JPH04233254A - 浮動ソースを有する気密シールドダイパッケージ - Google Patents
浮動ソースを有する気密シールドダイパッケージInfo
- Publication number
- JPH04233254A JPH04233254A JP3182048A JP18204891A JPH04233254A JP H04233254 A JPH04233254 A JP H04233254A JP 3182048 A JP3182048 A JP 3182048A JP 18204891 A JP18204891 A JP 18204891A JP H04233254 A JPH04233254 A JP H04233254A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die
- lead
- bus
- assembly
- circuit board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/10—Containers or parts thereof
- H10W76/12—Containers or parts thereof characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W78/00—Detachable holders for supporting packaged chips in operation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Multi-Conductor Connections (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子装置用のパッケージ
に関し、特に電子装置及び回路を気密シールするパッケ
ージに関する。
に関し、特に電子装置及び回路を気密シールするパッケ
ージに関する。
【０００２】
【発明の背景】チップ，ダイ，集積回路のようなものを
製造するために、トランジスタのような電子装置と回路
との相互接続は、しばしばセラミック材の内部で行われ
る。タームダイが、この中で使用されるであろう。多く
の場合、ダイは大きな温度変化，圧力変化あるいは湿度
等の他の変化の影響を受ける。そこで、動作時での上記
のような環境の悪影響を低減させるために、ダイは構造
を保全，維持できるように設計された気密シールドパッ
ケージの中に据え付けられている。なお、回路内に流れ
る電流によって励磁される磁界がダイの動作に悪影響を
及ぼさないようにパッケージを設計することも重要であ
る。
製造するために、トランジスタのような電子装置と回路
との相互接続は、しばしばセラミック材の内部で行われ
る。タームダイが、この中で使用されるであろう。多く
の場合、ダイは大きな温度変化，圧力変化あるいは湿度
等の他の変化の影響を受ける。そこで、動作時での上記
のような環境の悪影響を低減させるために、ダイは構造
を保全，維持できるように設計された気密シールドパッ
ケージの中に据え付けられている。なお、回路内に流れ
る電流によって励磁される磁界がダイの動作に悪影響を
及ぼさないようにパッケージを設計することも重要であ
る。
【０００３】ダイ製造ビジネスの高い競争力のため、パ
ッケージを低コストで組み立てることが非常に重要であ
り、また、ダイの高い信頼性を確保する必要性から行わ
れるテストは総組立をする前に行うことも重要である。
ッケージを低コストで組み立てることが非常に重要であ
り、また、ダイの高い信頼性を確保する必要性から行わ
れるテストは総組立をする前に行うことも重要である。
【０００４】パッケージは一般に１つのダイを容易に収
容するように設計されているため、更に他のダイを使用
する場合には、コストの点で全く違ったコンセプトを打
ち出さなければならない。
容するように設計されているため、更に他のダイを使用
する場合には、コストの点で全く違ったコンセプトを打
ち出さなければならない。
【０００５】
【発明の要旨】更に、低コスト化及び部分組立品の簡単
なテストに加え、この発明のダイパッケージは圧力及び
又は温度の大きな変化による影響を受ける時の安定した
動作を提供する。
なテストに加え、この発明のダイパッケージは圧力及び
又は温度の大きな変化による影響を受ける時の安定した
動作を提供する。
【０００６】本発明のダイパッケージは、種々の目的の
ダイに使用できるが、並列的に動作する電力トランジス
タを収納したダイに使用する場合に特に有利となる。
ダイに使用できるが、並列的に動作する電力トランジス
タを収納したダイに使用する場合に特に有利となる。
【０００７】ダイは第１端部（下端）に電極同士を接続
するための端子を備えており、これらの端子は、当該端
子と接続する直立リードを有する印刷回路基板上の大ラ
ンドと電気的に接触した状態で取り付けられる。従って
、これらの端子がドレイン電極であれば、直立リードは
ドレインリードとなる。
するための端子を備えており、これらの端子は、当該端
子と接続する直立リードを有する印刷回路基板上の大ラ
ンドと電気的に接触した状態で取り付けられる。従って
、これらの端子がドレイン電極であれば、直立リードは
ドレインリードとなる。
【０００８】基板上の小ランドもその上に直立リードを
備え、それぞれ大ランドのエッジに沿って延びるランナ
ーと接続されている。ダイの第２端部（上端）の上に配
置された端子セットは、それぞれワイヤーボンディング
のような適当な方法でランナーと接続されている。従っ
て、もし１つの端子セットがゲート電極用であれば、全
ての端子が１つのランナーに接続され、そのランナー用
のランドに接続された直立リードはゲートリードとなる
。これに類似した方法により、センス電極用の端子は異
なるランナーに接続され、ランナー用のランドと接続さ
れた直立リードがセンスリードとなる。
備え、それぞれ大ランドのエッジに沿って延びるランナ
ーと接続されている。ダイの第２端部（上端）の上に配
置された端子セットは、それぞれワイヤーボンディング
のような適当な方法でランナーと接続されている。従っ
