JPH04236782A - マイクロ波プラズマｃｖｄ装置及び該装置を用いた堆積膜形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は基体上に堆積膜、とりわ
け機能性膜、特に半導体デバイス、電子写真用デバイス
、画像入力用ラインセンサー、撮像デバイス、光起電力
デバイス等に用いるアモルファス半導体膜を形成するに
好適なマイクロ波プラズマＣＶＤ装置及びそれを用いた
堆積膜形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体デバイス、電子写真用デバ
イス、画像入力用ラインセンサー、撮像デバイス、光起
電力デバイス、その他各種エレクトロニクス素子、光学
素子等に用いる素子部材として、アモルファスシリコン
、例えば水素又は／及びハロゲン（例えばフッ素、塩素
等）で補償されたアモルファスシリコン（以下、“ａ−
Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）”という。）等のアモルファス材料で構
成された半導体用等に用いられる堆積膜が提案される。

【０００３】こうした堆積膜は、プラズマＣＶＤ法、即
ち原料ガスを直流、高周波又はマイクロ波等のエネルギ
ーを与えることにより生起したグロー放電等によって分
解し、ガラス、石英、耐熱性合成樹脂フィルム、ステン
レス、アルミニウム等の材質の基板上に薄膜状の堆積膜
を形成する方法により形成されることが知られており、
そのための装置も各種提案されている。

【０００４】ところで近年、マイクロ波グロー放電分解
を用いたプラズマＣＶＤ法が注目され、工業的利用への
研究が成されており、例えば、米国特許４５０４５１８
公報には非晶質半導体の形成に適したマイクロ波プラズ
マＣＶＤ法およびその装置が開示されている。

【０００５】又、特開昭６１−２８３１１６号公報には
、改良型マイクロ波プラズマＣＶＤ法及びその装置が開
示されており、その中で、プラズマ空間をバイアス電圧
を印加しプラズマを制御しながら半導体膜を形成し、堆
積膜の特性を向上させる方法が提案されている。

【０００６】こうした公知のマイクロ波プラズマＣＶＤ
法による堆積膜形成装置は代表的には図２の透視略図で
示されるような装置構成から成っている。図２において
、２０１は反応容器であり、真空気密化構造を成してい
る。２０２はマイクロ波導入部であり、２０２−１はマ
イクロ波電力を反応容器内に効率よく透過し、かつ真空
気密を保持し得るような材料、例えば、石英ガラス、ア
ルミナセラミクス等で形成された誘導体窓であり、２０
２−２はマイクロ波の伝送部で主として金属性の導波管
からなっており、整合器アイソレーターを介してマイク
ロ波電源（図示せず）に接続されている。また２０２と
相対する位置に同様の構成を有するものが設置されてい
る（図示せず）。２０３は一端が真空容器２０１に開口
し、他端が排気装置（図示せず）に連通している排気管
である。２０４は堆積膜形成用の基体であり、２０５は
放電空間を示す。

【０００７】２０６は前記基体２０４を所定の温度に加
熱するためのヒーターである。２０７は反応容器内に堆
積膜の原料となるガスを導くためのガス供給管であって
、流量制御部（図示せず）を介して原料ガスボンベに接
続され複数の開孔口を有してなる均一にガスを放出する
ためのガス放出ノズルであり、また前記放電空間内にバ
イアス電圧を印加するためのバイアス電極を兼ね、バイ
アス電源２０８に接続されている。ただし前記電極は反
応容器２０１とは完全に絶縁されているものとする。 又２１０は円筒状基体への堆積膜を均一化させる目的で
ホルダー２０９及び基体２０４を回転させるための回転
軸であり、ギアを介してモーターに接続されている。

