JPH04239130A - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法Info
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- JPH04239130A JPH04239130A JP1265291A JP1265291A JPH04239130A JP H04239130 A JPH04239130 A JP H04239130A JP 1265291 A JP1265291 A JP 1265291A JP 1265291 A JP1265291 A JP 1265291A JP H04239130 A JPH04239130 A JP H04239130A
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- Japan
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- electrode
- reactive
- plasma processing
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基体のような試
料にプラズマエッチングやプラズマＣＶＤ のようなプ
ラズマ処理を施すためのプラズマ処理装置及びプラズマ
処理方法に関するものである。
料にプラズマエッチングやプラズマＣＶＤ のようなプ
ラズマ処理を施すためのプラズマ処理装置及びプラズマ
処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の高集積化が進につれ、種々
の素子が形成されている半導体基体上に多層配線を形成
し、素子の占有効率を向上させる技術の開発が強く要請
されている。多層配線を高い信頼性を以て形成する際最
も重要な事項は層間絶縁膜を平坦化しその上に形成され
る配線の断面積が下地段差部に対して低下するのを防ぐ
ことである。
の素子が形成されている半導体基体上に多層配線を形成
し、素子の占有効率を向上させる技術の開発が強く要請
されている。多層配線を高い信頼性を以て形成する際最
も重要な事項は層間絶縁膜を平坦化しその上に形成され
る配線の断面積が下地段差部に対して低下するのを防ぐ
ことである。
【０００３】層間絶縁膜を平坦化する方法として ＳＯ
Ｇ （Ｓｐｉｎ ＯｎＧｌａｓｓ）法、バイアススパッ
タ ＣＶＤ装置を用いる方法、レジストエッチバック法
等がある。このうち、レジストエッチバック法は、リソ
グラフィプロセスで通常用いられるレジストコータを利
用できるため安価な処理方法であり、制御性も良好であ
り、しかも平坦化度も極めて良好である。このレジスト
エッチバック法は、ＳｉＯ２を主成分とする層間絶縁膜
上にレジスト膜をスピンコートし、ベーキングした後反
応性プラズマエッチングして基体表面を平坦化する方法
である。このプラズマエッチングでは、フルオロカーボ
ン系反応ガスに酸素を加え、ＳｉＯ２のエッチング速度
とレジストのエッチング速度とが同一になるように設定
して基体表面を平坦にエッチングしている。
Ｇ （Ｓｐｉｎ ＯｎＧｌａｓｓ）法、バイアススパッ
タ ＣＶＤ装置を用いる方法、レジストエッチバック法
等がある。このうち、レジストエッチバック法は、リソ
グラフィプロセスで通常用いられるレジストコータを利
用できるため安価な処理方法であり、制御性も良好であ
り、しかも平坦化度も極めて良好である。このレジスト
エッチバック法は、ＳｉＯ２を主成分とする層間絶縁膜
上にレジスト膜をスピンコートし、ベーキングした後反
応性プラズマエッチングして基体表面を平坦化する方法
である。このプラズマエッチングでは、フルオロカーボ
ン系反応ガスに酸素を加え、ＳｉＯ２のエッチング速度
とレジストのエッチング速度とが同一になるように設定
して基体表面を平坦にエッチングしている。
【０００４】さらに、プラズマ処理方法は、プラズマエ
ッチングだけでなく種々の半導体装置の装置工程に使用
されており、例えばプラズマＣＶＤ法等にも利用されて
おり、半導体装置の製造においてその活用が強く要請さ
れている。
ッチングだけでなく種々の半導体装置の装置工程に使用
されており、例えばプラズマＣＶＤ法等にも利用されて
おり、半導体装置の製造においてその活用が強く要請さ
れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、プラ
ズマエッチング装置は種々の半導体装置の製造工程に活
用できるが、エッチング処理後に半導体基体表面上に０
．２ μｍ 程度の微小な柱状突起物が形成される場合
がある。このような微小突起物が形成されてしまうと、
半導体基体表面を平坦化できず、却って半導体装置の生
産性を著しく低下させてしまう。このため、レジストエ
ッチバック法は安価なプロセスであるにもかかわらず量
産工場で広く使用されていないのが実情である。この課
題を解決する方法とし、酸素の添加量を低くしたり、或
は酸素の添加量を段階的に変化させる方法があるが、処
理に長時間かかるばかりでなく、十分な平坦化が得られ
ないのが実情である。尚、この突起物の発生はレジスト
エッチバックだけでなく、多結晶シリコンのエッチング
処理において発生している。
ズマエッチング装置は種々の半導体装置の製造工程に活
用できるが、エッチング処理後に半導体基体表面上に０
．２ μｍ 程度の微小な柱状突起物が形成される場合
がある。このような微小突起物が形成されてしまうと、
半導体基体表面を平坦化できず、却って半導体装置の生
産性を著しく低下させてしまう。このため、レジストエ
ッチバック法は安価なプロセスであるにもかかわらず量
産工場で広く使用されていないのが実情である。この課
題を解決する方法とし、酸素の添加量を低くしたり、或
は酸素の添加量を段階的に変化させる方法があるが、処
理に長時間かかるばかりでなく、十分な平坦化が得られ
ないのが実情である。尚、この突起物の発生はレジスト
エッチバックだけでなく、多結晶シリコンのエッチング
処理において発生している。
【０００６】従って、本発明の目的は、プラズマ処理中
に半導体基体表面に微小な突起物が発生するのを防止で
き適切なプラズマ処理を行なうことができるプラズマ処
理装置及びプラズマ処理方法を提供することにある。
に半導体基体表面に微小な突起物が発生するのを防止で
き適切なプラズマ処理を行なうことができるプラズマ処
理装置及びプラズマ処理方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によるプラズマ処
理装置は、反応容器と、反応容器内に配置した放電電極
とを具え、反応容器に反応ガスを供給してプラズマを生
成し、生成したプラズマを処理すべき試料に照射してプ
ラズマ処理を行なうプラズマ処理装置において、前記反
応容器の内壁表面と放電電極表面との少なくとも一部に
プラズマに対する不活性化処理を施したことを特徴とす
るものである。さらに、本発明によるプラズマ処理方法
は、反応容器、及びこの反応容器内に配置した放電電極
とを具え、反応容器に反応ガスを供給してプラズマを生
成し、生成したプラズマを処理すべき試料に照射してプ
ラズマ処理を行なうに際し、試料にプラズマを照射する
前に、反応ガスを反応容器に供給し、この反応ガスをプ
ラズマ重合させてポリマ化し、前記反応容器の内壁表面
と放電電極表面の少なくとも一部にポリマ皮膜を形成し
、その後前記反応ガスを用いて試料にプラズマ処理を行
うことを特徴とするものである。
理装置は、反応容器と、反応容器内に配置した放電電極
とを具え、反応容器に反応ガスを供給してプラズマを生
成し、生成したプラズマを処理すべき試料に照射してプ
ラズマ処理を行なうプラズマ処理装置において、前記反
応容器の内壁表面と放電電極表面との少なくとも一部に
プラズマに対する不活性化処理を施したことを特徴とす
るものである。さらに、本発明によるプラズマ処理方法
は、反応容器、及びこの反応容器内に配置した放電電極
とを具え、反応容器に反応ガスを供給してプラズマを生
成し、生成したプラズマを処理すべき試料に照射してプ
ラズマ処理を行なうに際し、試料にプラズマを照射する
前に、反応ガスを反応容器に供給し、この反応ガスをプ
ラズマ重合させてポリマ化し、前記反応容器の内壁表面
と放電電極表面の少なくとも一部にポリマ皮膜を形成し
、その後前記反応ガスを用いて試料にプラズマ処理を行
うことを特徴とするものである。
【０００８】
【作用】本発明者が半導体基体上に発生する柱状突起物
の発生原因を解明するため種々の実験及び解析を行なっ
た結果、プラズマ処理装置に用いられている放電電極又