て、もし１つの端子セットがゲート電極用であれば、全
ての端子が１つのランナーに接続され、そのランナー用
のランドに接続された直立リードはゲートリードとなる
。これに類似した方法により、センス電極用の端子は異
なるランナーに接続され、ランナー用のランドと接続さ
れた直立リードがセンスリードとなる。
【０００９】ダイの第２端部上に配置されているのは、
互いに接続される電極用の端子セットである。バスと端
子との間のコネクターによって、バスはダイの第２端部
と所定の間隔をもって配置される。従って、バスは浮動
していても良い。直立リードは、もし端子がソース電極
用であればソースリードとなるバスの一端に接続される
。このケースにおいて、直立ケルビンリードはバスの反
対側の端部に接続される。
互いに接続される電極用の端子セットである。バスと端
子との間のコネクターによって、バスはダイの第２端部
と所定の間隔をもって配置される。従って、バスは浮動
していても良い。直立リードは、もし端子がソース電極
用であればソースリードとなるバスの一端に接続される
。このケースにおいて、直立ケルビンリードはバスの反
対側の端部に接続される。
【００１０】ドレインリードとソースリードを一緒に配
置した本発明の利点は、これらの端子の電流による磁気
効果の減少である。ところが、各電極の電流が磁界の意
味を持たない程度に十分小さいと、これらの電流値の合
計は装置の不調の原因となる。本発明によれば、ダイの
第１端部上の端子からの電流は、離隔パスを経由してダ
イランドに沿って接続されたリードまで流れ、ダイから
不利な磁界効果がなくなるポイントに達するまで加算さ
れる。ダイの第２端部若しくは上端部上の端子からコネ
クタを通る電流は、バスに達した時点で加算されるが、
ダイとスペースがあるため加算電流は非常に小さな電界
効果を持つ。ワイヤーボンドによってランナーに接続さ
れた端子からの電流は、非常に小さいため、あまり電界
効果の意味をもたない。
置した本発明の利点は、これらの端子の電流による磁気
効果の減少である。ところが、各電極の電流が磁界の意
味を持たない程度に十分小さいと、これらの電流値の合
計は装置の不調の原因となる。本発明によれば、ダイの
第１端部上の端子からの電流は、離隔パスを経由してダ
イランドに沿って接続されたリードまで流れ、ダイから
不利な磁界効果がなくなるポイントに達するまで加算さ
れる。ダイの第２端部若しくは上端部上の端子からコネ
クタを通る電流は、バスに達した時点で加算されるが、
ダイとスペースがあるため加算電流は非常に小さな電界
効果を持つ。ワイヤーボンドによってランナーに接続さ
れた端子からの電流は、非常に小さいため、あまり電界
効果の意味をもたない。
【００１１】本発明の他の利点は、他の必要な数のダイ
を収容できるようにパッケージを設計変更することが容
易な点である。この際、印刷回路基板上の大ランドが、
ダイの領域を合計したのと同じ程度の面積を持つように
することが唯一必要である。
を収容できるようにパッケージを設計変更することが容
易な点である。この際、印刷回路基板上の大ランドが、
ダイの領域を合計したのと同じ程度の面積を持つように
することが唯一必要である。
【００１２】気密シールは種々の方法によって行われる
が、本発明によれば印刷回路基板とダイはベースプレー
トの領域上に取り付けられ、ベースプレートは下端が当
該ベースプレートと気密シールされた側壁によって包囲
されている。少なくとも１つの開口部を有する蓋は、側
壁の上部に気密シールされ、種々のリードが各々貫通す
る長穴を有する絶縁体が上記開口部をシールする。リー
ドと長穴とのスペースは、半田によって気密シールされ
る。
が、本発明によれば印刷回路基板とダイはベースプレー
トの領域上に取り付けられ、ベースプレートは下端が当
該ベースプレートと気密シールされた側壁によって包囲
されている。少なくとも１つの開口部を有する蓋は、側
壁の上部に気密シールされ、種々のリードが各々貫通す
る長穴を有する絶縁体が上記開口部をシールする。リー
ドと長穴とのスペースは、半田によって気密シールされ
る。
【００１３】幾つかのダイの動作テストは、欠陥が発見
された時の出費を抑えるために、蓋が側壁に取り付けら
れる前に行われる。
された時の出費を抑えるために、蓋が側壁に取り付けら
れる前に行われる。
【００１４】図１に示されているように、パッケージは
コーナーに穴が形成されたベースプレート２の上に組み
立てられ、上記穴にはパッケージをシャーシに取り付け
るように適当な部材が押し込まれる。周辺温度の変化に
よって発生する回路基板８の上のストレスを軽減させる
ために、ベースプレート２は好ましくは回路基板８の材
質であるセラミック材と温度膨張係数が同程度のモリブ
デンのような材質で形成される。冷間圧延鋼板の閉側壁
４を、当該側壁４の下方でベースプレート２と内向きフ
ランジ６の間のろう付けによってベースプレート２に接
続した後に、ベースプレート２と側壁４をニッケルメッ
キする。
コーナーに穴が形成されたベースプレート２の上に組み
立てられ、上記穴にはパッケージをシャーシに取り付け
るように適当な部材が押し込まれる。周辺温度の変化に
よって発生する回路基板８の上のストレスを軽減させる
ために、ベースプレート２は好ましくは回路基板８の材
質であるセラミック材と温度膨張係数が同程度のモリブ
デンのような材質で形成される。冷間圧延鋼板の閉側壁
４を、当該側壁４の下方でベースプレート２と内向きフ
ランジ６の間のろう付けによってベースプレート２に接
続した後に、ベースプレート２と側壁４をニッケルメッ
キする。
【００１５】酸化ベリリウムによって成形された回路基
板８（上部と下部は銅によっ被覆されている）は、フラ
ンジ６によって形成されたエリア内でベースプレート２
の表面にろう付けされ、側壁４によって包囲される。大
ランド１０が回路基板８の上部の銅表面内に形成され、
ニッケルコートされた銅製の垂直ドレインリード１２が
突起１３’の上にろう付けされている。小ランド１４は
大ランド１０のエッジ１６の近傍に形成され、大ランド
１０のエッジ２０に所定の間隔をもって沿うように延び
たランナー１８に連結されており、ニッケルコートされ
