JPH04234459A - 極性ポリマーと脱ドーピングした導電性ポリマーとの混合物及びその製法 - Google Patents
極性ポリマーと脱ドーピングした導電性ポリマーとの混合物及びその製法Info
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- JPH04234459A JPH04234459A JP3220434A JP22043491A JPH04234459A JP H04234459 A JPH04234459 A JP H04234459A JP 3220434 A JP3220434 A JP 3220434A JP 22043491 A JP22043491 A JP 22043491A JP H04234459 A JPH04234459 A JP H04234459A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一方では極性ポリマー
、例えば公知のフッソ化ポリマー、特にフッ化ビニリデ
ンのホモポリマーまたはコポリマーと、他方では「導電
性」と呼ばれるが、脱ドーピングされているポリマーの
部類に属し、極性となし得るポリマーとを含むポリマー
混合物、このような混合物の製法およびこれらの電子、
光電気、電気並びに電気機械的装置における利用に関す
る。
、例えば公知のフッソ化ポリマー、特にフッ化ビニリデ
ンのホモポリマーまたはコポリマーと、他方では「導電
性」と呼ばれるが、脱ドーピングされているポリマーの
部類に属し、極性となし得るポリマーとを含むポリマー
混合物、このような混合物の製法およびこれらの電子、
光電気、電気並びに電気機械的装置における利用に関す
る。
【０００２】
【従来技術】一般に、ポリアセチレン、ポリピロ−ル、
ポリインド−ル、ポリアニリン、ポリフェニレンおよび
ポリチオフェン等の数種のポリマーが知られており、こ
れらはドーパントと呼ばれる特定の化学試薬の存在下で
、電気化学的または化学的経路を通して生成された場合
に、導電性を有する。これが、該ポリマーが、特にエネ
ルギ−貯蔵装置、例えば蓄電池、充電可能な蓄電池、コ
ンデンサ−など、あるいはエレクトロクロミック装置も
しくはそれらのレドックス状態に応じて導電体となる装
置などにおける用途を有する所以である。
ポリインド−ル、ポリアニリン、ポリフェニレンおよび
ポリチオフェン等の数種のポリマーが知られており、こ
れらはドーパントと呼ばれる特定の化学試薬の存在下で
、電気化学的または化学的経路を通して生成された場合
に、導電性を有する。これが、該ポリマーが、特にエネ
ルギ−貯蔵装置、例えば蓄電池、充電可能な蓄電池、コ
ンデンサ−など、あるいはエレクトロクロミック装置も
しくはそれらのレドックス状態に応じて導電体となる装
置などにおける用途を有する所以である。
【０００３】これらのポリマーを脱ドーピング（ｄｅｄ
ｏｐｉｎｇ）処理にかけた場合、これら導体ポリマーは
その導電性を失い、丁度公知の非導電性ポリマーと同様
なものとなる。この特性は、見掛け上は何等特別な工業
的有用性をもたらさない。というのは、従来のポリマー
が絶縁性の製品であって、しかも経済的な条件の下で得
ることができるからである。
ｏｐｉｎｇ）処理にかけた場合、これら導体ポリマーは
その導電性を失い、丁度公知の非導電性ポリマーと同様
なものとなる。この特性は、見掛け上は何等特別な工業
的有用性をもたらさない。というのは、従来のポリマー
が絶縁性の製品であって、しかも経済的な条件の下で得
ることができるからである。
【０００４】他方、非導電性ポリマーとしての極性ポリ
マー、例えば上で「公知」と呼んだフッ化ポリマー（ホ
モポリマーまたはコポリマー）があり、これらは一般に
耐熱性および化学試薬に対して不活性なものとして知ら
れている。いくつかのこれらのフッソ化極性ポリマー、
例えばフッ化ビニリデンから誘導されるポリマーも圧電
特性、パイロ電気特性、強誘電特性および幾分かの誘電
特性などの特別な性質を有する。フッ化ビニリデンおよ
びビニリデントリフルオライドのコポリマー（キュ−リ
−温度はその融点よりも低い）についてみられるこのよ
うな諸特性、特に強誘電性はＵＳＰ４，７３１，７５４
に記載されており、かつ消去可能メモリ−光ディスクの
製造のために利用されている。
マー、例えば上で「公知」と呼んだフッ化ポリマー（ホ
モポリマーまたはコポリマー）があり、これらは一般に
耐熱性および化学試薬に対して不活性なものとして知ら
れている。いくつかのこれらのフッソ化極性ポリマー、
例えばフッ化ビニリデンから誘導されるポリマーも圧電
特性、パイロ電気特性、強誘電特性および幾分かの誘電
特性などの特別な性質を有する。フッ化ビニリデンおよ
びビニリデントリフルオライドのコポリマー（キュ−リ
−温度はその融点よりも低い）についてみられるこのよ
うな諸特性、特に強誘電性はＵＳＰ４，７３１，７５４
に記載されており、かつ消去可能メモリ−光ディスクの
製造のために利用されている。
【０００５】しかしながら、かかるポリマーにより達成
される該圧電特性、パイロ電気特性、強誘電特性および
誘電特性はどちらかといえば並のレベルであり、すべて
の場合において、意図された該ポリマーまたはコポリマ
ーの正確な化学的特性に固有のものであり、かつこれら
に由来するものである。
される該圧電特性、パイロ電気特性、強誘電特性および
誘電特性はどちらかといえば並のレベルであり、すべて
の場合において、意図された該ポリマーまたはコポリマ
ーの正確な化学的特性に固有のものであり、かつこれら
に由来するものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、極性
ポリマーと、脱ドーピングされたポリマーとを含むポリ
マー混合物およびこのような混合物の製法を提供するこ
とにあり、またこれらの混合物を電子、光電気、電気並
びに電気機械的装置において利用することをも目的とす
る。
ポリマーと、脱ドーピングされたポリマーとを含むポリ
マー混合物およびこのような混合物の製法を提供するこ
とにあり、またこれらの混合物を電子、光電気、電気並
びに電気機械的装置において利用することをも目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記のポリマーと、脱ド
ーピング「導電性」ポリマーとから、緻密な混合物が生
成できれば、該ポリマーの圧電特性、パイロ電気特性、
強誘電特性および／または誘電特性の値を増大し得るこ
とがわかった。更に、これらのパラメータは、該混合物
中に存在する該２種の型のポリマーの割合を任意に調節
することにより定量的に改善することができる。
ーピング「導電性」ポリマーとから、緻密な混合物が生
成できれば、該ポリマーの圧電特性、パイロ電気特性、
強誘電特性および／または誘電特性の値を増大し得るこ
とがわかった。更に、これらのパラメータは、該混合物
中に存在する該２種の型のポリマーの割合を任意に調節
することにより定量的に改善することができる。
【０００８】より詳しく言えば、本発明は「導電性」ポ
リマーとして知られているポリマーと、極性ポリマーと
の混合物に係わり、該混合物において該導電性ポリマー
は脱ドーピングされている。該「導電性」ポリマーが恒
久的に脱ドーピングされていることが好ましい。これら
の条件の下で、得られる該混合物は圧電、パイロ電気、
強誘電および誘電作用の点で顕著な特性を有し、様々な
分野、例えばコンデンサ−、検出器、アクチュエ−タ、
および種々の光学的相互作用、特にカ−効果およびポッ
ケルス効果に関連した電子光学的変調器並びに整流子に
おいて利用し得る。
リマーとして知られているポリマーと、極性ポリマーと
の混合物に係わり、該混合物において該導電性ポリマー
は脱ドーピングされている。該「導電性」ポリマーが恒
久的に脱ドーピングされていることが好ましい。これら
の条件の下で、得られる該混合物は圧電、パイロ電気、
強誘電および誘電作用の点で顕著な特性を有し、様々な
分野、例えばコンデンサ−、検出器、アクチュエ−タ、
および種々の光学的相互作用、特にカ−効果およびポッ
ケルス効果に関連した電子光学的変調器並びに整流子に
おいて利用し得る。
【０００９】事実、意図した該ポリマー混合物の該「導
電性」ポリマー部分を脱ドーピングすることにより生ず
る特性のために、定量的にも定性的にも該２種の型のポ
リマーの各々の特性とは異なった特性を有するポリマー
混合物を得ることができ、かつその特性も調節可能のも
のとなる。導電性ポリマーとは、該ポリマーの基本的分
子構造に影響を与えることなく除去し得る有機または無
機イオンの存在のために、該ポリマーと還元または酸化
型ドーピング剤との間の電子の移動により、あるいは適
当な電極により、該ポリマーに導入された導電性を有す
る任意のポリマーを意味するものと理解される。この種
のポリマーの例は、特にポリアセチレン、ポリピロ−ル
、ポリインド−ル、ポリアニリン、ポリフェニレンおよ
びポリチオフェンホモポリマーまたはコポリマーであり
、その導電性は公知の脱ドーピングまたは任意の適当な
