化学物質に対して存在する。抗体で被覆
された表面は典型的に1013分子/cm2 まで結合
する。
コカインを含む特定の分子と結合する生物学的に生成さ
れた分子は抗体と呼ばれている。抗体には、単一クロー
ン抗体および多クローン抗体の2タイプがある。単一ク
ローン抗体は特定の分子だけと相互作用し、高い限定率
を得るために使用されることができる。多抗体は、例え
ばDNTおよびTNTを含む複数の関連した分子に結合
する。抗体は現在DNT、TNT、マリファナ、コカイ
ンその他重要な化学物質に対して存在する。抗体で被覆
された表面は典型的に1013分子/cm2 まで結合
する。
【0011】図1の(A)および(B)を参照すると、
本発明の原理による抗体被覆二重結晶化学物質センサ1
0が示されている。センサ10は被覆された被覆された
圧電気結晶発振回路11を具備し、その回路の一例は図
1の(B)に示されている。被覆された圧電気結晶発振
回路11は、多クローンまたは単クローン抗体22のい
ずれかで被覆された外面を有する例えば水晶、サファイ
ヤのような材料からなる被覆された圧電気結晶21から
構成されている。典型的な多クローンまたは単クローン
抗体22は例えばDNTおよびTNTを含む化学物質の
分子を結合するために使用されてもよい。TNT、DN
T、モルヒネおよびその他の化学物質に対する抗体はサ
ンディエゴのIRT社から市販されている。
本発明の原理による抗体被覆二重結晶化学物質センサ1
0が示されている。センサ10は被覆された被覆された
圧電気結晶発振回路11を具備し、その回路の一例は図
1の(B)に示されている。被覆された圧電気結晶発振
回路11は、多クローンまたは単クローン抗体22のい
ずれかで被覆された外面を有する例えば水晶、サファイ
ヤのような材料からなる被覆された圧電気結晶21から
構成されている。典型的な多クローンまたは単クローン
抗体22は例えばDNTおよびTNTを含む化学物質の
分子を結合するために使用されてもよい。TNT、DN
T、モルヒネおよびその他の化学物質に対する抗体はサ
ンディエゴのIRT社から市販されている。
【0012】被覆されていない結晶23を含む第2の実
質的に同じ結晶発振回路12は第1の発振回路11に隣
接して配置される。2つの回路11,12の出力は、例
えば検出可能なビート周波数信号を生成するために2つ
の発振回路11,12からの出力信号を混合するように
構成された周波数ミキサ13に結合される。結晶21,
23の冷却は例えば極低温冷却装置のように冷却装置1
4によって行われる。ミキサ13から出力されたビート
周波数信号は、重要な化学物質の検出を示す信号を生成
するためにビート周波数信号を処理するように構成され
た検出回路15に結合される。
質的に同じ結晶発振回路12は第1の発振回路11に隣
接して配置される。2つの回路11,12の出力は、例
えば検出可能なビート周波数信号を生成するために2つ
の発振回路11,12からの出力信号を混合するように
構成された周波数ミキサ13に結合される。結晶21,
23の冷却は例えば極低温冷却装置のように冷却装置1
4によって行われる。ミキサ13から出力されたビート
周波数信号は、重要な化学物質の検出を示す信号を生成
するためにビート周波数信号を処理するように構成され
た検出回路15に結合される。
【0013】図1を参照すると、2つの結晶発振器21
および22は、それらが実質的に同じ周波数で振動する
ように振動周波数を制御するように構成された各結晶制
御発振回路11,12の一部である。結晶制御発振回路
11,12と関連された電子回路は一般に良く知られて
おり、それぞれ例えば図1の(B)に示された発振回路
を含んでいる。図1の(B)に示された発振回路11は
被覆された結晶21、結晶21を横切って結合されたド
レインおよびベースを有するトランジスタ24を具備し
、そのベースは電源27の正端子に直列の抵抗25およ
びキャパシタ26によって結合されている。トランジス
タ24のソースは並列の抵抗28およびキャパシタ29
によって電源27の正端子に結合されている。最後に、
電源27の負端子は並列のキャパシタ30およびインダ
クタ31を介してトランジスタ24のドレインに結合さ
れている。
および22は、それらが実質的に同じ周波数で振動する
ように振動周波数を制御するように構成された各結晶制
御発振回路11,12の一部である。結晶制御発振回路
11,12と関連された電子回路は一般に良く知られて
おり、それぞれ例えば図1の(B)に示された発振回路
を含んでいる。図1の(B)に示された発振回路11は
被覆された結晶21、結晶21を横切って結合されたド
レインおよびベースを有するトランジスタ24を具備し
、そのベースは電源27の正端子に直列の抵抗25およ