た銅製の垂直ゲート電極２２が小ランド１４にろう付け
されている。他の小ランド２４は大ランド１０のエッジ
１６の付近に形成され、ランナー１８と平行部分を有す
るランナー２６に連結されており、ニッケルコートされ
た銅製の垂直センスリード２８が小ランド２４にろう付
けされている。大ランド１０内にフィットしたニッケル
コートのモリブデン取付パッド３０は、当該ランド１０
にろう付けされている。このようなろう付けによる半組
立部品の成形は、ニッケルメッキする以前に行われる。
板８（上部と下部は銅によっ被覆されている）は、フラ
ンジ６によって形成されたエリア内でベースプレート２
の表面にろう付けされ、側壁４によって包囲される。大
ランド１０が回路基板８の上部の銅表面内に形成され、
ニッケルコートされた銅製の垂直ドレインリード１２が
突起１３’の上にろう付けされている。小ランド１４は
大ランド１０のエッジ１６の近傍に形成され、大ランド
１０のエッジ２０に所定の間隔をもって沿うように延び
たランナー１８に連結されており、ニッケルコートされ
た銅製の垂直ゲート電極２２が小ランド１４にろう付け
されている。他の小ランド２４は大ランド１０のエッジ
１６の付近に形成され、ランナー１８と平行部分を有す
るランナー２６に連結されており、ニッケルコートされ
た銅製の垂直センスリード２８が小ランド２４にろう付
けされている。大ランド１０内にフィットしたニッケル
コートのモリブデン取付パッド３０は、当該ランド１０
にろう付けされている。このようなろう付けによる半組
立部品の成形は、ニッケルメッキする以前に行われる。
【００１６】次に、セラミックダイ３を備えた他の半組
立部品に注目する。ダイ３の上の端子Ｓは、各々ダイ３
に設けられた電力ＦＥＴの６つの電源電極に接続されて
いる。また、ＦＥＴ’Ｓのゲート電極用の端子ｇと、ダ
イ３のアクティブ領域のセンシングエリア用の端子Ｓ’
が示されている。ＦＥＴ’Ｓのドレイン電極用の端子ｄ
は、ダイ３の下方に配置されているため図示しない。
立部品に注目する。ダイ３の上の端子Ｓは、各々ダイ３
に設けられた電力ＦＥＴの６つの電源電極に接続されて
いる。また、ＦＥＴ’Ｓのゲート電極用の端子ｇと、ダ
イ３のアクティブ領域のセンシングエリア用の端子Ｓ’
が示されている。ＦＥＴ’Ｓのドレイン電極用の端子ｄ
は、ダイ３の下方に配置されているため図示しない。
【００１７】この半組立部品には、更に、何れか一端に
配置された上方延設ポスト３４を有するバス３２が備え
られている。導電クリップ３６はそれぞれポスト３４に
押し付けられ、各々の端部がソース端子Ｓに半田付けさ
れている。図１Ａ及び図１Ｂに示されているように、導
電クリップ３６は、そこから両反対方向に垂直に延びた
アーム４０及び４２を有する中央部材３８を含んでいる
（図１Ａ参照）。平行スリット４４，４６がアーム４０
の中に形成され、互いに所定の間隔をもった対向端部５
２，５４を有する２つの可撓性タブ４８，５０が形成さ
れている。対向端部５２，５４を有するタブ４８，５０
がポスト３４の上に押し下げられると、タブ４８，５０
はポスト３４に食い込み、導電クリップ３６がダイ３の
共通端子Ｓの上に固定される。導電クリップ３６は銅に
よって成形し、下端部を半田メッキしても良い。
配置された上方延設ポスト３４を有するバス３２が備え
られている。導電クリップ３６はそれぞれポスト３４に
押し付けられ、各々の端部がソース端子Ｓに半田付けさ
れている。図１Ａ及び図１Ｂに示されているように、導
電クリップ３６は、そこから両反対方向に垂直に延びた
アーム４０及び４２を有する中央部材３８を含んでいる
（図１Ａ参照）。平行スリット４４，４６がアーム４０
の中に形成され、互いに所定の間隔をもった対向端部５
２，５４を有する２つの可撓性タブ４８，５０が形成さ
れている。対向端部５２，５４を有するタブ４８，５０
がポスト３４の上に押し下げられると、タブ４８，５０
はポスト３４に食い込み、導電クリップ３６がダイ３の
共通端子Ｓの上に固定される。導電クリップ３６は銅に
よって成形し、下端部を半田メッキしても良い。
【００１８】直立ソースリード５２はバス３２の一端に
形成され、必要であれば、直立ケルビンリード５３をバ
ス３２の反対側の端部に形成する。ダイ３の下部のドレ
イン端子は取付パッド３０の上に半田付けされる。
形成され、必要であれば、直立ケルビンリード５３をバ
ス３２の反対側の端部に形成する。ダイ３の下部のドレ
イン端子は取付パッド３０の上に半田付けされる。
【００１９】ニッケル冷間圧延鋼板によって成形される
蓋５４は、側壁４に密着プレスされるフランジ５６を備
え、溶接によって気密シールドされる。
蓋５４は、側壁４に密着プレスされるフランジ５６を備
え、溶接によって気密シールドされる。
【００２０】この特殊な実施例においては、ソースリー
ド５２とドレインリード１２は蓋５４の開口部を貫通し
、各々絶縁体６２の長穴５２’，１２’を貫通する。 センスリード２８，ゲートリード２２，ケルビンリード
５３は開口部６０を貫通し、各々絶縁体６４の長穴２８
’，２２’，５３’を貫通する。ソースリード５２とド
レインリード１２の端部は、絶縁体６２の六角開口部６
６’，６８’の上部まで達する。ネジ６６，６８は、六
角ナット（図示せず）を貫通し、固定外部電気接続部を
容易に製造できるように、六角凹部６６’，６８’の中
に収められる。
ド５２とドレインリード１２は蓋５４の開口部を貫通し
、各々絶縁体６２の長穴５２’，１２’を貫通する。 センスリード２８，ゲートリード２２，ケルビンリード
５３は開口部６０を貫通し、各々絶縁体６４の長穴２８
’，２２’，５３’を貫通する。ソースリード５２とド
レインリード１２の端部は、絶縁体６２の六角開口部６
６’，６８’の上部まで達する。ネジ６６，６８は、六
角ナット（図示せず）を貫通し、固定外部電気接続部を
容易に製造できるように、六角凹部６６’，６８’の中
に収められる。
【００２１】絶縁体６２，６４は、蓋５４に対して気密
シールドされる。このため、図５に示されたランド７０
，７２は絶縁体６２，６４の下方にそれぞれ形成され、
開口部５８，６０内にピッタリと嵌まり、絶縁体の上部