【０００８】こうした従来の堆積膜形成装置による堆積
膜形成は以下のようにして行なわれる。反応容器２０１
内に基体２０４を設置する。即ち、真空ポンプ（図示せ
ず）により、真空容器内を脱気し、反応容器内圧を１×
１０−６Ｔｏｒｒ以下に調整し、次いでホルダー２０９
に内蔵されたヒーターに通電して基体の温度を膜堆積に
好適な温度に加熱保持する。原料ガス供給管２０７を介
して、例えばアモルファスシリコン堆積膜を形成する場
合であれば、シランガス（ＳｉＨ４）等の原料ガスが反
応容器内に導入される。それと同時併行的にマイクロ波
電源（図示せず）に通電して周波数５００ＭＨｚ　以上
の、好ましくは２．４５ＧＨｚ　のマイクロ波を発生さ
せ、マイクロ波導入部２０２、即ち、導波管２０２−２
を通じ、誘電体窓２０２−１を介して反応容器２０１に
マイクロ波エネルギーを導入させる。この時、２０２と
相対する位置に設置されたマイクロ波導入部にも同様に
マイクロ波エネルギーを導入する。また同時にバイアス
電源２０８に通電してバイアス電極２０７にＤＣ又はＡ
Ｃ又はＲＦの電圧を印加する。かくして反応容器２０１
内のガスは、マイクロ波のエネルギーにより励起されて
解離すると同時に、バイアス電極２０７によりプラズマ
電位を制御されて、基体表面に堆積膜が形成されるとこ
ろとなる。

【０００９】上述のような装置および方法を用いること
により、比較的厚い機能堆積膜をある程度高速の堆積速
度のもとに製造することが可能となった。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者らの検討によれば、上記のような改良された技術にお
いても、より高速の堆積速度で膜形成を行なう場合には
得られる製品において以下の様な課題があることが明ら
かとなった。

【００１１】近年、電子写真装置の画像特性向上のため
に電子写真装置内の光学露光系、現像装置、転写装置等
の改良がなされた結果、電子写真用光受容部材において
も、従来以上の画像特性の向上が求められるようになっ
た。特に、画像の解像力が向上した結果、黒点状または
白点状の画像欠陥の減少、特に従来はあまり問題にされ
なかった微小な大きさの画像欠陥の減少が求められるよ
うになってきた。特に、画像欠陥に関しては、その原因
のほとんどが、製造の際連続成膜を行なうことにより、
炉内に堆積した膜が厚膜となり、剥離、飛散し、基体上
に付着し球状突起と呼ばれる膜の異常成長を起こすため
と考えられている。従って、その発生数を減らすことが
非常に重要であるが、従来技術では満足のいく結果は得
られないことがあった。

【００１２】更に、従来では、得られた電子写真用光受
容部材を用いて連続して大量に画像形成を行なった場合
に、初期画像と比較して、画像欠陥が増加してくる傾向
があるのも問題である。

【００１３】これらの発生原因の一つとして、光受容部
材の表面に異常成長が存在することにより、大量に連続
して画像形成を繰り返すうちにクリーニングブレードを
傷つけ、クリーニング不良を起こして画像品質を低下さ
せることになるとともに分離帯電器への残留トナーの飛
散により帯電ワイヤーにトナーが堆積して異常放電を誘
発しやすくなることが考えられ、このため、いわゆる「
リークにより形成された画像欠陥」が発生するものと考
えられる。

【００１４】この他にも、光受容部材が転写紙やクリー
ニングブレードと摺擦することによって、異常成長部が
欠落することも画像欠陥が増加する原因となっている。

【００１５】加えて、異常成長によって転写紙を光受容
部材から分離するための分離爪が摩耗しやすくなり、分
離不良による転写紙の詰まりを発生しやすくなる。

【００１６】従って、画像形成装置の耐久性という観点
から、電子写真用光受容部材においては電気的特性や光
導電特性を良好な状態で維持しつつ、画像欠陥の原因と
なる異常成長の部分が存在しないあるいは充分に少ない
ものであって、あらゆる環境下で耐久性を大幅に延ばし
うるものが求められている。

【００１７】本発明は、従来のマイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ法に基づき基体上に堆積膜を形成する装置を用いるこ
とに伴い派生する上述の問題を克服して、均質で良質な
欠陥の少ない膜を高速度で効率よく、かつ、ロット間の
ばらつきを少なく安定的に形成し得る装置及びそれを用
いた堆積膜形成方法を提供することを目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来の装
置における前述の問題点を克服すべく鋭意研究を続けた
結果、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置で安定かつ欠陥の
少ない均一な良質堆積膜を高速に得るためには、放電空
間と基体に対し外壁を形成し、この外壁が移動すること
によって、基体に堆積膜が形成される際に、外壁に堆積
する膜が厚膜となることを防止し得るので厚膜化した堆
積膜の剥離を抑止し、これにより基体へ飛散するのを防
止する事で、基体上に形成される堆積膜の異常成長を低
減させることが可能であるとの知見を得て、本発明を完
成させるに至った。

