JPH04238877A - ＡｌＮ部材とＣｕ部材の接合体とその製造方法 - Google Patents
ＡｌＮ部材とＣｕ部材の接合体とその製造方法Info
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- JPH04238877A JPH04238877A JP1148191A JP1148191A JPH04238877A JP H04238877 A JPH04238877 A JP H04238877A JP 1148191 A JP1148191 A JP 1148191A JP 1148191 A JP1148191 A JP 1148191A JP H04238877 A JPH04238877 A JP H04238877A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、パワー半導体モジュー
ル等の電子回路形成用セラミック基板等に適用されるＡ
ｌＮ 部材とＣｕ部材との接合体およびその製造方法に
関する。
ル等の電子回路形成用セラミック基板等に適用されるＡ
ｌＮ 部材とＣｕ部材との接合体およびその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】電子回路等においては、通常、基板とな
るセラミックスと、導体等の回路および素子との組立て
のための接合が行われるが、いずれの場合にあってもセ
ラミックスと金属との接合が問題となる。従来技術にお
けるこれらセラミックスと金属との接合に関しては多く
の研究が行われているが、その要点は■接合界面での濡
れの確保、■接合界面に生成する層の制御、■熱応力に
よる割れの防止が挙げられる。酸化物系セラミックス（
たとえばＡｌ２Ｏ３ を主成分とするもの）では、これ
らの課題がかなり解決されている。しかし、窒化物系セ
ラミックスでは、金属との接合界面での濡れの確認が容
易でなく、また金属との熱膨張差も大きくなるため熱応
力による割れも発生しやすくなるという問題が存在する
。
るセラミックスと、導体等の回路および素子との組立て
のための接合が行われるが、いずれの場合にあってもセ
ラミックスと金属との接合が問題となる。従来技術にお
けるこれらセラミックスと金属との接合に関しては多く
の研究が行われているが、その要点は■接合界面での濡
れの確保、■接合界面に生成する層の制御、■熱応力に
よる割れの防止が挙げられる。酸化物系セラミックス（
たとえばＡｌ２Ｏ３ を主成分とするもの）では、これ
らの課題がかなり解決されている。しかし、窒化物系セ
ラミックスでは、金属との接合界面での濡れの確認が容
易でなく、また金属との熱膨張差も大きくなるため熱応
力による割れも発生しやすくなるという問題が存在する
。
【０００３】一方、電子回路セラミックス基板として、
大電力化を図るためには、従来用いられているＡｌ２Ｏ
３ 系材料に比べ放熱効率の優れた ＡｌＮ（窒化物系
）材料を用いた基板の開発が望まれている。特に、大型
電子回路装置における放熱効率の改善は今日強く求めら
れているところである。ＡｌＮ 基板とＣｕよりなる回
路との接合技術としては、ＡｌＮとＣｕとの間にＴｉ層
を介在せしめ加熱して接合する方法が、特開昭６０−１
７７６３４号公報に開示されている。この方法では、Ｔ
ｉ−Ｃｕの共晶とＡｌＮ との濡れを利用しており、Ｔ
ｉの介在手段としては、■Ｔｉ箔の介在、■蒸着、メッ
キ、スパッタリングによるＴｉ堆積、等が示されている
。また、これとは別に特開昭６０−３２３４３ 号公報
には前記Ｔｉの他にＺｒ等の活性金属と銅の合金層を設
けた基板が開示されている。
大電力化を図るためには、従来用いられているＡｌ２Ｏ
３ 系材料に比べ放熱効率の優れた ＡｌＮ（窒化物系
）材料を用いた基板の開発が望まれている。特に、大型
電子回路装置における放熱効率の改善は今日強く求めら
れているところである。ＡｌＮ 基板とＣｕよりなる回
路との接合技術としては、ＡｌＮとＣｕとの間にＴｉ層
を介在せしめ加熱して接合する方法が、特開昭６０−１
７７６３４号公報に開示されている。この方法では、Ｔ
