JPH04232802A - 微小寸法の測定方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はレ−ザ光を用いて１ミク
ロンメ−トル以下の微小寸法を測定する寸法測定方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の精密加工技術の進歩により、１ミ
クロンメ−トル以下のサブミクロン領域の微細加工が行
われるようになり、被加工物の精密な寸法、形状等の測
定のニ−ズが高まってきている。このようなサブミクロ
ン領域の微小寸法の測定には、非接触計測が可能な光学
的な測定が多く用いられている。

【０００３】光学的な寸法測定で最も多く用いられるの
は半値幅検出法と呼ばれる方法で、白色光源で被測定物
を照明してイメ−ジセンサ−で反射光を検出し、反射光
強度が５０％となるときのパタ−ン幅（半値幅）を検出
する方法である。図２に従来の半値幅検出法を示す。図
２（イ）は寸法が測定される被測定物１２の形状を示す
もので、２１は寸法が測定される寸法部で、エッジ２０
０、２１０があり、そのエッジ間の寸法がＧである。２
２は基材部で、寸法部２１の両側に存在する。ここで、
被測定物１２が磁気ヘッドの場合、寸法部２１がガラス
で構成されるギャップ、基材部２２がフェライトで構成
されるトラックである。以上の構成の被測定物において
、寸法部２１と基材部２２とは反射率が異なり、寸法部
２１の反射率をＲｍ、基材部２２の反射率をＲｓとする
。以下の説明では、Ｒｍ〈Ｒｓと仮定する。また、寸法
部２１と基材部２２の表面は実質的に段差がなく、照明
光の焦点深度内にあるものと仮定する。

【０００４】図２（ロ）の波形２３は、白色光源で照明
された被測定物１２からの反射光をイメ−ジセンサ−で
検出したときのビデオ信号で、Ｖ形状のパタ−ンとなる
。グラフの横軸はイメ−ジセンサ−の画素のアドレス、
縦軸は反射光強度である。線２４は波形２３を２値化す
るためのスライスレベルである。スライスレベルは一般
には５０％の強度値（最大強度と最小強度の中間の強度
）が利用されている。図２（ハ）の波形２５はビデオ信
号波形２３が２値化されたときの２値化波形である。線
２４の強度レベルよりも高い強度は２値化されたときに
１のレベル、逆に低い強度は０のレベルとなる。 ２値化波形２５の立ち下がり部２６と立ち上がり部２７
の画素アドレスを検出し、その間に含まれている画素数
を算出する。この画素数が半値幅と呼ばれるもので、半
値幅を寸法に変換している。

【０００５】また、微小なスポット径に集光したレ−ザ
光の光偏向を用いた寸法測定方法も本願発明者により提
案されていて、特願昭６２−５１６１７号公報に詳細に
述べられている。これは、微小なスポット径に集光した
レ−ザ光を被測定物１２に照射し、音響光学偏向素子で
レ−ザ光を被測定物１２の面上で偏向させ、偏向の一周
期における反射光強度パタ−ンを検出し、反射光強度パ
タ−ンの最小強度レベルから寸法を測定するものである
。