【００１９】即ち、本発明は、真空気密可能な反応容器
内に形成される放電空間を取り囲む様に基体を設置する
ためのホルダーと、前記放電空間内へ堆積膜形成用原料
ガスを導入するための原料ガス導入手段と、放電を生起
するためのマイクロ波エネルギー導入手段と、前記放電
空間にバイアスを印加するための電圧印加手段とを有す
るマイクロ波プラズマＣＶＤ装置において、前記ホルダ
ーに設置し得る基体及び前記放電空間を包囲し得る移動
可能な帯状部材を配置し得かつ該帯状部材を移動させる
ための搬送手段を有することを特徴とするマイクロ波プ
ラズマＣＶＤ装置である。

【００２０】又、本発明は、真空気密可能な反応容器内
にマイクロ波エネルギーを導入することにより形成する
放電空間にバイアスを印加し、該放電空間を取り囲む様
に配した基体上に膜を形成する堆積膜形成方法において
、前記放電空間及び基体を包囲する移動可能な帯状部材
を前記反応容器内に設けることを特徴とする堆積膜形成
方法である。

【００２１】マイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用いて堆
積膜を基体上に形成する場合、励起され解離した原料ガ
スのイオンは基体表面だけでなく、放電空間の外壁上に
も堆積する。外壁上に堆積した膜は処理時間と伴に成長
し、その過程で表面から剥離した膜が基体表面を汚染す
ることとなると考えられ、汚染箇所はそれ以降異常成長
を起し易くなるため、これを防止する必要があるのであ
る。

【００２２】本発明の装置によれば、効率よく有効に上
記問題点を解決することができる。以下、本発明の装置
及び方法を図面に基づいて具体的に説明する。

【００２３】図１は本発明のマイクロ波プラズマＣＶＤ
装置の代表的な一例を示す概略図であり、透視図を表わ
している。図１に於て１０１は、反応容器であり、真空
気密化構造を成している。１０２はマイクロ波導入部で
あり、１０２−１はマイクロ波電力を反応容器内に効率
よく透過し、かつ真空気密を保持し得るような材料、例
えば、石英ガラス、アルミナセラミックス等で形成され
た誘電体窓である。１０２−２は、マイクロ波の伝送部
で主として金属性の導波管からなっており、整合器アイ
ソレーターを介してマイクロ波電源（図示せず）に接続
されている。又、１０２と相対する位置にも同様の機構
を有するものが設置されている（図示せず）。１０３は
一端が真空容器１０１内に開口し、他端が排気装置（図
示せず）に連通している排気管である。１０４は堆積膜
形成用の基体であり、１０５は放電空間を示す。１０６
は前記基体１０４を所定の温度に加熱するためのヒータ
ーである。１０７は反応容器内に堆積膜の原料ガスを導
くためのガス供給管であって、流量制御部（図示せず）
を介して原料ガスボンベに接続され複数の開口孔を有し
てなる均一にガスを放出させるためのガス放出ノズルで
あり、又前記放電空間内にバイアス電圧を印加するため
の電極をも兼ねていて、電源１０８に接続されている。 ただし前記電極は反応容器１０１とは完全に絶縁されて
いるものとする。１１０は円筒状基体上への膜堆積を均
一化させる目的で基体１０４を回転させるための回転軸
であり、ギアを介してモーター（図示せず）に接続され
ている。

【００２４】又１１１は本発明に係る帯状部材であり、
回転機構（図示せず）により基体１０４及び放電空間１
０５を取り囲んだ状態で移動する。１１２は帯状部材の
支持体の一部であり、好ましくは内部に加熱するための
ヒーターを内蔵し必要に応じて加熱も可能であり、又、
回転機構（図示せず）を有する。１１３は帯状部材を加
熱する為のヒーターであり、なくともよいが帯状部材を
加熱（５０〜４５０℃）すると基体への飛散防止効果が
向上するので好ましい。以上が本発明の堆積膜形成装置
構成の一例である。

