JPH04233231A - ドナー形成方法 - Google Patents
ドナー形成方法Info
- Publication number
- JPH04233231A JPH04233231A JP40891290A JP40891290A JPH04233231A JP H04233231 A JPH04233231 A JP H04233231A JP 40891290 A JP40891290 A JP 40891290A JP 40891290 A JP40891290 A JP 40891290A JP H04233231 A JPH04233231 A JP H04233231A
- Authority
- JP
- Japan
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- donor
- sample
- oxygen
- nitrogen
- nod
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシリコン結晶にドナーを
形成するドナー形成方法に関する。
形成するドナー形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコン単結晶に電子を供給するドナー
を形成するためには、従来、Ｖ族のリンやアンチモン等
の不純物が用いらている。これら不純物をシリコン単結
晶にイオン注入することにより、所望の濃度とプロファ
イルになるように不純物をドープすることができる。
を形成するためには、従来、Ｖ族のリンやアンチモン等
の不純物が用いらている。これら不純物をシリコン単結
晶にイオン注入することにより、所望の濃度とプロファ
イルになるように不純物をドープすることができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】現在のシリコンデバイ
スは室温で動作するものが多いが、近年、低温で動作す
る低温動作デバイスや量子デバイスが注目されている。 室温においては、Ｖ族の不純物であるリンはほぼ１００
％イオン化され電子を供給することができる。しかし、
低温においては、Ｖ族の不純物は比較的エネルギ準位が
深いため、十分に電子を供給することができないという
問題がある。低温で動作するデバイスにも十分な電子を
供給するためには、低温度でもイオン化率の大きい浅い
エネルギ準位のドナーが必要とされている。
スは室温で動作するものが多いが、近年、低温で動作す
る低温動作デバイスや量子デバイスが注目されている。 室温においては、Ｖ族の不純物であるリンはほぼ１００
％イオン化され電子を供給することができる。しかし、
低温においては、Ｖ族の不純物は比較的エネルギ準位が
深いため、十分に電子を供給することができないという
問題がある。低温で動作するデバイスにも十分な電子を
供給するためには、低温度でもイオン化率の大きい浅い
エネルギ準位のドナーが必要とされている。
【０００４】本発明の目的は、Ｖ族不純物よりも浅いエ
ネルギ準位のドナーを形成するドナー形成方法を提供す
ることにある。
ネルギ準位のドナーを形成するドナー形成方法を提供す
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的は、炭素を１Ｅ
１６ｃｍ−３以上、酸素を１Ｅ１６ｃｍ−３以上、窒素
分子を１Ｅ１４ｃｍ−３以上含有するシリコン結晶を４
００℃以上で熱処理することを特徴とするドナー形成方
法によって達成される。
１６ｃｍ−３以上、酸素を１Ｅ１６ｃｍ−３以上、窒素
分子を１Ｅ１４ｃｍ−３以上含有するシリコン結晶を４
００℃以上で熱処理することを特徴とするドナー形成方
法によって達成される。
【０００６】
【作用】本発明によれば、Ｖ族の不純物では電子を供給
できないような低温度であっても十分電子を供給するこ
とができる。
できないような低温度であっても十分電子を供給するこ
とができる。
【０００７】
【実施例】本発明によるドナー形成方法によりドナーが