は反応容器壁部の金属材料が汚染物質として作用するこ
とが判明した。すなわち、酸素とフルオロカーボンガス
とを反応ガスとして反応性プラズマエッチングを行ない
、半導体基体表面に形成された柱状突起物の成分分析を
行なったところ、この柱状突起物の主成分はポリマ化し
たフルオロカーボンであり、さらにオージェ分析法によ
り元素分析を行なった結果、Ｃ， Ｆ元素の他にアルミ
ニウム元素が多量に検出された。このアルミニウムは放
電電極の構成材料であるから、放電電極材料が汚染物質
として作用することが考えられる。また、酸素プラズマ
エッチングのコンデショニングにおいて、電極表面及び
反応容器の内壁表面に予めフルオロカーボンポリマ皮膜
を形成しておくと、柱状突起物が全く発生しないことも
判明した。一方、放電電極や反応容器壁部の金属材料が
露出していると、この露出部分から多数の２次電子が放
出され局所的にプラズマが高密度化し、その部分の金属
が多量にスパッタされ、その金属原子が処理されるべき
半導体基体上に付着し、付着した金属原子が触媒となっ
てポリマ化が局所的に進行したものと考えられる。特に
、アルミニウムやニッケルはプラズマ重合の重合促進剤
として使用されていることからも、アルミニウム原子が
付着した部分において局所的ポリマ化が促進し、プラズ
マ重合により多数の柱状突起物が形成されたものと考え
られる。
の発生原因を解明するため種々の実験及び解析を行なっ
た結果、プラズマ処理装置に用いられている放電電極又
は反応容器壁部の金属材料が汚染物質として作用するこ
とが判明した。すなわち、酸素とフルオロカーボンガス
とを反応ガスとして反応性プラズマエッチングを行ない
、半導体基体表面に形成された柱状突起物の成分分析を
行なったところ、この柱状突起物の主成分はポリマ化し
たフルオロカーボンであり、さらにオージェ分析法によ
り元素分析を行なった結果、Ｃ， Ｆ元素の他にアルミ
ニウム元素が多量に検出された。このアルミニウムは放
電電極の構成材料であるから、放電電極材料が汚染物質
として作用することが考えられる。また、酸素プラズマ
エッチングのコンデショニングにおいて、電極表面及び
反応容器の内壁表面に予めフルオロカーボンポリマ皮膜
を形成しておくと、柱状突起物が全く発生しないことも
判明した。一方、放電電極や反応容器壁部の金属材料が
露出していると、この露出部分から多数の２次電子が放
出され局所的にプラズマが高密度化し、その部分の金属
が多量にスパッタされ、その金属原子が処理されるべき
半導体基体上に付着し、付着した金属原子が触媒となっ
てポリマ化が局所的に進行したものと考えられる。特に
、アルミニウムやニッケルはプラズマ重合の重合促進剤
として使用されていることからも、アルミニウム原子が
付着した部分において局所的ポリマ化が促進し、プラズ
マ重合により多数の柱状突起物が形成されたものと考え
られる。
【０００９】上述した解析結果より、本発明では放電電
極の表面と反応容器の内壁表面との少なくとも一部にプ
ラズマに対するバリヤ層として作用する高密度、高稠密
性の被膜を形成して金属材料表面にプラズマに対する不
活性化処理を行なう。このような皮膜は、プラズマによ
って若干スパッタされることもあるが、スパッタされる
量は微量であるため、ほとんど問題にならない。この不
活性化皮膜として、フルオロカーボン系のポリマ皮膜や
弗素樹脂系ポリマ皮膜のような不活性なポリマ皮膜、或
は Ａｌ２Ｏ３のような金属酸化膜を用いることができ
る。
極の表面と反応容器の内壁表面との少なくとも一部にプ
ラズマに対するバリヤ層として作用する高密度、高稠密
性の被膜を形成して金属材料表面にプラズマに対する不
活性化処理を行なう。このような皮膜は、プラズマによ
って若干スパッタされることもあるが、スパッタされる
量は微量であるため、ほとんど問題にならない。この不
活性化皮膜として、フルオロカーボン系のポリマ皮膜や
弗素樹脂系ポリマ皮膜のような不活性なポリマ皮膜、或
は Ａｌ２Ｏ３のような金属酸化膜を用いることができ
る。
【実施例】図１は本発明によるプラズマ処理装置の一例
の構成を示す線図的断面図である。本例では、反応性イ
オンエッチング（ＲＩＥ） を行なう平行板型プラズマ
エッチング装置を例にして説明する。反応容器１はガス
導入口ａ 及びガス排出口１ｂを有し、ガス導入口から
酸素を含む反応ガスを反応容器１内に供給する。反応容
