JPH04236478A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPH04236478A JPH04236478A JP3005225A JP522591A JPH04236478A JP H04236478 A JPH04236478 A JP H04236478A JP 3005225 A JP3005225 A JP 3005225A JP 522591 A JP522591 A JP 522591A JP H04236478 A JPH04236478 A JP H04236478A
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- crystal
- semiconductor light
- layer
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Links
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 17
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- ZSBXGIUJOOQZMP-JLNYLFASSA-N Matrine Chemical compound C1CC[C@H]2CN3C(=O)CCC[C@@H]3[C@@H]3[C@H]2N1CCC3 ZSBXGIUJOOQZMP-JLNYLFASSA-N 0.000 description 4
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- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、特にレーザ装置に用いられる半
導体発光素子に関する。
導体発光素子に関する。
【０００２】
【背景技術】ＧａＮ等のＩＩＩ−Ｖナイトライド系混晶
エピタキシャル層を使った半導体発光素子では、従来、
基板結晶としてサファイア（α−Ａｌ２Ｏ３）が用いら
れていた。 ＧａＮの結晶構造はウルツ型であり、一
方、基板結晶であるサファイアはコランダム型である。 ともに六方晶系であるが、サファイアが原子面としては
１３回の繰返し周期を持つように、両者は等価ではない
。さらに両者の格子定数が大きく異なり、互いの格子不
整合は１４％にも及ぶ。こうした格子不整合のために良
好なエピタキシャル層を形成することが難しく、これら
を使った発光素子において効率の良い発光出力を得るこ
とができなかった。
エピタキシャル層を使った半導体発光素子では、従来、
基板結晶としてサファイア（α−Ａｌ２Ｏ３）が用いら
れていた。 ＧａＮの結晶構造はウルツ型であり、一
方、基板結晶であるサファイアはコランダム型である。 ともに六方晶系であるが、サファイアが原子面としては
１３回の繰返し周期を持つように、両者は等価ではない
。さらに両者の格子定数が大きく異なり、互いの格子不
整合は１４％にも及ぶ。こうした格子不整合のために良
好なエピタキシャル層を形成することが難しく、これら
を使った発光素子において効率の良い発光出力を得るこ
とができなかった。
【０００３】
【発明の目的】よって、本発明は上記のような問題点を
排除するためになされたものであり、その目的とすると
ころは、基板結晶との格子整合のとれた良好なエピタキ
シャル層を形成し、発光効率の良い半導体発光素子を提
供することである。
排除するためになされたものであり、その目的とすると
ころは、基板結晶との格子整合のとれた良好なエピタキ
シャル層を形成し、発光効率の良い半導体発光素子を提
供することである。
【０００４】
【発明の構成】本発明による半導体発光素子は、複数の
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体混晶が基板結晶上にエピタキ
シャル層として形成されてなる半導体発光素子であって
、前記基板結晶をＺｎＯとし、前記エピタキシャル層の
組成を ＡｌＸＧａ１−Ｘ−ＹＩｎＹＮ （０≦ｘ ＜１，０＜ｙ ＜１） としたことを特徴とするものである。
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体混晶が基板結晶上にエピタキ
シャル層として形成されてなる半導体発光素子であって
、前記基板結晶をＺｎＯとし、前記エピタキシャル層の
組成を ＡｌＸＧａ１−Ｘ−ＹＩｎＹＮ （０≦ｘ ＜１，０＜ｙ ＜１） としたことを特徴とするものである。
【０００５】
【発明の作用】本発明による半導体発光素子においては
、ＧａＮエピタキシャル層の組成中、Ｇａの一部をＩｎ
、もしくはＩｎ及びＡｌで置換したので、基板結晶Ｚｎ
Ｏとの格子整合が得られる。
、ＧａＮエピタキシャル層の組成中、Ｇａの一部をＩｎ
、もしくはＩｎ及びＡｌで置換したので、基板結晶Ｚｎ
Ｏとの格子整合が得られる。
【０００６】
【実施例】複数のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ＧａＮ，Ａ
ｌＮ，ＩｎＮに関して、横軸に格子定数、縦軸にバンド
ギャップ（禁制帯幅）をとりプロットすると、図１のよ
うなＧａＮ，ＡｌＮ，ＩｎＮと記した３点となる。ここ
で、混晶系におけるベガード則を仮定すると、３つの２
元系半導体ＧａＮ，ＡｌＮ，ＩｎＮを適当な比率で混合
