JPH04239213A - 表面波装置 - Google Patents
表面波装置Info
- Publication number
- JPH04239213A JPH04239213A JP203991A JP203991A JPH04239213A JP H04239213 A JPH04239213 A JP H04239213A JP 203991 A JP203991 A JP 203991A JP 203991 A JP203991 A JP 203991A JP H04239213 A JPH04239213 A JP H04239213A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surface wave
- interdigital transducer
- waves
- wave device
- sound absorbing
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- Pending
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＢＧＳ波、ラブ波等の
ように変位が表面波伝播方向と垂直な方向の変位を主体
とするＳＨタイプの表面波を利用した表面波装置に関す
る。
ように変位が表面波伝播方向と垂直な方向の変位を主体
とするＳＨタイプの表面波を利用した表面波装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】圧電基板を伝播する表面波には、変位が
伝播方向と垂直な方向の変位を主体とするＳＨタイプの
表面波、例えばＢＧＳ波やラブ波等がある。ＢＧＳ波を
利用した従来の表面波共振子を図２に示す。図２におい
て、表面波共振子１は、圧電セラミックス等の圧電材料
からなる圧電基板２の上面に、くし歯電極３，４からな
るインターデジタルトランスデューサを形成した構造を
有する。くし歯電極３，４は、互いに間挿し合う複数の
電極指３ａ，４ａを有する。なお、矢印Ｐは分極軸を示
す。
伝播方向と垂直な方向の変位を主体とするＳＨタイプの
表面波、例えばＢＧＳ波やラブ波等がある。ＢＧＳ波を
利用した従来の表面波共振子を図２に示す。図２におい
て、表面波共振子１は、圧電セラミックス等の圧電材料
からなる圧電基板２の上面に、くし歯電極３，４からな
るインターデジタルトランスデューサを形成した構造を
有する。くし歯電極３，４は、互いに間挿し合う複数の
電極指３ａ，４ａを有する。なお、矢印Ｐは分極軸を示
す。
【０００３】表面波共振子１では、くし歯電極３，４か
ら交流電界を印加すれば、表面波伝播方向Ｘと垂直な方
向の変位のみ、すなわち横波成分しか有さないＢＧＳ波
が励振される。表面波共振子１では、ＢＧＳ波は圧電基
板２の自由端面２ａ，２ｂでほぼ完全に反射される。従
って、インターデジタルトランスデューサの側方に反射
器を構成する必要がないため、チップサイズを小型化す
ることができる。
ら交流電界を印加すれば、表面波伝播方向Ｘと垂直な方
向の変位のみ、すなわち横波成分しか有さないＢＧＳ波
が励振される。表面波共振子１では、ＢＧＳ波は圧電基
板２の自由端面２ａ，２ｂでほぼ完全に反射される。従
って、インターデジタルトランスデューサの側方に反射
器を構成する必要がないため、チップサイズを小型化す
ることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】表面波共振子１では、
自由端面２ａ，２ｂにおけるＢＧＳ波の反射を利用した
ものであるため、自由端面２ａ，２ｂの端面の精度を高
める必要があり、自由端面２ａ，２ｂの精度が低いと位
相ずれが生じる。特に、高周波域において使用する場合
には、端面２ａ，２ｂの精度はより一層高める必要があ
る。しかしながら、端面２ａ，２ｂの精度を高めるにも
制約があり、現実には、６０ＭＨｚ以上の高周波域で使
用し得る表面波共振子１を構成することはできなかった
。
自由端面２ａ，２ｂにおけるＢＧＳ波の反射を利用した
ものであるため、自由端面２ａ，２ｂの端面の精度を高
める必要があり、自由端面２ａ，２ｂの精度が低いと位
相ずれが生じる。特に、高周波域において使用する場合
には、端面２ａ，２ｂの精度はより一層高める必要があ
る。しかしながら、端面２ａ，２ｂの精度を高めるにも