【０００６】図３にレ−ザ光の光偏向による従来の寸法
測定方法を示す。図３（イ）の波形３１は、前述の被測
定物１２の面上でレ−ザ光を偏向させたときに検出され
る反射光強度パタ−ンで、Ｖ型のパタ−ンとなる。反射
光強度パタ−ンは、被測定物面上の偏向位置とその点に
おける反射光強度の関係を表すもので、グラフの横軸は
レ−ザ光の偏向位置、縦軸は反射光強度で、反射光強度
３３は最大強度Ｖｍ、反射光強度３２は最小強度Ｖｎで
ある。このとき、最小強度Ｖｎと最大強度Ｖｍの比の値
であるＶｎ／Ｖｍを算出する。寸法が小さい場合は最小
強度Ｖｎと最大強度Ｖｍの差が少なく、寸法が大きい場
合は逆に差が大きくなる。図３（ロ）は寸法Ｇと反射光
強度比Ｖｎ／Ｖｍとの関係を示すグラフで、横軸は寸法
、縦軸は強度比である。図示のごとく、特定の寸法範囲
では両者は比例関係にあり、強度比Ｖｎ／Ｖｍから寸法
を測定することができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従来の半値幅検出方法
では、被測定物の寸法が小さくなるとビデオ信号２３の
立ち下がり及び立ち上がり部分の強度変化がブロ−ドに
なる。５０％強度のスライスレベルを設定して２値化を
行う場合、スライスレベルのわずかの変動でも２値化画
素数が大きく変動するため、寸法測定の信頼性が低下す
る。更には、寸法が小さくなると、寸法の変化に対する
半値幅の変化が小さくなり、測定の感度が低下するとい
う問題点もある。また、レ−ザ光の光偏向による方法で
は、被測定物の反射率が変動した場合に正確な寸法測定
が出来なくなる。これは、特に寸法部２１の反射率が変
化したときに最小強度Ｖｎが変化するためである。本発
明の目的は上記の問題点を解決し、サブミクロンのオ−
ダの寸法を被測定物の反射率の変動に影響されることな
く、正確に測定する方法を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は以下に示す方法から成る。微小なスポット径
に集光したレ−ザ光を、エッジを有し、そのエッジ間の
寸法が測定される被測定物面上に照射して光偏向せしめ
、前記被測定物からの反射光を検出して前記被測定物の
寸法を測定する微小寸法の測定方法において、光偏向の
一周期において検出された被測定物上の偏向位置と反射
光強度の関係を表す反射光強度パタ−ンに対して、予め
設定された強度レベルにおけるパタ−ン幅を検出し、該
パタ−ン幅から前記被測定物の概略の寸法を算出し、該
寸法に対応する前記被測定物の概略のエッジ位置におけ
る反射光強度Ｖｅを設定せしめ、該反射光強度Ｖｅを中
心とし、Ｖｅ強度よりも強度レベルの高い領域と、Ｖｅ
強度よりも強度レベルの低い領域の各々に対して強度範
囲を設定せしめ、該強度範囲内にある前記反射光強度パ
タ−ンの強度デ−タを第一と第二の直線で近似せしめ、
該第一と第二の直線の交点を演算して前記被測定物の正
確なエッジ位置を決定せしめ、該エッジ間を光偏向した
偏向量から前記被測定物の寸法を測定するものである。

【０００９】

【作用】レ−ザ光の各偏向位置毎に、寸法が測定される
被測定物からの反射光強度を検出し、偏向の一周期につ
いて反射光強度パタ−ンを作成する。予め設定された強
度レベルを有するスライスレベルにより、反射光強度パ
タ−ンを２値化してパタ−ン幅を算出する。このパタ−
ン幅の情報から被測定物の寸法を算出するとき、パタ−
ン幅からの寸法への変換は変換感度が低いため、得られ
る寸法の精度はあまり高くなく概略の寸法である。この
概略寸法から被測定物の概略のエッジ位置に対応する反
射光強度Ｖｅを算出し、強度Ｖｅを基準にして正確なエ
ッジ位置を解析的に算出する。エッジ位置を検出するた
めに、レ−ザ光の強度ピ−ク位置がエッジに照射されて
いる状態を検出する。レ−ザ光はガウス型の強度分布を
有するため、その強度ピ−ク点がエッジに照射されてい
る状態の前後で反射光の強度変化率が変調される。従っ
て、反射光強度パタ−ンの強度の変化率が変調される特
徴点を検出すれば正確なエッジ位置を決定することがで
きる。このため、強度Ｖｅを中心として強度の大きい領
域と小さい領域を設定し、各々の領域にある反射光強度
デ−タを直線で近似する。この２つの直線は傾きが異な
るため交点が存在し、その交点位置がレ−ザ光の強度ピ
−ク点がエッジに照射されている状態である。このよう
にして概略のエッジ位置の情報から解析的に正確なエッ
ジ位置を決定し、エッジ間を偏向した偏向量から寸法を
計測する。