することにより、同図中実線で囲まれた三角形内の領域
において当該４元系混晶の物性値（格子定数とバンドギ
ャップ）を実現することができる。なお、図１における
ＧａＮ，ＡｌＮ，ＩｎＮは直接遷移型半導体であり、各
伝導帯及び価電子帯のそれぞれエネルギー最小値及び最
大値でのバンドギャップを示すものである。
ｌＮ，ＩｎＮに関して、横軸に格子定数、縦軸にバンド
ギャップ（禁制帯幅）をとりプロットすると、図１のよ
うなＧａＮ，ＡｌＮ，ＩｎＮと記した３点となる。ここ
で、混晶系におけるベガード則を仮定すると、３つの２
元系半導体ＧａＮ，ＡｌＮ，ＩｎＮを適当な比率で混合
することにより、同図中実線で囲まれた三角形内の領域
において当該４元系混晶の物性値（格子定数とバンドギ
ャップ）を実現することができる。なお、図１における
ＧａＮ，ＡｌＮ，ＩｎＮは直接遷移型半導体であり、各
伝導帯及び価電子帯のそれぞれエネルギー最小値及び最
大値でのバンドギャップを示すものである。
【０００７】図中点線で示した直線ｌ１は基板結晶Ｚｎ
Ｏの格子定数３．２４Åのラインである。基板結晶Ｚｎ
Ｏは半導体ＧａＮと同じウルツ型の結晶構造であり、Ｇ
ａＮに近い格子定数を有していることが分かる。このラ
インｌ１とＧａＮ−ＩｎＮ間の３元系混晶のラインとの
交点Ａ、及びラインｌ１とＡｌＮ−ＩｎＮ間の３元系混
晶のラインとの交点Ｂの組成をベガード則を用いればそ
れぞれ Ａ点：Ｇａ０．８２Ｉｎ０．１８Ｎ Ｂ点：Ａｌ０．６９Ｉｎ０．３１Ｎ と見積ることができる。
Ｏの格子定数３．２４Åのラインである。基板結晶Ｚｎ
Ｏは半導体ＧａＮと同じウルツ型の結晶構造であり、Ｇ
ａＮに近い格子定数を有していることが分かる。このラ
インｌ１とＧａＮ−ＩｎＮ間の３元系混晶のラインとの
交点Ａ、及びラインｌ１とＡｌＮ−ＩｎＮ間の３元系混
晶のラインとの交点Ｂの組成をベガード則を用いればそ
れぞれ Ａ点：Ｇａ０．８２Ｉｎ０．１８Ｎ Ｂ点：Ａｌ０．６９Ｉｎ０．３１Ｎ と見積ることができる。
【０００８】また、線分ＡＢは、混晶ＧａＩｎＡｌＮ系
で基板結晶ＺｎＯと格子整合がとれる組成範囲を示すも
のであり、これに再びベガード則を仮定すれば、線分Ａ
Ｂの物性値は、上記Ａ点組成とＢ点組成間の混晶（４元
系混晶）により実現されることになるので、（Ｇａ０．
８２Ｉｎ０．１８Ｎ）１−Ｗ（Ａｌ０．６９Ｉｎ０．３
１Ｎ）Ｗ ……（１）という概略の組成範囲にて
エピタキシャル層を形成すれば基板結晶ＺｎＯとの格子
整合がなされることになる。
で基板結晶ＺｎＯと格子整合がとれる組成範囲を示すも
のであり、これに再びベガード則を仮定すれば、線分Ａ
Ｂの物性値は、上記Ａ点組成とＢ点組成間の混晶（４元
系混晶）により実現されることになるので、（Ｇａ０．
８２Ｉｎ０．１８Ｎ）１−Ｗ（Ａｌ０．６９Ｉｎ０．３
１Ｎ）Ｗ ……（１）という概略の組成範囲にて
エピタキシャル層を形成すれば基板結晶ＺｎＯとの格子
整合がなされることになる。
【０００９】半導体レーザ素子を形成する場合、エピタ
キシャル層をいわゆるダブルヘテロ構造とすることが一
般的に採用されている。この場合、活性層における光子
の閉込めを有効に行なうため、クラッド層のバンドギャ
ップを、活性層のバンドギャップより０．３ｅＶ程度大
きい値に設定するのが好ましいと言われており、ＺｎＯ
を基板結晶とする場合は、上記組成式（１）で表わされ
る組成範囲の中から、互いのバンドギャップ差が約０．
３ｅＶとなるものを形成すれば良いことになる。例えば
図１中において、活性層として最もシンプルなＡ点組成
を選択した場合には、当該Ａ点組成におけるバンドギャ
ップよりも０．３ｅＶだけ大きいバンドギャップを有す
るＣ点組成をクラッド層に適用すれば良い。Ｃ点におけ
る混晶の組成は、上述のｌ１線上の４元系混晶の組成式
（１）及びベガード則より算出することができる。
キシャル層をいわゆるダブルヘテロ構造とすることが一
般的に採用されている。この場合、活性層における光子
の閉込めを有効に行なうため、クラッド層のバンドギャ
ップを、活性層のバンドギャップより０．３ｅＶ程度大
きい値に設定するのが好ましいと言われており、ＺｎＯ
を基板結晶とする場合は、上記組成式（１）で表わされ
る組成範囲の中から、互いのバンドギャップ差が約０．
３ｅＶとなるものを形成すれば良いことになる。例えば
図１中において、活性層として最もシンプルなＡ点組成
を選択した場合には、当該Ａ点組成におけるバンドギャ
ップよりも０．３ｅＶだけ大きいバンドギャップを有す
るＣ点組成をクラッド層に適用すれば良い。Ｃ点におけ
る混晶の組成は、上述のｌ１線上の４元系混晶の組成式
（１）及びベガード則より算出することができる。
【００１０】図２に、上述の如く基板結晶ＺｎＯに格子
整合をとったＡｌＸＧａ１−Ｘ−ＹＩｎＹＮ（０≦ｘ
＜１，０＜ｙ ＜１）系混晶で活性層とクラッド層を形
成したダブルヘテロ構造半導体レーザ素子の構成の一例
が示されている。ここでは、基板結晶１をｎ型ＺｎＯと
し、上記見積られた組成範囲に従って、活性層２を混晶
Ｇａ０．８２Ｉｎ０．１８Ｎとし、クラッド層３及び４
をそれぞれｐ型及びｎ型の混晶Ａｌ０．１２Ｇａ０．６
８Ｉｎ０．２０Ｎとしてエピタキシャル層５を形成した
ものである。このようにして構成された半導体レーザ素
子では、通常、クラッド層に順方向バイアスを印加する
ことにより活性層に光子を発生せしめ、層内部の光共振
によって活性層の劈開面より誘導放出されたレーザ光を
得ることができる。