【００２５】本発明の膜形成装置を用いた堆積膜形成は
、例えば、以下のような手順により行なわれる。まず、
反応容器１０１内に基体１０４を設置する。次に排気管
１０３を通じて真空ポンプ（図示せず）により反応容器
内を１×１０−６Ｔｏｒｒの真空度まで排気する。次に
ヒーター１０６をＯＮの状態とし前記基体を外部モータ
ー（図示せず）により回転させながら所定の温度まで加
熱を行なう。基体温度が所定の値で一定となったら次に
ガス供給管１０７を通じて、膜の原料となるガスを反応
容器内に導入する。ガスの流量が安定したら、排気バル
ブ（図示せず）を調整し、真空ゲージ（図示せず）を観
察しながら反応容器内の圧力を所定の値に調整する。以
上の準備が整ったら後、マイクロ波電源（図示せず）に
通電しマイクロ波を発生させマイクロ波導入部１０２、
即ち、導波管１０２−２を通じ、誘電体窓１０２−１を
介して反応容器内に導入し、放電空間１０５に原料ガス
に由来するグロー放電プラズマを形成する。この時１０
２と相対する位置に設置されたマイクロ波導入部にも同
様にマイクロ波エネルギーを導入する。又同時に、あら
かじめ所定の電圧となるように電圧設定のなされたバイ
アス電源１０８をＯＮの状態とし、電極１０７に所定の
電圧を印加する。かくしてプラズマ電位の制御が行なわ
れた状態で基体１０４上に堆積膜の形成が行なわれる。 このような状態を一定時間維持し、所定の膜厚の堆積膜
を得る。

【００２６】本発明では、前記放電空間と基体に対し帯
状部材が外壁をなし移動することで外壁に堆積する膜の
厚みを低減させることができるので膜の剥離現象も生じ
にくく、このため基体への飛散を低減させ、基体上の堆
積膜の異常成長を防止することが可能となる。好ましい
態様においては外壁である帯状部材の表面に堆積する膜
厚は０．１〜５μｍ程度である。この効果は更に、帯状
部材の基体および放電空間側の表面を粗くし、該部材上
に堆積する膜の密着性を上げることで向上する。これは
、堆積した膜は密着性がよいため表面から剥離しにくく
、従って剥離した膜片による基体の汚染が回避できるか
らである。好ましい表面粗さとしては２．０ｓ以上であ
り、膜の密着性を向上させうる。一方、帯状部材を５０
〜４５０℃程度に加熱する事によってもその効果を一層
高めることができる。

【００２７】帯状部材の形状としては少なくとも基体の
長手方向の長さ以上の幅を有し、放電空間内に設置され
たすべての基体を包囲できるものであればいずれの形状
でもよく、例えば互いに独立した複数の帯状部材を連ね
、基体を包囲するようにしてもよい。より好ましくは反
応容器の垂直方向（即ち、基体長手方向）全域をカバー
できる一つの部材としての帯状部材が最適とされる。 帯状部材の厚さに関しては特に制限はない。又基体と帯
状部材間の距離に於て、少なくとも５０ｃｍ以内、より
好ましくは１〜３０ｃｍが最適とされる。近すぎればプ
ラズマの影響を受けやすくなり、剥離、飛散しやすくな
ったり、異常放電を起してしまい、離れすぎれば効果が
不十分となる。また、帯状部材の移動速度は、一定速度
であれば特に限定はなく、装置の大きさ、目的堆積膜等
の他ランニングコスト等を考慮し設定すればよいが、通
常、実用範囲として５０〜３００ｃｍ／ｍｉｎ程度がよ
い。帯状部材の材質としてはステンレス、Ａｌ、Ｃｌ、
Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｅ、Ｐ
ｔ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｗ等の金属、これらの合金また
は、ポリカーボネート等の合成樹脂、ガラス、セラミッ
クス、紙等が本発明では通常使用される。

【００２８】本発明の装置は、図１に示したものに限ら
ず、放電空間内に設置された基体に堆積膜を形成する基
本原理に基づくマイクロ波プラズマＣＶＤ装置であれば
、構成することができる。例えば、基体が放電空間に接
しながら水垂方向又は水平方向に移動するような構造に
よる装置についても適用できる。