形成されたことを確認するために、次の表１に示す５つ
の試料Ａ〜Ｅを用いた。
形成されたことを確認するために、次の表１に示す５つ
の試料Ａ〜Ｅを用いた。
【０００８】
【表１】
【０００９】上述の試料Ａ〜Ｅのうち、試料Ｂ、試料Ｅ
が本発明の実施例であり、試料Ａ、試料Ｃ、試料Ｄが比
較例である。本発明によるドナー形成方法は、シリコン
結晶に炭素と酸素と窒素をドープして、このシリコン結
晶に熱処理を施すものである。これら炭素と酸素と窒素
をシリコン結晶にドープする方法について説明する。
が本発明の実施例であり、試料Ａ、試料Ｃ、試料Ｄが比
較例である。本発明によるドナー形成方法は、シリコン
結晶に炭素と酸素と窒素をドープして、このシリコン結
晶に熱処理を施すものである。これら炭素と酸素と窒素
をシリコン結晶にドープする方法について説明する。
【００１０】炭素をドープするには、シリコン溶液中に
炭素の粉末を混入し、引上げ法によりシリコン単結晶を
形成する。結晶成長時に混入された炭素がシリコン単結
晶中にドープされる。シリコン単結晶を引上げ法で製造
する場合、シリコン溶液を石英ルツボに入れて形成する
。石英ルツボはＳｉＯ２ であるので、引上げ法でシリ
コン単結晶を形成すると自然に一定量の酸素がドープさ
れる。
炭素の粉末を混入し、引上げ法によりシリコン単結晶を
形成する。結晶成長時に混入された炭素がシリコン単結
晶中にドープされる。シリコン単結晶を引上げ法で製造
する場合、シリコン溶液を石英ルツボに入れて形成する
。石英ルツボはＳｉＯ２ であるので、引上げ法でシリ
コン単結晶を形成すると自然に一定量の酸素がドープさ
れる。
【００１１】窒素分子をドープするには、シリコン単結
晶を窒素雰囲気中で熱処理することにより行う。例えば
、シリコン単結晶を窒素雰囲気中で１２７０℃、２５分
間だけ熱処理すると所定量の窒素分子がシリコン単結晶
中にドープされる。図１に、試料Ａ、Ｂ、Ｃに対して５
８０℃（図１（ａ） ）、６３５℃（図１（ｂ） ）、
７００℃（図１（ｃ） ）で熱処理した場合のキャリア
濃度の熱処理時間に対する依存性を示す。図１から次の
ようなことがわかる。
晶を窒素雰囲気中で熱処理することにより行う。例えば
、シリコン単結晶を窒素雰囲気中で１２７０℃、２５分
間だけ熱処理すると所定量の窒素分子がシリコン単結晶
中にドープされる。図１に、試料Ａ、Ｂ、Ｃに対して５
８０℃（図１（ａ） ）、６３５℃（図１（ｂ） ）、
７００℃（図１（ｃ） ）で熱処理した場合のキャリア
濃度の熱処理時間に対する依存性を示す。図１から次の
ようなことがわかる。
【００１２】熱処理温度が５８０℃（図１（ａ） ）、
６３５℃（図１（ｂ） ）の場合には、熱処理時間が短
い間は試料Ａに多くのキャリアの発生が観測されるが、
熱処理時間が長くなると試料Ｂに多くのキャリアが発生
する。熱処理温度が７００℃（図１（ｃ） ）になると
、熱処理時間に依存するこのようなキャリア濃度の逆転
現象は発生せず、常に試料Ａの方が多くのキャリアが発
生する。すなわち、６７０℃以上の熱処理温度の範囲で
は熱処理時間によるキャリア濃度の逆転現象は発生しな
いことがわかる。
６３５℃（図１（ｂ） ）の場合には、熱処理時間が短
い間は試料Ａに多くのキャリアの発生が観測されるが、
熱処理時間が長くなると試料Ｂに多くのキャリアが発生
する。熱処理温度が７００℃（図１（ｃ） ）になると
、熱処理時間に依存するこのようなキャリア濃度の逆転
現象は発生せず、常に試料Ａの方が多くのキャリアが発
生する。すなわち、６７０℃以上の熱処理温度の範囲で
は熱処理時間によるキャリア濃度の逆転現象は発生しな
いことがわかる。
【００１３】５５０℃以上の温度範囲では、酸素集合体
であるサーマルドナー（ＴＤ）が形成されないことが知
られている。一方、６００〜８００℃以上の温度範囲で
はニュードナー（ＮＤ）が形成され得ることが知られて
いるが、試料Ｃにキャリアが発生していないことからニ
ュードナー（ＮＤ）が形成されていないと考えられる。 したがって、発生したキャリアはサーマルドナー（ＴＤ