ｉ−Ｃｕの共晶とＡｌＮ との濡れを利用しており、Ｔ
ｉの介在手段としては、■Ｔｉ箔の介在、■蒸着、メッ
キ、スパッタリングによるＴｉ堆積、等が示されている
。また、これとは別に特開昭６０−３２３４３ 号公報
には前記Ｔｉの他にＺｒ等の活性金属と銅の合金層を設
けた基板が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
公知方法ではＡｌＮ 基板とＣｕ導体回路の間にＴｉを
介在させて約１０００℃に加熱して接合する必要があり
、このため接合界面に生ずる熱応力が大きく、接合界面
での反応層厚さの制御のバラツキによっては、割れが発
生するという欠点があった。また、熱ひずみによる変形
も大きくなる。上記の特開昭６０−１７７６３４号公報
および特開昭−３２３４３ 号公報の詳細な説明には約
８８０ 〜１０８２℃の加熱でよい旨の記載がある。前
記の点について、本発明者らが追試検討したところによ
れば、８８０ ℃付近では接合できず、該公報の実施例
にあるように１０００℃（具体的には９９０ ℃）付近
でないと接合はできないことが確認された。また、該公
報の技術では１０分間程の短時間での接合は不可能であ
る。
公知方法ではＡｌＮ 基板とＣｕ導体回路の間にＴｉを
介在させて約１０００℃に加熱して接合する必要があり
、このため接合界面に生ずる熱応力が大きく、接合界面
での反応層厚さの制御のバラツキによっては、割れが発
生するという欠点があった。また、熱ひずみによる変形
も大きくなる。上記の特開昭６０−１７７６３４号公報
および特開昭−３２３４３ 号公報の詳細な説明には約
８８０ 〜１０８２℃の加熱でよい旨の記載がある。前
記の点について、本発明者らが追試検討したところによ
れば、８８０ ℃付近では接合できず、該公報の実施例
にあるように１０００℃（具体的には９９０ ℃）付近
でないと接合はできないことが確認された。また、該公
報の技術では１０分間程の短時間での接合は不可能であ
る。
【０００５】前述した従来技術の問題点として、例えば
次の点が挙げられる。 （１）Ｃｕ導体回路と接合するＡｌＮ 基板の濡れ確保
を短時間に実現するためには、約１０００℃での加熱接
合が必要である。その結果、接合界面での熱応力が大き
くなり、接合界面で割れが発生しやすく（反応層厚さに
対する許容限界が小さい）、さらに、熱ひずみによる変
形も大きいこと。 （２）共晶反応層を形成させるために必要なＴｉの介在
方法が非効率的であること。本発明は上記のような従来
技術における問題点を解消し、電子回路に使用するＡｌ
Ｎ 部材とＣｕ部材との確実な接合体およびその製造方
法を提供することを目的としている。
次の点が挙げられる。 （１）Ｃｕ導体回路と接合するＡｌＮ 基板の濡れ確保
を短時間に実現するためには、約１０００℃での加熱接
合が必要である。その結果、接合界面での熱応力が大き
くなり、接合界面で割れが発生しやすく（反応層厚さに
対する許容限界が小さい）、さらに、熱ひずみによる変
形も大きいこと。 （２）共晶反応層を形成させるために必要なＴｉの介在
方法が非効率的であること。本発明は上記のような従来
技術における問題点を解消し、電子回路に使用するＡｌ
Ｎ 部材とＣｕ部材との確実な接合体およびその製造方
法を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
、本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、電子回路セラミ
ックス基板としてのＡｌＮ 基板に対し、回路パターン
Ｃｕ部材を接合するにあたり、両者の間にＴｉ、Ｚｒを
複合介在させることによりＣｕ−Ｔｉ−Ｚｒの低温の三
元共晶を形成させ、低温での接合が可能となることを知
見し、本発明を完成するに至った。さらに、Ｔｉ、Ｚｒ
に対しＮｉを添加すると反応層の熱膨張係数を小さく（
ＡｌＮ との差を小さく）し、熱応力低減に有効である
ことがわかった。すなわち、本発明は、電子回路用のＡ
ｌＮ 部材とＣｕ部材の接合体であって、前記ＡｌＮ
