JPH0423402B2 - - Google Patents
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- JPH0423402B2 JPH0423402B2 JP61067396A JP6739686A JPH0423402B2 JP H0423402 B2 JPH0423402 B2 JP H0423402B2 JP 61067396 A JP61067396 A JP 61067396A JP 6739686 A JP6739686 A JP 6739686A JP H0423402 B2 JPH0423402 B2 JP H0423402B2
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- electrically resistive
- resistive layer
- manufacturing
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- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/86—Vessels; Containers; Vacuum locks
- H01J29/867—Means associated with the outside of the vessel for shielding, e.g. magnetic shields
- H01J29/868—Screens covering the input or output face of the vessel, e.g. transparent anti-static coatings, X-ray absorbing layers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body
- H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body characterised by the resistive component
- H01C17/06533—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body characterised by the resistive component composed of oxides
- H01C17/0654—Oxides of the platinum group
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/58—Arrangements for focusing or reflecting ray or beam
- H01J29/62—Electrostatic lenses
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J2229/00—Details of cathode ray tubes or electron beam tubes
- H01J2229/48—Electron guns
- H01J2229/4824—Constructional arrangements of electrodes
- H01J2229/4827—Electrodes formed on surface of common cylindrical support
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- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
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- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49082—Resistor making
- Y10T29/49099—Coating resistive material on a base
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、少なくとも10Ω−cmの固有抵抗を有
する抵抗材料より成る均質電気抵抗層を絶縁基板
上に形成することにより電気抵抗層を有する装置
を製造する方法に関するものである。
する抵抗材料より成る均質電気抵抗層を絶縁基板
上に形成することにより電気抵抗層を有する装置
を製造する方法に関するものである。
上述した種類の方法では、例えばスパツタリン
グ或いは化学反応により気相から絶縁基板上に抵
抗層を堆積するのが通常である。
グ或いは化学反応により気相から絶縁基板上に抵
抗層を堆積するのが通常である。
一般的には、材料の懸濁液から出発して絶縁基
板上に電気抵抗層を形成することもできる（例え
ば米国特許第3052573号明細書参照）。この場合の
出発材料は懸濁液であり、この懸濁液から例えば
スクリーン印刷、遠心分離或いははけぬりにより
均一な薄肉層を基板上に設けうる。
板上に電気抵抗層を形成することもできる（例え
ば米国特許第3052573号明細書参照）。この場合の
出発材料は懸濁液であり、この懸濁液から例えば
スクリーン印刷、遠心分離或いははけぬりにより
均一な薄肉層を基板上に設けうる。