制約があり、現実には、６０ＭＨｚ以上の高周波域で使
用し得る表面波共振子１を構成することはできなかった
。
【０００５】また、図２の表面波共振子１とは別に、圧
電基板の上面にインターデジタルトランスデューサを形
成し、その両側にリフレクタを設けた形式のレーリータ
イプやＳＨタイプの表面波を利用した表面波装置も知ら
れている。このようなリフレクタを有する表面波装置で
は、高周波化は可能であるが、６０ＭＨｚ以上の高周波
帯域で使用する表面波装置を得ようとした場合、リフレ
クタの本数をかなり増やさなければならない。従って、
６０ＭＨｚ〜３００ＭＨｚ帯の高周波域で使用しようと
した場合、チップサイズが非常に大きくなるという問題
があった。
電基板の上面にインターデジタルトランスデューサを形
成し、その両側にリフレクタを設けた形式のレーリータ
イプやＳＨタイプの表面波を利用した表面波装置も知ら
れている。このようなリフレクタを有する表面波装置で
は、高周波化は可能であるが、６０ＭＨｚ以上の高周波
帯域で使用する表面波装置を得ようとした場合、リフレ
クタの本数をかなり増やさなければならない。従って、
６０ＭＨｚ〜３００ＭＨｚ帯の高周波域で使用しようと
した場合、チップサイズが非常に大きくなるという問題
があった。
【０００６】本発明の目的は、小型でありながら高周波
帯域で使用可能なＳＨタイプの表面波を利用した表面波
装置を提供することにある。
帯域で使用可能なＳＨタイプの表面波を利用した表面波
装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、圧電基板を伝
播する表面波装置のうち、変位が表面波伝播方向と垂直
な方向の変位を主体とするＳＨタイプの表面波を利用し
た表面波装置であって、圧電基板と、圧電基板上に形成
されたインターデジタルトランスデューサと、インター
デジタルトランスデューサの両側に設けられたリフレク
タと、リフレクタを少なくとも覆うように設けられた吸
音材とを備えることを特徴とする。
播する表面波装置のうち、変位が表面波伝播方向と垂直
な方向の変位を主体とするＳＨタイプの表面波を利用し
た表面波装置であって、圧電基板と、圧電基板上に形成
されたインターデジタルトランスデューサと、インター
デジタルトランスデューサの両側に設けられたリフレク
タと、リフレクタを少なくとも覆うように設けられた吸
音材とを備えることを特徴とする。
【０００８】
【作用】ＳＨタイプの表面波を利用した表面波装置にお
いては、インターデジタルトランスデューサから伝播し
た表面波が端面で完全反射される。従って、端面の位置
精度が十分でない場合には、逆にスプリアスを発生させ
ることになる。よって、高周波化を目指す場合には、端
面の精度を高めねばならないが、端面の精度を高めるの
にも限度がある。そこで、高周波化を果たすには、逆に
端面における表面波の反射を抑える必要がある。しかし
ながら、レイリー波に比べて、ＳＨタイプの表面波は圧
電基板表面において吸音され難い。従って、単に圧電基
板の上面に吸音材を付与しただけでは端面における不要
反射を十分に抑えることができない。
いては、インターデジタルトランスデューサから伝播し
た表面波が端面で完全反射される。従って、端面の位置
精度が十分でない場合には、逆にスプリアスを発生させ
ることになる。よって、高周波化を目指す場合には、端
面の精度を高めねばならないが、端面の精度を高めるの
にも限度がある。そこで、高周波化を果たすには、逆に
端面における表面波の反射を抑える必要がある。しかし
ながら、レイリー波に比べて、ＳＨタイプの表面波は圧
電基板表面において吸音され難い。従って、単に圧電基
板の上面に吸音材を付与しただけでは端面における不要
反射を十分に抑えることができない。
【０００９】そこで、本発明では、リフレクタにおいて
先ず表面波を反射させ、次にこのリフレクタで反射され
ずに進行した表面波を、吸音材により吸音することによ
り、すなわちリフレクタ及び吸音材の双方を利用するこ
とにより、端面へ表面波が達しないようにして反射波の
影響を抑制している。
先ず表面波を反射させ、次にこのリフレクタで反射され
ずに進行した表面波を、吸音材により吸音することによ
り、すなわちリフレクタ及び吸音材の双方を利用するこ
とにより、端面へ表面波が達しないようにして反射波の
影響を抑制している。