）やニュードナー（ＮＤ）とは異なる欠陥によるドナー
と考えられる。酸素と窒素を含んだシリコン結晶には酸
素窒素複合体ドナー（ＮＯＤ）が形成されることが知ら
れており、試料Ａ、試料Ｂには共に酸素窒素複合体ドナ
ー（ＮＯＤ）が形成されていると考えられる。
であるサーマルドナー（ＴＤ）が形成されないことが知
られている。一方、６００〜８００℃以上の温度範囲で
はニュードナー（ＮＤ）が形成され得ることが知られて
いるが、試料Ｃにキャリアが発生していないことからニ
ュードナー（ＮＤ）が形成されていないと考えられる。 したがって、発生したキャリアはサーマルドナー（ＴＤ
）やニュードナー（ＮＤ）とは異なる欠陥によるドナー
と考えられる。酸素と窒素を含んだシリコン結晶には酸
素窒素複合体ドナー（ＮＯＤ）が形成されることが知ら
れており、試料Ａ、試料Ｂには共に酸素窒素複合体ドナ
ー（ＮＯＤ）が形成されていると考えられる。
【００１４】しかしながら、熱処理時間が長い場合、上
述のように試料Ｂには試料Ａよりも多くのキャリアが発
生しており、酸素窒素複合体ドナー（ＮＯＤ）とも異な
る新たなドナーが発生していることが予測される。この
現象を調べるために試料Ａ、試料Ｂの光吸収スペクトル
を測定した。８Ｋにおける試料Ａの光吸収スペクトルを
図２（ａ） に示し、試料Ｂの光吸収スペクトルを図２
（ｂ） に示す。酸素窒素複合体ドナー（ＮＯＤ）は有
効質量近似で表される欠陥であり非常に鋭い吸収ピーク
を生じる。試料Ｂに形成される酸素窒素複合体ドナー（
ＮＯＤ）の強度は試料Ａよりも小さい。これは炭素を含
有する試料Ｂでは酸素窒素複合体ドナー（ＮＯＤ）の形
成が抑制されていることを示している。酸素窒素複合体
ドナー（ＮＯＤ）の形成が抑制されている一方、試料Ｂ
には試料Ａにない波数２１６、１９２、１７５、１５０
ｃｍ−１の位置に吸収ピーク２、２′、１、１′が観測
される。
述のように試料Ｂには試料Ａよりも多くのキャリアが発
生しており、酸素窒素複合体ドナー（ＮＯＤ）とも異な
る新たなドナーが発生していることが予測される。この
現象を調べるために試料Ａ、試料Ｂの光吸収スペクトル
を測定した。８Ｋにおける試料Ａの光吸収スペクトルを
図２（ａ） に示し、試料Ｂの光吸収スペクトルを図２
（ｂ） に示す。酸素窒素複合体ドナー（ＮＯＤ）は有
効質量近似で表される欠陥であり非常に鋭い吸収ピーク
を生じる。試料Ｂに形成される酸素窒素複合体ドナー（
ＮＯＤ）の強度は試料Ａよりも小さい。これは炭素を含
有する試料Ｂでは酸素窒素複合体ドナー（ＮＯＤ）の形
成が抑制されていることを示している。酸素窒素複合体
ドナー（ＮＯＤ）の形成が抑制されている一方、試料Ｂ
には試料Ａにない波数２１６、１９２、１７５、１５０
ｃｍ−１の位置に吸収ピーク２、２′、１、１′が観測
される。
【００１５】これらの吸収ピークは、ピーク形状が鋭い
こと、８０Ｋの温度では観測されないことから、不純物
の格子振動によるものではなく電子遷移により生じてい
るものであると考えられる。図２（ｂ） における吸収
ピーク１と２のエネルギ差も、吸収ピーク１′と２′の
エネルギ差も約５ｍｅＶであり、ドナー型の有効質量近
似と合致する。したがって、吸収ピーク１、１′は１Ｓ
−２Ｐ０ 遷移に対応し、吸収ピーク２、２′は１Ｓ−
２Ｐ＋−遷移に対応すると考えられ、酸素窒素複合体ド
ナー（ＮＯＤ）の他に２種類の新たなドナーが生じてい
ることがわかる。
こと、８０Ｋの温度では観測されないことから、不純物
の格子振動によるものではなく電子遷移により生じてい
るものであると考えられる。図２（ｂ） における吸収
ピーク１と２のエネルギ差も、吸収ピーク１′と２′の
エネルギ差も約５ｍｅＶであり、ドナー型の有効質量近
似と合致する。したがって、吸収ピーク１、１′は１Ｓ
−２Ｐ０ 遷移に対応し、吸収ピーク２、２′は１Ｓ−
２Ｐ＋−遷移に対応すると考えられ、酸素窒素複合体ド
ナー（ＮＯＤ）の他に２種類の新たなドナーが生じてい
ることがわかる。