部材とＣｕ部材との間に重量％でＺｒ：１０〜９０％お
よびＴｉ：１０〜９０％を含有し残部Ｃｕから成る中間
層を介在させて成ることを特徴とする電子回路用ＡｌＮ
部材とＣｕ部材の接合体である。
、本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、電子回路セラミ
ックス基板としてのＡｌＮ 基板に対し、回路パターン
Ｃｕ部材を接合するにあたり、両者の間にＴｉ、Ｚｒを
複合介在させることによりＣｕ−Ｔｉ−Ｚｒの低温の三
元共晶を形成させ、低温での接合が可能となることを知
見し、本発明を完成するに至った。さらに、Ｔｉ、Ｚｒ
に対しＮｉを添加すると反応層の熱膨張係数を小さく（
ＡｌＮ との差を小さく）し、熱応力低減に有効である
ことがわかった。すなわち、本発明は、電子回路用のＡ
ｌＮ 部材とＣｕ部材の接合体であって、前記ＡｌＮ
部材とＣｕ部材との間に重量％でＺｒ：１０〜９０％お
よびＴｉ：１０〜９０％を含有し残部Ｃｕから成る中間
層を介在させて成ることを特徴とする電子回路用ＡｌＮ
部材とＣｕ部材の接合体である。
【０００７】前記中間層はさらに重量％でＮｉ：３０％
以下を含んでいてもよい。また別の面からは、本発明は
、Ｃｕ部材の表面に実質的にＴｉからなる箔体およびＺ
ｒからなる箔体を重ねた後、圧延接合させて、さらに、
前記箔体側にＡｌＮ 部材を重ねて加熱接合することを
特徴とする電子回路におけるＡｌＮ 部材とＣｕ部材の
接合体の製造方法である。Ｃｕ部材からのＣｕと箔体の
Ｔｉ、Ｚｒが相互に拡散してＣｕ−Ｔｉ−Ｚｒ三元共晶
の中間層を形成する。上記Ｔｉからなる箔体およびＺｒ
からなる箔体にさらに、実質的にＣｕからなる箔体およ
びＮｉからなる箔体の１種以上の箔体を重ねた後、Ａｌ
Ｎ 部材とＣｕ部材を圧延接合してもよい。これら箔体
の積層順位は特に制限されないが、Ｃｕ部材側からＮｉ
箔体、Ｃｕ箔体、Ｚｒ箔体、そしてＴｉ箔体をこの順位
で積層するのが好ましい。
以下を含んでいてもよい。また別の面からは、本発明は
、Ｃｕ部材の表面に実質的にＴｉからなる箔体およびＺ
ｒからなる箔体を重ねた後、圧延接合させて、さらに、
前記箔体側にＡｌＮ 部材を重ねて加熱接合することを
特徴とする電子回路におけるＡｌＮ 部材とＣｕ部材の
接合体の製造方法である。Ｃｕ部材からのＣｕと箔体の
Ｔｉ、Ｚｒが相互に拡散してＣｕ−Ｔｉ−Ｚｒ三元共晶
の中間層を形成する。上記Ｔｉからなる箔体およびＺｒ
からなる箔体にさらに、実質的にＣｕからなる箔体およ
びＮｉからなる箔体の１種以上の箔体を重ねた後、Ａｌ
Ｎ 部材とＣｕ部材を圧延接合してもよい。これら箔体
の積層順位は特に制限されないが、Ｃｕ部材側からＮｉ
箔体、Ｃｕ箔体、Ｚｒ箔体、そしてＴｉ箔体をこの順位
で積層するのが好ましい。
【０００８】
【作用】本発明において接合体の構成材料および製造方
法等の条件を限定した理由は次のとおりである。 （１）Ｃｕは経済性、導電性、加工性等すべての点から
みて回路基板用導体の部材として最適であるから、これ
を採用する。 （２）ＡｌＮ は、Ａｌ２Ｏ３ に比べ熱伝導性に優れ
、強度も大であるため基板材料として使用する。 （３）中間層の厚さは、Ｃｕ箔、Ｎｉ箔を使用する場合
、便宜上図１（ａ） のように積層した素材を、同（ｂ
） に示すように回路用のＣｕ部材と圧延接合された後
の箔材層合計の厚みとして、好ましくは５μｍ以上５０
μｍ以下とする。 厚さの下限はＡｌＮ との濡れ性確保の可能な限界であ
り、上限は形成された反応層の割れを防止する上で必要
な範囲として決定した。
法等の条件を限定した理由は次のとおりである。 （１）Ｃｕは経済性、導電性、加工性等すべての点から
みて回路基板用導体の部材として最適であるから、これ
を採用する。 （２）ＡｌＮ は、Ａｌ２Ｏ３ に比べ熱伝導性に優れ
、強度も大であるため基板材料として使用する。 （３）中間層の厚さは、Ｃｕ箔、Ｎｉ箔を使用する場合
、便宜上図１（ａ） のように積層した素材を、同（ｂ
） に示すように回路用のＣｕ部材と圧延接合された後
の箔材層合計の厚みとして、好ましくは５μｍ以上５０
μｍ以下とする。 厚さの下限はＡｌＮ との濡れ性確保の可能な限界であ
