JPH04238896A - 気相法によるダイヤモンド板の製造方法 - Google Patents
気相法によるダイヤモンド板の製造方法Info
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- JPH04238896A JPH04238896A JP3062754A JP6275491A JPH04238896A JP H04238896 A JPH04238896 A JP H04238896A JP 3062754 A JP3062754 A JP 3062754A JP 6275491 A JP6275491 A JP 6275491A JP H04238896 A JPH04238896 A JP H04238896A
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- Japan
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- diamond
- synthesized
- diamond plate
- plate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は主として切削工具に、あ
るいは耐摩耗部材に用いられるダイヤモンド板の製造方
法に関する。
るいは耐摩耗部材に用いられるダイヤモンド板の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ダイヤモンドは現存する物質中で最も高
い硬度を持ち、耐摩耗性に優れていることが着目して、
従来から天然ダイヤモンドあるいは高圧合成ダイヤモン
ドを原料とした切削工具、耐摩耗部材が古くから用いら
れてきた。切削工具あるいは耐摩耗部材として用いられ
るダイヤモンドとしては主に粉末のダイヤモンド粒をコ
バルトなどの金属結合材で焼結したものが用いられてい
る。
い硬度を持ち、耐摩耗性に優れていることが着目して、
従来から天然ダイヤモンドあるいは高圧合成ダイヤモン
ドを原料とした切削工具、耐摩耗部材が古くから用いら
れてきた。切削工具あるいは耐摩耗部材として用いられ
るダイヤモンドとしては主に粉末のダイヤモンド粒をコ
バルトなどの金属結合材で焼結したものが用いられてい
る。
【０００３】これに対し、近年ダイヤモンドの気相合成
法が開発され、従来の方法に比べ広い面積を持つダイヤ
モンド板を製造することが可能となってきた。また、気
相合成法で合成されるダイヤモンドは結合材を含まない
ため焼結ダイヤモンドに比べ耐摩耗性が優れているとい
う特徴を持っている。このため、気相合成法でダイヤモ
ンドの板を作製し、これを成形して切削工具ないしは耐
摩耗部品として用いようという試みがなされている。ダ
イヤモンドの気相合成法としては、例えば特公昭５９−
２７７５３号公報に示される熱フィラメントＣＶＤ法、
特公昭６１−３３２０号公報に示されるマイクロ波ＣＶ
Ｄ法、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，Ｖｏｌ．４６
， ｐ１４６（１９８５）に示される電子衝撃熱フィ
ラメントＣＶＤ法、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，
Ｖｏｌ．５０， ｐ７２８（１９８７）に示される直
流放電プラズマＣＶＤ法をはじめ多くの方法が用いられ
る。
法が開発され、従来の方法に比べ広い面積を持つダイヤ
モンド板を製造することが可能となってきた。また、気
相合成法で合成されるダイヤモンドは結合材を含まない
ため焼結ダイヤモンドに比べ耐摩耗性が優れているとい
う特徴を持っている。このため、気相合成法でダイヤモ
ンドの板を作製し、これを成形して切削工具ないしは耐
摩耗部品として用いようという試みがなされている。ダ
イヤモンドの気相合成法としては、例えば特公昭５９−
２７７５３号公報に示される熱フィラメントＣＶＤ法、
特公昭６１−３３２０号公報に示されるマイクロ波ＣＶ
Ｄ法、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，Ｖｏｌ．４６
， ｐ１４６（１９８５）に示される電子衝撃熱フィ
ラメントＣＶＤ法、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，
Ｖｏｌ．５０， ｐ７２８（１９８７）に示される直
流放電プラズマＣＶＤ法をはじめ多くの方法が用いられ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ダイヤモンド板を切削