【００１０】

【実施例】以下に図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。図１（イ）は本発明の微小寸法測定を行うときのシ
ステムブロック図、図１（ロ）は本発明による反射光強
度パタ−ンのデ−タ処理の方法を説明するフロ−チャ−
ト図である。図４はレ−ザ光の偏向によって検出される
反射光強度パタ−ンを説明する図で、グラフの横軸は被
測定物上の偏向位置、縦軸は反射光強度である。図１と
図４により寸法測定法を説明する。図１（イ）において
１０はレ−ザ光源で、例えば、Ｈｅ−Ｎｅレ−ザ管、ま
たは半導体レ−ザから成りレ−ザ光１００を放射する。 １１はレ−ザ光１００の光偏向（走査）を行わせる偏向
光学系で、音響光学偏向素子（以下にＡＯと略記する）
１０５、ビ−ムスプリッタ−１１０、レ−ザ光を微小な
スポット径に集光する対物レンズ１１５、及び図示して
いないが他のレンズ、ミラ−等の光学素子から構成され
る。１２０は偏向制御部で、偏向制御信号１２５により
ＡＯ１０５の偏向動作を制御する。偏向制御信号１２５
は電圧が連続的に変化するランプ波信号で、電圧に応じ
た位置にレ−ザ光を偏向する。１２は寸法が測定される
被測定物で、図２に（イ）に示したものである。微小な
スポット径に集光されて被測定物１２の面上を偏向され
るレ−ザ光１３０は反射され、対物レンズ１１５を透過
し、ビ−ムスプリッタ−１１０で反射されて反射光１３
５として受光部１４０で検出される。受光部１４０はＰ
ＩＮフォトダイオ−ド、電流−電圧変換部、及びＡ／Ｄ
変換部から成り、偏向制御電圧１２５に同期して各偏向
位置毎での反射光強度を検出する。１３は反射光強度パ
タ−ン作成部で、メモリ−から構成され、受光部１４０
で検出された各偏向位置の反射光強度をメモリ−回路で
記憶し、偏向の一周期における反射光強度のデ−タを記
憶する。１５０はデ−タ処理部でＣＰＵで構成され、検
出された反射光強度パタ−ンのデ−タ処理を行い、寸法
を算出する。

【００１１】次に、図１（ロ）に示したデ−タ処理のフ
ロ−チャ−ト図を用いてデ−タ処理の方法を説明する。 なお、以下に述べるデ−タ処理はマイクロプロセッサ−
による数値演算である。図４の波形４１が反射光強度パ
タ−ンで、図３に示した波形３１と同様のものでＶ字形
のパタ−ンである。図１（ロ）の１４はパタ−ン幅検出
で、反射光強度パタ−ンの予め設定されたスライス強度
レベルでのパタ−ン幅を検出する。図４の線４２がパタ
−ン幅Ｐｈである。このとき設定するスライスレベルは
５０％強度レベルである。パタ−ン幅Ｐｈは被測定物１
２の直接の寸法ではなく、寸法よりも大きな値であり、
パタ−ン幅Ｐｈを寸法変換係数を用いて寸法へ変換する
。このとき算出される寸法は正確な寸法ではなく、一般
に誤差が含まれている。それは、寸法が小さくなったと
きは、寸法の変化に対してパタ−ン幅Ｐｈの変化が小さ
くなり、変換感度が低下するためである。従ってパタ−
ン幅Ｐｈからは概略の寸法しか得られない。しかし、こ
のパタ−ン幅Ｐｈは被測定物の反射率に依存しないで、
照射されるビ−ムスポット径が一定であれば寸法に固有
の値を持つ。

【００１２】１５はエッジ強度設定で、パタ−ン幅Ｐｈ
から求められた概略の寸法に対応する概略のエッジ位置
における反射光強度レベルを設定する。図４の線４３は
概略の寸法に対応するパタ−ン幅Ｐｅで、そのときの反
射光強度レベルＶｅを算出する。偏向光学系１１により
単位の偏向制御電圧当りの偏向量が決っているため、概
略の寸法値から前述のパタ−ン幅Ｐｅは容易に決定する
ことができる。４４は一方（左側）のエッジに対応する
強度、４５は他方（右側）のエッジに対応する強度で、
一般に２つの強度は等しい。この強度Ｖｅを基準にして
正確なエッジを決定し、正確な寸法を測定する。１６は
強度範囲設定で、正確なエッジを決定するための各種の
計算を行うための計算範囲を設定する。図４の範囲４６
は左側のエッジ位置を決定するためのＶｅ強度よりも強
度の高い領域、範囲４７は同じく強度の低い領域である
。範囲４８は右側のエッジ位置を決定するためのＶｅ強
度よりも強度の高い領域、範囲４９は同じく強度の低い
領域で、以上の４つの領域を設定する。なお、反射光強
度パタ−ンが最小強度位置に関して左右対称であれば、
いずれか一方の側について強度範囲を設定しても良い。