【００１０】
【実施例】図１及び図３は、本発明の一実施例の表面波
装置を示す平面図及びＡ−Ａ線に沿う断面図である。こ
の表面波装置１１は、表面波共振子に適用されたもので
ある。表面波装置１１では、矩形の圧電基板１２の上面
中央部にインターデジタルトランスデューサ１３が構成
されている。インターデジタルトランスデューサ１３は
、互いに間挿し合う複数の電極指を有するくし歯電極１
４，１５により構成されている。
装置を示す平面図及びＡ−Ａ線に沿う断面図である。こ
の表面波装置１１は、表面波共振子に適用されたもので
ある。表面波装置１１では、矩形の圧電基板１２の上面
中央部にインターデジタルトランスデューサ１３が構成
されている。インターデジタルトランスデューサ１３は
、互いに間挿し合う複数の電極指を有するくし歯電極１
４，１５により構成されている。
【００１１】インターデジタルトランスデューサ１３の
表面波伝播方向（矢印Ｘで示す）両外側には、それぞれ
、格子状のリフレクタ１６，１７が形成されている。 リフレクタ１６，１７は、Ａｌ等の金属材料を図示のよ
うに格子状に付与することにより形成されている。リフ
レクタの電極指１６ａ〜１６ｅ，１７ａ〜１７ｅの本数
は、使用する周波数帯や基板等によって異なる。
表面波伝播方向（矢印Ｘで示す）両外側には、それぞれ
、格子状のリフレクタ１６，１７が形成されている。 リフレクタ１６，１７は、Ａｌ等の金属材料を図示のよ
うに格子状に付与することにより形成されている。リフ
レクタの電極指１６ａ〜１６ｅ，１７ａ〜１７ｅの本数
は、使用する周波数帯や基板等によって異なる。
【００１２】また、本実施例では、リフレクタ１６，１
７を覆うように、シリコンゴムやブチルゴム等の吸音性
材料からなる吸音材１８，１９が付与されている。本実
施例の表面波装置１１では、インターデジタルトランス
デューサ１３に交流電界を印加することによりＳＨタイ
プの表面波が励振される。そして、表面波は、インター
デジタルトランスデューサから矢印Ｘ方向に沿って伝播
する。この伝播された表面波は、リフレクタ１６，１７
及び吸音材１８，１９の作用により減少され、それによ
って、圧電基板１２の端面１２ａ，１２ｂに至る表面波
が減少される。さらに、端面１２ａ，１２ｂで反射され
た僅かな表面波は、吸音材１８，１９の吸音作用によっ
てさらに抑圧される。
７を覆うように、シリコンゴムやブチルゴム等の吸音性
材料からなる吸音材１８，１９が付与されている。本実
施例の表面波装置１１では、インターデジタルトランス
デューサ１３に交流電界を印加することによりＳＨタイ
プの表面波が励振される。そして、表面波は、インター
デジタルトランスデューサから矢印Ｘ方向に沿って伝播
する。この伝播された表面波は、リフレクタ１６，１７
及び吸音材１８，１９の作用により減少され、それによ
って、圧電基板１２の端面１２ａ，１２ｂに至る表面波
が減少される。さらに、端面１２ａ，１２ｂで反射され
た僅かな表面波は、吸音材１８，１９の吸音作用によっ
てさらに抑圧される。
【００１３】従って、リフレクタ１６，１７及び吸音材
１８，１９の相乗作用により、端面１２ａ，１２ｂに至
る表面波が抑制され、さらにごくわずか端面で反射した
表面波のインターデジタルトランスデューサ１３への再
度の伝播も効果的に防止され得る。よって、吸音材１８
，１９がリフレクタ１６，１７上に設けられており、該
吸音材１８，１９の吸音作用により反射波がインターデ
ジタルトランスデューサ１３側に伝播することが抑制さ
れるため、リフレクタ１６，１７の反射電極１６ａ〜１
６ｅ，１７ａ〜１７ｅの本数を少なくすることができる
。従って、比較的小型の圧電基板１２を用いて、高周波
域で利用し得る表面波装置１１を構成することが可能と
なる。
１８，１９の相乗作用により、端面１２ａ，１２ｂに至
る表面波が抑制され、さらにごくわずか端面で反射した
表面波のインターデジタルトランスデューサ１３への再
度の伝播も効果的に防止され得る。よって、吸音材１８
，１９がリフレクタ１６，１７上に設けられており、該
吸音材１８，１９の吸音作用により反射波がインターデ
ジタルトランスデューサ１３側に伝播することが抑制さ
れるため、リフレクタ１６，１７の反射電極１６ａ〜１
６ｅ，１７ａ〜１７ｅの本数を少なくすることができる
。従って、比較的小型の圧電基板１２を用いて、高周波