この目的の為に、増粘剤、乳化剤或いは有機質
の結合剤（以後単に結合剤と称する）であつて、
基板上に設けた後に適当な熱処理により分解しう
るものを懸濁液に添加することによりこの懸濁液
を適切な特性とする。
の結合剤（以後単に結合剤と称する）であつて、
基板上に設けた後に適当な熱処理により分解しう
るものを懸濁液に添加することによりこの懸濁液
を適切な特性とする。
有機添加剤を懸濁液に入れた場合、実際に充分
に大きな固有抵抗を有する電気抵抗層を得ること
ができないという欠点がある。
に大きな固有抵抗を有する電気抵抗層を得ること
ができないという欠点がある。
また、多くの抵抗性材料の抵抗は電圧に依存
し、温度に感応し、光に感応するということを確
かめた。
し、温度に感応し、光に感応するということを確
かめた。
本発明の目的の１つは、上述した欠点を少なく
とも著しく低減せしめることにある。
とも著しく低減せしめることにある。
本発明方法は、少なくとも10Ω−cmの固有抵抗
を有する抵抗材料より成る均質電気抵抗層を絶縁
基板上に形成することにより電気抵抗層を有する
装置を製造するに当たり、水酸化ルテニウムとガ
ラス粒子とを含有し、結合剤を含有しない安定な
懸濁液を用いて絶縁基板上に層を設け、加熱によ
りこの層から１〜６重量％の酸化ルテニウムを含
有する電気抵抗層を形成することを特徴とする。
を有する抵抗材料より成る均質電気抵抗層を絶縁
基板上に形成することにより電気抵抗層を有する
装置を製造するに当たり、水酸化ルテニウムとガ
ラス粒子とを含有し、結合剤を含有しない安定な
懸濁液を用いて絶縁基板上に層を設け、加熱によ
りこの層から１〜６重量％の酸化ルテニウムを含
有する電気抵抗層を形成することを特徴とする。
本発明は特に、懸濁液から基板上に薄肉な均一
層を形成するのにこの懸濁液に有機添加剤を入れ
る必要がないという事実に基づいて成したのであ
る。
層を形成するのにこの懸濁液に有機添加剤を入れ
る必要がないという事実に基づいて成したのであ
る。
通常の技術を用いた本発明方法によれば、固有
抵抗およびシート抵抗が充分に大きく、均一で引
つかきに耐え、非多孔質の電気抵抗層を再現的に
絶縁基板上に形成しうる。
抵抗およびシート抵抗が充分に大きく、均一で引
つかきに耐え、非多孔質の電気抵抗層を再現的に
絶縁基板上に形成しうる。
本発明により得る層の厚さは例えば１〜1.5μｍ
とする。酸化ルテニウムは抵抗材料であり、その
抵抗値は電圧、温度および光に多くともわずかし
か依存しない。
とする。酸化ルテニウムは抵抗材料であり、その
抵抗値は電圧、温度および光に多くともわずかし
か依存しない。
出発材料としては、ガラスと水との混合物を用
い、この混合物中で水酸化ルテニウムを沈澱させ
る。このような混合物から得た懸濁液により基板
上に特に良好な粉末層が堆積される。水酸化ルテ
ニウムの少なくとも一部分が被着しているガラス
粒子は、後の加熱処理で密閉されて容易に被着し
うる層を形成する手段の１つである。
い、この混合物中で水酸化ルテニウムを沈澱させ
る。このような混合物から得た懸濁液により基板
上に特に良好な粉末層が堆積される。水酸化ルテ
ニウムの少なくとも一部分が被着しているガラス
粒子は、後の加熱処理で密閉されて容易に被着し
うる層を形成する手段の１つである。
水酸化ルテニウムおよびガラス粒子の沈殿物を
アンモニアが添加されたアルコール中に懸濁させ
るのが好ましい。アンモニアは懸濁液を安定化さ
せる上で重要であり、このような懸濁液から特に
簡単に基板上に均一な層を設けうるということを
確かめた。
アンモニアが添加されたアルコール中に懸濁させ
るのが好ましい。アンモニアは懸濁液を安定化さ
せる上で重要であり、このような懸濁液から特に
簡単に基板上に均一な層を設けうるということを
確かめた。
アルコールとしてはイソプロパノールを用いる
のが好ましい。
のが好ましい。
絶縁基板は例えばガラスとすることができる。
最終的な電気抵抗層を形成する加熱中に水酸化ル
テニウムが酸化ルテニウムに変換され、これにガ
ラス粒子が融合し、組成および厚さに関し均一
な、酸化ルテニウムを有する層を形成する。通常
の加熱温度は例えば400〜600℃の範囲とし、この
温度に依存して抵抗値を調整しうる。
最終的な電気抵抗層を形成する加熱中に水酸化ル
テニウムが酸化ルテニウムに変換され、これにガ
ラス粒子が融合し、組成および厚さに関し均一
な、酸化ルテニウムを有する層を形成する。通常
の加熱温度は例えば400〜600℃の範囲とし、この
温度に依存して抵抗値を調整しうる。
ガラス粒子は酸化ルテニウムと融合するも、こ
のことは加熱中にこれらガラス粒子が不所望に大
きな領域に亘つて流れるということを意味するも
のではない。一方、加熱前に層に与えられている
寸法が加熱中も加熱後も正確に維持されていると
いうことを確かめた。
のことは加熱中にこれらガラス粒子が不所望に大
きな領域に亘つて流れるということを意味するも
のではない。一方、加熱前に層に与えられている
寸法が加熱中も加熱後も正確に維持されていると
いうことを確かめた。
従つて本発明方法の実施例では、懸濁液を用い
て絶縁基板上に層を設けた後で加熱前にこの層に
何も行わずに形状処理のみを行うのがしばしば有
利である。
て絶縁基板上に層を設けた後で加熱前にこの層に
何も行わずに形状処理のみを行うのがしばしば有
利である。
この形状処理は種々の手段によつて行ないう
る。例えば光化学技術を用いることができる。簡