【００１６】サーマルドナー（ＴＤ）も酸素窒素複合体
ドナー（ＮＯＤ）も有効質量近似で表される欠陥であり
、Ｃ２ｖ対称性を有している。また、サーマルドナー（
ＴＤ）も酸素窒素複合体ドナー（ＮＯＤ）では酸素や窒
素の超微細相互作用が観測されないという特徴がある。 これら欠陥の微細な構造を調べるために、試料Ｄ、試料
ＥについてＥＳＲ（電子スピン共鳴）の測定を行った。
ドナー（ＮＯＤ）も有効質量近似で表される欠陥であり
、Ｃ２ｖ対称性を有している。また、サーマルドナー（
ＴＤ）も酸素窒素複合体ドナー（ＮＯＤ）では酸素や窒
素の超微細相互作用が観測されないという特徴がある。 これら欠陥の微細な構造を調べるために、試料Ｄ、試料
ＥについてＥＳＲ（電子スピン共鳴）の測定を行った。
【００１７】測定結果を図３に示す。図３（ａ） に、
印加する磁場方位が＜１１１＞方向の場合における試料
Ｄの電子スピン共鳴のスペクトルを示し、試料Ｅのスペ
クトルを図３（ｂ） に示す。一般にＣ２ｖ対称性を有
する欠陥は＜１１１＞方位の磁場を印加した場合に２つ
の等強度の信号を示す。試料Ｄでは、図３（ａ） から
明らかなように、リンドナーによる信号と共に酸素窒素
複合体ドナー（ＮＯＤ）による信号が観測される。図３
（ａ） で観測されているのは、波形形状から酸素窒素
複合体ドナー（ＮＯＤ）のみによるものであることがわ
かる。これに対し、試料Ｅでは、図３（ｂ） から明ら
かなように、酸素窒素複合体ドナー（ＮＯＤ）による信
号に新たなドナーによる信号が重なりあって観測されて
いることがわかる。 角度変化を観測した結果、この新たなドナーは大きな異
方性は示さず、ｇ値が１．９９９であることが明らかに
なった。
印加する磁場方位が＜１１１＞方向の場合における試料
Ｄの電子スピン共鳴のスペクトルを示し、試料Ｅのスペ
クトルを図３（ｂ） に示す。一般にＣ２ｖ対称性を有
する欠陥は＜１１１＞方位の磁場を印加した場合に２つ
の等強度の信号を示す。試料Ｄでは、図３（ａ） から
明らかなように、リンドナーによる信号と共に酸素窒素
複合体ドナー（ＮＯＤ）による信号が観測される。図３
（ａ） で観測されているのは、波形形状から酸素窒素
複合体ドナー（ＮＯＤ）のみによるものであることがわ
かる。これに対し、試料Ｅでは、図３（ｂ） から明ら
かなように、酸素窒素複合体ドナー（ＮＯＤ）による信
号に新たなドナーによる信号が重なりあって観測されて
いることがわかる。 角度変化を観測した結果、この新たなドナーは大きな異
方性は示さず、ｇ値が１．９９９であることが明らかに
なった。
【００１８】酸素窒素複合体ドナー（ＮＯＤ）による信
号と新たなドナーによる信号とを分離するために、試料
Ｅに対して電子スピン共鳴の温度依存性について測定し
た。これらの欠陥のスピン緩和時間が異なれば測定温度
を変えることにより電子スピン共鳴のスペクトルを分離
することができるからである。測定結果を図４に示す。 図４（ａ） に、印加する磁場方位が＜０１１＞方向の
場合の温度８．９Ｋにおける試料Ｅの電子スピン共鳴の
スペクトルを示し、図４（ｂ） に温度１６．８Ｋにお
けるスペクトルを示し、図４（ｃ） に温度２１．９Ｋ
におけるスペクトルを示している。
号と新たなドナーによる信号とを分離するために、試料
Ｅに対して電子スピン共鳴の温度依存性について測定し
た。これらの欠陥のスピン緩和時間が異なれば測定温度
を変えることにより電子スピン共鳴のスペクトルを分離
することができるからである。測定結果を図４に示す。 図４（ａ） に、印加する磁場方位が＜０１１＞方向の
場合の温度８．９Ｋにおける試料Ｅの電子スピン共鳴の
スペクトルを示し、図４（ｂ） に温度１６．８Ｋにお
けるスペクトルを示し、図４（ｃ） に温度２１．９Ｋ
におけるスペクトルを示している。
【００１９】図４（ａ） 〜（ｃ） におけるスペクト
ル形状から、８．９Ｋでは酸素窒素複合体ドナー（ＮＯ
Ｄ）が観測されず、２１．９Ｋでは酸素窒素複合体ドナ
ー（ＮＯＤ）のみが観測されていることがわかる。した
がって、８．９Ｋで観測されたスペクトルは新たなドナ