手順により１０−４Ｓ ・ ｃｍ−１以下、および好ま
しくは１０−６Ｓ ・ ｃｍ−１以下の値まで下げられ
ている。
電性」ポリマー部分を脱ドーピングすることにより生ず
る特性のために、定量的にも定性的にも該２種の型のポ
リマーの各々の特性とは異なった特性を有するポリマー
混合物を得ることができ、かつその特性も調節可能のも
のとなる。導電性ポリマーとは、該ポリマーの基本的分
子構造に影響を与えることなく除去し得る有機または無
機イオンの存在のために、該ポリマーと還元または酸化
型ドーピング剤との間の電子の移動により、あるいは適
当な電極により、該ポリマーに導入された導電性を有す
る任意のポリマーを意味するものと理解される。この種
のポリマーの例は、特にポリアセチレン、ポリピロ−ル
、ポリインド−ル、ポリアニリン、ポリフェニレンおよ
びポリチオフェンホモポリマーまたはコポリマーであり
、その導電性は公知の脱ドーピングまたは任意の適当な
手順により１０−４Ｓ ・ ｃｍ−１以下、および好ま
しくは１０−６Ｓ ・ ｃｍ−１以下の値まで下げられ
ている。
【００１０】良好な結果を与える導電性ポリマーの種類
はポリチオフェンおよびより詳しく言えば該チオフェン
環の３−位および／または４−位に側鎖を有し、かつ場
合によりハロゲン原子を含むポリチオフェンである。該
チオフェン環の３−位に側鎖を有するポリチオフェン由
来の「導電性」ポリマーが特に好ましい。一般に、該側
鎖はアルキル鎖である。通常、これらは場合によりハロ
ゲン原子、例えば塩素またはフッソ原子を含んでいても
よいＣ１〜Ｃ１２ アルキル鎖である。好ましくは、該
側鎖は場合によりフッソ原子を含むことのできるＣ１〜
Ｃ１０ アルキル鎖である。特に好ましくは、該導電性
ポリマーはポリチオフェン、例えばポリ（３−オクチル
チオフェン）、ポリ（チエニルエ−テル）およびポリ（
フルオロチエニルエ−テル）、例えばポリ（４−フルオ
ロベンジル−２−（３’− チエニル） エチルエ−テ
ル）、およびフランス特許出願第９１０９７１５ 号（
これを本発明の参考文献とする）に記載されているポリ
チオフェン類（これらは（フッ化アルキル）−３−チエ
ニルエ−テルポリマーである）である。
はポリチオフェンおよびより詳しく言えば該チオフェン
環の３−位および／または４−位に側鎖を有し、かつ場
合によりハロゲン原子を含むポリチオフェンである。該
チオフェン環の３−位に側鎖を有するポリチオフェン由
来の「導電性」ポリマーが特に好ましい。一般に、該側
鎖はアルキル鎖である。通常、これらは場合によりハロ
ゲン原子、例えば塩素またはフッソ原子を含んでいても
よいＣ１〜Ｃ１２ アルキル鎖である。好ましくは、該
側鎖は場合によりフッソ原子を含むことのできるＣ１〜
Ｃ１０ アルキル鎖である。特に好ましくは、該導電性
ポリマーはポリチオフェン、例えばポリ（３−オクチル
チオフェン）、ポリ（チエニルエ−テル）およびポリ（
フルオロチエニルエ−テル）、例えばポリ（４−フルオ
ロベンジル−２−（３’− チエニル） エチルエ−テ
ル）、およびフランス特許出願第９１０９７１５ 号（
これを本発明の参考文献とする）に記載されているポリ
チオフェン類（これらは（フッ化アルキル）−３−チエ
ニルエ−テルポリマーである）である。
【００１１】最後に、良好な結果は３−オクチルチオフ
ェンポリマー、４−フルオロベンジル−２−（３’−
チエニル） エチルエ−テルポリマー、２，２，２−ト
リフルオロエチル−３− チエニルエ−テルポリマー、
４，４，４，３，３，２，２−ヘプタフルオロ−ｎ−
ブチル−３− チエニルエ−テルポリマーおよび８，８
，８，７，７，６，６，５，５，４，４，３，３，２，
２−ペンタデカフルオロ−ｎ− オクチル− ３−チエ
ニルエ−テルポリマーにより得られた。
ェンポリマー、４−フルオロベンジル−２−（３’−
チエニル） エチルエ−テルポリマー、２，２，２−ト
リフルオロエチル−３− チエニルエ−テルポリマー、
４，４，４，３，３，２，２−ヘプタフルオロ−ｎ−
ブチル−３− チエニルエ−テルポリマーおよび８，８
，８，７，７，６，６，５，５，４，４，３，３，２，
２−ペンタデカフルオロ−ｎ− オクチル− ３−チエ
ニルエ−テルポリマーにより得られた。
【００１２】極性ポリマーとは、ポリマー分子が本来的
に双極子モ−メントを有する任意のポリマーを意味する
ものとする。この種の工業用ポリマーの例は、特にフッ
ソ化ポリマー、ポリメタクリレ−ト、ポリ酢酸ビニル、
ポリ塩化ビニルおよびこれらのコポリマーである。フッ
ソ化ポリマーが有利に使用される。使用するのに特に好
ましいフッソ化ポリマーは「公知（ｃｏｎｖｅｎｔｉｏ
ｎａｌ）」のホモポリマーまたはコポリマー、例えばフ
ッ化ビニリデンのホモポリマーまたはコポリマーである
。
に双極子モ−メントを有する任意のポリマーを意味する
ものとする。この種の工業用ポリマーの例は、特にフッ
ソ化ポリマー、ポリメタクリレ−ト、ポリ酢酸ビニル、
ポリ塩化ビニルおよびこれらのコポリマーである。フッ
ソ化ポリマーが有利に使用される。使用するのに特に好
ましいフッソ化ポリマーは「公知（ｃｏｎｖｅｎｔｉｏ
ｎａｌ）」のホモポリマーまたはコポリマー、例えばフ
ッ化ビニリデンのホモポリマーまたはコポリマーである
。
【００１３】この種の型の好ましいポリマーの例は、フ
ッ化ビニリデンのホモポリマー、フッ化ビニリデンとト
リフルオロエチレンとのコポリマー、フッ化ビニリデン
、トリクロロエチレンおよびクロロトリフルオロエチレ
ン由来のタ−ポリマーである。良好な結果はフッ化ビニ
リデンとトリフルオロエチレンとのコポリマー（７５／
２５） により得られる。
ッ化ビニリデンのホモポリマー、フッ化ビニリデンとト
リフルオロエチレンとのコポリマー、フッ化ビニリデン
、トリクロロエチレンおよびクロロトリフルオロエチレ
ン由来のタ−ポリマーである。良好な結果はフッ化ビニ
リデンとトリフルオロエチレンとのコポリマー（７５／
２５） により得られる。
【００１４】「導電性」ポリマーと極性ポリマーとの混
合物は、使用するこれら２種のポリマーの化学的相溶性
をもとに設計される。かくして、該極性ポリマーが「公
知」のフッソ化ホモポリマーまたはコポリマーである場
合、チオフェン由来のポリマー、例えば３−オクチルチ
オフェンポリマーまたは上記の好ましいフッソ化ポリチ
オフェンが、好ましくは「導電性」成分として組み込ま
れる。しかしながら、本発明はこの種の特定の混合物に
より何等制限されず、しかも本発明は、特性および化学
的相溶性がこの目的にとって公知の実験により測定し得
る他のポリマー混合物にも関連することは明らかである
。
合物は、使用するこれら２種のポリマーの化学的相溶性
をもとに設計される。かくして、該極性ポリマーが「公
知」のフッソ化ホモポリマーまたはコポリマーである場
合、チオフェン由来のポリマー、例えば３−オクチルチ
オフェンポリマーまたは上記の好ましいフッソ化ポリチ
オフェンが、好ましくは「導電性」成分として組み込ま
れる。しかしながら、本発明はこの種の特定の混合物に
より何等制限されず、しかも本発明は、特性および化学
的相溶性がこの目的にとって公知の実験により測定し得
る他のポリマー混合物にも関連することは明らかである
。
【００１５】本発明の混合物を得るためには本質的であ
るが、該「導電性」ポリマー部分の脱ドーピングは、該
導電性部分の導電性が少なくとも１０−３Ｓ ・ ｃｍ
−１よりも低い値にまで減じられている限りにおいて、
任意の公知の方法によりかつ任意の時点において実施す
ることができる。かくして、該「導電性」ポリマーの脱
ドーピングは該２種のポリマーの混合物を形成する前に
実施することができる。もう一つの態様においては、該
「導電性」ポリマーの脱ドーピングは該２種のポリマー
の混合物を形成した後に実施することが可能である。良
好な結果を与える一つの方法は、予め共通の溶媒に溶解
した、もしくは非溶媒に懸濁した該ポリマー混合物を脱
ドーピングすることからなる。良好な結果を与える一つ
の方法は、該２種のポリマーの混合物を形成する前に、
該「導電性」ポリマーを脱ドーピングすることからなり
、この脱ドーピングはアルコ−ル、例えばメタノ−ルま
たは水に不活性雰囲気下、例えば窒素雰囲気下で、撹拌
しつつドーピングポリマーを懸濁することにより実施す
ることができる。
るが、該「導電性」ポリマー部分の脱ドーピングは、該
導電性部分の導電性が少なくとも１０−３Ｓ ・ ｃｍ
−１よりも低い値にまで減じられている限りにおいて、
任意の公知の方法によりかつ任意の時点において実施す
ることができる。かくして、該「導電性」ポリマーの脱
ドーピングは該２種のポリマーの混合物を形成する前に
実施することができる。もう一つの態様においては、該
「導電性」ポリマーの脱ドーピングは該２種のポリマー
の混合物を形成した後に実施することが可能である。良
好な結果を与える一つの方法は、予め共通の溶媒に溶解
した、もしくは非溶媒に懸濁した該ポリマー混合物を脱
ドーピングすることからなる。良好な結果を与える一つ
の方法は、該２種のポリマーの混合物を形成する前に、
該「導電性」ポリマーを脱ドーピングすることからなり