単化の為には機械的な形状処理を用いるのが有利
である。
る。例えば光化学技術を用いることができる。簡
単化の為には機械的な形状処理を用いるのが有利
である。
本発明による方法に用いる懸濁液は安定である
為、このような懸濁液の層を基板上に再現的に設
けることができるということを確めた。また、層
を設ける基板の形状はそれほど臨界的でないとい
うことも確かめた。
為、このような懸濁液の層を基板上に再現的に設
けることができるということを確めた。また、層
を設ける基板の形状はそれほど臨界的でないとい
うことも確かめた。
本発明による方法の実施例では、懸濁液を用い
て絶縁基板としての中空管の内面上に層を設ける
のが好ましい。
て絶縁基板としての中空管の内面上に層を設ける
のが好ましい。
この層は、懸濁液を中空管内に所望の高さまで
注入し、次にこの懸濁液を中空管から排出させる
ことにより設けるのが簡単化および経済性の点で
好ましい。
注入し、次にこの懸濁液を中空管から排出させる
ことにより設けるのが簡単化および経済性の点で
好ましい。
懸濁液を用いて基板上に形成する層は形状処理
が依然として可能なように設ける。例えば、中空
管の内面上の非加熱層を機械的な形状処理により
らせん状にするのが好ましい。
が依然として可能なように設ける。例えば、中空
管の内面上の非加熱層を機械的な形状処理により
らせん状にするのが好ましい。
加熱後、らせんの形状は極めて良好なものであ
る為、らせんのピツチやらせんの巻回間の距離は
極めて臨界的であるも、これらの双方を短くする
ことができる。らせんの巻回間の距離は例えば
50μｍとすることができる。らせんの全長に亘つ
て印加される電圧は、これら巻回間にフラツシオ
ーバを生ぜしめることなく極めて大きくすること
ができる。相互距離を50μｍとした２つの巻回間
のフラツシオーバ電圧はしばしば1.5KVよりも大
きくなる。
る為、らせんのピツチやらせんの巻回間の距離は
極めて臨界的であるも、これらの双方を短くする
ことができる。らせんの巻回間の距離は例えば
50μｍとすることができる。らせんの全長に亘つ
て印加される電圧は、これら巻回間にフラツシオ
ーバを生ぜしめることなく極めて大きくすること
ができる。相互距離を50μｍとした２つの巻回間
のフラツシオーバ電圧はしばしば1.5KVよりも大
きくなる。
従つて、本発明による方法によつて製造した中
空管の形態の装置は陰極線管、例えば投写型テレ
ビジヨン表示管として用いることができる。この
陰極線管は表示窓と、コーン（フアンネル）と、
ネツクとより成るガラス管器を有し、ネツク内に
少なくとも１つの集束電極を有する電子銃が設け
られている。
空管の形態の装置は陰極線管、例えば投写型テレ
ビジヨン表示管として用いることができる。この
陰極線管は表示窓と、コーン（フアンネル）と、
ネツクとより成るガラス管器を有し、ネツク内に
少なくとも１つの集束電極を有する電子銃が設け
られている。
前記の陰極線管中の集束電極は本発明による方
法を用いることにより得られ、この集束電極は内
部にらせん抵抗層が設けられた中空管の形態とす
る。この抵抗層は分圧器として作用し、この分圧
器により数個の収差を有する電子レンズにとつて
必要な所望の電位をガラス管の内面上に得る。所
望の電位はらせんのピツチ、らせんの巻回間の距
離およびらせん抵抗層の抵抗値のいずれか又は任
意の組合せを変えることにより得られる。陰極線
間のネツクの直径も小さく選択しうる。抵抗層は
例えば、ガラス管器の内面上に設けることができ
る。
法を用いることにより得られ、この集束電極は内
部にらせん抵抗層が設けられた中空管の形態とす
る。この抵抗層は分圧器として作用し、この分圧
器により数個の収差を有する電子レンズにとつて
必要な所望の電位をガラス管の内面上に得る。所
望の電位はらせんのピツチ、らせんの巻回間の距
離およびらせん抵抗層の抵抗値のいずれか又は任
意の組合せを変えることにより得られる。陰極線
間のネツクの直径も小さく選択しうる。抵抗層は
例えば、ガラス管器の内面上に設けることができ
る。
本発明による方法の他の有効な適用例では、表
示窓と、コーンと、ネツクとより成るガラス管器
を具える陰極線管であつて、前記のネツク内に少
なくとも１つの集束電極を有する電子銃が設けら
れ、前記のネツクの内壁上に帯電防止層が設けら
れている陰極線管が得られる。上記の帯電防止層
は本発明による方法を用いることにより得られ
る。この帯電防止層はネツクがあまりにも高い電
位に帯電されるのを防止する。
示窓と、コーンと、ネツクとより成るガラス管器
を具える陰極線管であつて、前記のネツク内に少
なくとも１つの集束電極を有する電子銃が設けら
れ、前記のネツクの内壁上に帯電防止層が設けら
れている陰極線管が得られる。上記の帯電防止層
は本発明による方法を用いることにより得られ
る。この帯電防止層はネツクがあまりにも高い電
位に帯電されるのを防止する。
本発明による方法によれば、少なくとも40KV
までの電圧の際に用いる高オーム抵抗を得ること
ができる。
までの電圧の際に用いる高オーム抵抗を得ること
ができる。
図面につき本発明を説明する。
装置の製造に当つて、少なくとも10Ω−cmの固
有抵抗を有する抵抗材料の均一電気抵抗層１（第
４図）を絶縁基板２上に形成する。
有抵抗を有する抵抗材料の均一電気抵抗層１（第
４図）を絶縁基板２上に形成する。
再現性があり、均一な高固有抵抗の電気抵抗層
を絶縁基板上に得る為に、本発明によれば、水酸