びキャパシタ26によって結合されている。トランジス
タ24のソースは並列の抵抗28およびキャパシタ29
によって電源27の正端子に結合されている。最後に、
電源27の負端子は並列のキャパシタ30およびインダ
クタ31を介してトランジスタ24のドレインに結合さ
れている。
【0014】図2を参照すると、第2の被覆されていな
い結晶発振器23は、それが被覆された結晶発振器21
上で行われる周波数計算用の基準データを与える被覆さ
れた結晶発振器21のための制御として動作する。2つ
の結晶発振回路11,12はまた各結晶発振器21,2
3のそれぞれの振動周波数を検出し、抗体22が吸着す
るように調節される重要な化学物質にさらされる前およ
び後の第1の結晶発振器21の振動の周波数間の周波数
差を示す信号を生成するように構成された検出回路15
に結合される。
い結晶発振器23は、それが被覆された結晶発振器21
上で行われる周波数計算用の基準データを与える被覆さ
れた結晶発振器21のための制御として動作する。2つ
の結晶発振回路11,12はまた各結晶発振器21,2
3のそれぞれの振動周波数を検出し、抗体22が吸着す
るように調節される重要な化学物質にさらされる前およ
び後の第1の結晶発振器21の振動の周波数間の周波数
差を示す信号を生成するように構成された検出回路15
に結合される。
【0015】動作中に、結晶発振器21は検出される化
学物質で汚染された空気または水にさらされる。結晶発
振器21上で抗体22により結合された化学物質粒子の
質量増加は被覆発振器21からの出力信号の周波数シフ
トにより検出される。周波数シフトは式Δf/f =−
1/2Δm/m によって与えられ、ここでfは被覆発
振器21の振動の周波数であり、Δf は重要な化学物
質にさらされた後の周波数の変化であり、mは被覆発振
器21の質量であり、Δm はその表面上における抗体
22による化学物質の吸着により生じた被覆発振器21
の質量の変化である。
学物質で汚染された空気または水にさらされる。結晶発
振器21上で抗体22により結合された化学物質粒子の
質量増加は被覆発振器21からの出力信号の周波数シフ
トにより検出される。周波数シフトは式Δf/f =−
1/2Δm/m によって与えられ、ここでfは被覆発
振器21の振動の周波数であり、Δf は重要な化学物
質にさらされた後の周波数の変化であり、mは被覆発振
器21の質量であり、Δm はその表面上における抗体
22による化学物質の吸着により生じた被覆発振器21
の質量の変化である。
【0016】水晶発振器の標準モード周波数は例えば1
04 乃至5×107 Hzの範囲である。0.1mm
厚の水晶のディスクはf0 =2×107 Hzを有
し、2×108 Hzまでの高次高調波を有する。水晶
のQは著しく高く、106 以上である。
04 乃至5×107 Hzの範囲である。0.1mm
厚の水晶のディスクはf0 =2×107 Hzを有
し、2×108 Hzまでの高次高調波を有する。水晶
のQは著しく高く、106 以上である。
【0017】第1の結晶発振器21によって吸着される
化学物質の最大量の質量は、式Δm =n×M×mH
によって与えられ、ここでnは付加された分子密度(1
013分子/cm2 )であり、Mは吸着された分子の
分子量であり、mH は水素原子の質量である。TNT
のような材料に対して、例えばMが220 に近似して
いる場合には、Δm は(1013分子/cm2 )×
(220 分子−1)×(1.7 ×10−24 グラ
ム)=3.7 ×10−9gm/cm2 にほぼ等しい
。0.1mm の厚さを有する水晶ディスクは、0.0
1cm×2.2 グラム/cm3 =0.0022gm
/cm2 にほぼ等しい質量mを有する。したがって、
水晶から形成され、f=20MNzの動作周波数を有す
る被覆結晶発振器21に対する周波数シフトは以下の通
りである。
化学物質の最大量の質量は、式Δm =n×M×mH
によって与えられ、ここでnは付加された分子密度(1
013分子/cm2 )であり、Mは吸着された分子の
分子量であり、mH は水素原子の質量である。TNT
のような材料に対して、例えばMが220 に近似して
いる場合には、Δm は(1013分子/cm2 )×
(220 分子−1)×(1.7 ×10−24 グラ
ム)=3.7 ×10−9gm/cm2 にほぼ等しい
。0.1mm の厚さを有する水晶ディスクは、0.0
1cm×2.2 グラム/cm3 =0.0022gm
/cm2 にほぼ等しい質量mを有する。したがって、
水晶から形成され、f=20MNzの動作周波数を有す
る被覆結晶発振器21に対する周波数シフトは以下の通
りである。
【0018】
Δf =(−1/2Δm/m )f =(−1/2)(