が開口部のエッジ方向に延びるフランジを形成する。フ
ランジの下端部はモリ−マンガンで被覆され、ニッケル
メッキされた後に半田付けされる。図５に示されている
ように、長穴の上端は面取りされ、半田付けされる前に
モリ−マンガンで被覆され、その後ニッケルメッキされ
る。
シールドされる。このため、図５に示されたランド７０
，７２は絶縁体６２，６４の下方にそれぞれ形成され、
開口部５８，６０内にピッタリと嵌まり、絶縁体の上部
が開口部のエッジ方向に延びるフランジを形成する。フ
ランジの下端部はモリ−マンガンで被覆され、ニッケル
メッキされた後に半田付けされる。図５に示されている
ように、長穴の上端は面取りされ、半田付けされる前に
モリ−マンガンで被覆され、その後ニッケルメッキされ
る。
【００２２】ダイ３の上部若しくは第２端部上のゲート
端子ｇとゲートリード２２との電気的接続は、各ゲート
端子からランナー１８に向かって延びるアルミニウムボ
ンディングワイヤーによって行われるが、図では簡素化
のためにワイヤー７４のみを示す。センス端子Ｓも、こ
れと同様にワイヤー７６によってランナー２６と接続さ
れる。
端子ｇとゲートリード２２との電気的接続は、各ゲート
端子からランナー１８に向かって延びるアルミニウムボ
ンディングワイヤーによって行われるが、図では簡素化
のためにワイヤー７４のみを示す。センス端子Ｓも、こ
れと同様にワイヤー７６によってランナー２６と接続さ
れる。
【００２３】図２は、２つのダイ１１，７８を備えた本
発明の一実施例を示す組み立て図である。ランド１０と
取付パッド３０は両方のダイを収納するのに十分に大き
く、従って、それらの全てのドレイン端子がドレインリ
ード１２に接続される。各ダイは、符号７４及び８０で
示されたアルミニウムワイヤーボンディングによってラ
ンナー２６に接続されるセンス端子を備えている。なお
、バス３３は矩形の４つのアームによって成形されてい
る。
発明の一実施例を示す組み立て図である。ランド１０と
取付パッド３０は両方のダイを収納するのに十分に大き
く、従って、それらの全てのドレイン端子がドレインリ
ード１２に接続される。各ダイは、符号７４及び８０で
示されたアルミニウムワイヤーボンディングによってラ
ンナー２６に接続されるセンス端子を備えている。なお
、バス３３は矩形の４つのアームによって成形されてい
る。
【００２４】図３は、４つのダイ１１，７８，８２，８
４を備えた本発明の一実施例を示す組み立て図である。 混乱を避けるために、ゲート用のボンディングされたア
ルミニウムワイヤーとセンス端子は図示しない。取付パ
ッド３０とランド１０は、４つのダイを収納するのに十
分な大きさに成形されている。
４を備えた本発明の一実施例を示す組み立て図である。 混乱を避けるために、ゲート用のボンディングされたア
ルミニウムワイヤーとセンス端子は図示しない。取付パ
ッド３０とランド１０は、４つのダイを収納するのに十
分な大きさに成形されている。
【００２５】図４は、図３に示された４つのダイ組立品
（蓋５４を除く）の平面図である。なお、ダイ１１，７
８，８２，８４は、それぞれシングルセンス端子Ｓ１１
，Ｓ７８，Ｓ８２，Ｓ８４を備えており、これらの端子
は各々センスリード２８用ランナー２６に接続され、全
てのゲート端子ｇはワイヤーによってランナー１８に接
続されている。接続クリップ３６は、各々ソース端子Ｓ
をバス８３上のポスト３４に接続する。
（蓋５４を除く）の平面図である。なお、ダイ１１，７
８，８２，８４は、それぞれシングルセンス端子Ｓ１１
，Ｓ７８，Ｓ８２，Ｓ８４を備えており、これらの端子
は各々センスリード２８用ランナー２６に接続され、全
てのゲート端子ｇはワイヤーによってランナー１８に接
続されている。接続クリップ３６は、各々ソース端子Ｓ
をバス８３上のポスト３４に接続する。
【００２６】図５は、図４の５−５方向の断面図（蓋５
４と絶縁体６２，６４を含む）である。なお、絶縁体６
２，６４の下面のランド７０，７２と、絶縁体６２，６
４の中の溝６３は、リード用の各長穴の周囲を取り囲む
。また、ダイ７８，８２の下面のドレイン端子８６（高
さを拡大表示）は、取付パッド３０とランド１０によっ
てドレインリード１２に接続されている。
４と絶縁体６２，６４を含む）である。なお、絶縁体６
２，６４の下面のランド７０，７２と、絶縁体６２，６
４の中の溝６３は、リード用の各長穴の周囲を取り囲む
。また、ダイ７８，８２の下面のドレイン端子８６（高
さを拡大表示）は、取付パッド３０とランド１０によっ
てドレインリード１２に接続されている。
【００２７】パッケージの組み立て
以下、本発明のダイパッケージを組み立て、テストする
工程について説明する。必要に応じ、組立品の各構成要
素を保持する固定装置を示した図６及び図７を参照する
。
工程について説明する。必要に応じ、組立品の各構成要
素を保持する固定装置を示した図６及び図７を参照する
。
【００２８】１． 側壁４をベースプレート２に半田付
けする。
けする。
【００２９】２． 銅ドレインリード１２と、銅ゲート
リード２２と、銅センスリード２８を、各々回路基板８
のランド１３，１４，２４に半田付けする。
リード２２と、銅センスリード２８を、各々回路基板８
のランド１３，１４，２４に半田付けする。
【００３０】３． 取付パッド３０を大ランド１０に半
田付けする。
田付けする。
【００３１】４． 回路基板をベースプレート２に半田
付けする。
付けする。
【００３２】５． ステップ４までで成形された組立品
をニッケルメッキする。
をニッケルメッキする。
【００３３】６． 銅バス３２と、ソースリード１２と
、ケルビンリード２２をニッケルメッキする。
、ケルビンリード２２をニッケルメッキする。
【００３４】７． 半田メッキ銅クリップ３６をポスト
３４内に配置し、バス３２に固着するように押し込む。
３４内に配置し、バス３２に固着するように押し込む。
【００３５】次に、図６及び図７に示された組立品固定
装置について説明する。この装置は、３つの基本要素と
して、ソースリード保持部９０と、ケルビンリード保持
部９２と、ベースプレート９４を備えている。ソースリ
ード保持部９０は、ポイント９６，９８において、ベー