化ルテニウムとガラス粒子とを含有し、結合剤を
含有しない安定な懸濁液を用いて絶縁基板２上に
層を設け、加熱によりこの層から１〜６重量％の
酸化ルテニウムを含有する電気抵抗層１を形成す
る。
を絶縁基板上に得る為に、本発明によれば、水酸
化ルテニウムとガラス粒子とを含有し、結合剤を
含有しない安定な懸濁液を用いて絶縁基板２上に
層を設け、加熱によりこの層から１〜６重量％の
酸化ルテニウムを含有する電気抵抗層１を形成す
る。
ガラスエナメルの熱膨張係数は基板材料とほぼ
同じにし、軟化点は基板材料よりも低くするのが
好ましい。本発明を表示管に適用する場合には、
基板を鉛ガラス、例えば62.4重量％のSiO2と、21
重量％のPbOと、7.3重量％のK2Oと、6.8重量％
のNa2Oと1.3重量％のAl2O3と、他の数種類の少
量の成分とを含有する種類の鉛ガラスとすること
ができる。この特定のガラスの軟化点は640℃で
ある。この場合の適切なガラスエナメルは、80重
量％のPbOと、16重量％のB2O3と、４重量％の
ZnOとを含有する硼酸鉛ガラスであり、その軟化
点は400℃である。他の適切なガラスエナメルは、
77.2重量％のPbOと13.3重量％のB2O3と、5.5重
量％のAl2O3と、２重量％のZnOと、他の数種類
の少量の成分とを含有する187型（軟化点：415
℃）や、68.1重量％のPbOと、17.9重量％のB2O3
と、８重量％のZnOと、３重量％のAl2O3と、３
重量％のSiO2とを含有する215型（軟化点：454
℃）である。
同じにし、軟化点は基板材料よりも低くするのが
好ましい。本発明を表示管に適用する場合には、
基板を鉛ガラス、例えば62.4重量％のSiO2と、21
重量％のPbOと、7.3重量％のK2Oと、6.8重量％
のNa2Oと1.3重量％のAl2O3と、他の数種類の少
量の成分とを含有する種類の鉛ガラスとすること
ができる。この特定のガラスの軟化点は640℃で
ある。この場合の適切なガラスエナメルは、80重
量％のPbOと、16重量％のB2O3と、４重量％の
ZnOとを含有する硼酸鉛ガラスであり、その軟化
点は400℃である。他の適切なガラスエナメルは、
77.2重量％のPbOと13.3重量％のB2O3と、5.5重
量％のAl2O3と、２重量％のZnOと、他の数種類
の少量の成分とを含有する187型（軟化点：415
℃）や、68.1重量％のPbOと、17.9重量％のB2O3
と、８重量％のZnOと、３重量％のAl2O3と、３
重量％のSiO2とを含有する215型（軟化点：454
℃）である。
最初にビーカー中でガラスエナメル粉末を水と
混合することにより充分に粘性のある懸濁液を得
ることができる。この混合液には、塩化ルテニウ
ム（RuCl3）を水に溶解させたものを加える。こ
の混合液中にアンモニアを加えることにより水酸
化ルテニウムを沈殿させる。
混合することにより充分に粘性のある懸濁液を得
ることができる。この混合液には、塩化ルテニウ
ム（RuCl3）を水に溶解させたものを加える。こ
の混合液中にアンモニアを加えることにより水酸
化ルテニウムを沈殿させる。
次に、この混合液を静置させ、その後に水をサ
イホン処理により除去し、沈殿物を乾燥させる。
イホン処理により除去し、沈殿物を乾燥させる。
乾燥したこの沈殿物をボールミル内に入れ、こ
れにイソプロパノールとアンモニアとを加える。
次に粉砕を約140時間行い、良好な混合を達成す
るとともに生じるおそれのなる粗粒子を粉状にす
る。
れにイソプロパノールとアンモニアとを加える。
次に粉砕を約140時間行い、良好な混合を達成す
るとともに生じるおそれのなる粗粒子を粉状にす
る。
これにより得た安定な懸濁液によりガラス表面
を極めて均一な抵抗粉末層で被覆しうる。この粉
末層を加熱することにより電気抵抗層が形成され
る。
を極めて均一な抵抗粉末層で被覆しうる。この粉
末層を加熱することにより電気抵抗層が形成され
る。
得られる抵抗層は層の厚さ、酸化ルテニウムの
割合、加熱温度および加熱時間に依存する。酸化
ルテニウムが１重量％よりも低い場合には電気抵
抗層は充分に導電性とならず、６重量％よりも高
い場合には抵抗値があまりにも低くなりすぎる。
割合、加熱温度および加熱時間に依存する。酸化
ルテニウムが１重量％よりも低い場合には電気抵
抗層は充分に導電性とならず、６重量％よりも高
い場合には抵抗値があまりにも低くなりすぎる。
第１図では抵抗層中の酸化ルテニウムの割合を
３重量％とし、加熱を10分間行つた。
３重量％とし、加熱を10分間行つた。
第２図でも、抵抗層中の酸化ルテニウムの割合
を３重量％とし、また加熱は500℃で行つた。
を３重量％とし、また加熱は500℃で行つた。
第３図では、抵抗層中の酸化ルテニウムの割合
を２重量％とし、加熱温度を500℃とした。電気
抵抗層の厚さは例えば１〜1.5μｍとすることがで
きる。
を２重量％とし、加熱温度を500℃とした。電気
抵抗層の厚さは例えば１〜1.5μｍとすることがで
きる。
所定の加熱温度で所定の抵抗値に相当する加熱
時間を用いることにより所定の所望抵抗値を極め
て簡単に得ることができるということを実際に確
かめた。
時間を用いることにより所定の所望抵抗値を極め
て簡単に得ることができるということを実際に確
かめた。
電気抵抗層を特別な形状とすることができる。
形状処理は、抵抗層を絶縁基板上に設けた後でこ
の層を加熱する前に行う。機械的な形状処理を用
いるのが有利である。
形状処理は、抵抗層を絶縁基板上に設けた後でこ