域で利用し得る表面波装置１１を構成することが可能と
なる。
【００１４】図４は、本発明の他の実施例を説明するた
めの断面図であり、図３に相当する図である。表面波装
置２１では、圧電基板１２の上面に形成されたインター
デジタルトランスデューサ１３をも覆うように吸音材２
２が形成されている。すなわち、本実施例では、リフレ
クタ１６，１７だけでなく、インターデジタルトランス
デューサ１３の上面をも覆うように、圧電基板２２の上
面の全面に吸音材２２が形成されている。
めの断面図であり、図３に相当する図である。表面波装
置２１では、圧電基板１２の上面に形成されたインター
デジタルトランスデューサ１３をも覆うように吸音材２
２が形成されている。すなわち、本実施例では、リフレ
クタ１６，１７だけでなく、インターデジタルトランス
デューサ１３の上面をも覆うように、圧電基板２２の上
面の全面に吸音材２２が形成されている。
【００１５】この場合、インターデジタルトランスデュ
ーサ１３の上面に吸音材２２が設けられているため、イ
ンターデジタルトランスデューサ１３が形成されている
部分においても、吸音材２２による質量が加わる。しか
しながら、本願発明者の実験によれば、インターデジタ
ルトランスデューサ１３上に吸音材２２を設けたとして
も、ＳＨタイプの表面波の励振効率は低下せず、逆に、
図１の矢印Ｂ，Ｃで示す伝播路上では、吸音材２２の質
量作用により伝播するＳＨタイプの表面波がある程度減
衰されることが確かめられている。従って、本実施例で
は、インターデジタルトランスデューサ１３の設けられ
ている部分における表面波の励振効率は低下せず、かつ
リフレクタ１６，１７側に伝播する表面波がある程度減
衰されるため、図１及び図３に示した表面波装置１１の
場合と同様に、反射波によるスプリアスが効果的に抑制
された周波数特性を実現することができる。
ーサ１３の上面に吸音材２２が設けられているため、イ
ンターデジタルトランスデューサ１３が形成されている
部分においても、吸音材２２による質量が加わる。しか
しながら、本願発明者の実験によれば、インターデジタ
ルトランスデューサ１３上に吸音材２２を設けたとして
も、ＳＨタイプの表面波の励振効率は低下せず、逆に、
図１の矢印Ｂ，Ｃで示す伝播路上では、吸音材２２の質
量作用により伝播するＳＨタイプの表面波がある程度減
衰されることが確かめられている。従って、本実施例で
は、インターデジタルトランスデューサ１３の設けられ
ている部分における表面波の励振効率は低下せず、かつ
リフレクタ１６，１７側に伝播する表面波がある程度減
衰されるため、図１及び図３に示した表面波装置１１の
場合と同様に、反射波によるスプリアスが効果的に抑制
された周波数特性を実現することができる。
【００１６】上記実施例では、表面波共振子に適用した
構造を説明したが、本発明は、表面波共振子以外の他の
表面波装置、例えば表面波遅延線等にも適用することが
できる。
構造を説明したが、本発明は、表面波共振子以外の他の
表面波装置、例えば表面波遅延線等にも適用することが
できる。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、ＳＨタイプの表面波を
利用した表面波装置において、インターデジタルトラン
スデューサの側方にリフレクタが設けられており、かつ
リフレクタを少なくとも覆うように吸音材が形成されて
いるため、リフレクタが設けられた部分において先ず表
面波をリフレクタで反射させ、さらに吸音材で表面波を
減衰させることができ、端面に達する表面波を出来るだ
け少なくでき、さらにもし圧電基板の端面に達する表面
波があっても、そこで反射された表面波が吸音材により
吸音される。すなわち、リフレクタと吸音材の相乗作用
により、圧電基板の端面からの反射波がインターデジタ
ルトランスデューサに伝播することを効果的に防止する
ことができる。よって、高周波帯域で使用する表面波装
置を構成した場合においても、リフレクタの反射電極の
数をさほど増加させることなく、上記反射波のインター
デジタルトランスデューサへの伝播を抑制することがで
きるため、小型でありながら高周波領域で使用し得る表
面波装置を提供することが可能となる。
利用した表面波装置において、インターデジタルトラン
スデューサの側方にリフレクタが設けられており、かつ
リフレクタを少なくとも覆うように吸音材が形成されて