3.7 ×10−9gm/cm2 /2.2 ×10−
2gm/cm2 )/(2×107 Hz=1.7 H
z)この感度の大きさは、結晶発振器21,23の絶対
振動周波数に影響を与える温度、圧力および湿度変化の
ために少し測定し難い。本発明の原理によると、2つの
結晶発振器21,23を使用し、抗体22で被覆された
第1の結晶発振器21および基準として第2の結晶発振
器23を有することによって、Δf は2つの結晶発振
器21,23間のビート周波数を検出することによって
測定される。センサは吸着された化学物質粒子なしに抗
体の質量だけを無視するために電気的にゼロにされても
よい。ビート周波数には不確定度(δ)があり、f=2
×107 に対してほぼ1.3×107 に等しいQが
f/Q=1.5 Hzに近似したδ(Δf )によって
与えられる。
3.7 ×10−9gm/cm2 /2.2 ×10−
2gm/cm2 )/(2×107 Hz=1.7 H
z)この感度の大きさは、結晶発振器21,23の絶対
振動周波数に影響を与える温度、圧力および湿度変化の
ために少し測定し難い。本発明の原理によると、2つの
結晶発振器21,23を使用し、抗体22で被覆された
第1の結晶発振器21および基準として第2の結晶発振
器23を有することによって、Δf は2つの結晶発振
器21,23間のビート周波数を検出することによって
測定される。センサは吸着された化学物質粒子なしに抗
体の質量だけを無視するために電気的にゼロにされても
よい。ビート周波数には不確定度(δ)があり、f=2
×107 に対してほぼ1.3×107 に等しいQが
f/Q=1.5 Hzに近似したδ(Δf )によって
与えられる。
【0019】しかしながら、この不確定度は被覆結晶発
振器21のQを増加させることによって実質的に減少さ
れることができ、したがって測定を容易にする。被覆結
晶発振器21のQは以下の技術によって増加させること
ができる。被覆結晶発振器21は図1の(A)に示され
たように、例えば冷蔵庫のような冷却装置14によって
液体ヘリウム温度に冷却されてもよい。結晶発振器21
,23の冷却は、実質的に10倍以上に水晶のQを増加
させる。サファイヤのような実質的に高いQを有する結
晶発振器が使用されてもよい。最小から最大までの測定
期間中に各結晶発振器21,23からの出力周波数信号
の積分を行う結晶発振器21,23のそれぞれに対して
位相外れ検出スキムが使用されることもでき、これは光
子雑音限界に達する確率を高める。
振器21のQを増加させることによって実質的に減少さ
れることができ、したがって測定を容易にする。被覆結
晶発振器21のQは以下の技術によって増加させること
ができる。被覆結晶発振器21は図1の(A)に示され
たように、例えば冷蔵庫のような冷却装置14によって
液体ヘリウム温度に冷却されてもよい。結晶発振器21
,23の冷却は、実質的に10倍以上に水晶のQを増加
させる。サファイヤのような実質的に高いQを有する結
晶発振器が使用されてもよい。最小から最大までの測定
期間中に各結晶発振器21,23からの出力周波数信号
の積分を行う結晶発振器21,23のそれぞれに対して
位相外れ検出スキムが使用されることもでき、これは光
子雑音限界に達する確率を高める。
【0020】位相外れスキムの詳細は以下の通りであり
、図2を参照して説明する。Q決定帯域幅を越えて検出
回路15のδf =(f1−f2 )の検出能力を高め
ることができる。同様の(ほぼ同じ)Qを有する2つの
結晶制御発振器2123は、図2に示されるように逆位
相で動作される。共振曲線の最初の半分におけるフーリ
エ成分は検出回路15において純粋電荷(N)を生じせ
る。電荷(N)は記録時間に比例している。しかしなが
ら、一般にショット雑音と呼ばれる電子数のランダム分
配に関連したN1/2 に等しい静雑音がある。したが
って、ビート周波数を決定する精度は時間の平方根に比
例する。
、図2を参照して説明する。Q決定帯域幅を越えて検出
回路15のδf =(f1−f2 )の検出能力を高め
ることができる。同様の(ほぼ同じ)Qを有する2つの
結晶制御発振器2123は、図2に示されるように逆位
相で動作される。共振曲線の最初の半分におけるフーリ
エ成分は検出回路15において純粋電荷(N)を生じせ
る。電荷(N)は記録時間に比例している。しかしなが
ら、一般にショット雑音と呼ばれる電子数のランダム分
配に関連したN1/2 に等しい静雑音がある。したが
って、ビート周波数を決定する精度は時間の平方根に比
例する。
【0021】明らかに、周波数間隔dfにおける発振器
21,23によって生ぜられた電荷N1 およびN2
の数は以下のように与えられる。
21,23によって生ぜられた電荷N1 およびN2