ーによるものであることがわかる。１６．８Ｋのスペク
トルはその中間的形状である。８．９Ｋで観測された新
たなドナーによるスペクトルが２１．９Ｋでは全く観測
されないのは、この新たなドナーが非常に浅いエネルギ
準位を有していて、多くの電子が２１．９Ｋで伝導帯に
熱励起していることを示している。ｇ値が１．９９９で
伝導電子のｇ値に近いこと、大きな異方性がないこと、
非常に浅いエネルギ準位を有することから、この欠陥は
図２の光吸収スペクトルで観測された有効質量近似で表
される欠陥と考えられる。
ル形状から、８．９Ｋでは酸素窒素複合体ドナー（ＮＯ
Ｄ）が観測されず、２１．９Ｋでは酸素窒素複合体ドナ
ー（ＮＯＤ）のみが観測されていることがわかる。した
がって、８．９Ｋで観測されたスペクトルは新たなドナ
ーによるものであることがわかる。１６．８Ｋのスペク
トルはその中間的形状である。８．９Ｋで観測された新
たなドナーによるスペクトルが２１．９Ｋでは全く観測
されないのは、この新たなドナーが非常に浅いエネルギ
準位を有していて、多くの電子が２１．９Ｋで伝導帯に
熱励起していることを示している。ｇ値が１．９９９で
伝導電子のｇ値に近いこと、大きな異方性がないこと、
非常に浅いエネルギ準位を有することから、この欠陥は
図２の光吸収スペクトルで観測された有効質量近似で表
される欠陥と考えられる。
【００２０】図１（ｂ） から明らかなように窒素濃度
が低い試料Ｃ中にはキャリアの発生がない点、図２（ａ
） から明らかなように窒素を含んでいても炭素濃度が
低い試料Ａには酸素窒素複合体ドナー（ＮＯＤ）以外の
欠陥が観測されない点、を考慮すれば、図２（ｂ） 、
図３（ｂ） 、図４（ａ） で観測された新たな欠陥の
形成には、炭素と窒素が関与していることがわかる。
が低い試料Ｃ中にはキャリアの発生がない点、図２（ａ
） から明らかなように窒素を含んでいても炭素濃度が
低い試料Ａには酸素窒素複合体ドナー（ＮＯＤ）以外の
欠陥が観測されない点、を考慮すれば、図２（ｂ） 、
図３（ｂ） 、図４（ａ） で観測された新たな欠陥の
形成には、炭素と窒素が関与していることがわかる。
【００２１】６００℃近傍では炭素と酸素の拡散係数が
小さい。しかし窒素が分子で拡散した場合には拡散係数
が大きい。１２７０℃の熱処理によって結晶内に拡散し
た窒素は、その拡散係数が非常に大きいことから分子状
態で存在していると考えられる。酸素窒素複合体ドナー
（ＮＯＤ）は窒素が分子拡散することにより形成される
と考えられており、新たな欠陥も形成速度が速いことか
ら窒素が分子状態で拡散することにより生じると考えら
れる。
小さい。しかし窒素が分子で拡散した場合には拡散係数
が大きい。１２７０℃の熱処理によって結晶内に拡散し
た窒素は、その拡散係数が非常に大きいことから分子状
態で存在していると考えられる。酸素窒素複合体ドナー
（ＮＯＤ）は窒素が分子拡散することにより形成される
と考えられており、新たな欠陥も形成速度が速いことか
ら窒素が分子状態で拡散することにより生じると考えら
れる。
【００２２】本発明により形成されるドナーはｇ値が１
．９９９で異方性が弱い。窒素は核スピンを有する不純
物であるが、本発明によるドナーもサーマルドナー（Ｔ
Ｄ）も酸素窒素複合体ドナー（ＮＯＤ）のように超微細
相互作用が観測されない。このことはコアでの電子の存
在確率が低いことを意味しており、本発明によるドナー
もサーマルドナー（ＴＤ）も酸素窒素複合体ドナー（Ｎ
ＯＤ）のようにＴｄ対称より低い欠陥と推測される。
．９９９で異方性が弱い。窒素は核スピンを有する不純
物であるが、本発明によるドナーもサーマルドナー（Ｔ
Ｄ）も酸素窒素複合体ドナー（ＮＯＤ）のように超微細
相互作用が観測されない。このことはコアでの電子の存
在確率が低いことを意味しており、本発明によるドナー
もサーマルドナー（ＴＤ）も酸素窒素複合体ドナー（Ｎ
ＯＤ）のようにＴｄ対称より低い欠陥と推測される。
【００２３】エネルギ準位の深さを示すパラメータとな