、この脱ドーピングはアルコ−ル、例えばメタノ−ルま
たは水に不活性雰囲気下、例えば窒素雰囲気下で、撹拌
しつつドーピングポリマーを懸濁することにより実施す
ることができる。
【００１６】本発明はまた、この脱ドーピングされた導
電性ポリマーと極性ポリマーとの混合物を得る方法にも
関する。本発明の混合物を得ることを可能とする一つの
方法は、該２種のポリマーに対して非溶媒である液体中
で、該２種のポリマーの正確な特性に依存する粒度を有
する極性ポリマー粉末の存在下で化学的な経路により該
「導電性」ポリマーを重合し、生成する該ポリマー混合
物の沈澱を濾過により回収し、該２種のポリマーに対す
る共通の溶媒に該沈澱を溶解し、得られた溶液を使用す
ることからなる。
電性ポリマーと極性ポリマーとの混合物を得る方法にも
関する。本発明の混合物を得ることを可能とする一つの
方法は、該２種のポリマーに対して非溶媒である液体中
で、該２種のポリマーの正確な特性に依存する粒度を有
する極性ポリマー粉末の存在下で化学的な経路により該
「導電性」ポリマーを重合し、生成する該ポリマー混合
物の沈澱を濾過により回収し、該２種のポリマーに対す
る共通の溶媒に該沈澱を溶解し、得られた溶液を使用す
ることからなる。
【００１７】この種の方法は、４−フルオロベンジル−
２−（３’− チエニル）エチルエ−テルを主体とする
重合溶媒に粉末状のフッ化ビニリデンのホモポリマーを
導入して得られる混合物に対して適用した場合に良好な
結果を与える。本発明の混合物を得ることを可能とする
もう一つの方法は、該「導電性」ポリマー自体の重合を
実施し、該ポリマーを脱ドーピングし、次いで該脱ドー
ピングされた導電性ポリマーと該極性ポリマーとを混合
し、該混合物を混練（ｍａｌａｘａｔｉｎｇ）し、得ら
れた該混合物を使用することからなる。
２−（３’− チエニル）エチルエ−テルを主体とする
重合溶媒に粉末状のフッ化ビニリデンのホモポリマーを
導入して得られる混合物に対して適用した場合に良好な
結果を与える。本発明の混合物を得ることを可能とする
もう一つの方法は、該「導電性」ポリマー自体の重合を
実施し、該ポリマーを脱ドーピングし、次いで該脱ドー
ピングされた導電性ポリマーと該極性ポリマーとを混合
し、該混合物を混練（ｍａｌａｘａｔｉｎｇ）し、得ら
れた該混合物を使用することからなる。
【００１８】本発明は、また脱ドーピング導電性ポリマ
ーと極性ポリマーとの混合物を、電子、光電気、電気並
びに電気機械的装置の製造のための利用にも関する。用
途に応じて、均質かつ規則的な種々の表面積をもつ薄い
層として一般に使用され、その厚みは０．０１〜１００
μの範囲内で変えることが可能である。本発明は、従
って脱ドーピングされた導電性ポリマーと極性ポリマー
との混合物を使用した薄膜の製造方法にも関連する。
ーと極性ポリマーとの混合物を、電子、光電気、電気並
びに電気機械的装置の製造のための利用にも関する。用
途に応じて、均質かつ規則的な種々の表面積をもつ薄い
層として一般に使用され、その厚みは０．０１〜１００
μの範囲内で変えることが可能である。本発明は、従
って脱ドーピングされた導電性ポリマーと極性ポリマー
との混合物を使用した薄膜の製造方法にも関連する。
【００１９】良好な結果を与える薄膜を製造するための
一つの方法は、該極性ポリマーと脱ドーピングポリマー
との混合物を共通の溶媒に溶解および／または懸濁し、
得られた可溶性部分を、場合によってはセリグラフィ−
用マスクを介して支持体、例えば通常のガラス、シリカ
またはポリエステル上に展開し、好ましくは層流フ−ド
中でドクタ−ブレ−ドまたはタ−ンテ−ブルを使用して
展開することからなる。このようにして得られたフィル
ムはその遊離形状、即ち該支持体から分離した状態で、
あるいはその支持状態、即ち該支持体に接着した状態で
使用することができる。これらのフィルムは容易に金属
化することができる。
一つの方法は、該極性ポリマーと脱ドーピングポリマー
との混合物を共通の溶媒に溶解および／または懸濁し、
得られた可溶性部分を、場合によってはセリグラフィ−
用マスクを介して支持体、例えば通常のガラス、シリカ
またはポリエステル上に展開し、好ましくは層流フ−ド
中でドクタ−ブレ−ドまたはタ−ンテ−ブルを使用して
展開することからなる。このようにして得られたフィル
ムはその遊離形状、即ち該支持体から分離した状態で、
あるいはその支持状態、即ち該支持体に接着した状態で
使用することができる。これらのフィルムは容易に金属
化することができる。
【００２０】該遊離フィルムは、特に誘電体の形成にお
いて使用し得る。本発明の混合物、特に上記の方法によ
り生成されるフィルムは、その圧電特性、パイロ電気特
性、強誘電特性および誘電特性をもつものとしてそのま
ま使用でき、あるいはこれらの諸特性が利用されている
装置を形成するために、１以上の層を一緒に巻き、押し
出しあるいは展開することができる。
いて使用し得る。本発明の混合物、特に上記の方法によ
り生成されるフィルムは、その圧電特性、パイロ電気特
性、強誘電特性および誘電特性をもつものとしてそのま
ま使用でき、あるいはこれらの諸特性が利用されている
装置を形成するために、１以上の層を一緒に巻き、押し
出しあるいは展開することができる。
【００２１】本発明の混合物は予想外の特性、例えば特
に高い誘電率を有し、かつ該誘電率は２０〜８０°Ｃ
の温度範囲および１〜１００ＫＨｚの周波数に対して一
定である。本発明の混合物は、またコンデンサ−の製造
に使用でき、かくして該コンデンサ−は高くかつ一定の
誘電率を有する。
に高い誘電率を有し、かつ該誘電率は２０〜８０°Ｃ
の温度範囲および１〜１００ＫＨｚの周波数に対して一
定である。本発明の混合物は、またコンデンサ−の製造
に使用でき、かくして該コンデンサ−は高くかつ一定の
誘電率を有する。
【００２２】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳しく説明
する。 実施例１：ポリフッ化ビニリデンとポリ（４−フルオロ
ベンジル−２−（３’− チエニル）エチルエ−テル）
（ＰＴｈＡｒＦ）との混合物の調製 ａ． ポリ（４−フルオロベンジル−２−（３’−
チエニル）エチルエ−テル）の調製 温度計、３方コック、撹拌器および計量シリンジに接続
された針を差し込むことのできるダイアフラムとを備え
、恒温槽により−２５ °Ｃ に維持された４つ口の容
量５００ ｍｌの丸底フラスコを、３回の真空引きと、
３回の純粋かつ乾燥窒素によるフラッシングからなるサ
イクルによりパ−ジした。
する。 実施例１：ポリフッ化ビニリデンとポリ（４−フルオロ
ベンジル−２−（３’− チエニル）エチルエ−テル）
（ＰＴｈＡｒＦ）との混合物の調製 ａ． ポリ（４−フルオロベンジル−２−（３’−
チエニル）エチルエ−テル）の調製 温度計、３方コック、撹拌器および計量シリンジに接続
された針を差し込むことのできるダイアフラムとを備え
、恒温槽により−２５ °Ｃ に維持された４つ口の容
量５００ ｍｌの丸底フラスコを、３回の真空引きと、
３回の純粋かつ乾燥窒素によるフラッシングからなるサ
イクルによりパ−ジした。
【００２３】８０ｍｌのアセトニトリルと、０．６５
ｇのポリ（エチレンオキシド）（ポリオックス（Ｐｏｌ
ｙｏｘ） ＷＳＲＮ １２Ｋ ＰＥＯ）をこの丸底フラ
スコに投入し、これを撹拌しつつ窒素雰囲気下に維持し
た。次いで、７ｇの無水ＦｅＣｌ３ を導入し、一方で
全体の撹拌を継続した。次に、１ｇの４−フルオロベン
ジル−２−（３’− チエニル）エチルエ−テルを溶解
した２０ｍｌのアセトニトリルを、該計量シリンジを介
して、１０分間に渡り該混合物に導入した。
ｇのポリ（エチレンオキシド）（ポリオックス（Ｐｏｌ
ｙｏｘ） ＷＳＲＮ １２Ｋ ＰＥＯ）をこの丸底フラ
スコに投入し、これを撹拌しつつ窒素雰囲気下に維持し
た。次いで、７ｇの無水ＦｅＣｌ３ を導入し、一方で
全体の撹拌を継続した。次に、１ｇの４−フルオロベン
ジル−２−（３’− チエニル）エチルエ−テルを溶解
した２０ｍｌのアセトニトリルを、該計量シリンジを介
して、１０分間に渡り該混合物に導入した。
【００２４】次いで、該丸底フラスコの内容物の撹拌を
−２５ °Ｃ にて５時間に渡って継続した。混合物１
００ ｍｌにつき、１ｇのドーピングされたポリマーを
含む懸濁液を得た。 ｂ． 脱ドーピング 上で得た懸濁液を窒素雰囲気下で−２５ °Ｃ に維持
し、かつ撹拌を継続しつつ、５０ｍｌのメタノ−ルを４
０分間に渡り該丸底フラスコ中に徐々に導入した。
−２５ °Ｃ にて５時間に渡って継続した。混合物１
００ ｍｌにつき、１ｇのドーピングされたポリマーを
含む懸濁液を得た。 ｂ． 脱ドーピング 上で得た懸濁液を窒素雰囲気下で−２５ °Ｃ に維持
し、かつ撹拌を継続しつつ、５０ｍｌのメタノ−ルを４
０分間に渡り該丸底フラスコ中に徐々に導入した。
【００２５】次いで、撹拌を２０分間継続し、更に該混
合物を２０°Ｃ にて空気中で濾紙を介して濾過した。 得られた生成物を４回５０ｍｌのメタノ−ルで洗浄し、