【００２９】次に本発明の装置に係るこの他の要素につ
いて説明する。

【００３０】堆積膜の原料ガスとしては、例えばシラン
（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）　等のアモルフ
ァスシリコン形成原料ガス、ゲルマン（ＧｅＨ４）、メ
タン（ＣＨ４）　等の他の機能性堆積膜形成原料ガス又
は、それらの混合ガスが挙げられる。希釈ガスとしては
水素（Ｈ２）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）等
が挙げられる。また、堆積膜のバンドギャップ幅を変化
させる等の特性改善ガスとして、窒素（Ｎ２）、アンモ
ニア（ＮＨ３）　等の窒素原子を含む元素、酸素（Ｏ２
）、酸化窒素（ＮＯ）、酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）　等酸素
原子を含む元素、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６
）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、
プロパン（Ｃ３Ｈ８）等の炭化水素、四フッ化ケイ素（
ＳｉＦ４）、六フッ化二ケイ素（Ｓｉ２Ｆ６）、四フッ
化ゲルマニウム（ＧｅＦ４）等のフッ素化物又はこれら
の混合ガスが挙げられる。又、ドーピングを目的として
ジボラン（Ｂ２Ｈ６）、フッ化ほう素（ＢＦ３）、ホス
フィン（ＰＨ３）　等のドーパントガスを同時に放電空
間に導入しても本発明は同様に有効である。基体材料と
しては例えば、ステンレス、Ａｌ、Ｃｌ、Ｍｏ、Ａｕ、
Ｉｎ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｅ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆ
ｅ、Ｚｎ、Ｗ等の金属、これらの合金又は表面を導電処
理したポリカーボネート等の合成樹脂、ガラス、セラミ
ックス、紙等が本発明では通常使用される。

【００３１】反応容器内へのマイクロ波の導入窓の材質
としては、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ボロン、
窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化ケイ素、酸化ベリリウム
、テフロン、ポリスチレン、等マイクロ波の損出の少な
い材料が通常使用される。更に本発明の装置を用いれば
、阻止型アモルファスシリコン感光体、高抵抗形アモル
ファスシリコン感光体等複写機又はプリンター用感光体
の他、良好な電気的特性の機能性堆積膜を要求される他
のいずれのデバイスの作製も可能である。

【００３２】堆積膜形成時の基体温度はいずれの温度で
も有効だが、特に２０℃以上５００℃以下、好ましくは
５０℃以上４５０℃以下が良好な効果を示すため望まし
い。又帯状部材を加熱する際も基体温度と同等の温度、
又はそれ以上にするのが良好な結果を示すため望ましい
。

【００３３】又、マイクロ波の反応容器までの導入方法
としては、導波管又は同軸ケーブルによる方法等が挙げ
られ、一方、反応容器内への導入としては、１つ又は複
数の誘電体窓からの侵入、又は容器内へアンテナを設置
する方法等が挙げられる。

【００３４】

【実施例】本発明のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置によ
る電子写真感光体の製造を、従来の装置による比較例と
ともに説明する。なお、本発明はこれらの例によって限
定されるものではない。 実施例１及び比較例１ 図１に示すマイクロ波プラズマＣＶＤ装置、及び、図２
に示す従来のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用い、基
体として長さ３５８ｍｍ、外形１０８ｍｍφのＡｌ製シ
リンダーを用い、該基体上に表１に示す条件で電荷注入
阻止層、光導電層及び表面保護層からなる感光ドラムを
作成した。マイクロ波電源は最大５ｋＷ、２．４５ＧＨ
ｚ　の発振器を用い、支持体の加熱は加熱用ヒーターを
支持体内部に入れ、支持体を回転させながら２５０℃ま
で加熱保持した（帯状部材は加熱していない。）。ここ
で実施例１においては、帯状部材（ステンレス製、厚み
１．５ｍｍ、基体側表面粗さ３．０ｓ）を１００ｃｍ／
ｍｉｎで移動させた。帯状部材は幅４００ｃｍで、基体
からの最短距離は２０ｃｍである。