【００１３】図１（ロ）の１７は直線化演算で、強度範
囲設定１６で設定された前述の強度範囲４６、４７、４
８、４９にある反射光強度パタ−ンの強度デ−タを直線
近似する。このとき、直線化には最小自乗法を用いる。 反射光強度Ｖｅよりも高い強度範囲における直線を第一
の直線と呼び、反射光強度Ｖｅよりも低い強度範囲にお
ける直線を第二の直線と呼ぶ。反射光強度パタ−ンのＶ
ｅ強度付近の特定の強度範囲では、強度変化は十分に直
線と見なすことができる。このとき一方のエッジ（左側
）、他方（右側）のエッジについて二本ずつの直線が設
定できる。１８は交点算出で、直線化演算１７で決定さ
れた第一の直線と第二の直線の交点を決定する。第一の
直線の傾きは第二の直線の傾きよりも大きいため、二つ
の直線には交点が存在する。この交点位置は被測定物１
２の正確なエッジ位置になる。このエッジ位置はレ−ザ
光の偏向制御信号１２５の電圧値で与えられる。１９は
寸法算出で、交点算出１８で決定された二つのエッジ位
置に対応するレ−ザ光の偏向制御電圧の差の電圧を寸法
変換係数を用いて実際の寸法に変換する。

【００１４】次に、本発明による反射光強度パタ−ンの
具体的な演算の方法を説明する。図５（イ）に被測定物
１２の面上でのレ−ザ光の偏向の状態を示し、図５（ロ
）に反射光強度パタ−ンの各偏向位置における強度の関
係を示し、図５（ハ）に５０％強度レベルにおけるパタ
−ン幅と寸法との関係を示す。図５（イ）において、被
測定物は図２に示した磁気ヘッドで、５０は磁性体から
成るトラック部、５１はガラスから成るギャップで、エ
ッジ５３、５４を有し、エッジ間寸法を測定する。５２
は照射するレ−ザ光で、その強度分布はガウス型で、ピ
−ク強度５２０を中心として対称な分布を持つ。ここで
、レ−ザ光５２をＡ点からＢ点まで偏向する。レ−ザ光
５２のビ−ムスポットの直径をピ−ク強度値の１３．５
％の強度点で定義すると、〜１．５μｍであるが、ギャ
ップ寸法Ｇが〜０．５μｍであるため、ギャップ５１に
レ−ザ光５２が照射されているとき、その一部のみが照
射されることになる。

【００１５】Ｓ１状態はレ−ザ光５２の右端部がエッジ
５３の直前に照射された状態で、反射光はトラック５０
からの反射になり、反射光強度は最大である。Ｓ１状態
から偏向が進みＳ２状態になると、レ−ザ光５２のピ−
ク強度位置がエッジ５３に一致する。Ｓ３状態はレ−ザ
光５２のピ−ク強度位置がギャップ５１の中心部に照射
された状態、Ｓ４状態はＳ２状態と同じくレ−ザ光５２
のピ−ク強度位置がエッジ５４に照射された状態、Ｓ５
状態はＳ１状態と同じくレ−ザ光５２の左端部がエッジ
５４の直後に照射された状態である。図では偏向の代表
的な状態を示したが、実際の偏向はもっと細かいステッ
プ、例えばレ−ザ光５２のビ−ム直径の１／１００以下
の０．０１μｍ程度で行う。トラック部５０の反射率Ｒ
ｓとギャップ部５１の反射率Ｒｍは異なり、Ｒｓ＞Ｒｍ
であるため偏向の一周期で検出される反射光強度パタ−
ンは図５（ロ）に示したようなＶ形状の波形４１を有す
るパタ−ンになるが、Ｓ３状態で反射光強度が最小にな
る。Ｓ２状態及びＳ４状態では、その前後の偏向状態で
反射光強度の変化率が変調される。本発明による寸法測
定方法は反射光強度パタ−ンからＳ２状態とＳ４状態を
解析的に検出するもので、Ｓ２状態からＳ４状態への偏
向量から寸法を求める。