る１Ｓ−２Ｐ＋−遷移が生ずる波数でドナー準位の深さ
を比較してみる。リンの１Ｓ−２Ｐ＋−遷移の波数は約
３１８ｃｍ−１であるのに対し、本発明によるドナーの
１Ｓ−２Ｐ＋−遷移の波数は１９０〜２２０ｃｍ−１で
あり、リンより非常に浅いエネルギ準位を有することが
わかった。
る１Ｓ−２Ｐ＋−遷移が生ずる波数でドナー準位の深さ
を比較してみる。リンの１Ｓ−２Ｐ＋−遷移の波数は約
３１８ｃｍ−１であるのに対し、本発明によるドナーの
１Ｓ−２Ｐ＋−遷移の波数は１９０〜２２０ｃｍ−１で
あり、リンより非常に浅いエネルギ準位を有することが
わかった。
【００２４】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、Ｖ族不純
物よりも浅いエネルギ準位のドナーが形成され、低温で
も十分な電子を供給することができる。
物よりも浅いエネルギ準位のドナーが形成され、低温で
も十分な電子を供給することができる。
【図１】試料Ａ〜Ｃのキャリア濃度の熱処理時間依存性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図２】試料Ａ、Ｂの光吸収スペクトルを示すグラフで
ある。
ある。
【図３】試料Ｄ、Ｅの電子スピン共鳴のスペクトルを示
すグラフである。
すグラフである。
【図４】試料Ｅの種々の温度における電子スピン共鳴の
スペクトルを示すグラフである。
スペクトルを示すグラフである。
Claims (1)
- 【請求項１】 炭素を１Ｅ１６ｃｍ−３以上、酸素を
１Ｅ１６ｃｍ−３以上、窒素分子を１Ｅ１４ｃｍ−３以
上含有するシリコン結晶を４００℃以上で熱処理するこ
とを特徴とするドナー形成方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40891290A JPH04233231A (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | ドナー形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40891290A JPH04233231A (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | ドナー形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04233231A true JPH04233231A (ja) | 1992-08-21 |
Family
ID=18518308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40891290A Withdrawn JPH04233231A (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | ドナー形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04233231A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009267380A (ja) * | 2008-04-03 | 2009-11-12 | Commissariat A L'energie Atomique | 軽元素の熱活性化により半導体基板を処理する方法 |
-
1990
- 1990-12-28 JP JP40891290A patent/JPH04233231A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009267380A (ja) * | 2008-04-03 | 2009-11-12 | Commissariat A L'energie Atomique | 軽元素の熱活性化により半導体基板を処理する方法 |
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