次いで２０°Ｃ で２０ｍｍＨｇの真空下で乾燥した。 ０．９２ ｇの脱ドーピングした生成物（脱ドーピング
されたＰＴｈＡｒＦ）が得られ、これは１０−６〜１０
−７Ｓ／ｃｍの範囲の導電率を有していた。 ｃ． 本発明の混合物の調製 １００ ｍｌのジメチルホルムアミドに溶解した商品名
ソレフ（ＳＯＬＥＦ） １０１０のポリ（フッ化ビニリ
デン）（ＰＶＤＦ）１０ ｇを三角フラスコに導入した
。この溶液を２０°Ｃ にて２時間十分な撹拌状態に保
った。
合物を２０°Ｃ にて空気中で濾紙を介して濾過した。 得られた生成物を４回５０ｍｌのメタノ−ルで洗浄し、
次いで２０°Ｃ で２０ｍｍＨｇの真空下で乾燥した。 ０．９２ ｇの脱ドーピングした生成物（脱ドーピング
されたＰＴｈＡｒＦ）が得られ、これは１０−６〜１０
−７Ｓ／ｃｍの範囲の導電率を有していた。 ｃ． 本発明の混合物の調製 １００ ｍｌのジメチルホルムアミドに溶解した商品名
ソレフ（ＳＯＬＥＦ） １０１０のポリ（フッ化ビニリ
デン）（ＰＶＤＦ）１０ ｇを三角フラスコに導入した
。この溶液を２０°Ｃ にて２時間十分な撹拌状態に保
った。
【００２６】得られた脱ドーピング生成物（ＰＴｈＡｒ
Ｆ）の１〜１０％の範囲内の種々のジメチルホルムアミ
ド溶液を調製した。該溶液の撹拌を２０°Ｃ にて２時
間継続した。これら２種の溶液の混合物は、十分に撹拌
しつつ、以下の表１に指定する割合で、該ＰＶＤＦ溶液
に該脱ドーピングされたＰＴｈＡｒＦの溶液を滴下する
ことにより生成した。撹拌を２０°Ｃ にて１時間行っ
た。 ｄ． フィルムの形成 上で得た溶液を、種々の高さのドクタ−ブレ−ドを使用
してガラス支持体上に展開した（該ブレ−ドの高さは２
本のマイクロメ−タスクリュ−を使用して変化させた）
。
Ｆ）の１〜１０％の範囲内の種々のジメチルホルムアミ
ド溶液を調製した。該溶液の撹拌を２０°Ｃ にて２時
間継続した。これら２種の溶液の混合物は、十分に撹拌
しつつ、以下の表１に指定する割合で、該ＰＶＤＦ溶液
に該脱ドーピングされたＰＴｈＡｒＦの溶液を滴下する
ことにより生成した。撹拌を２０°Ｃ にて１時間行っ
た。 ｄ． フィルムの形成 上で得た溶液を、種々の高さのドクタ−ブレ−ドを使用
してガラス支持体上に展開した（該ブレ−ドの高さは２
本のマイクロメ−タスクリュ−を使用して変化させた）
。
【００２７】該溶液数ｃｍ３ を該ドクタ−ブレ−ドの
前端に付着させ該ブレ−ドを１０ ｃｍ／ｓｅｃ の速
度で移動させた。得られた該フィルムを真空炉に入れ、
５０°Ｃ で２０ ｍｍＨｇ の真空下で３０分間乾燥
させた。３０〜３５μのフィルムが得られ、該フィルム
は該支持体から分離でき、かつ１０−１０ 〜１０−１
２ Ｓ／ｃｍの導電率を有していた。 ｅ． 誘電特性 種々の温度および１〜１００ ＫＨｚ の範囲内の周波
数に対する誘電率εおよび損失角の正接ｔｇδの測定は
、薄膜について行った。この測定は、表面積６ｃｍ２
を有しかつ５００ Åのアルミニウム層で金属化された
サンプルに対して実施した。
前端に付着させ該ブレ−ドを１０ ｃｍ／ｓｅｃ の速
度で移動させた。得られた該フィルムを真空炉に入れ、
５０°Ｃ で２０ ｍｍＨｇ の真空下で３０分間乾燥
させた。３０〜３５μのフィルムが得られ、該フィルム
は該支持体から分離でき、かつ１０−１０ 〜１０−１
２ Ｓ／ｃｍの導電率を有していた。 ｅ． 誘電特性 種々の温度および１〜１００ ＫＨｚ の範囲内の周波
数に対する誘電率εおよび損失角の正接ｔｇδの測定は
、薄膜について行った。この測定は、表面積６ｃｍ２
を有しかつ５００ Åのアルミニウム層で金属化された
サンプルに対して実施した。
【００２８】これらのサンプルを耐候試験チャンバーに
入れ、測定ブリッジ（ジェネラルラジオ（Ｇｅｎｅｒａ
ｌ Ｒａｄｉｏ） Ｎｏ． １６８９型）を使用して測
定した。結果を以下の表１に纏めた。 （表１） ─────────────────────────
───────────Ｎｏ． フィルム（比率）厚み
導電率Ｓ／ｃｍ ε（２０°Ｃ ） ｔｇ
δ（２０°Ｃ ）
（ μｍ） １ＫＨ
ｚ １０ １００ １ＫＨｚ １０ １
００ １ ＰＶＤＦ
３２ ２．８ １０−１２ ５ ５
５ ０．０１５ ０．０２０ ０．０６ ２
ＰＶＤＦ／ＰＴｈＡｒＦ９９／１ ３５ ５．
６ １０−１２ ６ ６ ５．５ ０
．０２５ ０．０２５ ０．０６ ３ ＰＶＤＦ／Ｐ
ＴｈＡｒＦ９０／１０ ３０ ２．３ １０−１１
７ ６ ５．５ ０．０９０ ０．
０７０ ０．０８０ ４ ＰＶＤＦ／ＰＴｈＡｒＦ
８０／２０ ３５ １．４ １０−１０ ９
７ ６ ０．１０ ０．１０ ０
．１０ ５ ＰＶＤＦ／ＰＴｈＡｒＦ７５／２５ ３
５ ６．７ １０−１２ １８ １２
８ ０．２５ ０．２５ ０．２５ ６
ＰＶＤＦ／ＰＴｈＡｒＦ６５／３５ ３５ ４．４
１０−１１ ４５ ２５ １５ ０．
７ ０．４ ０．３ ７ ＰＶＤＦ／ＰＴ
ｈＡｒＦ５０／５０ ３５ ５．０ １０−１１
９０ ４５ ２５ ０．８０ ０．５
０ ０．４０ ８ ＰＴｈＡｒＦ
３２ １．３ １０−１１ ７９３ ３
８０ １５１ ０．５１ ０．５６ ０．９３
─────────────────────────
───────────実施例２ 実施例１と同様の操作を行ったが、ポリ（エチレンオキ
シド）の代わりに０．６５ｇのペルフルオロアルキルス
ルホン酸カリウム（フルオラッド（ＦＬＵＯＲＡＤ）
ＦＣ ９８）を、またポリ（フッ化ビニリデン）（ＰＶ
ＤＦ）の代わりにコポリマーＶＦ２−ＴｒＦＥ（７５／
２５） 、即ちフッ化ビニリデンとトリフルオロエチレ
ンとのコポリマーを使用した。
入れ、測定ブリッジ（ジェネラルラジオ（Ｇｅｎｅｒａ
ｌ Ｒａｄｉｏ） Ｎｏ． １６８９型）を使用して測
定した。結果を以下の表１に纏めた。 （表１） ─────────────────────────
───────────Ｎｏ． フィルム（比率）厚み
導電率Ｓ／ｃｍ ε（２０°Ｃ ） ｔｇ
δ（２０°Ｃ ）
（ μｍ） １ＫＨ
ｚ １０ １００ １ＫＨｚ １０ １
００ １ ＰＶＤＦ
３２ ２．８ １０−１２ ５ ５
５ ０．０１５ ０．０２０ ０．０６ ２
ＰＶＤＦ／ＰＴｈＡｒＦ９９／１ ３５ ５．
６ １０−１２ ６ ６ ５．５ ０
．０２５ ０．０２５ ０．０６ ３ ＰＶＤＦ／Ｐ
ＴｈＡｒＦ９０／１０ ３０ ２．３ １０−１１
７ ６ ５．５ ０．０９０ ０．
０７０ ０．０８０ ４ ＰＶＤＦ／ＰＴｈＡｒＦ
８０／２０ ３５ １．４ １０−１０ ９
７ ６ ０．１０ ０．１０ ０
．１０ ５ ＰＶＤＦ／ＰＴｈＡｒＦ７５／２５ ３
５ ６．７ １０−１２ １８ １２
８ ０．２５ ０．２５ ０．２５ ６
ＰＶＤＦ／ＰＴｈＡｒＦ６５／３５ ３５ ４．４
１０−１１ ４５ ２５ １５ ０．
７ ０．４ ０．３ ７ ＰＶＤＦ／ＰＴ
ｈＡｒＦ５０／５０ ３５ ５．０ １０−１１
９０ ４５ ２５ ０．８０ ０．５
０ ０．４０ ８ ＰＴｈＡｒＦ
３２ １．３ １０−１１ ７９３ ３
８０ １５１ ０．５１ ０．５６ ０．９３
─────────────────────────
───────────実施例２ 実施例１と同様の操作を行ったが、ポリ（エチレンオキ
シド）の代わりに０．６５ｇのペルフルオロアルキルス
ルホン酸カリウム（フルオラッド（ＦＬＵＯＲＡＤ）
ＦＣ ９８）を、またポリ（フッ化ビニリデン）（ＰＶ
ＤＦ）の代わりにコポリマーＶＦ２−ＴｒＦＥ（７５／
２５） 、即ちフッ化ビニリデンとトリフルオロエチレ
ンとのコポリマーを使用した。
【００２９】結果を以下の表２に纏めた。
（表２）
─────────────────────────
───────────Ｎｏ． フィルム（比率）厚み
導電率Ｓ／ｃｍ ε（２０°Ｃ ） ｔｇ
δ（２０°Ｃ ）
（ μｍ） １ＫＨ
ｚ １０ １００ １ＫＨｚ １０ １
００ １ ＶＦ２−ＴｒＦＥ
３０ ２．１ １０−１３ １２ １１
１１ ０．０５０ ０．０５０ ０．１５ ２
ＶＦ２−ＴｒＦＥ／ ＰＴｈＡｒＦ９９／１ ３５
３．５ １０−１１ ８ ８ ７．
５ ０．０２５ ０．０４０ ０．０９０ ３ Ｖ
Ｆ２−ＴｒＦＥ／ ＰＴｈＡｒＦ８０／２０ ３１
３．３ １０−８ １２ １０ ８
０．２０ ０．２０ ０．２０ ４ ＶＦ２
−ＴｒＦＥ／ ＰＴｈＡｒＦ７５／２５ ３５
３．３ １０−７ ３８ ３０ ２５
０．２５ ０．１５ ０．１５ ５ ＶＦ２
−ＴｒＦＥ／ ＰＴｈＡｒＦ６５／３５ ３５
３．３ １０−７ ６３ ５３ ４０
０．３５ ０．３０ ０．２０───────
─────────────────────────
────実施例３ ａ． ポリ（３−オクチルチオフェン）（ＰＯＴｈ）
の重合反応器としては、それぞれ３方コック、温度計、
３方コックを備えた２５０ ｍｌの溜め、５０ｍｌの計
量シリンジに接続された針を差し込むことのできるダイ
アフラムおよび撹拌器を備えた５つ口の容量３ｌの丸底
フラスコを使用した。
───────────Ｎｏ． フィルム（比率）厚み
導電率Ｓ／ｃｍ ε（２０°Ｃ ） ｔｇ
δ（２０°Ｃ ）
（ μｍ） １ＫＨ
ｚ １０ １００ １ＫＨｚ １０ １
００ １ ＶＦ２−ＴｒＦＥ