【００１６】Ｓ２状態及びＳ４状態は反射光強度が特徴
的に変化する状態である。Ｓ２状態の場合は、レ−ザ光
５２のピ−ク強度位置を中心として左側と右側の強度差
は最大になり、Ｓ２状態からＳ３状態の方向に偏向が進
と、左側の部分（トラックに照射されている部分）は強
度が大きく低下し、右側の部分（ギャップに照射されて
いる部分）は強度がわずかに増加する。従ってＳ２状態
を境にして、その前後では反射光強度の変化率が異なる
。Ｓ４状態ではＳ２状態と逆になる。この変化率はあま
り大きくなく、反射光強度パタ−ンだけから直接にエッ
ジ位置５３及び５４を決定できないため、本発明では予
め反射光強度パタ−ンのパタ−ン幅情報から概略のエッ
ジ位置を決定し、その位置を基準としてエッジ位置５３
、５４を決定する。

【００１７】図５（ハ）に反射光強度パタ−ン波形４１
の５０％強度レベルにおけるパタ−ン幅Ｐｈと寸法Ｇの
関係例を示す。グラフの横軸は寸法、縦軸はパタ−ン幅
で、偏向を制御する電圧で示している。図から明かなご
とく、寸法が小さくなるとパタ−ン幅Ｐｈの変化が小さ
くなる。寸法が０．５μｍ程度では、パタ−ン幅Ｐｈは
寸法の変化の３０％しか変化しないため、正確な寸法を
直接に算出することが困難になってくる。このとき、図
５（ハ）に示した関係の変換係数を予め求めておき、パ
タ−ン幅Ｐｈから概略の寸法Ｇｎを算出する。次に、概
略寸法Ｇｎに対応するパタ−ン幅を求めて概略エッジ位
置を算出する。このときのパタ−ン幅を図５（ロ）の５
７に示す。このようにして概略のエッジ位置５８及び５
９が決定できる。このときの概略エッジ位置における反
射光強度がＶｅである。

【００１８】次に概略エッジ位置の情報から正確なエッ
ジ位置を決定する方法について説明する。図６（イ）に
寸法Ｇとエッジ位置５３、５４における反射光強度の関
係を示し、図６（ロ）に直線近似法によるエッジ位置の
算出を示す。図６（イ）において、グラフの横軸は寸法
Ｇ、縦軸はエッジ位置での反射光強度Ｖｔで、反射光強
度パタ−ンの最大強度を１、最小強度を０に規格化した
ときの規格化強度で示している。図から明かなごとく、
反射光強度Ｖｔは寸法Ｇに比例して変化し、例えば０．
５μｍの寸法では約１５％のＶｔ強度となる。但し、同
一寸法でもＶｔ強度は照射するレ−ザ光のビ−ム径によ
って異なる。以上に示した正確なエッジ位置に対応する
強度Ｖｔに対して、測定で得られた概略のエッジ位置に
対応する強度Ｖｅは一般に異なる。前述したごとく、強
度Ｖｅは誤差を含むために真の強度Ｖｔに対して数％程
度のバラツキがある。このバラツキを吸収して正確なエ
ッジ位置を決定するために反射光強度デ−タを以下に示
す直線化近似の処理を行う。

【００１９】図６（ロ）においては左側エッジについて
の解析法を示す。右側エッジについても同様である。範
囲４６及び４７については図４で説明したが、Ｖｅ強度
よりも高い強度範囲４６と低い強度範囲４７を設定する
。Ｖｔ強度が１５％であるとき、Ｖｅ強度として１３％
が得られたとする。このとき、範囲４６は１６％から３
０％までの強度範囲に設定し、範囲４７は１０％から５
％までの範囲に設定しておく。但し前述の強度範囲は寸
法によって異なる。以上の各々の強度範囲では反射光強
度はほぼ直線的に変化しているため、範囲４６について
は線６２に示した第一の直線を、範囲４７については線
６４に示した第二の直線を決定する。このときの直線化
演算は最小自乗法を用いる。第一の直線６４のほうが第
二の直線６４よりも傾きが大きく、点６６において二つ
の直線が交わる。この交点はＳ２状態で反射光強度の変
化の特徴点であり、正確なエッジ位置に対応する。右側
のエッジについても同様な方法で交点６８を算出し、交
点６６と交点６８の間を偏向させたときの偏向制御電圧
から寸法Ｇを算出する。