り、上限は形成された反応層の割れを防止する上で必要
な範囲として決定した。
【０００９】（４）中間層の成分構成（重量％）はＴｉ
：１０〜９０、Ｚｒ：１０〜９０を含有し残部Ｃｕから
なり、さらに必要によりＮｉ：３０％以下を含有する。 Ｔｉ、Ｚｒは接合の際の加熱により、Ｃｕ部材のＣｕま
たは予め接合されているＣｕと反応して低温共晶を形成
し、ＡｌＮ との濡れに寄与する。 上記組成範囲内のＺｒ、Ｔｉ量であれば、中間層の溶融
温度は８５０ ℃付近となり、低温接合が可能となる。 この組成範囲外（上、下限の外）では、共に中間層の溶
融温度が高くなり、本発明の利点である低温での接合が
不可能となる。共晶はＣｕ接合体に箔状で積層一体化さ
れたＴｉ、ＺｒがＣｕ接合体のＣｕと反応して生成する
が、箔材層の中にＣｕ箔材をも含有させると、この反応
を促進させ接合時間の短縮化に有効であり、箔材層への
Ｃｕ添加はより効果的といえる。ＡｌＮ 部材とＣｕ部
材の接合に寄与した共晶は、接合中間層として残存する
。この接合中間層の熱膨張係数を小さくするためにＮｉ
を添加することができる。しかし、Ｎｉの過剰添加は、
共晶の融点の上昇を招くため３０％以下とする。
：１０〜９０、Ｚｒ：１０〜９０を含有し残部Ｃｕから
なり、さらに必要によりＮｉ：３０％以下を含有する。 Ｔｉ、Ｚｒは接合の際の加熱により、Ｃｕ部材のＣｕま
たは予め接合されているＣｕと反応して低温共晶を形成
し、ＡｌＮ との濡れに寄与する。 上記組成範囲内のＺｒ、Ｔｉ量であれば、中間層の溶融
温度は８５０ ℃付近となり、低温接合が可能となる。 この組成範囲外（上、下限の外）では、共に中間層の溶
融温度が高くなり、本発明の利点である低温での接合が
不可能となる。共晶はＣｕ接合体に箔状で積層一体化さ
れたＴｉ、ＺｒがＣｕ接合体のＣｕと反応して生成する
が、箔材層の中にＣｕ箔材をも含有させると、この反応
を促進させ接合時間の短縮化に有効であり、箔材層への
Ｃｕ添加はより効果的といえる。ＡｌＮ 部材とＣｕ部
材の接合に寄与した共晶は、接合中間層として残存する
。この接合中間層の熱膨張係数を小さくするためにＮｉ
を添加することができる。しかし、Ｎｉの過剰添加は、
共晶の融点の上昇を招くため３０％以下とする。
【００１０】（５）なお、箔体を重ねた後に圧延接合す
る圧延は、冷間圧延、温間圧延（２００℃以下） どち
らでもよい。 （６） 接合温度はＣｕ−Ｔｉ−Ｚｒ共晶の融点以上（
概ね８５０℃）で、９５０℃以下とするのが好ましい。 共晶の融点以下ではＡｌＮ との濡れ性が確保されない
。一方、９５０ ℃を超えると、熱応力が大きくなるた
め接合層に割れを発生するおそれがある。なお、上記
ＡｌＮ部材とＣｕ部材を接合するための接合雰囲気は不
活性ガス雰囲気、真空雰囲気等が使用され、その雰囲気
中で被処理物を加熱する。本発明によれば、複雑な配線
パターンであっても、箔材が接合された導体用Ｃｕ板か
ら回路配線パターンを切り抜いて、それをＡｌＮ 基板
上に置いて前記雰囲気中で加熱するだけで回路配線と基
板との接合が容易に行える。
る圧延は、冷間圧延、温間圧延（２００℃以下） どち
らでもよい。 （６） 接合温度はＣｕ−Ｔｉ−Ｚｒ共晶の融点以上（
概ね８５０℃）で、９５０℃以下とするのが好ましい。 共晶の融点以下ではＡｌＮ との濡れ性が確保されない
。一方、９５０ ℃を超えると、熱応力が大きくなるた
め接合層に割れを発生するおそれがある。なお、上記
ＡｌＮ部材とＣｕ部材を接合するための接合雰囲気は不
活性ガス雰囲気、真空雰囲気等が使用され、その雰囲気
中で被処理物を加熱する。本発明によれば、複雑な配線
パターンであっても、箔材が接合された導体用Ｃｕ板か
ら回路配線パターンを切り抜いて、それをＡｌＮ 基板
上に置いて前記雰囲気中で加熱するだけで回路配線と基
板との接合が容易に行える。
【００１１】
【実施例】本発明を実施例により詳細に説明するが、こ
れによって本発明が限定されるものではない。図１（ａ
）のように導体用Ｃｕ板の上に、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｃ
ｕの箔を重ねて冷間圧延することによりこれらを接合し
て、箔材層と接合されたＣｕ部材を製造した（図１（ｂ
）。初期の各箔材の厚さ、および圧延接合時の圧下比を
変えることにより、Ｃｕ板に接合された箔材層の組成お
よび厚みの異なるＣｕ板と箔材の接合体を作製すること
ができる。この接合体から ０．３×４０×４０ｍｍの
板を切り出し１×５０×５０ミリのＡｌＮ 基板上に、
箔材層側がＡｌＮ と接するように配置し、０．１ｋｇ
ｆ／ｍｍ２ の加圧力を加えＡｒ雰囲気内の炉中に入れ
て加熱し図２に示されるように接合した。接合後には、
ＡｌＮ とＣｕのそれぞれの部材間に中間層が形成され
る。接合強度の評価は、接合体の隅に図３に示すように
１φｍｍの銅線をはんだ付けし、銅線を上方に引張って
接合部の引きはがしテストにより行った。結果を第１表
に示す。
れによって本発明が限定されるものではない。図１（ａ
）のように導体用Ｃｕ板の上に、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｃ
ｕの箔を重ねて冷間圧延することによりこれらを接合し
て、箔材層と接合されたＣｕ部材を製造した（図１（ｂ
）。初期の各箔材の厚さ、および圧延接合時の圧下比を
変えることにより、Ｃｕ板に接合された箔材層の組成お
よび厚みの異なるＣｕ板と箔材の接合体を作製すること
ができる。この接合体から ０．３×４０×４０ｍｍの
板を切り出し１×５０×５０ミリのＡｌＮ 基板上に、
箔材層側がＡｌＮ と接するように配置し、０．１ｋｇ
ｆ／ｍｍ２ の加圧力を加えＡｒ雰囲気内の炉中に入れ
て加熱し図２に示されるように接合した。接合後には、
ＡｌＮ とＣｕのそれぞれの部材間に中間層が形成され
る。接合強度の評価は、接合体の隅に図３に示すように
１φｍｍの銅線をはんだ付けし、銅線を上方に引張って
接合部の引きはがしテストにより行った。結果を第１表
に示す。
【００１２】
【表１】
【００１３】本発明例のＡ１〜Ａ３に示すようにＴｉ、
Ｚｒを適正量存在する層を介在して接合されたものは、
８５０ ℃という比較的低温にて良好なる接合強度が得
られた。また、Ｃｕ添加により接合時間の短縮化（Ａ１
〜３ に比較してＡ４は時間が短い） がなされ、Ｎｉ
添加により箔材層を厚くしても割れが発生しない（Ａ５
）ことが確認された。一方、比較例における箔材層なし
（Ｂ１）、箔材層の厚さ不足（Ｂ５）では、濡れが十分
確保されず、またＴｉ単独添加（Ｂ２）のものは、８５
０ ℃では接合されなかった。また、適正成分の箔材層
を用いて接合してもその厚みが大きすぎる場合（Ｂ４）
には、濡れが確保されても熱応力が大きくなり、割れが
発生した。以上の結果から、本発明によれば、ＡｌＮ
よりなる基板とＣｕよりなる回路配線が低温にて安定し
た接合が行えることが確認された。
Ｚｒを適正量存在する層を介在して接合されたものは、
８５０ ℃という比較的低温にて良好なる接合強度が得
られた。また、Ｃｕ添加により接合時間の短縮化（Ａ１
〜３ に比較してＡ４は時間が短い） がなされ、Ｎｉ
添加により箔材層を厚くしても割れが発生しない（Ａ５
）ことが確認された。一方、比較例における箔材層なし
（Ｂ１）、箔材層の厚さ不足（Ｂ５）では、濡れが十分
確保されず、またＴｉ単独添加（Ｂ２）のものは、８５
０ ℃では接合されなかった。また、適正成分の箔材層
を用いて接合してもその厚みが大きすぎる場合（Ｂ４）
には、濡れが確保されても熱応力が大きくなり、割れが
発生した。以上の結果から、本発明によれば、ＡｌＮ
よりなる基板とＣｕよりなる回路配線が低温にて安定し
た接合が行えることが確認された。
【００１４】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているから、電子回路における信頼性の高い基板のＡｌ
Ｎ 部材と導体であるＣｕ部材の接合体およびその製造
方法が確立され、これにより高性能な製品の提供が可能
となって、産業上極めて有用である。
ているから、電子回路における信頼性の高い基板のＡｌ
Ｎ 部材と導体であるＣｕ部材の接合体およびその製造