器１内にはＲＦ電極２と対向電極３を配置し、ＲＦ電極
２上にプラズマ処理されるべき半導体基体４を配置する
。ＲＦ電極２及び対向電極３を高周波高圧電源５に接続
する。そして電極２と３との間に高周波高電圧を印加す
ると共に反応ガスを供給し放電を発生させてプラズマを
生成する。本例では、反応容器１をアルミニウムで構成
し、その内壁表面を陽極酸化処理により酸化アルミニウ
ム皮膜６を形成する。また、放電電極２及び３もアルミ
ニウムで構成し、これら電極の互いに対向する表面に酸
化アルミニウム皮膜７及び８をそれぞれ形成する。従っ
て、反応容器及び放電電極のプラズマにさらされる大部
分がプラズマに対して不活性なアルミニウム酸化膜で皮
膜されることになる。
の構成を示す線図的断面図である。本例では、反応性イ
オンエッチング（ＲＩＥ） を行なう平行板型プラズマ
エッチング装置を例にして説明する。反応容器１はガス
導入口ａ 及びガス排出口１ｂを有し、ガス導入口から
酸素を含む反応ガスを反応容器１内に供給する。反応容
器１内にはＲＦ電極２と対向電極３を配置し、ＲＦ電極
２上にプラズマ処理されるべき半導体基体４を配置する
。ＲＦ電極２及び対向電極３を高周波高圧電源５に接続
する。そして電極２と３との間に高周波高電圧を印加す
ると共に反応ガスを供給し放電を発生させてプラズマを
生成する。本例では、反応容器１をアルミニウムで構成
し、その内壁表面を陽極酸化処理により酸化アルミニウ
ム皮膜６を形成する。また、放電電極２及び３もアルミ
ニウムで構成し、これら電極の互いに対向する表面に酸
化アルミニウム皮膜７及び８をそれぞれ形成する。従っ
て、反応容器及び放電電極のプラズマにさらされる大部
分がプラズマに対して不活性なアルミニウム酸化膜で皮
膜されることになる。
【００１０】図２は本発明によるプラズマ処理装置の変
形例を示す。本例では、流量調整系１０により、酸素ガ
ス、反応ガス及びＨｅ 稀釈ガスの供給量を調整し、反
応容器１１内に酸素を含む反応ガスを供給する。そして
、対向電極１２には多数の孔を形成し、ＲＦ電極１３上
にプラズマ処理される半導体基体１４を配置する。本例
でも、反応容器の内壁表面及び電極の対向する表面にそ
れぞれアルミニウム酸化膜１５及び１６を形成する。ま
た、反応容器の排出孔に真空ポンプ１７を接続して反応
容器内の圧力を適切に調整する。
形例を示す。本例では、流量調整系１０により、酸素ガ
ス、反応ガス及びＨｅ 稀釈ガスの供給量を調整し、反
応容器１１内に酸素を含む反応ガスを供給する。そして
、対向電極１２には多数の孔を形成し、ＲＦ電極１３上
にプラズマ処理される半導体基体１４を配置する。本例
でも、反応容器の内壁表面及び電極の対向する表面にそ
れぞれアルミニウム酸化膜１５及び１６を形成する。ま
た、反応容器の排出孔に真空ポンプ１７を接続して反応
容器内の圧力を適切に調整する。
【００１１】次に、実験結果について説明する。本実験
では、図２に示すＲＩＥ 装置を用いた。ガス導入口１
ａから酸素を含むフルオロカーボン系ガスを導入する。 トータルの流量は １００ｓｃｃｍとし、酸素とフルオ
ロカーボン系ガスの比は３：１０とした。また、ガス圧
は１．７５Ｔｏｒｒとした。高圧電源５の出力パワーは
６３０Ｗとした。この条件で、半導体基体にレジスエッ
チングバック処理を施したところ、半導体基体表面には
柱状突起物が全く発生せず、極めて平坦なエッチング表
面を形成することができた。また、電極２及び３の互い
に対向する表面に厚さ ５００μｍ のポリテトラフロ
ロエチレン皮膜を形成した場合にも、上述した陽極酸化
処理した場合と同様に柱状突起物が全く形成せず極めて
良好なエッチング表面を形成することができた。一方、
反応容器の内壁表面及び電極表面に不活性化処理を施さ
ない場合、前述したようにポリマ化したフルオロカーボ
ンの無数の柱状突起物が形成された。
では、図２に示すＲＩＥ 装置を用いた。ガス導入口１
ａから酸素を含むフルオロカーボン系ガスを導入する。 トータルの流量は １００ｓｃｃｍとし、酸素とフルオ
ロカーボン系ガスの比は３：１０とした。また、ガス圧
は１．７５Ｔｏｒｒとした。高圧電源５の出力パワーは
６３０Ｗとした。この条件で、半導体基体にレジスエッ
チングバック処理を施したところ、半導体基体表面には
柱状突起物が全く発生せず、極めて平坦なエッチング表