の数は以下のように与えられる。
【0022】
N1 (f)df =Btdf /[(f−
f1 )2 +( Δf)2 ] ±[N(f)d
t ]1/2 N2 (f)df =Btdf
/[(f− f1 )2 +( Δf)2 ]
±[N2 (f)dt ]1/2 ここで、Δf は発
振器のライン幅であり、tは測定時間であり、(Ndt
)1/2 は信号N(f)dt 上のポアソン(Poi
sson)雑音であり、Bは定数である。その差はD(
f)df =(N1 −N2 )dfで与えられる。D
(f)df >2[N1 (f)dt ]1/2 を得
るためにdf=f2 −f1 のとき、df<δf<<
Δf ならば、 Bt 1/2 >(1/dt1/2 )(Δf /δf
)(8/3)したがって、重要な化学物質による抗体
表面の部分的被覆を検出することができる。
f1 )2 +( Δf)2 ] ±[N(f)d
t ]1/2 N2 (f)df =Btdf
/[(f− f1 )2 +( Δf)2 ]
±[N2 (f)dt ]1/2 ここで、Δf は発
振器のライン幅であり、tは測定時間であり、(Ndt
)1/2 は信号N(f)dt 上のポアソン(Poi
sson)雑音であり、Bは定数である。その差はD(
f)df =(N1 −N2 )dfで与えられる。D
(f)df >2[N1 (f)dt ]1/2 を得
るためにdf=f2 −f1 のとき、df<δf<<
Δf ならば、 Bt 1/2 >(1/dt1/2 )(Δf /δf
)(8/3)したがって、重要な化学物質による抗体
表面の部分的被覆を検出することができる。
【0023】抗体被覆面による単位面積当りの収集され
た分子数nはn=ng vξt であり、ここでng
は空気中の分子数密度であり、vは熱速度であり、ξは
接着係数であり、tは時間である。数字で示すと、TN
TおよびDNTに対してそれらの分子量は約200 で
あり、室温でv=2×104 cm/秒である。したが
って、1cm2 当り1013分子を収集するために要
求される時間tは50/ξ秒に近似しており、ここでξ
は決定される量の1つである。
た分子数nはn=ng vξt であり、ここでng
は空気中の分子数密度であり、vは熱速度であり、ξは
接着係数であり、tは時間である。数字で示すと、TN
TおよびDNTに対してそれらの分子量は約200 で
あり、室温でv=2×104 cm/秒である。したが
って、1cm2 当り1013分子を収集するために要
求される時間tは50/ξ秒に近似しており、ここでξ
は決定される量の1つである。
【0024】本発明による抗体被覆結晶発振器21を使
用する二重結晶化学物質センサ10は非常に感度の高い
装置である。被覆結晶発振器21の表面が各化学物質に
より部分的にのみ被覆された場合に、配置された化学物
質の存在を検出するのに十分に敏感である。さらに、い
くつかの抗体に対してその反応は可逆的であり、したが
って異なる化学物質を感知するために同一の被覆結晶発
振器21の反復使用を可能にする。
用する二重結晶化学物質センサ10は非常に感度の高い
装置である。被覆結晶発振器21の表面が各化学物質に
より部分的にのみ被覆された場合に、配置された化学物
質の存在を検出するのに十分に敏感である。さらに、い
くつかの抗体に対してその反応は可逆的であり、したが
って異なる化学物質を感知するために同一の被覆結晶発
振器21の反復使用を可能にする。
【0025】本発明の第2の実施例のセンサ10´は図
3に示されており、結晶発振器21´上で限定位置40
,41において検出されるべき化学物質の質量負荷を利
用する。 音叉の形状に構成された結晶発振器21´が示されてい
る。しかしながら、図3に示された音叉形状にされた結
晶発振器の利用だけに限定されるものではなく、別の形
状の結晶が使用されてもよい。これらの位置40,41
は、基本周波数に対するノード位置ではなく特定の高周
波数に対してノード位置に対応するように選択される。 (1)これらの位置40,41だけで抗体22を被覆し
、(2)結晶発振器21上にバッフル43を配置する(
位置40,41の上方に配置された窓44,45を備え
た図3中の発振器21´の右側において破線で示されて
いる)ことにより、これらの位置40,41だけに検出
される化学物質を制限することにより、所望の位置40
,41における露出だけ、または(1)および(2)の
両方(3)が行われる。
3に示されており、結晶発振器21´上で限定位置40
,41において検出されるべき化学物質の質量負荷を利
用する。 音叉の形状に構成された結晶発振器21´が示されてい
る。しかしながら、図3に示された音叉形状にされた結
晶発振器の利用だけに限定されるものではなく、別の形
状の結晶が使用されてもよい。これらの位置40,41