【００３５】この様な条件下で、炉内の真空度を維持し
又、炉内の清掃を行なわずに作成した感光ドラム２００
ロットにつき下記の様な評価を行なった。 （評価）作成した感光体の表面を顕微鏡観察し堆積膜の
異常成長の径が２０μｍを越えるものの個数を一定の面
積（１０ｃｍ２　）内で数え、従来例（比較例）の第１
回目のロット作成時の個数比を１００％としたときの相
対的比較を行なった。

【００３６】上記の総合的評価を図３に示す。図３に見
られるように、連続成膜開始時においても顕著な効果が
得られ、それ以降においても異常成長の個数が増加する
事なく、良好な結果が得られた。 実施例２ 図１に示す、実施例１で用いた本発明のマイクロ波プラ
ズマＣＶＤ装置を用い、実施例２に於て帯状部材の基体
側表面粗さを２．０ｓ以上にした以外は、実施例１と同
様の条件及び操作方法で光受容層の形成を行ない、電子
写真用感光ドラムを作成した。作成した電子写真用感光
ドラムに関して実施例１と同様の評価を行なった。その
結果を前述比較例１とともに図４に示す。図４から明ら
かな通り、本発明のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用
いれば、常に良好な結果が得られ、表面粗さ２．０ｓ以
上においてより顕著な効果が現われた。 実施例３ 図１に示す実施例１で使用した本発明のマイクロ波プラ
ズマＣＶＤ装置を用い帯状部材の表面を実施例２と同様
に粗くし、図１における加熱手段１１３を使用し、帯状
部材を３００℃の温度に加熱した以外は実施例１と同様
の条件及び操作で光受容層の形成評価を行ない、電子写
真用感光ドラムを作成した。作成した電子写真用感光ド
ラムに関して実施例１と同様の評価を行なった。その結
果を、図５に示す。

【００３７】図５から明らかなように本発明のマイクロ
波プラズマＣＶＤ装置を用いれば常に良好な結果が得ら
れ、加熱手段を有することで密着性を向上し膜の異常成
長を低減する効果が顕著に示されることが解る。 実施例４ 図１に示す実施例１で使用した本発明のマイクロ波プラ
ズマＣＶＤ装置を用い実施例１と同様の条件及び操作で
光受容層の形成評価を行ない、電子写真感光ドラムを作
成し、２００ロット目に作成した感光ドラムを耐久用に
改造したキヤノン製複写機ＮＰ６６５０に搭載し耐久試
験を行ない、表２（Ａ）、及び、表２（Ｂ）に記載の枚
数にて分離爪を取り出し感光体と分離爪が接触する箇所
の分離爪側の摩耗の程度を顕微鏡観察した結果を表２（
Ａ）に、又、耐久時における画像欠陥の増加率を表２（
Ｂ）にそれぞれ示す。尚、比較として前記比較例１によ
るものをあげてある。

【００３８】表２（Ａ）、及び、表２（Ｂ）から明らか
な通り分離爪の摩耗は極めて少なく耐久性にも優れより
効果的な作用をするものであることが解った。 実施例５ 図１に示す実施例１で使用した本発明のマイクロ波プラ
ズマＣＶＤ装置を用い実施例１と同様の条件及び操作で
光受容層の形成評価を行ない、電子写真感光ドラムを作
成し、同一ロット内で作成した感光ドラムの膜厚、およ
び、電位特性のばらつきの相対値比較を行なったその結
果を、図６（Ａ）、及び、図６（Ｂ）に示す。

【００３９】図６（Ａ）、及び、図６（Ｂ）より明らか
な通り同一ロット間においてもばらつきの少ない均一な
感光体が形成されるという良好な結果が得られた。

【００４０】このように、本発明によるマイクロ波プラ
ズマＣＶＤ装置にて作成した、感光ドラムを使用した複
写機では高い画像諧調性を有し、高耐久性に富んだ良好
な画質を得ることが出来る。