３０ ２．１ １０−１３ １２ １１
１１ ０．０５０ ０．０５０ ０．１５ ２
ＶＦ２−ＴｒＦＥ／ ＰＴｈＡｒＦ９９／１ ３５
３．５ １０−１１ ８ ８ ７．
５ ０．０２５ ０．０４０ ０．０９０ ３ Ｖ
Ｆ２−ＴｒＦＥ／ ＰＴｈＡｒＦ８０／２０ ３１
３．３ １０−８ １２ １０ ８
０．２０ ０．２０ ０．２０ ４ ＶＦ２
−ＴｒＦＥ／ ＰＴｈＡｒＦ７５／２５ ３５
３．３ １０−７ ３８ ３０ ２５
０．２５ ０．１５ ０．１５ ５ ＶＦ２
−ＴｒＦＥ／ ＰＴｈＡｒＦ６５／３５ ３５
３．３ １０−７ ６３ ５３ ４０
０．３５ ０．３０ ０．２０───────
─────────────────────────
────実施例３ ａ． ポリ（３−オクチルチオフェン）（ＰＯＴｈ）
の重合反応器としては、それぞれ３方コック、温度計、
３方コックを備えた２５０ ｍｌの溜め、５０ｍｌの計
量シリンジに接続された針を差し込むことのできるダイ
アフラムおよび撹拌器を備えた５つ口の容量３ｌの丸底
フラスコを使用した。
【００３０】撹拌器を備えたこの５つ口フラスコを恒温
槽に入れ、３回の真空引きと、３回の純粋な乾燥窒素の
充填からなるサイクルによりパ−ジした。予め窒素で脱
気した８５０ ｍｌのクロロホルムをこの丸底フラスコ
に導入し、これを窒素雰囲気下で５°Ｃ に維持し、９
４ｇの無水塩化第二鉄を撹拌しながら添加した。
槽に入れ、３回の真空引きと、３回の純粋な乾燥窒素の
充填からなるサイクルによりパ−ジした。予め窒素で脱
気した８５０ ｍｌのクロロホルムをこの丸底フラスコ
に導入し、これを窒素雰囲気下で５°Ｃ に維持し、９
４ｇの無水塩化第二鉄を撹拌しながら添加した。
【００３１】次に、該計量シリンジを、無機物を除きか
つ脱気した２０ｍｌの水で満たし、該コックを備えた溜
めを、１５０ ｍｌのクロロホルムと１１ ｇの蒸溜し
、かつ脱気した３−ｎ−オクチルチオフェンで満たした
。このシリンジを使用して該水を、および該コック付き
溜めを使用して該クロロホルムと３−ｎ−オクチルチオ
フェンとを、１０分間に渡り該丸底フラスコに同時に導
入した。
つ脱気した２０ｍｌの水で満たし、該コックを備えた溜
めを、１５０ ｍｌのクロロホルムと１１ ｇの蒸溜し
、かつ脱気した３−ｎ−オクチルチオフェンで満たした
。このシリンジを使用して該水を、および該コック付き
溜めを使用して該クロロホルムと３−ｎ−オクチルチオ
フェンとを、１０分間に渡り該丸底フラスコに同時に導
入した。
【００３２】次に、該丸底フラスコの撹拌を、５°Ｃ
にて２時間続けた。混合物１０２０ｍｌ当たり１２ｇの
ドーピングされたポリマーを含有する懸濁液を得た。 ｂ． 脱ドーピング 上記の懸濁液を窒素雰囲気下で５°Ｃ に維持し、かつ
撹拌を継続しつつ、２００ ｍｌのメタノ−ルを４０分
間に渡り導入した。
にて２時間続けた。混合物１０２０ｍｌ当たり１２ｇの
ドーピングされたポリマーを含有する懸濁液を得た。 ｂ． 脱ドーピング 上記の懸濁液を窒素雰囲気下で５°Ｃ に維持し、かつ
撹拌を継続しつつ、２００ ｍｌのメタノ−ルを４０分
間に渡り導入した。
【００３３】２０分間撹拌を続け、次いで該混合物を空
気中で濾紙を介して２０°Ｃ にて濾過した。得られた
この生成物を、２０°Ｃ にて、２００ ｍｌのメタノ
−ルで３回洗浄し、次いで５００ ｍｌのコンデンサを
備えた丸底フラスコ中で、高温にて還流下で２００ ｍ
ｌの水で１回洗浄した。
気中で濾紙を介して２０°Ｃ にて濾過した。得られた
この生成物を、２０°Ｃ にて、２００ ｍｌのメタノ
−ルで３回洗浄し、次いで５００ ｍｌのコンデンサを
備えた丸底フラスコ中で、高温にて還流下で２００ ｍ
ｌの水で１回洗浄した。
【００３４】２０°Ｃ にて、２００ ｍｌのメタノ−
ルで洗浄することにより、この操作を完了し、次にこの
生成物を濾別し、２０°Ｃ にて２０ ｍｍＨｇ の真
空下で乾燥した。９ｇの脱ドーピングした生成物が得ら
れ、これは１０−７〜１０−８Ｓ／ｃｍの導電率を有し
ていた。 ｃ． 本発明の混合物の調製 商品名ソレフ（ＳＯＬＥＦ） １０１０のポリ（フッ化
ビニリデン）（ＰＶＤＦ）１０ｇおよびジメチルホルム
アミド１００ ｍｌを三角フラスコに投入した。
ルで洗浄することにより、この操作を完了し、次にこの
生成物を濾別し、２０°Ｃ にて２０ ｍｍＨｇ の真
空下で乾燥した。９ｇの脱ドーピングした生成物が得ら
れ、これは１０−７〜１０−８Ｓ／ｃｍの導電率を有し
ていた。 ｃ． 本発明の混合物の調製 商品名ソレフ（ＳＯＬＥＦ） １０１０のポリ（フッ化
ビニリデン）（ＰＶＤＦ）１０ｇおよびジメチルホルム
アミド１００ ｍｌを三角フラスコに投入した。
【００３５】得られたこの溶液を２０°Ｃ にて２時間
十分な撹拌状態に保った。ＰＯＴｈの１％クロロホルム
溶液を調製した。この溶液を２時間撹拌した。次に、こ
の溶液を濾紙を介して濾過し、かつロ−タリ−エバポレ
−タで２０倍に濃縮した。これら２種の溶液の混合物は
、以下の表３および４に指定した割合で、十分に撹拌し
た該ＰＶＤＦ溶液を該ＰＯＴｈ溶液に滴下することによ
り調製した。２０°Ｃ にて１時間撹拌した。 ｄ． フィルムまたはシ−トの製造 １） フィルムの製造上で得た溶液を、種々の高さの
ドクタ−ブレ−ドを使用してガラス支持体上に展開した
（該ブレ−ドの高さは２本のマイクロメ−タスクリュ−
を使用して変化させた）。
十分な撹拌状態に保った。ＰＯＴｈの１％クロロホルム
溶液を調製した。この溶液を２時間撹拌した。次に、こ
の溶液を濾紙を介して濾過し、かつロ−タリ−エバポレ
−タで２０倍に濃縮した。これら２種の溶液の混合物は
、以下の表３および４に指定した割合で、十分に撹拌し
た該ＰＶＤＦ溶液を該ＰＯＴｈ溶液に滴下することによ
り調製した。２０°Ｃ にて１時間撹拌した。 ｄ． フィルムまたはシ−トの製造 １） フィルムの製造上で得た溶液を、種々の高さの
ドクタ−ブレ−ドを使用してガラス支持体上に展開した
（該ブレ−ドの高さは２本のマイクロメ−タスクリュ−
を使用して変化させた）。
【００３６】該溶液数ｃｍ３ を該ドクタ−ブレ−ドの
前端に付着させ該ブレ−ドを１０ ｃｍ／ｓｅｃ の速
度で移動させた。得られた該フィルムを真空炉に入れ、
２０°Ｃ で２０ ｍｍＨｇ の真空下で３０分間乾燥
させた。３０〜３５μのフィルムが得られ、該フィルム
は該支持体から分離でき、かつ１０−１０ 〜１０−１
２ Ｓ／ｃｍの導電率を有していた。
前端に付着させ該ブレ−ドを１０ ｃｍ／ｓｅｃ の速
度で移動させた。得られた該フィルムを真空炉に入れ、
２０°Ｃ で２０ ｍｍＨｇ の真空下で３０分間乾燥
させた。３０〜３５μのフィルムが得られ、該フィルム
は該支持体から分離でき、かつ１０−１０ 〜１０−１
２ Ｓ／ｃｍの導電率を有していた。
【００３７】２） シ−トの製造
粉末状の商品名ソレフ（ＳＯＬＥＦ） １０１０のポリ
（フッ化ビニリデン）（ＰＶＤＦ）およびポリ（３−オ
クチルチオフェン）（ＰＯＴｈ）ポリマーを所定の比率
で相互に機械的に混合した。 かくして得た粉末混合物を１８０ °Ｃ にて２時間、
マイクロミキサ−で混練した。得られた混合物を２枚の
ステンレススチ−ル板の間で、１８０ °Ｃ 、２００
ｋｇ／ｃｍ２にて３分間（５０ ｋｇ／ｃｍ２ の下で
１分間の予備加熱および２００ ｋｇ／ｃｍ２にて２分
間の圧縮）圧縮した。次いで、全体を迅速に（約１分間
で）冷却した。かくして、厚み１２０ 〜１５０ μの
シ−トが得られた。 ｅ． 誘電特性 種々の温度および１〜１００ ＫＨｚ の範囲内の周波
数に対する誘電率εおよび損失角の正接ｔｇδの測定は
、薄膜またはシ−トについて行った。フィルムの場合、
この測定は、表面積６ｃｍ２ を有しかつ５００ Åの
アルミニウム層で金属化されたサンプルに対して実施し
た。一方、シ−トの場合には、この測定は２つのアルミ
ニウム電極間に配置された１０ ｃｍ２のサンプルにつ
いて行った。
（フッ化ビニリデン）（ＰＶＤＦ）およびポリ（３−オ
クチルチオフェン）（ＰＯＴｈ）ポリマーを所定の比率
で相互に機械的に混合した。 かくして得た粉末混合物を１８０ °Ｃ にて２時間、
マイクロミキサ−で混練した。得られた混合物を２枚の
ステンレススチ−ル板の間で、１８０ °Ｃ 、２００
ｋｇ／ｃｍ２にて３分間（５０ ｋｇ／ｃｍ２ の下で
１分間の予備加熱および２００ ｋｇ／ｃｍ２にて２分
間の圧縮）圧縮した。次いで、全体を迅速に（約１分間
で）冷却した。かくして、厚み１２０ 〜１５０ μの
シ−トが得られた。 ｅ． 誘電特性 種々の温度および１〜１００ ＫＨｚ の範囲内の周波
数に対する誘電率εおよび損失角の正接ｔｇδの測定は
、薄膜またはシ−トについて行った。フィルムの場合、
この測定は、表面積６ｃｍ２ を有しかつ５００ Åの
アルミニウム層で金属化されたサンプルに対して実施し
た。一方、シ−トの場合には、この測定は２つのアルミ
ニウム電極間に配置された１０ ｃｍ２のサンプルにつ
いて行った。
【００３８】これらのサンプルを耐候試験チャンバーに
入れ、測定ブリッジ（ジェネラルラジオ（Ｇｅｎｅｒａ
ｌ Ｒａｄｉｏ） Ｎｏ． １６８９型）を使用して測
