JPH04238351A - Production of mask for exposure - Google Patents
Production of mask for exposureInfo
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- JPH04238351A JPH04238351A JP3005901A JP590191A JPH04238351A JP H04238351 A JPH04238351 A JP H04238351A JP 3005901 A JP3005901 A JP 3005901A JP 590191 A JP590191 A JP 590191A JP H04238351 A JPH04238351 A JP H04238351A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【0001】0001
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置(
LSI)やプリント配線基板などの製造工程中、いわゆ
るリソグラフィ工程において使用される露光用マスクの
製造方法に関する。[Industrial Application Field] The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device (
The present invention relates to a method for manufacturing an exposure mask used in a so-called lithography process during the manufacturing process of LSI (LSI) and printed wiring boards.
【0002】0002
【従来の技術】従来、露光用マスク中、いわゆるレチク
ル(拡大マスク)の製造方法として、図3に示すような
方法が提案されている。この例は、CADを使用して設
計したネガデータ(ネガ型のレジストに対する露光に使
用する露光データ)1をポジデータ(ポジ型のレジスト
に対する露光に使用する露光データ)2に反転した後、
このポジデータ2を使用してポジ型のレジストに対する
露光を行い、レチクル3を製造しようとするものである
。2. Description of the Related Art Conventionally, a method as shown in FIG. 3 has been proposed as a method for manufacturing a so-called reticle (enlargement mask) among exposure masks. In this example, after inverting negative data (exposure data used for exposure of negative resist) 1 designed using CAD into positive data (exposure data used for exposure of positive resist) 2,
This positive data 2 is used to expose a positive type resist to produce a reticle 3.
【0003】なお、ネガデータ1及びポジデータ2にお
いて、4〜6はアライメントマークのデータ、7はメイ
ンパターン(回路パターン)のデータ、8は検査を行う
べき領域を示すパターンのデータであり、斜線部は、露
光すべき部分を示している。また、レチクル3において
、9〜11はアライメントマーク、12はメインパター
ン、13は検査領域を示すパターンである。[0003] In the negative data 1 and positive data 2, 4 to 6 are alignment mark data, 7 is main pattern (circuit pattern) data, 8 is pattern data indicating the area to be inspected, and the shaded area is , indicates the area to be exposed. Further, in the reticle 3, 9 to 11 are alignment marks, 12 is a main pattern, and 13 is a pattern indicating an inspection area.
【0004】このように、CADを使用して設計したネ
ガデータ1をポジデータ2に反転して使用する方法は、
レジストとしてネガ型のレジストを使用するにせよ、ポ
ジ型のレジストを使用するにせよ、CADを利用した設
計は、ネガデータの一種類をもって行い、露光データの
管理の容易性を図ろうとする場合に見られるものである
。[0004] As described above, the method of inverting negative data 1 designed using CAD into positive data 2 is as follows.
Regardless of whether a negative type resist or a positive type resist is used, designing using CAD is performed using one type of negative data, which is useful when trying to simplify the management of exposure data. It is something that can be done.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】かかる従来のレチクル
の製造方法においては、CADを使用して設計したネガ
データ1を反転してなるポジデータ2をそのまま使用し
ているので、露光すべき領域が広くなり、本来、露光し
なくとも足りるはずである領域、即ち、検査領域を示す
パターン13の外側の部分であって、かつ、アライメン
トマーク9〜11を形成するために必要でない部分、例
えば、二点鎖線で示すような部分14までも露光するこ
とになり、このため、露光時間が必要以上に長くなって
しまうという問題点があった。[Problems to be Solved by the Invention] In such a conventional reticle manufacturing method, the positive data 2 obtained by inverting the negative data 1 designed using CAD is used as is, so the area to be exposed becomes wider. , an area that should originally be sufficient without exposure, that is, a part outside the pattern 13 indicating the inspection area, and a part that is not necessary for forming the alignment marks 9 to 11, for example, a chain double-dashed line Since even a portion 14 as shown by 14 is exposed, there is a problem in that the exposure time becomes longer than necessary.