の層を加熱する前に行う。機械的な形状処理を用
いるのが有利である。
例えば第４図に示すように中空のガラス管２内
に懸濁液から層１を設ける。この処理は例えば懸
濁液をガラス管２内に所望の高さまで流し込み、
次にこの懸濁液を排出させ、その後にガラス管２
の内面上の層を引かき手段によりらせん形状にす
ることにより行う。
に懸濁液から層１を設ける。この処理は例えば懸
濁液をガラス管２内に所望の高さまで流し込み、
次にこの懸濁液を排出させ、その後にガラス管２
の内面上の層を引かき手段によりらせん形状にす
ることにより行う。
形成されたこのらせんコイル形状の抵抗層は加
熱後最終的に丸まつた巻回３を有する（第５図参
照）。これにより、隣接する巻回間のフラツシオ
ーバ電圧は極めて高くなるということを確かめ
た。巻回間の間隔は例えば50μｍとし、巻回のピ
ツチは300μｍとする。
熱後最終的に丸まつた巻回３を有する（第５図参
照）。これにより、隣接する巻回間のフラツシオ
ーバ電圧は極めて高くなるということを確かめ
た。巻回間の間隔は例えば50μｍとし、巻回のピ
ツチは300μｍとする。
このようならせんコイル状の抵抗層は、例えば
ピツチを変えたり、巻回間の間隔を変えたり、或
いは抵抗値を変えたりすることにより陰極線管に
おける分圧器として作用せしめることができる。
ピツチを変えたり、巻回間の間隔を変えたり、或
いは抵抗値を変えたりすることにより陰極線管に
おける分圧器として作用せしめることができる。
しばしば用いられている集束レンズは比較的大
きな直径を有しており、その中央部分のみを用い
て球面収差を無くしている。本発明方法により得
たらせんコイル状の抵抗層を集束レンズとして用
いると、電子銃およびネツクの直径が極めて小さ
い陰極線管を用いることができ、その集束レンズ
の電圧分布は大きな直径の従来のレンズの中央部
分と同じとなり、従つて球面収差が小さくなる。
きな直径を有しており、その中央部分のみを用い
て球面収差を無くしている。本発明方法により得
たらせんコイル状の抵抗層を集束レンズとして用
いると、電子銃およびネツクの直径が極めて小さ
い陰極線管を用いることができ、その集束レンズ
の電圧分布は大きな直径の従来のレンズの中央部
分と同じとなり、従つて球面収差が小さくなる。
この場合は本発明による陰極線管（第６図参
照）の場合である。この陰極線管は表示窓６２
と、コーン（フアンネル）６３と、ネツク６４と
より成るガラス管器６１を有する。ネツチ６４内
にはコイル状の集束電極６６を有する電子銃６５
が存在する。このコイル状集束電極は本発明によ
る方法により前述したようにして得る。これによ
り集束に必要とする電圧分布が得られる。
照）の場合である。この陰極線管は表示窓６２
と、コーン（フアンネル）６３と、ネツク６４と
より成るガラス管器６１を有する。ネツチ６４内
にはコイル状の集束電極６６を有する電子銃６５
が存在する。このコイル状集束電極は本発明によ
る方法により前述したようにして得る。これによ
り集束に必要とする電圧分布が得られる。
本発明による方法により得た抵抗層はコイルと
するかしないかにかかわらず、陰極線管のネツク
内の電位があまり高くならないようにする帯電防
止層として用いることもできる。
するかしないかにかかわらず、陰極線管のネツク
内の電位があまり高くならないようにする帯電防
止層として用いることもできる。
この場合（第７図参照）、陰極線管は表示窓７
２と、コーン７３と、ネツク７４とより成るガラ
ス管器７１を有し、ネツク内には集束電極７６を
有する電子銃７５が設けられている。ネツク７４
の内壁には帯電防止層７７を例えば前述した本発
明による方法により得るらせんコイル状の抵抗層
の形態で設ける。
２と、コーン７３と、ネツク７４とより成るガラ
ス管器７１を有し、ネツク内には集束電極７６を
有する電子銃７５が設けられている。ネツク７４
の内壁には帯電防止層７７を例えば前述した本発
明による方法により得るらせんコイル状の抵抗層
の形態で設ける。
本発明による方法の他の適用分野では、前述し
た本発明方法により適切な絶縁セラミツク基板上
に或いはガラス管８１（第８図参照）内にらせん
コイル状の電気抵抗層８２を設けることにより、
高電圧時に用いる高オーム抵抗を得る。
た本発明方法により適切な絶縁セラミツク基板上
に或いはガラス管８１（第８図参照）内にらせん
コイル状の電気抵抗層８２を設けることにより、
高電圧時に用いる高オーム抵抗を得る。
この抵抗には通常のようにして金属接点８３を
設ける。
設ける。
本発明は上述した例に限定されないこと勿論で
ある。例えば、前述したコイル状抵抗層をカラー
テレビジヨン表示管（特開昭60−208027号公報）
において３電子ビームをコンバーゼンス（集中）
させるのにも用いることができる。その他種々の
変形が可能であること当業者にとつて明らかであ
る。
ある。例えば、前述したコイル状抵抗層をカラー
テレビジヨン表示管（特開昭60−208027号公報）
において３電子ビームをコンバーゼンス（集中）
させるのにも用いることができる。その他種々の
変形が可能であること当業者にとつて明らかであ
る。
第１図は、本発明の方法により得た所定の組成
の抵抗層を固有抵抗ρ（Ω−cm）と加熱温度Ｔ
（℃）との関係を所定の加熱時間で示す線図、第
２図は、本発明の方法により得た、第１図の場合
の層と同じ組成の抵抗層の固有抵抗ρ（Ω−cm）
と加熱時間ｔ（min：分）との関係を所定の加熱