定した。結果を、フィルムについては以下の表３に、ま
たシ−トについては以下の表４に纏めた。 （表３） ─────────────────────────
───────────Ｎｏ． フィルム（比率）厚み
導電率Ｓ／ｃｍ ε（２０°Ｃ ） ｔｇ
δ（２０°Ｃ ）
（ μｍ） １ＫＨ
ｚ １０ １００ １ＫＨｚ １０ １
００ １ ＰＶＤＦ
３２ ２．８ １０−１２ ５ ５
５ ０．０１５ ０．０２０ ０．０６０
２ ＰＶＤＦ／ＰＯＴｈ ９９／１ ３０
２．３ １０−１２ ６ ６ ５．５
０．０２５ ０．３０ ０．７０ ３ ＰＶＤＦ
／ＰＯＴｈ ９０／１０ ３０ ２．１ １０−
１４ ８ ７ ６ ０．０５０
０．０８０ ０．１０ ４ ＰＯＴｈ
３０ ７．９ １０−８ １５０
７０ ２５ １ ＞ １
＞ １──────────────────────
──────────────（表４） ─────────────────────────
───────────Ｎｏ． フィルム（比率）厚み
導電率Ｓ／ｃｍ ε（２０°Ｃ ） ｔｇ
δ（２０°Ｃ ）
（ μｍ） １ＫＨ
ｚ １０ １００ １ＫＨｚ １０ １
００ １ ＰＶＤＦ
１２０ ２．８ １０−１２ ７．５ ７．５
７ ０．１５ ０．２９０ ０．１０ ２
ＰＶＤＦ／ＰＯＴｈ ９９／１ １３５ １．
９ １０−１２ １０ １０ ９ ０
．０２５ ０．０３０ ０．１０ ３ ＰＶＤＦ／Ｐ
ＯＴｈ ９０／１０ １３５ ２．８ １０−７
２１ １５ １２ ０．４０ ０．
２０ ０．２０ ４ ＰＯＴｈ／ＰＯＴｈ ８０／
２０ １３０ ４ １０−８ ２２
１８ １２ ０．２５ ０．２０ ０．１
５────────────────────────
────────────実施例４ 実施例３と同様に実施したが、ポリ（フッ化ビニリデン
）（ＰＶＤＦ）の代わりにコポリマーＶＦ２−ＴｒＦＥ
（７５／２５） 、即ちフッ化ビニリデンとトリフルオ
ロエチレンとのコポリマーを使用した。
入れ、測定ブリッジ（ジェネラルラジオ（Ｇｅｎｅｒａ
ｌ Ｒａｄｉｏ） Ｎｏ． １６８９型）を使用して測
定した。結果を、フィルムについては以下の表３に、ま
たシ−トについては以下の表４に纏めた。 （表３） ─────────────────────────
───────────Ｎｏ． フィルム（比率）厚み
導電率Ｓ／ｃｍ ε（２０°Ｃ ） ｔｇ
δ（２０°Ｃ ）
（ μｍ） １ＫＨ
ｚ １０ １００ １ＫＨｚ １０ １
００ １ ＰＶＤＦ
３２ ２．８ １０−１２ ５ ５
５ ０．０１５ ０．０２０ ０．０６０
２ ＰＶＤＦ／ＰＯＴｈ ９９／１ ３０
２．３ １０−１２ ６ ６ ５．５
０．０２５ ０．３０ ０．７０ ３ ＰＶＤＦ
／ＰＯＴｈ ９０／１０ ３０ ２．１ １０−
１４ ８ ７ ６ ０．０５０
０．０８０ ０．１０ ４ ＰＯＴｈ
３０ ７．９ １０−８ １５０
７０ ２５ １ ＞ １
＞ １──────────────────────
──────────────（表４） ─────────────────────────
───────────Ｎｏ． フィルム（比率）厚み
導電率Ｓ／ｃｍ ε（２０°Ｃ ） ｔｇ
δ（２０°Ｃ ）
（ μｍ） １ＫＨ
ｚ １０ １００ １ＫＨｚ １０ １
００ １ ＰＶＤＦ
１２０ ２．８ １０−１２ ７．５ ７．５
７ ０．１５ ０．２９０ ０．１０ ２
ＰＶＤＦ／ＰＯＴｈ ９９／１ １３５ １．
９ １０−１２ １０ １０ ９ ０
．０２５ ０．０３０ ０．１０ ３ ＰＶＤＦ／Ｐ
ＯＴｈ ９０／１０ １３５ ２．８ １０−７
２１ １５ １２ ０．４０ ０．
２０ ０．２０ ４ ＰＯＴｈ／ＰＯＴｈ ８０／
２０ １３０ ４ １０−８ ２２
１８ １２ ０．２５ ０．２０ ０．１
５────────────────────────
────────────実施例４ 実施例３と同様に実施したが、ポリ（フッ化ビニリデン
）（ＰＶＤＦ）の代わりにコポリマーＶＦ２−ＴｒＦＥ
（７５／２５） 、即ちフッ化ビニリデンとトリフルオ
ロエチレンとのコポリマーを使用した。
【００３９】結果を、フィルムについては以下の表５に
、シ−トについては以下の表６に纏めた。 （表５） ─────────────────────────
───────────Ｎｏ． フィルム（比率）厚み
導電率Ｓ／ｃｍ ε（２０°Ｃ ） ｔｇ
δ（２０°Ｃ ）
（ μｍ） １ＫＨ
ｚ １０ １００ １ＫＨｚ １０ １
００ ４ ＰＯＴｈ
３０ ７．９ １０−８ １５０ ７０
２５ １ ＞１ ＞１ １
ＶＦ２−ＴｒＦＥ ３０ ２．
１ １０−１３ ８ ８ ８ ０
．０２０ ０．０３０ ０．１５ ２ ＶＦ２−Ｔｒ
ＦＥ／ ＰＯＴｈ ９９／１ ３０
５．６ １０−１１ ９ ８ ７
０．０３０ ０．０４０ ０．１５ ３ ＶＦ２
−ＴｒＦＥ／ ＰＰＴｈ ９０／１０ ３０
５ １０−１２ １０ ９．５ ９
０．１０ ０．１５ ０．１０───────
─────────────────────────
────（表６） ─────────────────────────
───────────Ｎｏ． シ−ト （比率）厚
み 導電率Ｓ／ｃｍ ε（２０°Ｃ ） ｔ
ｇδ（２０°Ｃ ）
（ μｍ） １Ｋ
Ｈｚ １０ １００ １ＫＨｚ １０
１００ １ ＶＦ２−ＴｒＦＥ
１２０ ２．１ １０−１３ ６ ６
６ ０．０５０ ０．０５０ ０．０５０
２ ＶＦ２−ＴｒＦＥ／ ＰＯＴｈ ９９／１ １２０
３．７ １０−１０ ９ ８ ７
０．０４０ ０．０４０ ０．１０ ３ ＶＦ２
−ＴｒＦＥ／ ＰＯＴｈ ９０／１０ １３０
１ １０−１１ １０ ７ ６
０．２０ ０．１５ ０．１５ ４ ＶＦ２
−ＴｒＦＥ／ ＰＰＴｈ ８０／２０ １３０
２ １０−１１ ２０ ９ ６
０．６５ ０．３０ ０．３０───────
─────────────────────────
────実施例５ ａ． ２，２，２−トリフルオロエチル−３− チエ
ニルエ−テル（ＰＴＨＯＦ） の重合反応器としては、
３方コック、撹拌器および計量ポンプに接続された針を
差し込むことのできるダイアフラムを備えた５００ｍｌ
丸底フラスコを使用した。
、シ−トについては以下の表６に纏めた。 （表５） ─────────────────────────
───────────Ｎｏ． フィルム（比率）厚み
導電率Ｓ／ｃｍ ε（２０°Ｃ ） ｔｇ
δ（２０°Ｃ ）
（ μｍ） １ＫＨ
ｚ １０ １００ １ＫＨｚ １０ １
００ ４ ＰＯＴｈ
３０ ７．９ １０−８ １５０ ７０
２５ １ ＞１ ＞１ １
ＶＦ２−ＴｒＦＥ ３０ ２．
１ １０−１３ ８ ８ ８ ０
．０２０ ０．０３０ ０．１５ ２ ＶＦ２−Ｔｒ
ＦＥ／ ＰＯＴｈ ９９／１ ３０
５．６ １０−１１ ９ ８ ７
０．０３０ ０．０４０ ０．１５ ３ ＶＦ２
−ＴｒＦＥ／ ＰＰＴｈ ９０／１０ ３０
５ １０−１２ １０ ９．５ ９
０．１０ ０．１５ ０．１０───────
─────────────────────────
────（表６） ─────────────────────────
───────────Ｎｏ． シ−ト （比率）厚
み 導電率Ｓ／ｃｍ ε（２０°Ｃ ） ｔ
ｇδ（２０°Ｃ ）
（ μｍ） １Ｋ
Ｈｚ １０ １００ １ＫＨｚ １０
１００ １ ＶＦ２−ＴｒＦＥ
１２０ ２．１ １０−１３ ６ ６
６ ０．０５０ ０．０５０ ０．０５０
２ ＶＦ２−ＴｒＦＥ／ ＰＯＴｈ ９９／１ １２０
３．７ １０−１０ ９ ８ ７
０．０４０ ０．０４０ ０．１０ ３ ＶＦ２
−ＴｒＦＥ／ ＰＯＴｈ ９０／１０ １３０
１ １０−１１ １０ ７ ６
０．２０ ０．１５ ０．１５ ４ ＶＦ２
−ＴｒＦＥ／ ＰＰＴｈ ８０／２０ １３０
２ １０−１１ ２０ ９ ６
０．６５ ０．３０ ０．３０───────
─────────────────────────
────実施例５ ａ． ２，２，２−トリフルオロエチル−３− チエ
ニルエ−テル（ＰＴＨＯＦ） の重合反応器としては、
３方コック、撹拌器および計量ポンプに接続された針を
差し込むことのできるダイアフラムを備えた５００ｍｌ
丸底フラスコを使用した。
【００４０】該丸底フラスコを、３回の真空引きおよび
３回の純粋な乾燥窒素によるフラッシングからなるサイ
クルでパ−ジした。８０ｍｌのクロロホルムと、２２ｇ
の無水塩化第二鉄とをこの丸底フラスコに投入し、これ
を−２０ °Ｃ にて窒素雰囲気下に維持し、全体を撹
拌した。２０ｍｌのクロロホルムと、２．５ｇの２，２
，２−トリフルオロエチル−３−チエニルエ−テルとを
、該計量ポンプを介して該混合物中に全体で１０分間に
渡り投入した。
３回の純粋な乾燥窒素によるフラッシングからなるサイ
クルでパ−ジした。８０ｍｌのクロロホルムと、２２ｇ
の無水塩化第二鉄とをこの丸底フラスコに投入し、これ
を−２０ °Ｃ にて窒素雰囲気下に維持し、全体を撹
拌した。２０ｍｌのクロロホルムと、２．５ｇの２，２
，２−トリフルオロエチル−３−チエニルエ−テルとを
、該計量ポンプを介して該混合物中に全体で１０分間に
渡り投入した。
【００４１】該丸底フラスコの内容物の撹拌を−２０