【００２０】以上の説明において、正確なエッジ位置を
検出するためにはレ−ザ光を微小なステップ距離で偏向
することが必要である。そのために安定な偏向が可能な
ＡＯ１０５を用いる。本発明による寸法測定を行うため
に、１．５μｍの直径に集光したレ−ザ光を０．０１μ
ｍのステップで偏向させる。このときに用いる偏向光学
系は、従来の技術の項に述べた本願発明者による特許出
願公報に詳述されているため本願では省略する。また、
上記説明では反射光強度を直線で近似する例を述べたが
、２次、３次、４次等の多項式で近似を行い、その多項
式の交点を算出しても良い。

【００２１】

【発明の効果】上記のごとく本発明によれば、寸法変換
感度の余り良くない半値幅情報による概略の寸法値を基
にして、反射光強度を解析して正確なエッジを検出する
ことが可能であり、特別なハ−ドウエア−を用いること
なく、簡素なソフトウエア−で被測定物の反射率の変動
に影響されないで、０．０１μｍ精度での正確なサブミ
クロン寸法計測を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の寸法測定方法を説明するブロック図で
、図１（イ）は全体の構成を示し、図１（ロ）は寸法測
定のデ−タ処理のフロ−チャ−トを示す図である。

【図２】半値幅検出法による従来技術を説明する図であ
る。

【図３】レ−ザ光の偏向による反射光強度パタ−ンの強
度から寸法を算出する従来技術を説明する図である。

【図４】本発明による反射光強度パタ−ンの処理方法を
説明する図である。

【図５】本発明によるレ−ザ光の光偏向と反射光強度パ
タ−ンの関係を説明する図で、図５（イ）はレ−ザ光の
偏向の状態図、図５（ロ）は反射光強度パタ−ンの半値
幅と概略のエッジの関係を説明する図、図５（ハ）は寸
法と半値幅の関係を説明する図である。

【図６】本発明によるエッジ位置を決定する方法を説明
する図で、図６（イ）は寸法とエッジ位置における反射
光強度の関係を説明する図、図６（ロ）は直線近似によ
るエッジ位置を決定する方法を説明する図である。

【符号の説明】

１０　　レ−ザ光源 １３　　反射光強度パタ−ン作成部 １４　　パタ−ン幅検出 １５　　エッジ強度設定 １６　　強度範囲設定 １７　　直線化演算 １８　　交点算出 １９　　寸法算出 ４１　　反射光強度パタ−ン ６２　　第一の直線 ６４　　第二の直線

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　微小なスポット径に集光したレ−ザ光
   を、エッジを有し、そのエッジ間の寸法が測定される被
   測定物面上に照射して光偏向せしめ、前記被測定物から
   の反射光を検出して前記被測定物の寸法を測定する微小
   寸法の測定方法において、光偏向の一周期において検出
   された被測定物上の偏向位置と反射光強度の関係を表す
   反射光強度パタ−ンに対して、予め設定された強度レベ
   ルにおけるパタ−ン幅を検出し、該パタ−ン幅から前記
   被測定物の概略の寸法を算出し、該寸法に対応する前記
   被測定物の概略のエッジ位置における反射光強度Ｖｅを
   設定せしめ、該反射光強度Ｖｅを中心とし、Ｖｅ強度よ
   りも強度レベルの高い領域と、Ｖｅ強度よりも強度レベ
   ルの低い領域の各々に対し強度範囲を設定せしめ、該強
   度範囲内にある前記反射光強度パタ−ンの強度デ−タを
   第一と第二の直線で近似せしめ、該第一と第二の直線の
   交点を演算して前記被測定物の正確なエッジ位置を決定
   せしめ、該エッジ間を光偏向した偏向量から前記被測定
   物の寸法を測定することを特徴とする微小寸法の測定方
   法。