整合をとったＡｌＸＧａ１−Ｘ−ＹＩｎＹＮ（０≦ｘ
＜１，０＜ｙ ＜１）系混晶で活性層とクラッド層を形
成したダブルヘテロ構造半導体レーザ素子の構成の一例
が示されている。ここでは、基板結晶１をｎ型ＺｎＯと
し、上記見積られた組成範囲に従って、活性層２を混晶
Ｇａ０．８２Ｉｎ０．１８Ｎとし、クラッド層３及び４
をそれぞれｐ型及びｎ型の混晶Ａｌ０．１２Ｇａ０．６
８Ｉｎ０．２０Ｎとしてエピタキシャル層５を形成した
ものである。このようにして構成された半導体レーザ素
子では、通常、クラッド層に順方向バイアスを印加する
ことにより活性層に光子を発生せしめ、層内部の光共振
によって活性層の劈開面より誘導放出されたレーザ光を
得ることができる。
【００１１】さらに、活性層もＡｌＸＧａ１−Ｘ−ＹＩ
ｎＹＮ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１）で構成することを考
慮すれば、青色から紫外領域の短波長半導体レーザ光を
得ることが可能となる。また同じように基板結晶ＺｎＯ
に格子整合をとったＡｌＸＧａ１−Ｘ−ＹＩｎＹＮ系混
晶でｐｎ接合を形成し、発光ダイオードとすることも可
能である。
ｎＹＮ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１）で構成することを考
慮すれば、青色から紫外領域の短波長半導体レーザ光を
得ることが可能となる。また同じように基板結晶ＺｎＯ
に格子整合をとったＡｌＸＧａ１−Ｘ−ＹＩｎＹＮ系混
晶でｐｎ接合を形成し、発光ダイオードとすることも可
能である。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体発
光素子においては、ＺｎＯを基板結晶とし、エピタキシ
ャル層の組成中、半導体ＧａＮにおいてＧａの一部をＩ
ｎまたはＩｎとＡｌで置換することにより基板結晶Ｚｎ
Ｏとの格子整合をなしているので、混晶ＧａＩｎＮ系あ
るいは混晶ＡｌＧａＩｎＮ系の良好なエピタキシャル層
が得られ、これらにより発光効率の優れた半導体発光素
子を構成することができる。
光素子においては、ＺｎＯを基板結晶とし、エピタキシ
ャル層の組成中、半導体ＧａＮにおいてＧａの一部をＩ
ｎまたはＩｎとＡｌで置換することにより基板結晶Ｚｎ
Ｏとの格子整合をなしているので、混晶ＧａＩｎＮ系あ
るいは混晶ＡｌＧａＩｎＮ系の良好なエピタキシャル層
が得られ、これらにより発光効率の優れた半導体発光素
子を構成することができる。
【図１】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体とその混晶について
バンドギャップとその格子定数を示す図。
バンドギャップとその格子定数を示す図。
【図２】本発明の実施例におけるダブルヘテロ構造半導
体レーザ素子の構成を示す図。
体レーザ素子の構成を示す図。
【主要部分の符号の説明】１………基板結晶２………活
性層 ３，４…クラッド層 ５………エピタキシャル層
性層 ３，４…クラッド層 ５………エピタキシャル層
Claims (1)
- 【請求項１】 複数のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体混晶
が基板結晶上にエピタキシャル層として形成されてなる
半導体発光素子であって、前記基板結晶をＺｎＯとし、
前記エピタキシャル層の組成を ＡｌＸＧａ１−Ｘ−ＹＩｎＹＮ （０≦ｘ ＜１，０＜ｙ ＜１） としたことを特徴とする半導体発光素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3005225A JPH04236478A (ja) | 1991-01-21 | 1991-01-21 | 半導体発光素子 |
| US07/736,471 US5173751A (en) | 1991-01-21 | 1991-07-26 | Semiconductor light emitting device |
| EP19910112811 EP0496030A3 (en) | 1991-01-21 | 1991-07-30 | Semiconductor light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3005225A JPH04236478A (ja) | 1991-01-21 | 1991-01-21 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04236478A true JPH04236478A (ja) | 1992-08-25 |
Family
ID=11605251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3005225A Pending JPH04236478A (ja) | 1991-01-21 | 1991-01-21 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04236478A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996003776A1 (en) * | 1994-07-21 | 1996-02-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and production method thereof |