温度で示す線図、第３図は、本発明の方法により
得た、第１および２図の場合の抵抗層の組成とは
異なる組成の抵抗層の固有抵抗ρ（Ω−cm）と加
熱時間ｔ（min：分）との関係を同じ加熱温度で
示す線図、第４および５図は、本発明方法による
装置を順次の製造工程で示す部分的断面図、第６
図は、本発明方法により得た陰極線管の一部を示
す線図的断面図、第７図は、本発明方法により得
た他の陰極線管の一部を示す線図的断面図、第８
図は、本発明方法を用いることにより得た抵抗の
一部を示す線図的断面図である。 １，８２……電気抵抗層、２……絶縁基板、３
……１の巻回、６１，７１……ガラス管器、６
２，７２……表示窓、６３，７３……コーン、６
４，７４……ネツク、６５，７５……電子銃、６
６，７６……集束電極、７７……帯電防止層、８
１……ガラス管、８３……金属接点。
の抵抗層を固有抵抗ρ（Ω−cm）と加熱温度Ｔ
（℃）との関係を所定の加熱時間で示す線図、第
２図は、本発明の方法により得た、第１図の場合
の層と同じ組成の抵抗層の固有抵抗ρ（Ω−cm）
と加熱時間ｔ（min：分）との関係を所定の加熱
温度で示す線図、第３図は、本発明の方法により
得た、第１および２図の場合の抵抗層の組成とは
異なる組成の抵抗層の固有抵抗ρ（Ω−cm）と加
熱時間ｔ（min：分）との関係を同じ加熱温度で
示す線図、第４および５図は、本発明方法による
装置を順次の製造工程で示す部分的断面図、第６
図は、本発明方法により得た陰極線管の一部を示
す線図的断面図、第７図は、本発明方法により得
た他の陰極線管の一部を示す線図的断面図、第８
図は、本発明方法を用いることにより得た抵抗の
一部を示す線図的断面図である。 １，８２……電気抵抗層、２……絶縁基板、３
……１の巻回、６１，７１……ガラス管器、６
２，７２……表示窓、６３，７３……コーン、６
４，７４……ネツク、６５，７５……電子銃、６
６，７６……集束電極、７７……帯電防止層、８
１……ガラス管、８３……金属接点。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 少なくとも10Ω−cmの固有抵抗を有する抵抗
材料より成る均質電気抵抗層を絶縁基板上に形成
することにより電気抵抗層を有する装置を製造す
るに当たり、水酸化ルテニウムとガラス粒子とを
含有し、結合剤を含有しない安定な懸濁液を用い
て絶縁基板上に層を設け、加熱によりこの層から
１〜６重量％の酸化ルテニウムを含有する電気抵
抗層を形成することを特徴とする電気抵抗層を有
する装置の製造方法。 ２ 特許請求の範囲第１に項記載の電気抵抗層を
有する装置の製造方法において、前記の懸濁液
は、水酸化ルテニウムが沈澱した、ガラス粒子と
水との混合液を以つて形成することを特徴とする
電気抵抗層を有する装置の製造方法。 ３ 特許請求の範囲第２項に記載の電気抵抗層を
有する装置の製造方法において、水酸化ルテニウ
ムの沈澱物とガラス粒子とをアルコール中で懸濁
させ、これにアンモニアを加えることを特徴とす
る電気抵抗層を有する装置の製造方法。 ４ 特許請求の範囲第３項に記載の電気抵抗層を
有する装置の製造方法において、アルコールとし
てイソプロパノールを用いることを特徴とする電
気抵抗層を有する装置の製造方法。 ５ 特許請求の範囲第１〜４項のいずれか１項に
記載の電気抵抗層を有する装置の製造方法におい
て、前記の懸濁液を用いて絶縁基板上に層を設け
た後でこの層を加熱する前にこの層を形状処理す
ることを特徴とする電気抵抗層を有する装置の製
造方法。 ６ 特許請求の範囲第５項に記載の電気抵抗層を
有する装置の製造方法において、機械的な形状処
理を用いることを特徴とする電気抵抗層を有する
装置の製造方法。 ７ 特許請求の範囲第１〜６項のいずれか１項に
記載の電気抵抗層を有する装置の製造方法におい
て、前記の懸濁液を用いて絶縁基板としての中空
管の内面上に層を設けることを特徴とする電気抵
抗層を有する装置の製造方法。 ８ 特許請求の範囲第７項に記載の電気抵抗層を
有する装置の製造方法において、前記の懸濁液を
用い、この懸濁液を中空管内に所望の高さまで流
し込み、次にこの懸濁液を中空管から排出させる
ことにより層を設けることを特徴とする電気抵抗
層を有する装置の製造方法。 ９ 特許請求の範囲第６項に記載の電気抵抗層を
有する装置の製造方法において、前記の懸濁液を
用いて絶縁基板としての中空管の内面上に層を設
け、この層を機械的にらせん形状にすることを特
徴とする電気抵抗層を有する装置の製造方法。 １０ 特許請求の範囲第６項に記載の電気抵抗層
を有する装置の製造方法において、前記の懸濁液
を用い、この懸濁液を中空管内に所望の高さまで
流し込み、次にこの懸濁液を中空管から排出させ
ることにより層を設け、中空管の内面上のこの層
を機械的にらせん形状にすることを特徴とする電
気抵抗層を有する装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8500905 | 1985-03-28 | ||
| NL8500905A NL8500905A (nl) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting met een elektrische weerstandslaag en toepassing van de werkwijze. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61224402A JPS61224402A (ja) | 1986-10-06 |