スプレート９４内の位置決め穴（図示せず）中に挿通す
る下方に延びた位置決めピン（図示せず）を備えている
。ケルビンリード保持部９２は、ポイント１００，１０
２において、ベースプレート９４内の位置決め穴（図示
せず）中に挿通する下方に延びた位置決めピン（図示せ
ず）を備えている。ネジ１０４と１０６は、各々保持部
９０，９２を通って垂直方向に、ベースプレート９４内
のネジ穴１０４’，１０６’にネジ込まれ、組立品を固
定する。
装置について説明する。この装置は、３つの基本要素と
して、ソースリード保持部９０と、ケルビンリード保持
部９２と、ベースプレート９４を備えている。ソースリ
ード保持部９０は、ポイント９６，９８において、ベー
スプレート９４内の位置決め穴（図示せず）中に挿通す
る下方に延びた位置決めピン（図示せず）を備えている
。ケルビンリード保持部９２は、ポイント１００，１０
２において、ベースプレート９４内の位置決め穴（図示
せず）中に挿通する下方に延びた位置決めピン（図示せ
ず）を備えている。ネジ１０４と１０６は、各々保持部
９０，９２を通って垂直方向に、ベースプレート９４内
のネジ穴１０４’，１０６’にネジ込まれ、組立品を固
定する。
【００３６】ソースリード保持部９０の中央突起１０８
は、ソースリード５２の３つのサイドに密着するように
成形された垂直溝１１０を端部に備え、ケルビンリード
保持部９２の中央突起１１２は、ソースリード５２の３
つのサイドに密着するように成形された垂直溝１１４を
端部に備えている。ソースリード保持部９０内には、突
起１０８を通って水平円筒通路１１６が形成され、ケル
ビンリード保持部９２内には、突起１１２を通って水平
円筒通路１１８が形成されている。これらの水平円筒通
路１１６と１１８は、一直線上に配置されている。
は、ソースリード５２の３つのサイドに密着するように
成形された垂直溝１１０を端部に備え、ケルビンリード
保持部９２の中央突起１１２は、ソースリード５２の３
つのサイドに密着するように成形された垂直溝１１４を
端部に備えている。ソースリード保持部９０内には、突
起１０８を通って水平円筒通路１１６が形成され、ケル
ビンリード保持部９２内には、突起１１２を通って水平
円筒通路１１８が形成されている。これらの水平円筒通
路１１６と１１８は、一直線上に配置されている。
【００３７】図７の断面図に示されているように、ソー
スリード保持部９０とケルビンリード保持部９２の下側
には、通路１１６と１１８に対して適当な角度でスペー
スが形成されており、側壁４の左右部分がその中に配置
されるようになっている。ソースリード保持部９０内に
は突起１０８の近傍に垂直溝１２０が形成され、その中
にドレインリード１２が配置され、通路を形成するよう
にプレート１２２によってカバーされる。プレート１２
２はソースリード保持部９０内の通路を貫通し、端部が
プレート１２２内のタップホール内にねじ込まれた蝶ネ
ジ１２４によって位置決めされる。ここで、再び組み立
て工程に戻る。
スリード保持部９０とケルビンリード保持部９２の下側
には、通路１１６と１１８に対して適当な角度でスペー
スが形成されており、側壁４の左右部分がその中に配置
されるようになっている。ソースリード保持部９０内に
は突起１０８の近傍に垂直溝１２０が形成され、その中
にドレインリード１２が配置され、通路を形成するよう
にプレート１２２によってカバーされる。プレート１２
２はソースリード保持部９０内の通路を貫通し、端部が
プレート１２２内のタップホール内にねじ込まれた蝶ネ
ジ１２４によって位置決めされる。ここで、再び組み立
て工程に戻る。
【００３８】１０． ベースプレート２と、側壁４と、
印刷回路基板８と、ドレインリード１２と、センスリー
ド２８と、ゲートリード２２と取付パッド３０との半組
立品は、以下のように組立品固定装置内に据え付けられ
る。半組立品は、図６，図７の組立品固定装置のベース
プレート９４の上に配置される。この時、ソースリード
保持部９０はベースプレート９４の上まで下げられ、ド
レインリード１２は、ソースリード５２が突起１０８の
端部において溝１１０内に配置されるように、溝１２０
とプレート１２２によって形成された通路を通って延び
る。ソースリード保持部９０の位置決めピンは、この時
、ベースプレート９４内の位置決め穴内に配置される。 この時点で、ケルビンリード保持部９２はベースプレー
ト９４の上に配置され、ケルビンリード５３は突起１１
２の端部において溝１１４内に直線状に配置され、その
位置決めピンはベースプレート９４の位置決め穴内に位
置する。組立品固定装置を含んだ半組立品の最終工程は
、位置決めピン１２６を、ソースリード保持部９０内の
通路と、ソースリード５２の端部の穴１２８と、ケルビ
ンリード５３の端部の穴１３０と、通路１１８とを貫通
させることによって達成される。ネジ１０４と１０６を
、ベースプレート９４内にねじ込む。
印刷回路基板８と、ドレインリード１２と、センスリー
ド２８と、ゲートリード２２と取付パッド３０との半組
立品は、以下のように組立品固定装置内に据え付けられ
る。半組立品は、図６，図７の組立品固定装置のベース
プレート９４の上に配置される。この時、ソースリード
保持部９０はベースプレート９４の上まで下げられ、ド
レインリード１２は、ソースリード５２が突起１０８の
端部において溝１１０内に配置されるように、溝１２０
とプレート１２２によって形成された通路を通って延び
る。ソースリード保持部９０の位置決めピンは、この時
、ベースプレート９４内の位置決め穴内に配置される。 この時点で、ケルビンリード保持部９２はベースプレー
ト９４の上に配置され、ケルビンリード５３は突起１１
２の端部において溝１１４内に直線状に配置され、その
位置決めピンはベースプレート９４の位置決め穴内に位
置する。組立品固定装置を含んだ半組立品の最終工程は
、位置決めピン１２６を、ソースリード保持部９０内の
通路と、ソースリード５２の端部の穴１２８と、ケルビ
ンリード５３の端部の穴１３０と、通路１１８とを貫通
させることによって達成される。ネジ１０４と１０６を
、ベースプレート９４内にねじ込む。