工具ないしは耐摩耗部材の基体上にろう付けして用いる
ためには強度上少なくとも３０μｍ以上の厚さが必要で
ある。しかし、従来の方法により広い面積の厚いダイヤ
モンド板を製造しようとした場合、気相合成の途中で、
すなわちダイヤモンド板が所定の厚さに達する前に割れ
てしまい、希望する厚さや形状のものが得られないとい
う問題点があった。
工具ないしは耐摩耗部材の基体上にろう付けして用いる
ためには強度上少なくとも３０μｍ以上の厚さが必要で
ある。しかし、従来の方法により広い面積の厚いダイヤ
モンド板を製造しようとした場合、気相合成の途中で、
すなわちダイヤモンド板が所定の厚さに達する前に割れ
てしまい、希望する厚さや形状のものが得られないとい
う問題点があった。
【０００５】また、従来から用いられている焼結ダイヤ
モンドの場合には金属を結合材として用いているため、
放電加工で希望する形状に切断、加工ができた。しかし
、従来の気相合成ダイヤモンドの特に結晶性の高いもの
は電気抵抗が大きいため放電加工が難しく、レーザーを
用いて切断しなければならないという問題点もあった。
モンドの場合には金属を結合材として用いているため、
放電加工で希望する形状に切断、加工ができた。しかし
、従来の気相合成ダイヤモンドの特に結晶性の高いもの
は電気抵抗が大きいため放電加工が難しく、レーザーを
用いて切断しなければならないという問題点もあった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らはマイクロ波
ＣＶＤ法、電子衝撃ＣＶＤ法および 直流放電ＣＶＤ
法で１００μｍ以上の厚さのダイヤモンド板の製造を試
みたがいずれもダイヤモンド板が合成途中で割れてしま
った。そこで、この原因を調査した結果、合成したダイ
ヤモンド膜の電気抵抗が大きいためであることがわかっ
た。すなわち、合成したダイヤモンドの電気抵抗が大き
かったためダイヤモンドの成長とともに基板周辺の空間
の電場が変化し、これにともないプラズマの空間分布な
いしは電子の流れの分布も変化し、その結果基板の温度
ないしは温度分布が変わり、ダイヤモンド板と基板の間
の熱膨張係数差に起因する熱応力が発生し、これにより
ダイヤモンド板に割れが入ったのである。
ＣＶＤ法、電子衝撃ＣＶＤ法および 直流放電ＣＶＤ
法で１００μｍ以上の厚さのダイヤモンド板の製造を試
みたがいずれもダイヤモンド板が合成途中で割れてしま
った。そこで、この原因を調査した結果、合成したダイ
ヤモンド膜の電気抵抗が大きいためであることがわかっ
た。すなわち、合成したダイヤモンドの電気抵抗が大き
かったためダイヤモンドの成長とともに基板周辺の空間
の電場が変化し、これにともないプラズマの空間分布な
いしは電子の流れの分布も変化し、その結果基板の温度
ないしは温度分布が変わり、ダイヤモンド板と基板の間
の熱膨張係数差に起因する熱応力が発生し、これにより
ダイヤモンド板に割れが入ったのである。
【０００７】そこで本発明者らはダイヤモンドの電気抵
抗を小さくすることによってこの問題点の解決を試みた
。従来よりダイヤモンド半導体薄膜を試作するためにダ
イヤモンドに不純物をドーピングする手法が用いられて
いるが、本発明ではこれを応用してダイヤモンドの電気
抵抗の低下を計りダイヤモンド板の合成を行った。ダイ
ヤモンドはＩＶｂ族化合物であるので、これにＩＩＩｂ
族元素をドーピングすることによってｐ型ダイヤモンド
、Ｖｂ族元素をドーピングすることによってｎ型ダイヤ
モンドが得られる。これらの元素のドーピング手段とし
ては、例えば第４８回応用物理学会学術講演会、講演予
稿集、１８ｐ−Ｔ−１２、ｐ３５４（１９８７）あるい
はＪａｐ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，Ｖｏｌ．２７、
Ｎｏ．２（１９８８）Ｌ１７３ などに示される方法
が用いられる。
抗を小さくすることによってこの問題点の解決を試みた
。従来よりダイヤモンド半導体薄膜を試作するためにダ
イヤモンドに不純物をドーピングする手法が用いられて
いるが、本発明ではこれを応用してダイヤモンドの電気
抵抗の低下を計りダイヤモンド板の合成を行った。ダイ
ヤモンドはＩＶｂ族化合物であるので、これにＩＩＩｂ
族元素をドーピングすることによってｐ型ダイヤモンド
、Ｖｂ族元素をドーピングすることによってｎ型ダイヤ
モンドが得られる。これらの元素のドーピング手段とし
ては、例えば第４８回応用物理学会学術講演会、講演予