°Ｃ にて２時間続けた。該混合物１００ ｍｌ当たり
２．５ ｇのドーピングポリマーを含む懸濁液を得た。 ｂ． 脱ドーピング 上で得た該懸濁液を窒素雰囲気下で−２０ °Ｃ に維
持し、かつ撹拌しつつ、５０ｍｌの水を２０分に渡り該
丸底フラスコに徐々に投入した。
°Ｃ にて２時間続けた。該混合物１００ ｍｌ当たり
２．５ ｇのドーピングポリマーを含む懸濁液を得た。 ｂ． 脱ドーピング 上で得た該懸濁液を窒素雰囲気下で−２０ °Ｃ に維
持し、かつ撹拌しつつ、５０ｍｌの水を２０分に渡り該
丸底フラスコに徐々に投入した。
【００４２】次いで、２０分間撹拌を続け、更に該混合
物を空気中で２０°Ｃ にて濾紙を介して濾過した。得
られた生成物を５０ｍｌの水で４回洗浄し、次いで２０
°Ｃ にて２０ ｍｍＨｇ の真空下で乾燥した。２．
１ ｇの脱ドーピングしたポリマーが得られ、該ポリマ
ーの導電率は約１０−６Ｓ／ｃｍ程度であった。 ｃ． 本発明の混合物の調製 商品名ソレフ（ＳＯＬＥＦ） １０１０のポリ（フッ化
ビニリデン）（１０ ｇ）のジメチルホルムアミド（１
００ ｍｌ）溶液を三角フラスコに投入した。この溶液
を２０°Ｃ にて２時間十分な撹拌状態に維持した。
物を空気中で２０°Ｃ にて濾紙を介して濾過した。得
られた生成物を５０ｍｌの水で４回洗浄し、次いで２０
°Ｃ にて２０ ｍｍＨｇ の真空下で乾燥した。２．
１ ｇの脱ドーピングしたポリマーが得られ、該ポリマ
ーの導電率は約１０−６Ｓ／ｃｍ程度であった。 ｃ． 本発明の混合物の調製 商品名ソレフ（ＳＯＬＥＦ） １０１０のポリ（フッ化
ビニリデン）（１０ ｇ）のジメチルホルムアミド（１
００ ｍｌ）溶液を三角フラスコに投入した。この溶液
を２０°Ｃ にて２時間十分な撹拌状態に維持した。
【００４３】上で得た脱ドーピングしたポリマーの５％
ジメチルホルムアミド溶液を調製した。この溶液を２０
°Ｃ にて２時間十分な撹拌状態に維持した。所定の比
率の、これら２種の溶液の混合物は、該脱ドーピングし
たポリマーＰＴＨＯＦ の溶液を、十分に撹拌した該Ｐ
ＶＤＦの溶液に滴下することにより調製した。２０°Ｃ
にて１時間撹拌を続けた。 ｄ． フィルムの製造 上で得た溶液を、種々の高さのドクタ−ブレ−ドを使用
してガラス支持体上に展開した。該ブレ−ドの高さは２
本のマイクロメ−タスクリュ−を使用して設定した。該
溶液数ｃｍ３ を該ドクタ−ブレ−ドの前端に付着させ
該ブレ−ドを１０ ｃｍ／ｓｅｃ の速度で移動させた
。
ジメチルホルムアミド溶液を調製した。この溶液を２０
°Ｃ にて２時間十分な撹拌状態に維持した。所定の比
率の、これら２種の溶液の混合物は、該脱ドーピングし
たポリマーＰＴＨＯＦ の溶液を、十分に撹拌した該Ｐ
ＶＤＦの溶液に滴下することにより調製した。２０°Ｃ
にて１時間撹拌を続けた。 ｄ． フィルムの製造 上で得た溶液を、種々の高さのドクタ−ブレ−ドを使用
してガラス支持体上に展開した。該ブレ−ドの高さは２
本のマイクロメ−タスクリュ−を使用して設定した。該
溶液数ｃｍ３ を該ドクタ−ブレ−ドの前端に付着させ
該ブレ−ドを１０ ｃｍ／ｓｅｃ の速度で移動させた
。
【００４４】得られた該フィルムを真空炉に入れ、５０
°Ｃ で２０ｍｍＨｇ の真空下で３０分間乾燥させた
。３０〜３５μのフィルムが得られ、該フィルムは該支
持体から分離でき、かつ１０−７〜１０−１３ Ｓ／ｃ
ｍの導電率を有していた。 ｅ． 誘電特性 種々の温度および１〜１００ ＫＨｚ の範囲内の周波
数に対する誘電率εおよび損失角の正接ｔｇδの測定は
、上記の薄膜について行った。この測定は、表面積が６
ｃｍ２ でかつ５００ Åのアルミニウム層で金属化し
たサンプルに対して実施した。
°Ｃ で２０ｍｍＨｇ の真空下で３０分間乾燥させた
。３０〜３５μのフィルムが得られ、該フィルムは該支
持体から分離でき、かつ１０−７〜１０−１３ Ｓ／ｃ
ｍの導電率を有していた。 ｅ． 誘電特性 種々の温度および１〜１００ ＫＨｚ の範囲内の周波
数に対する誘電率εおよび損失角の正接ｔｇδの測定は
、上記の薄膜について行った。この測定は、表面積が６
ｃｍ２ でかつ５００ Åのアルミニウム層で金属化し
たサンプルに対して実施した。
【００４５】これらのサンプルを耐候試験チャンバーに
入れ、測定ブリッジ（ジェネラルラジオ（Ｇｅｎｅｒａ
ｌ Ｒａｄｉｏ） Ｎｏ． １６８９型）を使用して測
定した。結果を以下の表７に纏めた。 （表７） ─────────────────────────
───────────Ｎｏ． フィルム（比率）厚み
導電率Ｓ／ｃｍ ε（２０°Ｃ ） ｔｇ
δ（２０°Ｃ ）
（ μｍ） １ＫＨ
ｚ １０ １００ １ＫＨｚ １０ １
００ １ ＰＶＤＦ
３２ ２．８ １０−１２ ５ ５
５ ０．０１ ０．０２ ０．０６ ２
ＰＶＤＦ／ＰＴＨＯＦ ９９／１ ３０ ５．
０ １０−１０ ７．５ ７ ７ ０
．０４ ０．０４ ０．０６ ３ ＰＶＤＦ／Ｐ
ＴＨＯＦ ９０／１０ ３５ １．０ １０−９
１５ １２ ９ ０．０２ ０．
０２ ０．０２ ４ ＰＶＤＦ／ＰＴＨＯＦ ８０
／２０ ３５ １．０ １０−７ ３２
１７ １０ ０．６０ ０．４０ ０．３
５ ５ ＰＶＤＦ／ＰＴＨＯＦ ７５／２５ ３０
２．０ １０−７ ３０ １５
９ ０．８０ ０．４０ ０．３５ ６ ＰＶ
ＤＦ／ＰＴＨＯＦ ６５／３５ ３０ ５．０ １
０−７ ６０ ２３ １２ ３．２
１．２ ０．５０─────────────
───────────────────────実施
例６ 実施例５と同様に実施したが、ポリ（フッ化ビニリデン
）（ＰＶＤＦ）の代わりにコポリマーＶＦ２−ＴｒＦＥ
（７５／２５） 、即ちフッ化ビニリデンとトリフルオ
ロエチレンとのコポリマーを使用した。
入れ、測定ブリッジ（ジェネラルラジオ（Ｇｅｎｅｒａ
ｌ Ｒａｄｉｏ） Ｎｏ． １６８９型）を使用して測
定した。結果を以下の表７に纏めた。 （表７） ─────────────────────────
───────────Ｎｏ． フィルム（比率）厚み
導電率Ｓ／ｃｍ ε（２０°Ｃ ） ｔｇ
δ（２０°Ｃ ）
（ μｍ） １ＫＨ
ｚ １０ １００ １ＫＨｚ １０ １
００ １ ＰＶＤＦ
３２ ２．８ １０−１２ ５ ５
５ ０．０１ ０．０２ ０．０６ ２
ＰＶＤＦ／ＰＴＨＯＦ ９９／１ ３０ ５．
０ １０−１０ ７．５ ７ ７ ０
．０４ ０．０４ ０．０６ ３ ＰＶＤＦ／Ｐ
ＴＨＯＦ ９０／１０ ３５ １．０ １０−９
１５ １２ ９ ０．０２ ０．
０２ ０．０２ ４ ＰＶＤＦ／ＰＴＨＯＦ ８０
／２０ ３５ １．０ １０−７ ３２
１７ １０ ０．６０ ０．４０ ０．３
５ ５ ＰＶＤＦ／ＰＴＨＯＦ ７５／２５ ３０
２．０ １０−７ ３０ １５
９ ０．８０ ０．４０ ０．３５ ６ ＰＶ
ＤＦ／ＰＴＨＯＦ ６５／３５ ３０ ５．０ １
０−７ ６０ ２３ １２ ３．２
１．２ ０．５０─────────────
───────────────────────実施
例６ 実施例５と同様に実施したが、ポリ（フッ化ビニリデン
）（ＰＶＤＦ）の代わりにコポリマーＶＦ２−ＴｒＦＥ
（７５／２５） 、即ちフッ化ビニリデンとトリフルオ
ロエチレンとのコポリマーを使用した。
【００４６】結果を表８に纏めた。混合物８（ＶＦ２−
ＴｒＦＥ／ＰＴＨＯＦ： ２０／８０） について得ら
れた結果を図１、２および３に示した。図１の結果は、
種々の温度に対する誘電率εの測定結果であり、この測
定は３種の周波数：１、１０および１００ ＫＨｚ に
対して実施した。図２の結果は、種々の温度における損
失角の正接ｔｇδの値を示し、この測定も３種の周波数
：１、１０および１００ ＫＨｚ に対して実施した。
ＴｒＦＥ／ＰＴＨＯＦ： ２０／８０） について得ら
れた結果を図１、２および３に示した。図１の結果は、
種々の温度に対する誘電率εの測定結果であり、この測
定は３種の周波数：１、１０および１００ ＫＨｚ に
対して実施した。図２の結果は、種々の温度における損
失角の正接ｔｇδの値を示し、この測定も３種の周波数
：１、１０および１００ ＫＨｚ に対して実施した。
【００４７】図３の結果は、温度の関数としての誘電率
εの測定結果を示し、この測定は周波数１００ ＫＨｚ
の下で実施した。図１〜図３において、横軸は°Ｃ
で表した温度であり、図１および図３において縦軸は誘
電率εであり、一方図２において縦軸は損失角の正接で
ある。 （表８） ─────────────────────────
───────────Ｎｏ． フィルム（比率）厚み
導電率Ｓ／ｃｍ ε（２０°Ｃ ） ｔｇ
δ（２０°Ｃ ）
（ μｍ） １ＫＨ
ｚ １０ １００ １ＫＨｚ １０ １
００ １ ＶＦ２−ＴｒＦＥ
３０ ２．１ １０−１３ １２ １１
１１ ０．０５ ０．０５ ０．１５ ２
ＶＦ２−ＴｒＦＥ／ ＰＴＨＯＦ ９９／１ ３０
３．０ １０−１２ ９ １０ １１
０．０５ ０．０６ ０．１５ ３ Ｖ
Ｆ２−ＴｒＦＥ／ ＰＴＨＯＦ ９０／１０ ３０
１．１ １０−１１ ７ ８ ９
０．０４ ０．０６ ０．１５ ４ Ｖ
Ｆ２−ＴｒＦＥ／ ＰＴＨＯＦ ８０／２０ ３０