| US5578839A (en) * | 1992-11-20 | 1996-11-26 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
| JPH1027940A (ja) * | 1996-07-12 | 1998-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザー装置 |
| US5815520A (en) * | 1995-07-27 | 1998-09-29 | Nec Corporation | light emitting semiconductor device and its manufacturing method |
| US6136626A (en) * | 1994-06-09 | 2000-10-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and production method thereof |
| US6734091B2 (en) | 2002-06-28 | 2004-05-11 | Kopin Corporation | Electrode for p-type gallium nitride-based semiconductors |
| US6881983B2 (en) | 2002-02-25 | 2005-04-19 | Kopin Corporation | Efficient light emitting diodes and lasers |
| US6911079B2 (en) | 2002-04-19 | 2005-06-28 | Kopin Corporation | Method for reducing the resistivity of p-type II-VI and III-V semiconductors |
| US6940098B1 (en) * | 1999-03-17 | 2005-09-06 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | Semiconductor base and its manufacturing method, and semiconductor crystal manufacturing method |
| US6996150B1 (en) | 1994-09-14 | 2006-02-07 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| JP2010056434A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Kanazawa Inst Of Technology | 発光素子用基板および発光素子 |
-
1991
- 1991-01-21 JP JP3005225A patent/JPH04236478A/ja active Pending
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6215133B1 (en) | 1992-11-20 | 2001-04-10 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
| US6078063A (en) * | 1992-11-20 | 2000-06-20 | Nichia Chemical Industries Ltd. | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
| US6469323B1 (en) | 1992-11-20 | 2002-10-22 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
| US5734182A (en) * | 1992-11-20 | 1998-03-31 | Nichia Chemical Industries Ltd. | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconducor device |
| US5747832A (en) * | 1992-11-20 | 1998-05-05 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
| US5880486A (en) * | 1992-11-20 | 1999-03-09 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
| US5578839A (en) * | 1992-11-20 | 1996-11-26 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
| US6136626A (en) * | 1994-06-09 | 2000-10-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and production method thereof |
| WO1996003776A1 (en) * | 1994-07-21 | 1996-02-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and production method thereof |
