JPH04237174A - イオンレーザ管 - Google Patents
イオンレーザ管Info
- Publication number
- JPH04237174A JPH04237174A JP547791A JP547791A JPH04237174A JP H04237174 A JPH04237174 A JP H04237174A JP 547791 A JP547791 A JP 547791A JP 547791 A JP547791 A JP 547791A JP H04237174 A JPH04237174 A JP H04237174A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capillary tube
- diameter
- tube
- ion laser
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はイオンレーザ管に関し、
特に大電流の放電により高出力のレーザが得られるセラ
ミック製細管を有したイオンレーザ管に関する。
特に大電流の放電により高出力のレーザが得られるセラ
ミック製細管を有したイオンレーザ管に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、アルゴン,クリプトンなどのイ
オン化したガスのエネルギー準位間の遷移によりレーザ
発振を行うイオンレーザは、高出力化に伴いイオン密度
を上げる必要があり、放電細管部に20Aを越える大電
流を流す場合もある。このため、プラズマ細管材料およ
び外囲器には、大電流によりプラズマ細管部に発生する
熱を効率良く排除できる熱伝導性の高い物質、さらには
高イオン密度プラズマに耐え得る細管材料が必要とされ
た。このような条件を満足する材料として、炭化ケイ素
(以下SiCと略称)と窒化アルミニウム(以下AlN
と略称)が用いられてきた。
オン化したガスのエネルギー準位間の遷移によりレーザ
発振を行うイオンレーザは、高出力化に伴いイオン密度
を上げる必要があり、放電細管部に20Aを越える大電
流を流す場合もある。このため、プラズマ細管材料およ
び外囲器には、大電流によりプラズマ細管部に発生する
熱を効率良く排除できる熱伝導性の高い物質、さらには
高イオン密度プラズマに耐え得る細管材料が必要とされ
た。このような条件を満足する材料として、炭化ケイ素
(以下SiCと略称)と窒化アルミニウム(以下AlN
と略称)が用いられてきた。
【0003】従来のイオンレーザ管の縦断面図を図2に
示す。中心に放電路用の細管孔を持ち、かつ一端につば
部を有するSiC細管部品11は、軸方向にガス帰還用
の孔を有するAlN製外囲器2に挿入され、細管部品1
1と外囲器2はフリットガラス12により接合され、細
管複合部品13ができる。
示す。中心に放電路用の細管孔を持ち、かつ一端につば
部を有するSiC細管部品11は、軸方向にガス帰還用
の孔を有するAlN製外囲器2に挿入され、細管部品1
1と外囲器2はフリットガラス12により接合され、細
管複合部品13ができる。
【0004】次に、細管複合部品13は、適当な治具(
図示せず)およびフリットガラス5を用いることにより
、軸方向に複数個接合され、両端にKBガラス部品6が
接合される。さらに、アノード7およびカソード8を具
備した金属封入皿9a,9bが接合され、最後に封入皿
9a,9bの先端にブリュースタ窓10が接続された後
アルゴンガスを所定の量だけ封入し、イオンレーザ管が
完成する。
図示せず)およびフリットガラス5を用いることにより
、軸方向に複数個接合され、両端にKBガラス部品6が
接合される。さらに、アノード7およびカソード8を具
備した金属封入皿9a,9bが接合され、最後に封入皿
9a,9bの先端にブリュースタ窓10が接続された後
アルゴンガスを所定の量だけ封入し、イオンレーザ管が
完成する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
のイオンレーザ管は、細管材料としてSiCを用いてい
るために、SiCが放電時のArイオン等によりスパッ
タ,侵食されやすく、このSiCのスパッタ物が細管孔
内周面に付着,堆積するため、細管孔の内径が徐々に小
さくなってしまい、その結果放電電流−電圧特性の経時
変化および出力の低下という問題点があった。
のイオンレーザ管は、細管材料としてSiCを用いてい
るために、SiCが放電時のArイオン等によりスパッ
タ,侵食されやすく、このSiCのスパッタ物が細管孔
内周面に付着,堆積するため、細管孔の内径が徐々に小
さくなってしまい、その結果放電電流−電圧特性の経時
変化および出力の低下という問題点があった。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のイオンレーザ管
は、放電細管部が、炭化ホウ素セラミック(以下B4
Cと略称)製細管部品とAlN製外囲器から構成されて
いることを特徴としている。B4 Cは、Arイオン等
に対するスパッタ率が非常に小さく、SiCの約1/2
倍となっているばかりか、アルミナ,ベリリアセラミッ
クと比較してもそのスパッタ率は約30%少ないことが
最大の利点である。
は、放電細管部が、炭化ホウ素セラミック(以下B4
Cと略称)製細管部品とAlN製外囲器から構成されて
いることを特徴としている。B4 Cは、Arイオン等
に対するスパッタ率が非常に小さく、SiCの約1/2
倍となっているばかりか、アルミナ,ベリリアセラミッ
クと比較してもそのスパッタ率は約30%少ないことが
最大の利点である。
【0007】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図1は本発明の一実施例を示すイオンレーザ管の縦断
面図である。まず、放電路はB4 C製細管部品1とA
lN製外囲器2から構成されている。細管部品1は、一
端に直径20mm,幅2mmのつば部と直径10mmの
胴体部から成り、長さ25mmで、中心に直径2.5m