【0006】本発明は、かかる点に鑑み、設計されたネ
ガデータを元データとしてなるポジデータを使用してな
る露光用マスクの製造方法であって、露光時間を短縮し
、スループットの向上化を図ることができるようにした
露光用マスクの製造方法を提供することを目的とする。In view of the above, the present invention provides a method for manufacturing an exposure mask using positive data obtained from designed negative data as original data, which aims to shorten exposure time and improve throughput. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an exposure mask that enables the following.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明による露光用マス
クの製造方法は、設計されたネガデータを反転処理して
なるポジデータについて、露光対象領域のうち、パター
ンの形成に必要でない領域の少なくとも一部分が非露光
対象領域となるような処理をした後、該処理したポジデ
ータを使用してポジ型のレジストに対する露光を行う工
程を含ませて、露光用マスクを製造するというものであ
る。[Means for Solving the Problems] The method for manufacturing an exposure mask according to the present invention is such that, for positive data obtained by inverting designed negative data, at least a portion of the area not required for pattern formation in the area to be exposed is After processing to make the area non-exposure target, the exposure mask is manufactured by including a step of exposing a positive resist using the processed positive data.
【0008】[0008]
【作用】本発明によれば、パターンの形成に必要でない
領域の少なくとも一部分は、非露光対象領域とされるの
で、露光すべき部分を減少し、露光時間を短縮化するこ
とができる。According to the present invention, at least a portion of the area not required for pattern formation is set as a non-exposure area, so the area to be exposed can be reduced and the exposure time can be shortened.
【0009】[0009]
【実施例】以下、図1及び図2を参照して、本発明の第
1実施例及び第2実施例について説明する。なお、これ
ら第1実施例及び第2実施例は、図3に示す従来のレチ
クルの製造方法を改良するものである。そこで、図1及
び図2において図3に対応する部分には同一符号を付し
、その重複説明は省略する。Embodiments A first embodiment and a second embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 and 2. Note that these first and second embodiments are improvements on the conventional reticle manufacturing method shown in FIG. Therefore, in FIGS. 1 and 2, parts corresponding to those in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals, and redundant explanation thereof will be omitted.
【0010】(1)第1実施例・・図1図1は本発明の
第1実施例を示す図であり、本実施例においては、図1
に示すようなカバーデータ15を用意する。このカバー
データ15は領域16〜18を露光領域、領域19〜2
2を非露光領域とするものである。(1) First embodiment...FIG. 1 FIG. 1 is a diagram showing the first embodiment of the present invention, and in this embodiment, FIG.
Prepare cover data 15 as shown in FIG. This cover data 15 includes areas 16 to 18 as exposure areas and areas 19 to 2 as exposure areas.
2 is a non-exposed area.
【0011】次に、このカバーデータ15とポジデータ
2とをAND処理して、ポジデータ23を得、その後、
全ての露光フィールド241〜24nについて露光すべ
き部分があるか否かをチェックし、露光すべき部分がな
い露光フィールドについては、いわゆるスキップして(
抜かして)露光する。Next, this cover data 15 and positive data 2 are AND-processed to obtain positive data 23, and then,
It is checked whether there is a part to be exposed for all the exposure fields 241 to 24n, and if there is no part to be exposed, the exposure field is skipped (
(exposing) to light.
【0012】なお、25は、このようにして製造したレ
チクルを示している。かかるレチクル25においては、
アライメントマーク9〜11、メインパターン12及び
検査を行うべき領域を示すパターン13のほかに、パタ
ーン26〜29が形成されてしまうが、これらパターン
26〜29は、試料に対する露光には、なんら影響を与
えるものではない。Note that 25 indicates a reticle manufactured in this manner. In such a reticle 25,
In addition to the alignment marks 9 to 11, the main pattern 12, and the pattern 13 indicating the area to be inspected, patterns 26 to 29 are formed, but these patterns 26 to 29 have no effect on the exposure of the sample. It's not something you give.
【0013】このように、この第1実施例においては、
露光すべき部分がない露光フィールドについてはスキッ
プして露光するようにしているので、露光時間を短縮し
、スループットの向上化を図ることができる。[0013] Thus, in this first embodiment,
Exposure fields in which there is no part to be exposed are skipped and exposed, so the exposure time can be shortened and throughput can be improved.
【0014】(1)第2実施例・・図2図2は本発明の
第2実施例を示す図であり、本実施例においては、図2
に示すようなカバーデータ30を用意する。このカバー
データ30は領域31〜34を露光領域、領域35を非
露光領域とするものである。(1) Second embodiment...FIG. 2 FIG. 2 is a diagram showing a second embodiment of the present invention, and in this embodiment, FIG.