【００３９】１１．接続クリップ３６を、端部４２が各
ソース端子の上に達するまで回転させ、端子とポスト３
４に半田付けする。
ソース端子の上に達するまで回転させ、端子とポスト３
４に半田付けする。
【００４０】１２．ダイ３０内の幾つかのセンス端子Ｓ
とランナー２６、及びダイ３０上の幾つかのゲート端子
とランナー１８とをそれぞれワイヤボンディングする。
とランナー２６、及びダイ３０上の幾つかのゲート端子
とランナー１８とをそれぞれワイヤボンディングする。
【００４１】１３．電気的テストを行う。
【００４２】１４．蓋５４を側壁４の上部に押し込む。
【００４３】１５．絶縁体６２と６４を、これらの長穴
を貫通するリードとともに、開口部５８，６０内に配置
する。
を貫通するリードとともに、開口部５８，６０内に配置
する。
【００４４】１６．組立品を炉の中に入れ、半田をリフ
ロー（ｒｅｆｌｏｗ）する。
ロー（ｒｅｆｌｏｗ）する。
【００４５】１７．組立品を真空焼付し、ガス抜きをす
る。
る。
【００４６】１８．蓋５４を側壁４に溶接する。
【００４７】本発明は、今まで示した種々の実施例に何
ら限定されるものではない。これらの実施例は、特許請
求の範囲に示された技術的思想の範囲内で変更可能であ
る。
ら限定されるものではない。これらの実施例は、特許請
求の範囲に示された技術的思想の範囲内で変更可能であ
る。
【図１】図１は、１つのダイを持つ本発明の実施例の組
立図である。
立図である。
【図１Ａ】，
【図１Ｂ】図１Ａ及び図１Ｂは、ダイの上端のソースパ
ッドと浮動ソースを接続するのに使用される接続クリッ
プを示す説明図である。
ッドと浮動ソースを接続するのに使用される接続クリッ
プを示す説明図である。
【図２】図２は、２つのダイを持つ本発明の実施例の組
立図である。
立図である。
【図３】図３は、３つのダイを持つ本発明の実施例の組
立図である。
立図である。
【図４】図４は、蓋を除いた組立品の平面図である。
【図５】図５は、図４の５−５方向の断面図である。
【図６】図６は、組立工程で使用される固定装置の平面
図である。
図である。
【図７】図７は、図６の７−７方向の断面図である。
２ ベースプレート
３ ダイ
４ 閉側壁
６ フランジ
８ 回路基板
１０ 大ランド
１１ ダイ
１２ ドレインリード
１２’ 長穴
１３’ 突起
１４ 小ランド
１６ エッジ
１８ ランナー
２０ エッジ
２２ ゲート電極
２２’ 長穴
２６ ランナー
２８ センスリード
３０ 取付パッド
３２，３３ バス
３４ ポスト
３６ 導電クリップ
３８ 中央部材
４０，４２ アーム
４４，４６ スリット
４８，５０ 可撓性タブ５２
ソースリード ５２’ 長穴 ５３ ケルビンリード ５３’ 長穴 ５４ 蓋 ５６ フランジ ６０ 開口部 ６２，６４ 絶縁体 ６３ 長穴 ６６，６８ ネジ ６６’，６８’ 六角開口部 ７０，７２ ランド ７４，７６，８０ ワイヤー７８
ダイ ８２，８４ ダイ ８６ ドレイン端子 ｇ ゲート端子 Ｓ ソース端子
ソースリード ５２’ 長穴 ５３ ケルビンリード ５３’ 長穴 ５４ 蓋 ５６ フランジ ６０ 開口部 ６２，６４ 絶縁体 ６３ 長穴 ６６，６８ ネジ ６６’，６８’ 六角開口部 ７０，７２ ランド ７４，７６，８０ ワイヤー７８
ダイ ８２，８４ ダイ ８６ ドレイン端子 ｇ ゲート端子 Ｓ ソース端子
Claims (13)
- 【請求項１】 リードをダイの端子に接続する組立体
において、複数の分割導体領域を有する印刷回路基板と
、第１端部及び第２端部にそれぞれ複数の端子を備え、
電子素子を収容するダイと、前記第１端部の端子を前記
導体領域の１つに接続する手段と、前記１つの導体領域
上に取り付けられた第１リードと、選択された前記ダイ
の第２端部上の端子と前記印刷回路基板上の他の導体領
域とを各々接続する導通手段と、それぞれ前記回路基板
上の他の導体領域に接続されたリードと、少なくとも１
つのリードを有するバスと、前記ダイの第２端部上の多
数の端子と前記バスとを接続する導体とを備えたことを
特徴とする組立体。 - 【請求項２】 前記ダイの第１端部上の端子を接続す
る前記接続手段が、一端が前記ダイの前記第１端部上の
端子と接触し、他端が前記回路基板上の１つの導体領域
と接触した導体取付パッドを含むことを特徴とする請求
項１記載の組立体。 - 【請求項３】 前記バスが複数のポストを備え、前記
バスと前記ダイの前記第２端部上の端子とが、前記導体
を前記ポストの上に各々取り付けるクリップの型内に所
定の間隔をもって配置されていることを特徴とする請求
項１記載の組立体。 - 【請求項４】 前記バスが複数のポストを備え、前記
バスと前記ダイの前記第２端部上の端子とが、前記導体
を前記ポストの上に各々取り付けるクリップの型内に所
定の間隔をもって配置されていることを特徴とする請求
項２記載の組立体。 - 【請求項５】 ベースプレートと、下部が前記ベース
プレートと気密シールドされた包囲側壁と、前記側壁の
上部にシールドされた蓋と、前記蓋内に少なくとも１つ
の開口部を形成する手段と、前記各開口部の周囲にシー
ルを形成するために、前記蓋内に取り付けられた絶縁体
と、前記絶縁体に、前記リードが各々貫通する長穴を形
成する手段と、前記リードと前記長穴とを気密シールす
る手段とを備え、前記印刷回路基板が、前記ベースプレ
ート及び前記側壁の近傍に取り付けられていることを特
徴とする請求項４記載の組立体。 - 【請求項６】 前記ベースプレートと前記取付パッド
が、前記ダイと熱膨張率が極めて近似したモリブデンか
ら成ることを特徴とする請求項５記載の組立体。 - 【請求項７】 前記リードがニッケル被覆銅から成り
、前記側壁と蓋がニッケルメッキ冷間圧延鋼から成るこ
とを特徴とする請求項６記載の組立体。 - 【請求項８】 前記リードが、前記印刷回路基板上の
導体面に各々ろう付けされて成ることを特徴とする請求
項７記載の組立体。 - 【請求項９】 前記ダイの中に収容された前記電子素
子が、前記ダイの第１端部又は下端部の端子に接続され
たドレイン電極と、前記ダイの第２端部又は上端部の端
子に接続され、前記導体を介して前記バスと接続された
ソース電極と、それぞれ前記導体手段に接続されたゲー
