JPH04240826A - 透過型液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は透過型液晶表示装置に関
し、特に薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリッ
クス透過型液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図３はこの種従来の透過型液晶表示装置
の断面図である。同図に示されるように、液晶パネル１
は、ＴＦＴ基板２、対向電極基板３ｃおよびこれら両基
板間に挟まれた液晶層４とから構成される。ここで、Ｔ
ＦＴ基板２はガラス基板５と、その表面にマトリックス
状に形成された、透明導電膜からなる表示電極６と、各
表示電極にそれぞれ接続され、表示電極への電圧の印加
の有無を制御する薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと記
す）７とから構成され、また対向電極基板３ｃはガラス
基板８とその表面に全面的に形成された、透明導電膜か
らなる対向電極１１とから構成される。なお、図４には
図示されていないが、液晶パネル１の上下面にはそれぞ
れ偏光板が配置されている。

【０００３】従来の液晶表示装置においては、ＴＦＴ基
板２の裏側にバックライト１２を配置し、これにより照
明光ａを液晶パネル１に入射している。内側偏光板を介
して液晶パネル１に入射した光は、表示電極６と対向電
極１１との間の液晶層４を透過するが、ここで表示電極
６への電圧の有無により偏光面の回転が制御される。そ
の結果、液晶パネル１を透過した光は外側偏光板をその
まま透過したりあるいはここで遮断されたりする。

【０００４】図４はＴＦＴ基板２のＴＦＴ部分の拡大図
である。同図において、７ａはＣｒ等で形成されたゲー
ト電極、７ｂはゲート絶縁膜、７ｃはアモルファスシリ
コン等からなる半導体層、７ｄは一端が表示電極６に接
続されたソース電極、７ｅはドレイン配線と一体的に形
成されるドレイン電極である。ここで、ゲート電極７ａ
は、半導体層７に照明光ａを入射せしめないようにする
遮光膜の役割を果たしている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の液晶表
示装置では、照明光の遮光をゲート電極であるＣｒ膜で
行っていたので、十分な遮光性を得るにはこの膜を厚く
しなければならないが、Ｃｒ膜を厚くするとゲート配線
（走査配線）と直交して形成されるドレイン配線（信号
配線）が断線し易くなるため、この膜を遮光のために必
要とする膜厚にすることができなかった。さらに、従来
例では半導体層にはゲート電極によって遮光されない部
分がある。そのため、従来例では半導体層に対する遮光
性が十分ではなく、光励起リーク電流が発生してＴＦＴ
の特性が設計値からずれてしまい、その結果、表示電極
への印加電圧が予定値からずれ光の漏れが生じた。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の透過型液晶表示
装置は、表示電極とＴＦＴとが形成されているＴＦＴ基
板と、遮光膜と対向電極とが形成されている対向電極基
板（または、遮光膜、カラーフィルタおよび対向電極が
形成されているカラーフィルタ基板）とを液晶層を介し
て対向させたものであって、照明光は対向電極基板（ま
たはカラーフィルタ基板）側から入射される。そして、
この照明光に対してＴＦＴ基板上のＴＦＴは対向電極基
板（または、カラーフィルタ基板）上の遮光膜によって
遮蔽される。

【０００７】

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の一実施例を示す断面図であ
る。本実施例の液晶パネル１は、ＴＦＴ基板２、対向電
極基板３ａおよびこれら２枚の基板間に設けられた液晶
層４により構成されるが、ＴＦＴ基板については図３に
示した従来例のそれと同様であるので、その説明は省略
する。また、図１でも省略されているが液晶パネル１の
上下面にはそれぞれ偏光板が配置されている。

【０００８】本実施例における対向電極基板３ａは、ガ
ラス基板８と、その表面に選択的に設けられた遮光膜９
と、全面的に形成された対向電極１１とにより構成され
ている。対向電極基板３ａ上の遮光膜９はＴＦＴ７を完
全に覆うように形成されており、また、対向電極基板３
ａはバックライト１２側に配置されている。