稿集、１８ｐ−Ｔ−１２、ｐ３５４（１９８７）あるい
はＪａｐ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，Ｖｏｌ．２７、
Ｎｏ．２（１９８８）Ｌ１７３ などに示される方法
が用いられる。
【０００８】また、別の手段として、本発明者らが調査
する過程で判明したことであるが、クロム、鉄、ニッケ
ルなどの金属元素をダイヤモンド中に含有させることに
よってもダイヤモンド板の電気抵抗を低下させることが
できることが判ったのである。これらの金属元素のドー
ピングは、高温のプラズマ中あるいは加熱されたフィラ
メントの近傍にこれらの金属または合金の線材を置くこ
とによって実現できる。この方法によりこれらの金属は
徐々に蒸発し、ダイヤモンド板中に取り込まれていくの
である。
する過程で判明したことであるが、クロム、鉄、ニッケ
ルなどの金属元素をダイヤモンド中に含有させることに
よってもダイヤモンド板の電気抵抗を低下させることが
できることが判ったのである。これらの金属元素のドー
ピングは、高温のプラズマ中あるいは加熱されたフィラ
メントの近傍にこれらの金属または合金の線材を置くこ
とによって実現できる。この方法によりこれらの金属は
徐々に蒸発し、ダイヤモンド板中に取り込まれていくの
である。
【０００９】添加元素の含有量を１０ｐｐｍ及至１００
００ｐｐｍとしたのは１０ｐｐｍ以下では電気抵抗を小
さくする効果が小さく、また１００００ｐｐｍ以上では
ダイヤモンドの性質が失われ硬度が低下するためである
。
００ｐｐｍとしたのは１０ｐｐｍ以下では電気抵抗を小
さくする効果が小さく、また１００００ｐｐｍ以上では
ダイヤモンドの性質が失われ硬度が低下するためである
。
【００１０】
【作用】本発明の方法によれば、気相法で合成されるダ
イヤモンド中にほう素、クロム、鉄ないしはニッケルの
一種または二種以上を１０ｐｐｍ及至１００００ｐｐｍ
含有させて成長させることによりダイヤモンドの電気抵
抗を減少させることができ、したがってダイヤモンド層
の厚さが増しても基板周辺の電場を大きく変えることが
なく、ダイヤモンド板の製造を容易に行うことができる
。
イヤモンド中にほう素、クロム、鉄ないしはニッケルの
一種または二種以上を１０ｐｐｍ及至１００００ｐｐｍ
含有させて成長させることによりダイヤモンドの電気抵
抗を減少させることができ、したがってダイヤモンド層
の厚さが増しても基板周辺の電場を大きく変えることが
なく、ダイヤモンド板の製造を容易に行うことができる
。
【００１１】
【実施例】本発明の第１の実施例を図面に基づき説明す
る。先ず、図１に示す直流放電プラズマＣＶＤ装置にて
直径５ｃｍのシリコン基板１上にダイヤモンド板２の合
成を行った。まず、シリコン基板１のダイヤモンドを合
成する側の化学エッチングされた面をダイヤモンド砥粒
でラップし、これを水冷された陽極３上に載せ、反応槽
７内にダイヤモンド合成用原料ガスを導入したのち、陰
極４と陽極３間に電流を流してシリコン基板上にダイヤ
モンドを合成した。ダイヤモンド合成時の反応槽内の圧
力は ２００００Ｐａ、放電電流は３Ａ／ｃｍ２とし
た。ダイヤモンド合成用原料ガスとしてメタン６ｃｃ／
ｍｉｎ、ジボランを１００ｐｐｍ添加した水素３０ｃｃ
／ｍｉｎおよび水素２７０ｃｃ／ｍｉｎの流量比の混合
ガスを用いた。混合ガス中のジボランＢ２Ｈ６はダイヤ
モンド中にほう素をドープする目的で添加されている。
る。先ず、図１に示す直流放電プラズマＣＶＤ装置にて
直径５ｃｍのシリコン基板１上にダイヤモンド板２の合
成を行った。まず、シリコン基板１のダイヤモンドを合
成する側の化学エッチングされた面をダイヤモンド砥粒
でラップし、これを水冷された陽極３上に載せ、反応槽
７内にダイヤモンド合成用原料ガスを導入したのち、陰
極４と陽極３間に電流を流してシリコン基板上にダイヤ
モンドを合成した。ダイヤモンド合成時の反応槽内の圧
力は ２００００Ｐａ、放電電流は３Ａ／ｃｍ２とし
た。ダイヤモンド合成用原料ガスとしてメタン６ｃｃ／
ｍｉｎ、ジボランを１００ｐｐｍ添加した水素３０ｃｃ
／ｍｉｎおよび水素２７０ｃｃ／ｍｉｎの流量比の混合
ガスを用いた。混合ガス中のジボランＢ２Ｈ６はダイヤ
モンド中にほう素をドープする目的で添加されている。
【００１２】この方法により長時間にわたって安定して
ダイヤモンドが合成でき、２０時間の合成を行ったとこ
ろ、平均３００μｍの厚さの割れのないダイヤモンド板
が得られた。ダイヤモンド板中のほう素の正確な含有率
は判らないが、近似的には混合ガス中のほう素と炭素の
原子数比に比例すると推定され、これから算出すると１