ト電極とを有する電力トランジスターであることを特徴
とする請求項４記載の組立体。 - 【請求項１０】 前記組立体が、第１及び第２端部に
端子を持った少なくとも１つの付加ダイを備えるととも
に、前記端子が、前記第１ダイと同様に、前記第１リー
ドと前記印刷回路基板上の他の導体領域と前記バスとに
各々接続されていることを特徴とする請求項４記載の組
立体。 - 【請求項１１】 前記ダイの第２端部上の端子の１つ
が、前記ダイのテスト端子であり、センスリードが、前
記テスト端子が接続された前記回路基板の導体領域と接
続されていることを特徴とする請求項４記載の組立体。 - 【請求項１２】 前記組立体が、前記バスの異なるポ
イントに接続されたケルビンリードを備えたことを特徴
とする請求項４記載の組立体。 - 【請求項１３】 少なくとも１つの電源装置用のパッ
ケージにおいて、ベースプレートと、前記ベースプレー
トの上に密封状態で取り付けられ、所定領域を包囲する
側壁と、前記領域内のベースプレート上に取り付けられ
た印刷回路基板と、複数の電力電界効果トランジスタを
備え、一端が当該トランジスタのドレイン電極とアクセ
ス可能であり、他端がソース及びゲート電極とアクセス
可能に構成されたダイと、前記ダイの他端とアクセス可
能なセンス電極と、一端から所定方向に突き出るように
、前記印刷回路基板の上に取り付けられたドレインリー
ドと、前記ダイの前記一端と前記印刷回路基板の間に配
置され、前記ドレイン電極と前記ドレインリードとを接
続する手段と、バスと、前記バスを前記ダイ上に浮動取
付するように、前記バスを前記ダイの他端上の前記ソー
ス電極と電気的に接続するクリップ手段と、前記所定方
向に突出するように、第１ポイントで前記バスと接続さ
れるソースリードと、前記所定方向に突出するように、
前記第１ポイントから離れた第２ポイントで前記バスと
接続されるケルビンリードと、前記印刷回路基板上に形
成されたゲートランナーと、前記ダイの他端のゲート電
極を前記ゲートランナーにそれぞれ接続するワイヤーボ
ンドと、前記印刷回路基板の前記一端から突出するよう
に、前記ゲートランナー上に取り付けられたゲートリー
ドと、前記印刷回路基板上に取り付けられたセンスリー
ドと、前記ソース電極を前記センスリードに接続するワ
イヤーと、前記側壁との気密シールを達成するように、
前記側壁上に取り付けられた蓋と、前記蓋内に少なくと
も１つの開口部を形成する手段と、前記開口部を気密シ
ールするように、各開口部内に取り付けられたセラミッ
ク絶縁体と、前記各絶縁体内に、前記リードが各々貫通
する長穴を形成する手段と、前記リードを前記各長穴中
にシールする手段とを備えたことを特徴とするパッケー
ジ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/545,218 US5038197A (en) | 1990-06-26 | 1990-06-26 | Hermetically sealed die package with floating source |
| US07/545,218 | 1990-06-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04233254A true JPH04233254A (ja) | 1992-08-21 |
Family
ID=24175335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3182048A Pending JPH04233254A (ja) | 1990-06-26 | 1991-06-26 | 浮動ソースを有する気密シールドダイパッケージ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5038197A (ja) |
| EP (1) | EP0463847B1 (ja) |
| JP (1) | JPH04233254A (ja) |
| KR (1) | KR920001695A (ja) |
| DE (1) | DE69118591T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019140418A (ja) * | 2014-01-30 | 2019-08-22 | クリー ファイエットヴィル インコーポレイテッド | 薄型で高度に構成可能な電流共有並列化広バンドギャップ電力デバイス電力モジュール |
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|---|---|---|---|---|
| JPH05135816A (ja) * | 1991-11-13 | 1993-06-01 | Fuji Electric Co Ltd | 外部導出端子アダプタおよびそれを含む半導体装置 |
| US5365108A (en) * | 1992-11-19 | 1994-11-15 | Sundstrand Corporation | Metal matrix composite semiconductor power switch assembly |
| US5473193A (en) * | 1994-01-06 | 1995-12-05 | Harris Corporation | Package for parallel subelement semiconductor devices |
| US5569957A (en) * | 1994-10-31 | 1996-10-29 | Harris Corporation | Low inductance conductor topography for MOSFET circuit |