は、基本周波数に対するノード位置ではなく特定の高周
波数に対してノード位置に対応するように選択される。 (1)これらの位置40,41だけで抗体22を被覆し
、(2)結晶発振器21上にバッフル43を配置する(
位置40,41の上方に配置された窓44,45を備え
た図3中の発振器21´の右側において破線で示されて
いる)ことにより、これらの位置40,41だけに検出
される化学物質を制限することにより、所望の位置40
,41における露出だけ、または(1)および(2)の
両方(3)が行われる。
【0026】図3のセンサ10´により得られる利点は
、基本周波数に対するN番目の高調波(或はN番目より
低い高調波)の比率が検出されることである。この比率
は温度および圧力と無関係である。したがって、図3の
センサ10´の高調波の振幅率の変化を測定することだ
けが必要である。
、基本周波数に対するN番目の高調波(或はN番目より
低い高調波)の比率が検出されることである。この比率
は温度および圧力と無関係である。したがって、図3の
センサ10´の高調波の振幅率の変化を測定することだ
けが必要である。
【0027】図4の(A)および(B)は図3に示され
たセンサを使用して発生された検出されたスペクトルを
示す。図4の(A)は検出されるべき化学物質なしで検
出されたスペクトルを示す。図4の(B)は、センサ1
0´の被覆結晶発振器21の表面上に吸着された検出可
能な化学物質による同じスペクトルを示す。質量負荷は
低い高調波振動振幅を減少させる。分解能は、図4の(
B)において第1および第3の高調波として示されるよ
うに選択された高調波の比率を検出することによって読
取られることができる。
たセンサを使用して発生された検出されたスペクトルを
示す。図4の(A)は検出されるべき化学物質なしで検
出されたスペクトルを示す。図4の(B)は、センサ1
0´の被覆結晶発振器21の表面上に吸着された検出可
能な化学物質による同じスペクトルを示す。質量負荷は
低い高調波振動振幅を減少させる。分解能は、図4の(
B)において第1および第3の高調波として示されるよ
うに選択された高調波の比率を検出することによって読
取られることができる。
【0028】絶対周波数の代わりに高調波振幅の比率が
測定されるため、基準結晶発振器なしに単一の被覆結晶
発振器21が使用されてもよく、しかも同様に温度、圧
力および湿度無感応性を実現する。しかしながら、被覆
結晶発振器21´と共に基準結晶発振器を利用すること
により簡単な検出電子回路が使用できる。
測定されるため、基準結晶発振器なしに単一の被覆結晶
発振器21が使用されてもよく、しかも同様に温度、圧
力および湿度無感応性を実現する。しかしながら、被覆
結晶発振器21´と共に基準結晶発振器を利用すること
により簡単な検出電子回路が使用できる。
【0029】以上、抗体被覆発振器を使用する新しい改
良された化学物質センサが説明されてきた。上記の実施
例は、本発明の原理の適用を表す多数の特別な実施例の
いくつかの単なる例示であることを理解すべきである。 種々の他の構成が本発明の技術的範囲を逸脱することな
く当業者によって容易に構成され得ることは明らかであ
る。
良された化学物質センサが説明されてきた。上記の実施
例は、本発明の原理の適用を表す多数の特別な実施例の
いくつかの単なる例示であることを理解すべきである。 種々の他の構成が本発明の技術的範囲を逸脱することな
く当業者によって容易に構成され得ることは明らかであ
る。
【図1】本発明の原理による抗体被覆二重結晶化学物質
センサの概略図。
センサの概略図。
【図2】図1のセンサと共に使用される位相外れ検出ス
キムを示すグラフ。
キムを示すグラフ。
【図3】本発明の原理によるセンサの第2の実施例。
【図4】図3のセンサを使用する化学検出スキムのグラ
フ。
フ。
Claims (12)
- 【請求項1】 抗体被覆結晶発振器と、被覆されてい
ない基準結晶発振器と、被覆された発振器および被覆さ
れていない発振器の振動周波数を検出し、被覆発振器上
における抗体による化学物質粒子の吸着によって生じた
絶対周波数差を決定し、その決定がセンサ付近における
予め定められた化学物質粒子の存在を示すために発振器
に結合された検出手段とを具備している、近傍における
予め定められた化学物質粒子の存在を検出するための化
学物質センサ。 - 【請求項2】 検出手段は抗体被覆された発振器と被
覆されていないものとの間におけるビート周波数を検出
するように構成されている請求項1記載の化学物質セン
サ。 - 【請求項3】 検出手段は位相差を検出するように構
成されている請求項1記載の化学物質センサ。 - 【請求項4】 被覆された発振器および被覆されてい
ない発振器はそれぞれ水晶発振器を具備している請求項