０００ｐｐｍとなる。またダイヤモンド板の表と裏の間
の電気抵抗を調べたところ１Ω以下であった。また、こ
のダイヤモンド板を焼結ダイヤモンドの切断に用いられ
ている放電加工機を用いて切断したところ、この装置で
容易に切断できることがわかった。
ダイヤモンドが合成でき、２０時間の合成を行ったとこ
ろ、平均３００μｍの厚さの割れのないダイヤモンド板
が得られた。ダイヤモンド板中のほう素の正確な含有率
は判らないが、近似的には混合ガス中のほう素と炭素の
原子数比に比例すると推定され、これから算出すると１
０００ｐｐｍとなる。またダイヤモンド板の表と裏の間
の電気抵抗を調べたところ１Ω以下であった。また、こ
のダイヤモンド板を焼結ダイヤモンドの切断に用いられ
ている放電加工機を用いて切断したところ、この装置で
容易に切断できることがわかった。
【００１３】比較例として、ジボランを添加しない他は
上記と同じ条件でダイヤモンド板の合成を試みたところ
、合成開始から４時間後ダイヤモンド板に亀裂が入りそ
の一部が基板から剥離した。ダイヤモンド合成をその時
点で中止し電気抵抗を調べたところ１ＭΩ以上となり、
ほぼ絶縁状態であった。
上記と同じ条件でダイヤモンド板の合成を試みたところ
、合成開始から４時間後ダイヤモンド板に亀裂が入りそ
の一部が基板から剥離した。ダイヤモンド合成をその時
点で中止し電気抵抗を調べたところ１ＭΩ以上となり、
ほぼ絶縁状態であった。
【００１４】次に、第２の実施例を示す。実施例１と同
じ装置にて直径５ｃｍのタングステン基板上にダイヤモ
ンド板の合成を行った。まず、タングステン基板のダイ
ヤモンドを合成する側をダイヤモンド砥粒でラップし、
これを水冷された陽極上に載せ、陰極と陽極間に電流を
流してタングステン基板上にダイヤモンドを合成した。 ダイヤモンド合成用原料ガスとしてはメタン４ｃｃ／ｍ
ｉｎ、一酸化炭素２ｃｃ／ｍｉｎおよび水素２００ｃｃ
／ｍｉｎの流量比の混合ガスを用い、真空槽内の圧力を
１５０００Ｐａとした。さらにダイヤモンドに導電性を
持たせるために陽極と陰極の間にステンレス線（主成分
は鉄、クロム、ニッケル）を置いた。ダイヤモンド合成
時には陰極と陽極間に４．５Ａ／ｃｍ２の電流を流した
が、これによりステンレス線は加熱およびスパッタされ
、その構成元素である鉄、クロムおよびニッケルが気相
中へ蒸発する。これによりこれらの元素をダイヤモンド
板中に含有せしめることができたのである。この方法に
より長時間にわたって安定にダイヤモンドが合成でき、
２０時間の合成を行ったところ、平均２５０μｍの厚さ
の亀裂のないダイヤモンド板が得られた。ダイヤモンド
板中に添加された微量の鉄、クロムおよびニッケルを定
量することは難しいが、ステンレス線の減耗量などから
は１０ｐｐｍから１００ｐｐｍであろうと推定される。 得られたダイヤモンド膜の電気抵抗を調べたところ約１
０Ωであった。また、実施例１と同様にこのダイヤモン
ド板も放電加工機での加工を試みたところ容易に加工で
きることがわかった。
じ装置にて直径５ｃｍのタングステン基板上にダイヤモ
ンド板の合成を行った。まず、タングステン基板のダイ
ヤモンドを合成する側をダイヤモンド砥粒でラップし、
これを水冷された陽極上に載せ、陰極と陽極間に電流を
流してタングステン基板上にダイヤモンドを合成した。 ダイヤモンド合成用原料ガスとしてはメタン４ｃｃ／ｍ
ｉｎ、一酸化炭素２ｃｃ／ｍｉｎおよび水素２００ｃｃ
／ｍｉｎの流量比の混合ガスを用い、真空槽内の圧力を
１５０００Ｐａとした。さらにダイヤモンドに導電性を
持たせるために陽極と陰極の間にステンレス線（主成分
は鉄、クロム、ニッケル）を置いた。ダイヤモンド合成
時には陰極と陽極間に４．５Ａ／ｃｍ２の電流を流した
が、これによりステンレス線は加熱およびスパッタされ
、その構成元素である鉄、クロムおよびニッケルが気相
中へ蒸発する。これによりこれらの元素をダイヤモンド
板中に含有せしめることができたのである。この方法に
より長時間にわたって安定にダイヤモンドが合成でき、
２０時間の合成を行ったところ、平均２５０μｍの厚さ
の亀裂のないダイヤモンド板が得られた。ダイヤモンド
板中に添加された微量の鉄、クロムおよびニッケルを定
量することは難しいが、ステンレス線の減耗量などから
は１０ｐｐｍから１００ｐｐｍであろうと推定される。 得られたダイヤモンド膜の電気抵抗を調べたところ約１
０Ωであった。また、実施例１と同様にこのダイヤモン
ド板も放電加工機での加工を試みたところ容易に加工で
きることがわかった。
【００１５】本発明外の比較例として、陰極と陽極の間