| US5895225A (en) * | 1994-07-21 | 1999-04-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and production method thereof |
| US5751013A (en) * | 1994-07-21 | 1998-05-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and production method thereof |
| US6133058A (en) * | 1994-07-21 | 2000-10-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Fabrication of semiconductor light-emitting device |
| KR100290076B1 (ko) * | 1994-07-21 | 2001-06-01 | 모리시타 요이찌 | 반도체 발광 소자 및 그 제조방법 |
| US6996150B1 (en) | 1994-09-14 | 2006-02-07 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| US8934513B2 (en) | 1994-09-14 | 2015-01-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| US7616672B2 (en) | 1994-09-14 | 2009-11-10 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| US5815520A (en) * | 1995-07-27 | 1998-09-29 | Nec Corporation | light emitting semiconductor device and its manufacturing method |
| JPH1027940A (ja) * | 1996-07-12 | 1998-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザー装置 |
| US6940098B1 (en) * | 1999-03-17 | 2005-09-06 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | Semiconductor base and its manufacturing method, and semiconductor crystal manufacturing method |
| US7115486B2 (en) | 1999-03-17 | 2006-10-03 | Mitsubishi Cable Industries Ltd. | Semiconductor base and its manufacturing method, and semiconductor crystal manufacturing method |
| US7504324B2 (en) | 1999-03-17 | 2009-03-17 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor base and its manufacturing method, and semiconductor crystal manufacturing method |
| US7589001B2 (en) | 1999-03-17 | 2009-09-15 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor base and its manufacturing method, and semiconductor crystal manufacturing method |
| US6881983B2 (en) | 2002-02-25 | 2005-04-19 | Kopin Corporation | Efficient light emitting diodes and lasers |
| US6911079B2 (en) | 2002-04-19 | 2005-06-28 | Kopin Corporation | Method for reducing the resistivity of p-type II-VI and III-V semiconductors |
| US6734091B2 (en) | 2002-06-28 | 2004-05-11 | Kopin Corporation | Electrode for p-type gallium nitride-based semiconductors |
| JP2010056434A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Kanazawa Inst Of Technology | 発光素子用基板および発光素子 |
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