| JPH0423402B2 true JPH0423402B2 (ja) | 1992-04-22 |
Family
ID=19845748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61067396A Granted JPS61224402A (ja) | 1985-03-28 | 1986-03-27 | 電気抵抗層を有する装置の製造方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4713879A (ja) |
| EP (1) | EP0197584B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61224402A (ja) |
| KR (1) | KR940004368B1 (ja) |
| CA (1) | CA1249954A (ja) |
| DE (1) | DE3680015D1 (ja) |
| ES (1) | ES8705696A1 (ja) |
| NL (1) | NL8500905A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8600391A (nl) * | 1986-02-17 | 1987-09-16 | Philips Nv | Kathodestraalbuis en werkwijze voor het vervaardigen van een kathodestraalbuis. |
| GB8701289D0 (en) * | 1987-01-21 | 1987-02-25 | Philips Nv | Electron beam device |
| GB8707169D0 (en) * | 1987-03-25 | 1987-04-29 | Philips Nv | Electron beam device |
| GB8707170D0 (en) * | 1987-03-25 | 1987-04-29 | Philips Nv | Electron beam device |
| EP0497902A1 (en) * | 1989-10-26 | 1992-08-12 | Eastman Kodak Company | Poly(1,4-cyclohexylene dimethylene terephthalate) molding compositions |
| JP3219450B2 (ja) * | 1992-01-24 | 2001-10-15 | 旭硝子株式会社 | 導電膜の製造方法、低反射導電膜とその製造方法 |
| US5510670A (en) * | 1994-07-19 | 1996-04-23 | Philips Electronics North American Corporation | Electron beam device having a glass envelope and a focussing lens provided thereon |
| JP2002515165A (ja) * | 1994-07-19 | 2002-05-21 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 抵抗性集束レンズ構造を有する電子ビームデバイス及びこのデバイスの製造方法 |
| JPH09293465A (ja) * | 1995-11-28 | 1997-11-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 陰極線管用抵抗体の製造方法 |
| KR100278769B1 (ko) * | 1996-04-18 | 2001-02-01 | 모리시타 요이찌 | 음극선관및그제조방법 |
| JP3546729B2 (ja) * | 1998-12-21 | 2004-07-28 | 松下電器産業株式会社 | 電子銃、電子銃の製造方法、陰極線管装置 |
| JP2001093448A (ja) * | 1999-09-21 | 2001-04-06 | Matsushita Electronics Industry Corp | 陰極線管 |
| US11037709B2 (en) * | 2018-03-26 | 2021-06-15 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Varistor and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1835582A (en) * | 1928-03-30 | 1931-12-08 | Stratford B Allen | Resistance unit |
| US3375390A (en) * | 1966-01-03 | 1968-03-26 | Gen Electric | Electron optical system having spiral collimating electrode adjacent the target |
| GB1195833A (en) * | 1966-06-14 | 1970-06-24 | Plessey Co Ltd | Improvements in or relating to Resistors |