1記載の化学物質センサ。 - 【請求項5】 被覆された発振器および被覆されてい
ない発振器はそれぞれサファイヤ結晶発振器を具備して
いる請求項1記載の化学物質センサ。 - 【請求項6】 センサはさらに被覆された発振器およ
び被覆されていない発振器を比較的低い温度に冷却する
手段を具備している請求項1記載の化学物質センサ。 - 【請求項7】 被覆された発振器および被覆されてい
ない発振器を冷却する手段は被覆された発振器および被
覆されていない発振器を液体ヘリウム温度に冷却する手
段を具備している請求項6記載の化学物質センサ。 - 【請求項8】 被覆された結晶は、予め定められた化
学物質粒子が特定のノード位置の付近のみに結合するよ
うに高調波のノードに対応した特定のノード位置に位置
された抗体を有する請求項1記載の化学物質センサ。 - 【請求項9】 被覆センサは特定のノード位置の付近
のみでその上に被覆された抗体を有する請求項8記載の
化学物質センサ。 - 【請求項10】 被覆センサは、吸着される化学物質
粒子を特定のノード位置の付近のみに吸着させるために
それに隣接して配置されたバッフルを有する請求項8記
載の化学物質センサ。 - 【請求項11】 予め定められた化学物質粒子が特定
のノード位置の付近のみに結合するように高調波のノー
ドに対応した特定のノード位置に配置された抗体を有す
る結晶発振器と、発振器上の抗体による化学物質粒子の
吸着によって発生させられた発振器の高調波振幅を検出
し、その決定がセンサ付近における予め定められた化学
物質粒子の存在を示す発振器に結合された検出手段とを
具備している近傍における予め定められた化学物質粒子
の存在を検出するための化学物質センサ。 - 【請求項12】 結晶発振器は音叉の形状を有してい
る請求項11記載の化学物質センサ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US511707 | 1990-04-20 | ||
| US07/511,707 US5179028A (en) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | Antibody coated crystal chemical sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04230860A true JPH04230860A (ja) | 1992-08-19 |
Family
ID=24036098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3088635A Pending JPH04230860A (ja) | 1990-04-20 | 1991-04-19 | 抗体被覆結晶化学物質センサ |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5179028A (ja) |
| EP (1) | EP0453224A3 (ja) |
| JP (1) | JPH04230860A (ja) |
| KR (1) | KR940002465B1 (ja) |
| CA (1) | CA2039081A1 (ja) |
| FI (1) | FI911926A7 (ja) |
| NO (1) | NO911531L (ja) |
Families Citing this family (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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- 1991-03-26 CA CA002039081A patent/CA2039081A1/en not_active Abandoned
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- 1991-04-18 NO NO91911531A patent/NO911531L/no unknown
- 1991-04-19 FI FI911926A patent/FI911926A7/fi unknown
- 1991-04-19 JP JP3088635A patent/JPH04230860A/ja active Pending
- 1991-04-19 KR KR1019910006303A patent/KR940002465B1/ko not_active Expired - Lifetime
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