【０００９】本実施例においては、ＴＦＴ７は照明光ａ
より遮光膜９により遮蔽されているので、ＴＦＴにおけ
る光励起によるリーク電流の発生は抑制される。

【００１０】図２は本発明の他の実施例を示す断面図で
ある。本実施例においては、先の実施例における対向電
極基板３ａに代えてカラーフィルタ基板３ｂが用いられ
ているが、それ以外に点では先の実施例と同様である。

【００１１】本実施例におけるカラーフィルタ基板３ｂ
は、ガラス基板８と、その表面にマトリックス状に形成
されたカラーフィルタ１０と、カラーフィルタ１０を囲
むように格子状に形成された遮光膜９と、遮光膜９およ
びカラーフィルタ１０上に全面的に形成された対向電極
１１とにより構成されている。そして、本実施例におい
ても遮光膜９は、ＴＦＴ７を十分照明光ａから遮蔽でき
るように形成されている。

【００１２】本実施例においては、白色光である照明光
ａは図示されない内側偏光板により偏光された後カラー
フィルタ１０を通過することによりＲ、Ｇ、Ｂの単色光
となされる。その後、表示電極に印加される電圧により
偏光面が回転されあるいは回転されることなく液晶パネ
ルから出射し、外側偏光板によりその透過あるいは遮断
が制御される。

【００１３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶表示
装置では、対向電極の形成される側の基板にＴＦＴ基板
上のＴＦＴを完全に覆う形状の遮光膜を設けておき、照
明光を対向電極の形成されている基板側から入射させて
いるので、ＴＦＴの半導体層を照明光から完全に遮蔽す
ることができる。したがって、本発明によれば、半導体
層の光励起によるリーク電流を抑制することができ、Ｔ
ＦＴの特性を設計値どおりのものとすることができる。 したがって、本発明によれば、表示電極に所定の電圧が
印加されるようにすることができ、光の漏れを防止する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す断面図。

【図２】本発明の他の実施例を示す断面図。

【図３】従来例の断面図。

【図４】図３の部分詳細図。

【符号の説明】

１　　液晶パネル ２　　ＴＦＴ基板 ３ａ、３ｃ　　対向電極基板 ３ｂ　　カラーフィルタ基板 ４　　液晶層 ５、８　　ガラス基板 ６　　表示電極 ７　　薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） ９　　遮光膜 １０　　カラーフィルタ １１　　対向電極 １２　　バックライト ａ　　照明光

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　第１のガラス基板と、該第１のガラス
   基板の表面上に選択的に形成された遮光膜と、前記第１
   のガラス基板の表面上に全面的に形成された対向電極と
   、を有する対向電極基板と、第２のガラス基板と、該第
   ２のガラス基板の表面上にマトリックス状に形成された
   表示電極と、前記表示電極の１つとそれぞれ接続された
   複数の薄膜トランジスタと、を有し、前記表示電極が前
   記対向電極基板上の対向電極と対向し、かつ、前記薄膜
   トランジスタが前記対向電極基板上に形成された前記遮
   光膜と重なるように配置されたＴＦＴ基板と、前記対向
   電極基板と前記ＴＦＴ基板との間に設けられた液晶層と
   、前記対向電極基板の背後に配置された照明手段と、を
   具備する透過型液晶表示装置。
2. 【請求項２】　　第１のガラス基板と、該第１のガラス
   基板上にマトリックス状に形成されたカラーフィルタと
   、前記第１のガラス基板上に前記カラーフィルタを囲む
   ように格子状に形成された遮光膜と、前記第１のガラス
   基板上に全面的に形成された対向電極と、を有するカラ
   ーフィルタ基板と、第２のガラス基板と、該第２のガラ
   ス基板の表面上にマトリックス状に形成された表示電極
   と、前記表示電極の１つとそれぞれ接続された複数の薄
   膜トランジスタと、を有し、前記表示電極が前記カラー
   フィルタ基板上の対向電極と対向し、かつ、前記薄膜ト
   ランジスタが前記カラーフィルタ基板上の前記遮光膜と
   重なるように配置されたＴＦＴ基板と、前記カラーフィ
   ルタ基板と前記ＴＦＴ基板との間に設けられた液晶層と
   、前記カラーフィルタ基板の背後に配置された照明手段
   と、を具備する透過型液晶表示装置。