面を形成することができた。また、電極２及び３の互い
に対向する表面に厚さ ５００μｍ のポリテトラフロ
ロエチレン皮膜を形成した場合にも、上述した陽極酸化
処理した場合と同様に柱状突起物が全く形成せず極めて
良好なエッチング表面を形成することができた。一方、
反応容器の内壁表面及び電極表面に不活性化処理を施さ
ない場合、前述したようにポリマ化したフルオロカーボ
ンの無数の柱状突起物が形成された。
【００１２】次に、本発明によるプラズマ処理方法につ
いて説明する。フルオロカーボンを反応ガスとして反応
容器に供給してプラズマを生成すると、フルオロカーボ
ンはプラズマ重合してポリマー化する。このポリマー化
したフルオロカーボンは電極表面及び反応容器の内壁表
面にポリマ皮膜として被着する。一方、前述したように
、ポリマー化したフルオロカーボンが電極表面及び反応
容器表面に被着すると、フルオロカーボン皮膜がバリヤ
層となり電極や反応容器の壁部がプラズマによってスパ
ッタされるのが阻止される。尚、このフルオロカーボン
皮膜はプラズマに対してバリヤ層として作用するが、プ
ラズマが作用すると極めて遅い速度で気化する。しかし
、気化しても、プラズマ処理される試料に対して作用す
る反応材料（エッチング剤又は堆積材料）と同一材料で
あるから、プラズマ処理中に試料に対して何んら悪影響
を及ぼすことはない。このため、本発明では、試料に対
するプラズマ処理に先立って、試料に対して作用する反
応ガスとほぼ同一組成の反応ガスを反応容器に供給し、
この反応ガスをプラズム重合させてポリマ化し、反応容
器の内壁表面又は電極表面にポリマ皮膜を形成する。そ
して、このポリマ皮膜を形成した後同一の反応ガスを用
いて試料にプラズマ処理を行なう。このようにしてポリ
マ皮膜を形成すれば、このポリマ皮膜がプラズマに対し
てバリヤ層となり、電極表面や反応容器表面に予めバリ
ヤ皮膜を設ける必要がなくなる。
いて説明する。フルオロカーボンを反応ガスとして反応
容器に供給してプラズマを生成すると、フルオロカーボ
ンはプラズマ重合してポリマー化する。このポリマー化
したフルオロカーボンは電極表面及び反応容器の内壁表
面にポリマ皮膜として被着する。一方、前述したように
、ポリマー化したフルオロカーボンが電極表面及び反応
容器表面に被着すると、フルオロカーボン皮膜がバリヤ
層となり電極や反応容器の壁部がプラズマによってスパ
ッタされるのが阻止される。尚、このフルオロカーボン
皮膜はプラズマに対してバリヤ層として作用するが、プ
ラズマが作用すると極めて遅い速度で気化する。しかし
、気化しても、プラズマ処理される試料に対して作用す
る反応材料（エッチング剤又は堆積材料）と同一材料で
あるから、プラズマ処理中に試料に対して何んら悪影響
を及ぼすことはない。このため、本発明では、試料に対
するプラズマ処理に先立って、試料に対して作用する反
応ガスとほぼ同一組成の反応ガスを反応容器に供給し、
この反応ガスをプラズム重合させてポリマ化し、反応容
器の内壁表面又は電極表面にポリマ皮膜を形成する。そ
して、このポリマ皮膜を形成した後同一の反応ガスを用
いて試料にプラズマ処理を行なう。このようにしてポリ
マ皮膜を形成すれば、このポリマ皮膜がプラズマに対し
てバリヤ層となり、電極表面や反応容器表面に予めバリ
ヤ皮膜を設ける必要がなくなる。
【００１３】本発明は上述した実施例だけに限定されず
種々の変形が可能である。例えば、上述した実施例では
プラズマエッチングを例にして説明したが、例えばプラ
ズマＣＶＤ のような他の種々のプラズマ処理にも適用
することができる。
種々の変形が可能である。例えば、上述した実施例では
プラズマエッチングを例にして説明したが、例えばプラ
ズマＣＶＤ のような他の種々のプラズマ処理にも適用
することができる。
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、汚
染物質の発生源となる放電電極及び反応容器の内壁表面
にプラズマに対するバリヤ層を形成しているから、汚染
物質の発生を防止でき、良好なプラズマ処理を行なうこ
とができる。特に、局所的なプラズマ重合の発生を防止
できるので、極めて平坦なエッチング表面を形成するこ
とができる。
染物質の発生源となる放電電極及び反応容器の内壁表面
にプラズマに対するバリヤ層を形成しているから、汚染