いるため、リフレクタが設けられた部分において先ず表
面波をリフレクタで反射させ、さらに吸音材で表面波を
減衰させることができ、端面に達する表面波を出来るだ
け少なくでき、さらにもし圧電基板の端面に達する表面
波があっても、そこで反射された表面波が吸音材により
吸音される。すなわち、リフレクタと吸音材の相乗作用
により、圧電基板の端面からの反射波がインターデジタ
ルトランスデューサに伝播することを効果的に防止する
ことができる。よって、高周波帯域で使用する表面波装
置を構成した場合においても、リフレクタの反射電極の
数をさほど増加させることなく、上記反射波のインター
デジタルトランスデューサへの伝播を抑制することがで
きるため、小型でありながら高周波領域で使用し得る表
面波装置を提供することが可能となる。
【図１】本発明の一実施例の表面波装置の平面図である
。
。
【図２】従来の表面波装置を説明するための斜視図であ
る。
る。
【図３】図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図４】本発明の他の実施例の表面波装置の断面図であ
る。
る。
１１，２１ … 表面波装置
１２ … 圧電基板
１３ … インターデジタルトランス
デューサ１６，１７ … リフレクタ １８，１９，２２ … 吸音材
デューサ１６，１７ … リフレクタ １８，１９，２２ … 吸音材
Claims (1)
- 【請求項１】 圧電基板を伝播する表面波のうち、変
位が表面波伝播方向と垂直方向の変位を主体とするＳＨ
タイプの表面波装置であって、圧電基板と、圧電基板上
に形成されたインターデジタルトランスデューサと、前
記インターデジタルトランスデューサの両側に配置され
たリフレクタと、前記リフレクタを少なくとも覆うよう
に設けられた吸音材とを備えることを特徴とする、表面
波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP203991A JPH04239213A (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | 表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP203991A JPH04239213A (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | 表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04239213A true JPH04239213A (ja) | 1992-08-27 |
Family
ID=11518184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP203991A Pending JPH04239213A (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | 表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04239213A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018007117A (ja) * | 2016-07-05 | 2018-01-11 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
-
1991
- 1991-01-11 JP JP203991A patent/JPH04239213A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018007117A (ja) * | 2016-07-05 | 2018-01-11 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
| US10826461B2 (en) | 2016-07-05 | 2020-11-03 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device |
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