５．３ １０−１０ ５００ ３５ １８
２．８ ４．５ １．０ ５ ＶＦ２
−ＴｒＦＥ／ ＰＴＨＯＦ ７５／２５ ３０
２．８ １０−１０ ９５０ ５０ ２０
２．１ ５．５ １．５ ６ ＶＦ２
−ＴｒＦＥ／ ＰＴＨＯＦ ６５／３５ ３０
６．８ １０−１０ ＞１０００ ３５０ ３０
０．８ ３．５ ５．３ ７ ＶＦ２
−ＴｒＦＥ／ ＰＴＨＯＦ ５０／５０ ３０
３．１ １０−９ ＞１０００ ４８０ １１０
０．７ １．５ ２．０ ８ ＶＦ２
−ＴｒＦＥ／ ＰＴＨＯＦ ２０／８０ ３０
５．０ １０−９ ７００ １５０ ４０
２．２ １．５ １．５ ───────
─────────────────────────
──── ε ：誘電率 ｔｇδ：損失角の正接
εの測定結果を示し、この測定は周波数１００ ＫＨｚ
の下で実施した。図１〜図３において、横軸は°Ｃ
で表した温度であり、図１および図３において縦軸は誘
電率εであり、一方図２において縦軸は損失角の正接で
ある。 （表８） ─────────────────────────
───────────Ｎｏ． フィルム（比率）厚み
導電率Ｓ／ｃｍ ε（２０°Ｃ ） ｔｇ
δ（２０°Ｃ ）
（ μｍ） １ＫＨ
ｚ １０ １００ １ＫＨｚ １０ １
００ １ ＶＦ２−ＴｒＦＥ
３０ ２．１ １０−１３ １２ １１
１１ ０．０５ ０．０５ ０．１５ ２
ＶＦ２−ＴｒＦＥ／ ＰＴＨＯＦ ９９／１ ３０
３．０ １０−１２ ９ １０ １１
０．０５ ０．０６ ０．１５ ３ Ｖ
Ｆ２−ＴｒＦＥ／ ＰＴＨＯＦ ９０／１０ ３０
１．１ １０−１１ ７ ８ ９
０．０４ ０．０６ ０．１５ ４ Ｖ
Ｆ２−ＴｒＦＥ／ ＰＴＨＯＦ ８０／２０ ３０
５．３ １０−１０ ５００ ３５ １８
２．８ ４．５ １．０ ５ ＶＦ２
−ＴｒＦＥ／ ＰＴＨＯＦ ７５／２５ ３０
２．８ １０−１０ ９５０ ５０ ２０
２．１ ５．５ １．５ ６ ＶＦ２
−ＴｒＦＥ／ ＰＴＨＯＦ ６５／３５ ３０
６．８ １０−１０ ＞１０００ ３５０ ３０
０．８ ３．５ ５．３ ７ ＶＦ２
−ＴｒＦＥ／ ＰＴＨＯＦ ５０／５０ ３０
３．１ １０−９ ＞１０００ ４８０ １１０
０．７ １．５ ２．０ ８ ＶＦ２
−ＴｒＦＥ／ ＰＴＨＯＦ ２０／８０ ３０
５．０ １０−９ ７００ １５０ ４０
２．２ １．５ １．５ ───────
─────────────────────────
──── ε ：誘電率 ｔｇδ：損失角の正接
【図１】周波数１、１０および１００ ＫＨｚ におけ
る、温度の関数としての誘電率εの測定結果を示した図
である。
る、温度の関数としての誘電率εの測定結果を示した図
である。
【図２】周波数１、１０および１００ ＫＨｚ におけ
る、温度の関数としての損失角の正接ｔｇδの値を示す
図である。
る、温度の関数としての損失角の正接ｔｇδの値を示す
図である。
【図３】周波数１００ ＫＨｚ における、温度の関数
としての誘電率εの測定結果を示す図である。
としての誘電率εの測定結果を示す図である。
Claims (12)
- 【請求項１】 導電性ポリマーと極性ポリマーとを含
み、該導電性ポリマーが脱ドーピングされていることを
特徴とするポリマー混合物。 - 【請求項２】 該極性ポリマーがフッソ化ポリマーか
ら選択される請求項１記載の混合物。 - 【請求項３】 該極性ポリマーがフッ化ビニリデンの
ホモポリマーおよびコポリマーから選択される請求項１
記載の混合物。 - 【請求項４】 該導電性ポリマーがポリアセチレン、
ポリピロ−ル、ポリインド−ル、ポリアニリン、ポリフ
ェニレンおよびポリチオフェンから選択される請求項１
〜３のいずれか１項に記載の混合物。 - 【請求項５】 該導電性ポリマーがポリチオフェンで
ある請求項４記載の混合物。 - 【請求項６】 該ポリチオフェンがチオフェン環上に
側鎖を有するポリマーである請求項５記載の混合物。 - 【請求項７】 該混合物が脱ドーピングされたポリ（
４−フルオロベンジル−２−（３’− チエニル）エチ
ルエ−テル）およびフッ化ビニリデンのホモポリマーま
たはコポリマーを含む請求項３または４記載の混合物。 - 【請求項８】 該ポリチオフェンが３−オクチルチオ
フェンポリマー、２，２，２−トリフルオロエチル−３
− チエニルエ−テルポリマー、４，４，４，３，３，
２，２−ヘプタフルオロ−ｎ− ブチル−３− チエニ
ルエ−テルポリマーおよび８，８，８，７，７，６，６
，５，５，４，４，３，３，２，２−ペンタデカフルオ
ロ−ｎ− オクチル−３−チエニルエ−テルポリマーか
ら選択される請求項６項記載の混合物。 - 【請求項９】 上記の請求項１〜８のいずれか１項に
記載の混合物の製法であって、脱ドーピングされた導電
性ポリマーを該混合物の製造に使用することを特徴とす
る上記方法。 - 【請求項１０】 電子、光電気、電気並びに電気機械
的装置の製造のための上記請求項１〜８のいずれか１項
に記載の混合物の利用。 - 【請求項１１】 厚み０．０１〜１００ μのフィル
ム形状での上記請求項１〜８のいずれか１項に記載の混
合物の利用。 - 【請求項１２】 該装置がコンデンサ−であり、該コ
ンデンサ−が高い誘電率を有し、かつ該誘電率が２０〜
８０°Ｃ の温度範囲および１〜１００ＫＨｚの周波数
に対して一定であることを特徴とする請求項１１記載の
利用。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| BE9000838A BE1008036A3 (fr) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | Melanges de polymeres polaires et de polymeres conducteurs dedopes, procedes d'obtention de ces melanges et utilisation de ces melanges pour fabriquer des dispositifs electroniques optoelectriques, electrotechniques et electromecaniques. |
| BE09000838 | 1990-08-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04234459A true JPH04234459A (ja) | 1992-08-24 |
| JP3142607B2 JP3142607B2 (ja) | 2001-03-07 |
Family
ID=3884917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03220434A Expired - Fee Related JP3142607B2 (ja) | 1990-08-30 | 1991-08-30 | 極性ポリマーと脱ドーピングした導電性ポリマーとの混合物及びその製法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5286413A (ja) |
| EP (1) | EP0473224B1 (ja) |
| JP (1) | JP3142607B2 (ja) |
| AT (1) | ATE134667T1 (ja) |
| BE (1) | BE1008036A3 (ja) |
| DE (1) | DE69117392T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018502190A (ja) * | 2014-12-15 | 2018-01-25 | 日産化学工業株式会社 | 正孔輸送材料とフルオロポリマーとを含有する組成物及びその使用 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0867893A (ja) * | 1994-08-19 | 1996-03-12 | Lubrizol Corp:The | 極性固体および有機半導体の電気流動性流体 |
| US5501809A (en) * | 1994-08-19 | 1996-03-26 | The Lubrizol Corporation | Electrorheological fluids containing particles of a polar solid material and an inactive polymeric material |
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| DE19547934A1 (de) * | 1995-12-22 | 1997-06-26 | Deutsche Telekom Ag | Verfahren zur Herstellung einer pyroelektrischen Mischung |
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