| JP3529895B2 (ja) * | 1995-05-31 | 2004-05-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| EP1028520A4 (en) * | 1996-09-06 | 2000-08-16 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| DE29900370U1 (de) * | 1999-01-12 | 1999-04-08 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG, 59581 Warstein | Leistungshalbleitermodul mit Deckel |
| EP2037500B1 (de) * | 2007-09-11 | 2011-11-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Leistungshalbleitermodul |
| US8085553B1 (en) | 2007-12-27 | 2011-12-27 | Volterra Semiconductor Corporation | Lead assembly for a flip-chip power switch |
| US9426883B2 (en) | 2014-01-30 | 2016-08-23 | Cree Fayetteville, Inc. | Low profile, highly configurable, current sharing paralleled wide band gap power device power module |
| CN114582810A (zh) * | 2022-01-29 | 2022-06-03 | 华为数字能源技术有限公司 | 一种盖板、功率模块以及电子设备 |
| US12349293B2 (en) * | 2022-10-13 | 2025-07-01 | Industrial Technology Research Institute | Combined power module |
| US20250142710A1 (en) * | 2023-10-30 | 2025-05-01 | Analog Devices, Inc. | Heatsink busbar |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3241509A1 (de) * | 1982-11-10 | 1984-05-10 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Leistungstransistor-modul |
| DE3486256T2 (de) * | 1983-09-29 | 1994-05-11 | Toshiba Kawasaki Kk | Halbleiteranordnung in Druckpackung. |
| JPS60239051A (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| US4907068A (en) * | 1987-01-21 | 1990-03-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Semiconductor arrangement having at least one semiconductor body |
| US4739449A (en) * | 1987-06-30 | 1988-04-19 | Kaufman Lance R | Circuit package with thermal expansion relief chimney |
| US4879633A (en) * | 1988-04-12 | 1989-11-07 | Kaufman Lance R | Direct bond circuit assembly with ground plane |
| US4907067A (en) * | 1988-05-11 | 1990-03-06 | Texas Instruments Incorporated | Thermally efficient power device package |
-
1990
- 1990-06-26 US US07/545,218 patent/US5038197A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-06-25 KR KR1019910010577A patent/KR920001695A/ko not_active Withdrawn
- 1991-06-25 EP EP91305714A patent/EP0463847B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-06-25 DE DE69118591T patent/DE69118591T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-06-26 JP JP3182048A patent/JPH04233254A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019140418A (ja) * | 2014-01-30 | 2019-08-22 | クリー ファイエットヴィル インコーポレイテッド | 薄型で高度に構成可能な電流共有並列化広バンドギャップ電力デバイス電力モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69118591D1 (de) | 1996-05-15 |
| DE69118591T2 (de) | 1996-09-19 |
| US5038197A (en) | 1991-08-06 |
| EP0463847A2 (en) | 1992-01-02 |
| KR920001695A (ko) | 1992-01-30 |
| EP0463847B1 (en) | 1996-04-10 |
| EP0463847A3 (en) | 1992-10-28 |
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