にステンレス線を置かないほかは上記と同じ条件にてダ
イヤモンド板の製造を行ったところ、放電電圧が徐々に
高くなり、合成開始後５時間でダイヤモンド板に亀裂が
入った。この時点で板の合成を中止し同様に電気抵抗を
測ったところ、ダイヤモンド膜は本発明のものに比べて
薄いにもかかわらず１ＭΩ以上であった。
にステンレス線を置かないほかは上記と同じ条件にてダ
イヤモンド板の製造を行ったところ、放電電圧が徐々に
高くなり、合成開始後５時間でダイヤモンド板に亀裂が
入った。この時点で板の合成を中止し同様に電気抵抗を
測ったところ、ダイヤモンド膜は本発明のものに比べて
薄いにもかかわらず１ＭΩ以上であった。
【００１６】さらに、第３の実施例を示す。第２図にそ
の概略を示したマイクロ波ＣＶＤ法にて直径２．５ｃｍ
のタングステン基板１上にダイヤモンド板２を合成した
。ダイヤモンド合成用原料ガスとしては、メタン２ｃｃ
／ｍｉｎ、ジボランを１００ｐｐｍ添加した水素５ｃｃ
／ｍｉｎおよび水素１９５ｃｃ／ｍｉｎの流量比の混合
ガスを用いた。そして、マイクロ波の出力３５０Ｗ、基
板温度９００℃で４８時間の合成を行ったところ、平均
厚さが５０μｍで電気抵抗が１Ω以下のダイヤモンド膜
が得られた。そして、このダイヤモンド板も前記本発明
の実施例と同様に放電加工機での切断が容易に行えた。 また、このダイヤモンド膜の硬度を測定したところ、Ｈ
Ｖ〜９５００であり天然ダイヤモンドに近い値となった
。
の概略を示したマイクロ波ＣＶＤ法にて直径２．５ｃｍ
のタングステン基板１上にダイヤモンド板２を合成した
。ダイヤモンド合成用原料ガスとしては、メタン２ｃｃ
／ｍｉｎ、ジボランを１００ｐｐｍ添加した水素５ｃｃ
／ｍｉｎおよび水素１９５ｃｃ／ｍｉｎの流量比の混合
ガスを用いた。そして、マイクロ波の出力３５０Ｗ、基
板温度９００℃で４８時間の合成を行ったところ、平均
厚さが５０μｍで電気抵抗が１Ω以下のダイヤモンド膜
が得られた。そして、このダイヤモンド板も前記本発明
の実施例と同様に放電加工機での切断が容易に行えた。 また、このダイヤモンド膜の硬度を測定したところ、Ｈ
Ｖ〜９５００であり天然ダイヤモンドに近い値となった
。
【００１７】本発明外の比較例として、メタン２．５ｃ
ｃ／ｍｉｎ、ジボランを１００ｐｐｍ添加した水素２０
０ｃｃ／ｍｉｎの混合ガスとした他は上記と同じ方法で
ダイヤモンドを４８時間合成し、その硬度を測定したと
ころ、ＨＶ〜６０００となり硬度が低下していることが
わかった。
ｃ／ｍｉｎ、ジボランを１００ｐｐｍ添加した水素２０
０ｃｃ／ｍｉｎの混合ガスとした他は上記と同じ方法で
ダイヤモンドを４８時間合成し、その硬度を測定したと
ころ、ＨＶ〜６０００となり硬度が低下していることが
わかった。
【００１８】
【効果】本発明の方法によれば、気相法で合成されるダ
イヤモンドの電気抵抗を小さくすることができ、したが
って長時間にわたり安定にダイヤモンドが合成できるの
で厚いダイヤモンド板を容易に作成することができ、さ
らには本発明の方法によって作成されたダイヤモンド板
は従来からダイヤモンド焼結体の加工に用いられている
放電加工機でも容易に加工できるので産業上非常に有益
である。
イヤモンドの電気抵抗を小さくすることができ、したが
って長時間にわたり安定にダイヤモンドが合成できるの
で厚いダイヤモンド板を容易に作成することができ、さ
らには本発明の方法によって作成されたダイヤモンド板
は従来からダイヤモンド焼結体の加工に用いられている
放電加工機でも容易に加工できるので産業上非常に有益
である。
【図１】本発明の第１および第２の実施例で用いられた
装置の概略図でありる。
装置の概略図でありる。
【図２】本発明の第３の実施例で用いられた装置の概略
図である。１ 基板 ２ ダイヤモンド板 ３ 陽極 ４ 陰極 ５ ガス供給口 ６ 排気口 ７ 真空槽 ８ 直流電源 ９ 基板支持台 １０ マイクロ波発振器 １１ 導波管 １２ プランジャー
図である。１ 基板 ２ ダイヤモンド板 ３ 陽極 ４ 陰極 ５ ガス供給口 ６ 排気口 ７ 真空槽 ８ 直流電源 ９ 基板支持台 １０ マイクロ波発振器 １１ 導波管 １２ プランジャー
Claims (1)
- 【請求項１】 ほう素、クロム、鉄、ニッケルのうち
の一種または二種以上をダイヤモンド合成雰囲気中に１
０ｐｐｍ乃至１００００ｐｐｍ含有させて基板に板厚が
３０μｍ以上のダイヤモンド板を成長させることを特徴