mのレーザビーム通過用の孔が開けられている。この細
管部品1は、外径35mmφ,長さ40mmの円筒状で
、その両端中央部に直径30mm,深さ8mmの凹部と
直径30mm,高さ2mmの凸部を有し、かつ中央部に
直径10mmの穴が開けられた外囲器2に挿入後、フリ
ットガラス3により固定・一体化され、細管複合部品4
ができあがる。
。図1は本発明の一実施例を示すイオンレーザ管の縦断
面図である。まず、放電路はB4 C製細管部品1とA
lN製外囲器2から構成されている。細管部品1は、一
端に直径20mm,幅2mmのつば部と直径10mmの
胴体部から成り、長さ25mmで、中心に直径2.5m
mのレーザビーム通過用の孔が開けられている。この細
管部品1は、外径35mmφ,長さ40mmの円筒状で
、その両端中央部に直径30mm,深さ8mmの凹部と
直径30mm,高さ2mmの凸部を有し、かつ中央部に
直径10mmの穴が開けられた外囲器2に挿入後、フリ
ットガラス3により固定・一体化され、細管複合部品4
ができあがる。
【0008】次に、細管複合部品4は所望のレーザ出力
が得られる細管長(500〜600mm)になるまで、
フリットガラス5と適用治具(図示せず)を用いて同軸
上に接合,連結された後、両端にKBガラス6が接合さ
れる。さらに、アノード7およびカソード8を具備した
金属封入皿9a,9bが接続され、最後に封入皿9a,
9bの先端にブリュースタ窓10が接続された後アルゴ
ンガスを所定の量だけ封入してイオンレーザ管が完成す
る。
が得られる細管長(500〜600mm)になるまで、
フリットガラス5と適用治具(図示せず)を用いて同軸
上に接合,連結された後、両端にKBガラス6が接合さ
れる。さらに、アノード7およびカソード8を具備した
金属封入皿9a,9bが接続され、最後に封入皿9a,
9bの先端にブリュースタ窓10が接続された後アルゴ
ンガスを所定の量だけ封入してイオンレーザ管が完成す
る。
【0009】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、放電細管
部材としてB4 C製セラミックを用いたことにより、
Arイオン等によるスパッタリングが従来の約1/2倍
と非常に少なくなる。したがって、スパッタリングによ
る細管内径小がなくなり放電電流−電圧特性の経時変化
並びに出力小を防ぐことが可能となる上に、スパッタリ
ングによるガス消耗が非常に少なくなり、長寿命のレー
ザ管が得られる効果がある。
部材としてB4 C製セラミックを用いたことにより、
Arイオン等によるスパッタリングが従来の約1/2倍
と非常に少なくなる。したがって、スパッタリングによ
る細管内径小がなくなり放電電流−電圧特性の経時変化
並びに出力小を防ぐことが可能となる上に、スパッタリ
ングによるガス消耗が非常に少なくなり、長寿命のレー
ザ管が得られる効果がある。
【図1】本発明のイオンレーザ管の一実施例を示す縦断
面図。
面図。
【図2】従来のイオンレーザ管の縦断面図。
1 B4 C製細管部品
2 AlN製外囲器
3 AlN−B4 C用フリットガラス4
B4 C+AlN細管複合部品5 AlN−A
lN用フリットガラス6 KBガラス部品 7 アノード 8 カソード 9a,9b 金属封入皿 10 ブリュースタ窓 11 SiC細管部品
B4 C+AlN細管複合部品5 AlN−A
lN用フリットガラス6 KBガラス部品 7 アノード 8 カソード 9a,9b 金属封入皿 10 ブリュースタ窓 11 SiC細管部品
Claims (1)
- 【請求項1】 放電路用貫通孔を軸方向に備えた円筒
状細管部材と該細管部材を内側に収納し、かつガス帰還
路用の貫通孔を軸方向に備えた窒化アルミニウムから成
る円筒状部材が軸方向に複数個接合されることにより放
電路が形成され、該放電路の両端に陽極と陰極とが設け
られたイオンレーザ管において、前記円筒状細管部材が
炭化ホウ素セラミックから成ることを特徴とするイオン
レーザ管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP547791A JPH04237174A (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | イオンレーザ管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP547791A JPH04237174A (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | イオンレーザ管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04237174A true JPH04237174A (ja) | 1992-08-25 |
Family
ID=11612332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP547791A Pending JPH04237174A (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | イオンレーザ管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04237174A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08274387A (ja) * | 1995-03-30 | 1996-10-18 | Nec Corp | イオンレーザ管 |
-
1991
- 1991-01-22 JP JP547791A patent/JPH04237174A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08274387A (ja) * | 1995-03-30 | 1996-10-18 | Nec Corp | イオンレーザ管 |
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