Prepare cover data 30 as shown in FIG. This cover data 30 sets areas 31 to 34 as exposed areas and area 35 as a non-exposed area.
【0015】次に、このカバーデータ30とポジデータ
2とをAND処理して、ポジデータ36を得、その後、
全ての露光フィールド241〜24nについて、露光す
べき部分があるか否かをチェックし、露光すべき部分が
ない露光フィールドについては第1実施例と同様にスキ
ップして露光する。Next, this cover data 30 and positive data 2 are ANDed to obtain positive data 36, and then,
It is checked whether or not there is a portion to be exposed for all the exposure fields 241 to 24n, and exposure fields that do not have a portion to be exposed are skipped and exposed as in the first embodiment.
【0016】なお、37は、このようにして製造したレ
チクルを示している。かかるレチクル37においては、
アライメントマーク9〜11、メインパターン12及び
検査を行うべき領域を示すパターン13のほかに、パタ
ーン38が形成されてしまうが、かかるパターン38は
、試料に対する露光には、なんら影響を与えるものでは
ない。Note that 37 indicates a reticle manufactured in this manner. In such a reticle 37,
In addition to the alignment marks 9 to 11, the main pattern 12, and the pattern 13 indicating the area to be inspected, a pattern 38 is formed, but this pattern 38 does not affect the exposure of the sample in any way. .
【0017】このように、この第2実施例においても、
露光すべき部分がない露光フィルードについては、スキ
ップして露光するようにしているので、露光時間を短縮
し、スループットの向上化を図ることができる。また、
この第2実施例においては、ベクタ・スキャン方式で露
光を行う場合、第1実施例の場合よりも露光時間を短く
することができる。[0017] In this way, also in this second embodiment,
Exposure fields that do not have portions to be exposed are skipped for exposure, so exposure time can be shortened and throughput can be improved. Also,
In this second embodiment, when exposure is performed using the vector scan method, the exposure time can be made shorter than in the first embodiment.
【0018】[0018]
【発明の効果】本発明によれば、パターンの形成に必要
でない領域の少なくとも一部分は、非露光対象領域とし
、露光すべき部分を減少することができるので、露光時
間を短縮し、スループットの向上化を図ることができる
。Effects of the Invention According to the present invention, at least a portion of the area not required for pattern formation is set as a non-exposure area and the area to be exposed can be reduced, thereby shortening the exposure time and improving throughput. It is possible to aim for
【図1】本発明の第1実施例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第2実施例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a second embodiment of the present invention.
【図3】従来の露光用マスク(レチクル)の製造方法の
一例を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an example of a conventional method for manufacturing an exposure mask (reticle).
1 ネガデータ
2、23、36 ポジデータ
4〜6 アライメントマークのデータ7 メインパ
ターン(回路パターン)のデータ8 検査領域を示す
パターンのデータ9〜11 アライメントマーク
12 メインパターン(回路パターン)13 検査
領域を示すパターンのデータ25、37 レチクル1 Negative data 2, 23, 36 Positive data 4 to 6 Alignment mark data 7 Main pattern (circuit pattern) data 8 Pattern data indicating the inspection area 9 to 11 Alignment mark 12 Main pattern (circuit pattern) 13 Pattern indicating the inspection area Data 25, 37 Reticle
Claims (1)
ポジデータについて、露光対象領域のうち、パターンの
形成に必要でない領域の少なくとも一部分が非露光対象
領域となるような処理をした後、該処理したポジデータ
を使用してポジ型のレジストに対する露光を行う工程を
有することを特徴とする露光用マスクの製造方法。1. Positive data obtained by inverting designed negative data is processed so that at least a part of the area not required for pattern formation among the areas to be exposed becomes a non-exposure area, and then the processing is performed. 1. A method of manufacturing an exposure mask, comprising the step of exposing a positive resist using the positive data obtained.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP590191A JP3030876B2 (en) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | Manufacturing method of exposure mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP590191A JP3030876B2 (en) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | Manufacturing method of exposure mask |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04238351A true JPH04238351A (en) | 1992-08-26 |
| JP3030876B2 JP3030876B2 (en) | 2000-04-10 |
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| JP (1) | JP3030876B2 (en) |
-
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