とする気相法によるダイヤモンド板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3062754A JPH04238896A (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 気相法によるダイヤモンド板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3062754A JPH04238896A (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 気相法によるダイヤモンド板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04238896A true JPH04238896A (ja) | 1992-08-26 |
Family
ID=13209510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3062754A Pending JPH04238896A (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 気相法によるダイヤモンド板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04238896A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8859058B2 (en) | 2010-12-23 | 2014-10-14 | Element Six Limited | Microwave plasma reactors and substrates for synthetic diamond manufacture |
| US8955456B2 (en) | 2010-12-23 | 2015-02-17 | Element Six Limited | Microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material |
| US9142389B2 (en) | 2010-12-23 | 2015-09-22 | Element Six Technologies Limited | Microwave power delivery system for plasma reactors |
| US9410242B2 (en) | 2010-12-23 | 2016-08-09 | Element Six Technologies Limited | Microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material |
| US9637838B2 (en) | 2010-12-23 | 2017-05-02 | Element Six Limited | Methods of manufacturing synthetic diamond material by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition from a microwave generator and gas inlet(s) disposed opposite the growth surface area |
| JP2018511551A (ja) * | 2015-04-16 | 2018-04-26 | トゥー‐シックス・インコーポレイテッド | 光学的に仕上げられた薄い高アスペクト比のダイヤモンド基板又は窓、及び、これらの製造方法 |
| US10403477B2 (en) | 2010-12-23 | 2019-09-03 | Element Six Technologies Limited | Microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material |
| US11371147B2 (en) | 2010-12-23 | 2022-06-28 | Element Six Technologies Limited | Microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material |
-
1991
- 1991-01-10 JP JP3062754A patent/JPH04238896A/ja active Pending
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