方法が確立され、これにより高性能な製品の提供が可能
となって、産業上極めて有用である。
【図１】図１（ａ）、（ｂ）は、本発明で使用する回路
用Ｃｕ板と箔体とのそれぞれ圧延結合前（ａ）、後（ｂ
）の説明図である。
用Ｃｕ板と箔体とのそれぞれ圧延結合前（ａ）、後（ｂ
）の説明図である。
【図２】ＡｌＮ基板と回路用Ｃｕ板との接合体の断面図
である。
である。
【図３】接合部の強度試験を実施する際の斜視図である
。
。
Claims (4)
- 【請求項１】 電子回路用のＡｌＮ 部材とＣｕ部材
の接合体であって、前記ＡｌＮ 部材とＣｕ部材との間
に重量％でＺｒ：１０〜９０％およびＴｉ：１０〜９０
％を含有し残部がＣｕより成る中間層を介在させて成る
ことを特徴とする電子回路用ＡｌＮ 部材とＣｕ部材の
接合体。 - 【請求項２】 前記中間層がさらに重量％でＮｉ：３
０％以下を含む請求項１記載のＡｌＮ 部材とＣｕ部材
の接合体。 - 【請求項３】 Ｃｕ部材の表面に実質的にＴｉからな
る箔体およびＺｒからなる箔体を重ねた後、圧延接合さ
せて、さらに、前記箔体側にＡｌＮ 部材を重ねて加熱
接合することを特徴とする電子回路用ＡｌＮ 部材とＣ
ｕ部材の接合体の製造方法。 - 【請求項４】 Ｔｉからなる箔体およびＺｒからなる
箔体にさらに、実質的にＣｕからなる箔体および／また
はＮｉからなる箔体の１種以上の箔体を重ねた後、圧延
接合させる請求項３記載の電子回路用ＡｌＮ 部材とＣ
ｕ部材の接合体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1148191A JPH04238877A (ja) | 1991-01-08 | 1991-01-08 | ＡｌＮ部材とＣｕ部材の接合体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1148191A JPH04238877A (ja) | 1991-01-08 | 1991-01-08 | ＡｌＮ部材とＣｕ部材の接合体とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04238877A true JPH04238877A (ja) | 1992-08-26 |
Family
ID=11779248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1148191A Withdrawn JPH04238877A (ja) | 1991-01-08 | 1991-01-08 | ＡｌＮ部材とＣｕ部材の接合体とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04238877A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010535632A (ja) * | 2007-08-07 | 2010-11-25 | 韓国生産技術研究院 | チタンロウ付けのためのＺｒ−Ｔｉ−Ｎｉ（Ｃｕ）系低融点ロウ付け溶加材合金組成物 |
| CN107787259A (zh) * | 2015-06-02 | 2018-03-09 | 罗杰斯德国有限公司 | 用于制造复合材料的方法 |
| WO2019008003A1 (de) * | 2017-07-04 | 2019-01-10 | Rogers Germany Gmbh | Lötmaterial zum aktivlöten und verfahren zum aktivlöten |
| WO2025202754A1 (ja) * | 2024-03-29 | 2025-10-02 | 日本発條株式会社 | 接合体および接合体の製造方法 |
-
1991
- 1991-01-08 JP JP1148191A patent/JPH04238877A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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