| NL137152C (ja) * | 1966-10-24 | |||
| GB1256507A (ja) * | 1968-04-10 | 1971-12-08 | ||
| US3673117A (en) * | 1969-12-19 | 1972-06-27 | Methode Dev Co | Electrical resistant material |
| GB1327760A (en) * | 1969-12-22 | 1973-08-22 | Imp Metal Ind Kynoch Ltd | Electrodes |
| JPS5023591B1 (ja) * | 1970-01-23 | 1975-08-08 | ||
| US3748514A (en) * | 1971-08-18 | 1973-07-24 | A Standaart | Multi-beam cathode ray tube character display |
| GB1353872A (en) * | 1972-07-05 | 1974-05-22 | Thorn Electrical Ind Ltd | Cathode ray tubes |
| JPS539400A (en) * | 1976-07-14 | 1978-01-27 | Japan Tobacco Inc | Method for increasing packing capacity of tobacco |
| JPS5915629B2 (ja) * | 1977-09-12 | 1984-04-10 | 協和醗酵工業株式会社 | 抗生物質の製造法 |
| US4130671A (en) * | 1977-09-30 | 1978-12-19 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method for preparing a thick film conductor |
| US4561996A (en) * | 1977-10-05 | 1985-12-31 | Cts Corporation | Electrical resistor and method of making the same |
| US4366042A (en) * | 1981-03-25 | 1982-12-28 | The Dow Chemical Company | Substituted cobalt oxide spinels |
| JPS583201A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-10 | アルプス電気株式会社 | 抵抗ペ−スト及び該抵抗ペ−ストを用いて作製した厚膜集積回路及びサ−マルヘツドとその製造方法 |
-
1985
- 1985-03-28 NL NL8500905A patent/NL8500905A/nl not_active Application Discontinuation
-
1986
- 1986-03-21 EP EP86200480A patent/EP0197584B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-03-21 DE DE8686200480T patent/DE3680015D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-03-24 US US06/843,329 patent/US4713879A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-03-25 ES ES553361A patent/ES8705696A1/es not_active Expired
- 1986-03-27 JP JP61067396A patent/JPS61224402A/ja active Granted
- 1986-03-27 CA CA000505471A patent/CA1249954A/en not_active Expired
- 1986-03-28 KR KR1019860002342A patent/KR940004368B1/ko not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0197584B1 (en) | 1991-07-03 |
| NL8500905A (nl) | 1986-10-16 |
| CA1249954A (en) | 1989-02-14 |
| EP0197584A1 (en) | 1986-10-15 |
| ES553361A0 (es) | 1987-05-01 |
| JPS61224402A (ja) | 1986-10-06 |
| KR860007686A (ko) | 1986-10-15 |
| US4713879A (en) | 1987-12-22 |
| ES8705696A1 (es) | 1987-05-01 |
| DE3680015D1 (de) | 1991-08-08 |
| KR940004368B1 (ko) | 1994-05-23 |
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