【００４１】 ◎：特に良好 ○：良好 △：実用上さしつかえない ◎：特に良好 ○：良好 △：実用上さしつかえない

【００４２】

【発明の効果】以上説明したように本発明において、帯
状部材を設けることによる効果には次のようなものが挙
げられる。 （１）外壁を形成した帯状部材が移動するため、外壁に
堆積する膜厚が低減され、これにより膜の剥離が抑止さ
れるので基体へ直接飛散する量が低減し膜の異常成長を
減少させる事が出来る。この結果、得られる電子写真用
光受容部材の画像欠陥を大幅に減少させることが可能で
ある。

【００４３】特に帯状部材の基体及び放電空間側の表面
粗さを２．０ｓ以上にする事により、顕著な効果が得ら
れ、更に該帯状部材を加熱することによりより顕著な効
果が得られる。 （２）帯状部材が基体を取り囲むように配置されるため
、同一ロット内で堆積、形成された感光体間における膜
厚ムラ、電位特性のムラを低減させることが出来る。 （３）本発明の装置により得られた電子写真用光受容部
材による画像形成では、用いる電子写真装置における特
に分離爪の摩耗に対する耐久性が向上する。更に異常成
長に基づく画像欠陥を大幅に減少させることが可能にな
る。 （４）本発明のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置によれば
、複写機の高速化、感光体の小型化の対応にも優れ帯電
器現像器位置設定のラチチュードも広く、非常に使いや
すい感光ドラムを低コストで高速にかつ多量に生産する
ことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるマイクロ波プラズマＣＶＤ装置の
１例を示す透視略図である。

【図２】従来のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置の例を示
す透視略図である。

【図３】実施例１において形成された堆積膜の異常成長
の個数比を示すグラフである。

【図４】実施例２において形成された堆積膜の異常成長
の個数比を示すグラフである。

【図５】実施例３において形成された堆積膜の異常成長
の個数比を示すグラフである。

【図６】（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ実施例５において
形成された堆積膜の膜厚バラツキ及び電位特性バラツキ
を示すグラフである。

【符号の説明】

１０１、２０１　　　　反応容器 １０１、２０２　　　　マイクロ波導入部１０２−１、
２０２−１　　　　誘電体窓１０２−２、２０２−２　
　　　導波管１０３、２０３　　　　排気口 １０４、２０４　　　　基体 １０５、２０５　　　　放電空間 １０６、２０６　　　　加熱用ヒーター１０７、２０７
　　　　ガス放出管兼、電圧印加電極１０８、２０８　
　　　電圧印加用電源１０９、２０９　　　　支持体（
ホルダー）１１０、２１０　　　　回転軸 １１１、２１１　　　　帯状部材 １１２　　　　　　　　　　　　帯状部材の支持体の一
部（ヒーター内蔵）

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　真空気密可能な反応容器内に形成され
   る放電空間を取り囲む様に基体を設置するためのホルダ
   ーと、前記放電空間内へ堆積膜形成用原料ガスを導入す
   るための原料ガス導入手段と、放電を生起するためのマ
   イクロ波エネルギー導入手段と、前記放電空間にバイア
   スを印加するための電圧印加手段とを有するマイクロ波
   プラズマＣＶＤ装置において、前記ホルダーに設置し得
   る基体及び前記放電空間を包囲し得る移動可能な帯状部
   材を配置し得かつ該帯状部材を移動させるための搬送手
   段を有することを特徴とするマイクロ波プラズマＣＶＤ
   装置。
2. 【請求項２】　　反応容器内に移動可能な帯状部材を加
   熱するための加熱手段を有する請求項１に記載のマイク
   ロ波プラズマＣＶＤ装置。
3. 【請求項３】　　移動可能な帯状部材はホルダーに設置
   し得る基体及び放電空間を包囲する側の表面粗さが２．
   ０ｓ以上である請求項１に記載のマイクロ波プラズマＣ
   ＶＤ装置。
4. 【請求項４】　　真空気密可能な反応容器内にマイクロ
   波エネルギーを導入することにより形成する放電空間に
   バイアスを印加し、該放電空間を取り囲む様に配した基
   体上に膜を形成する堆積膜形成方法において、前記放電
   空間及び基体を包囲する移動可能な帯状部材を前記反応
   容器内に設けることを特徴とする堆積膜形成方法。
5. 【請求項５】　　帯状部材は、放電空間及び基体を包囲
   する側の表面粗さが２．０ｓ以上である請求項４に記載
   の堆積膜形成方法。