物質の発生を防止でき、良好なプラズマ処理を行なうこ
とができる。特に、局所的なプラズマ重合の発生を防止
できるので、極めて平坦なエッチング表面を形成するこ
とができる。
【図１】図１は本発明によるプラズマ処理装置の一例の
構成を示す線図的断面図、
構成を示す線図的断面図、
【図２】図２は本発明によるプラズマエッチング装置の
構成を示す線図的断面図である。
構成を示す線図的断面図である。
１ 反応容器
２ ＲＦ電極
３ 対向電極
４ 試料
５ 高周波高圧電源
６， ７， ８ アルミニウム酸化膜。
Claims (2)
- 【請求項１】 反応容器と、反応容器内に配置した放
電電極とを具え、反応容器に反応ガスを供給してプラズ
マを生成し、生成したプラズマを処理すべき試料に照射
してプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置において、
前記反応容器の内壁表面と放電電極表面との少なくとも
一部にプラズマに対する不活性化処理を施したことを特
徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 反応容器、及びこの反応容器内に配置
した放電電極を具え、反応容器に反応ガスを供給してプ
ラズマを生成し、生成したプラズマを処理すべき試料に
照射してプラズマ処理を行なうに際し、試料にプラズマ
を照射する前に、反応ガスを反応容器に供給し、この反
応ガスをプラズマ重合させてポリマ化し、前記反応容器
の内壁表面と放電電極表面の少なくとも一部にポリマ皮
膜を形成し、その後前記反応ガスを用いて試料にプラズ
マ処理を行うことを特徴とするプラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1265291A JPH04239130A (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1265291A JPH04239130A (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04239130A true JPH04239130A (ja) | 1992-08-27 |
Family
ID=11811304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1265291A Pending JPH04239130A (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04239130A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07176524A (ja) * | 1993-11-05 | 1995-07-14 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置用素材及びその製造方法 |
| US5447595A (en) * | 1992-02-20 | 1995-09-05 | Matsushita Electronics Corporation | Electrodes for plasma etching apparatus and plasma etching apparatus using the same |
| JP2000091327A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-03-31 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置のクリーニング方法およびその装置 |
| KR20000021090A (ko) * | 1998-09-25 | 2000-04-15 | 구자홍 | 챔버 내벽의 중합물 적층방지수단을 구비하는 플라즈마를 이용한 표면처리장치 |
| US6663748B2 (en) | 2001-04-17 | 2003-12-16 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Method of forming a thin film |
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