JPH04241477A - 半導体デバイス用サブマウントおよび半導体光デバイスモジュール - Google Patents
半導体デバイス用サブマウントおよび半導体光デバイスモジュールInfo
- Publication number
- JPH04241477A JPH04241477A JP3017179A JP1717991A JPH04241477A JP H04241477 A JPH04241477 A JP H04241477A JP 3017179 A JP3017179 A JP 3017179A JP 1717991 A JP1717991 A JP 1717991A JP H04241477 A JPH04241477 A JP H04241477A
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- JP
- Japan
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- optical device
- semiconductor optical
- chip
- submount
- lens
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体光デバイスに
関し、特に半導体光デバイス用サブマウントおよび半導
体光デバイスと光ファイバーとを結合した半導体光デバ
イスモジュールに関するものである。
関し、特に半導体光デバイス用サブマウントおよび半導
体光デバイスと光ファイバーとを結合した半導体光デバ
イスモジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の半導体発光素子とヒートシ
ンクとレンズの組立方法およびモジュールの半導体発光
素子とファイバーとの結合方法の一例を示し、１は半導
体発光素子チップ（面発光ＬＥＤチップ）、２は球レン
ズ、３はサブマウント、４は発光素子１の光出射部分、
５は光ファイバー、６はマウントあるいはパッケージ、
７は出射光である。
ンクとレンズの組立方法およびモジュールの半導体発光
素子とファイバーとの結合方法の一例を示し、１は半導
体発光素子チップ（面発光ＬＥＤチップ）、２は球レン
ズ、３はサブマウント、４は発光素子１の光出射部分、
５は光ファイバー、６はマウントあるいはパッケージ、
７は出射光である。
【０００３】次に組立方法および半導体発光素子とファ
イバーとの結合方法について説明する。従来の組立方法
では、半導体発光素子チップ１の光が出射する部分４の
上に、樹脂，ポリイミド等でレンズ２を形成した後に、
サブマウント３の上にハンダ付けしているか、またはチ
ップ１をサブマウント３の上にハンダ付けした後、光が
出射する部分４の上にレンズ２を形成したり、レンズ２
を取り付けたりしていた。また、従来のモジュールにお
いては、空間的に半導体発光素子チップ１とレンズ２と
光ファイバー５の光軸合せを行ってホルダーで固定して
いる。
イバーとの結合方法について説明する。従来の組立方法
では、半導体発光素子チップ１の光が出射する部分４の
上に、樹脂，ポリイミド等でレンズ２を形成した後に、
サブマウント３の上にハンダ付けしているか、またはチ
ップ１をサブマウント３の上にハンダ付けした後、光が
出射する部分４の上にレンズ２を形成したり、レンズ２
を取り付けたりしていた。また、従来のモジュールにお
いては、空間的に半導体発光素子チップ１とレンズ２と
光ファイバー５の光軸合せを行ってホルダーで固定して
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の組立方法によれ
ば、図４のようにレンズ２を後からチップ１の上に形成
するのは工程が増えるとともに、ウェハ上でマスクによ
りレンズを形成しないかぎり光軸合せが困難であった。 また、モジュールについても同様に光軸合せが困難で、
特にＬＤ，ＬＥＤ，ＰＤ等のアレイとファイバーアレイ
との結合に適用するには光軸合せが極めて困難である。
ば、図４のようにレンズ２を後からチップ１の上に形成
するのは工程が増えるとともに、ウェハ上でマスクによ
りレンズを形成しないかぎり光軸合せが困難であった。 また、モジュールについても同様に光軸合せが困難で、
特にＬＤ，ＬＥＤ，ＰＤ等のアレイとファイバーアレイ
との結合に適用するには光軸合せが極めて困難である。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、ヒートシンク，レンズ，配線等
を一体化させ、組立を容易にするとともに、ワイヤ長を
短くして、高速動作が可能なパッケージを得ることので
きる半導体デバイス用サブマウントを得ることを目的と
する。
ためになされたもので、ヒートシンク，レンズ，配線等
を一体化させ、組立を容易にするとともに、ワイヤ長を
短くして、高速動作が可能なパッケージを得ることので
きる半導体デバイス用サブマウントを得ることを目的と
する。
【０００６】さらに上記発明と同様、組立が容易で高速
動作が可能であるとともに、光軸合せが簡単な半導体光
デバイスモジュールあるいは半導体光デバイスアレイモ
ジュールを得ることを目的とする。
動作が可能であるとともに、光軸合せが簡単な半導体光
デバイスモジュールあるいは半導体光デバイスアレイモ
ジュールを得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体光デ
バイス用サブマウントは、光透過率が高い材料を用いた
絶縁体ヒートシンク材の光透過部分の片面にレンズを形
成し、レンズの周囲にはパッケージ（またはマウント，
ステム）に接着するためのメタライズ部を、レンズと反
対側の面には光透過部分以外に半導体光デバイスのチッ
プと同じ外形を持つチップ接着部を、該チップ接着部の
外側にはワイヤー接着部及び配線を設けたものである。
バイス用サブマウントは、光透過率が高い材料を用いた
絶縁体ヒートシンク材の光透過部分の片面にレンズを形
成し、レンズの周囲にはパッケージ（またはマウント，
ステム）に接着するためのメタライズ部を、レンズと反
対側の面には光透過部分以外に半導体光デバイスのチッ
プと同じ外形を持つチップ接着部を、該チップ接着部の
外側にはワイヤー接着部及び配線を設けたものである。
【０００８】また、本発明による半導体光デバイスモジ
ュールおよびアレイモジュールは、半導体光デバイスチ
ップの発光または受光面が上記サブマウントに形成され
たレンズと反対側の面と対向し、かつ光出射又は入射点
が上記レンズの中央にくるように、上記チップが上記サ
ブマウントのチップ接着部に接着された半導体光デバイ
ス用サブマウントと、上記サブマウントのレンズを形成
した面と接着する面に斜研磨ファイバーを挿入するため
の凹部を有するパッケージ（またはマウント，ステム）
とを用い、それらを接着し、上記チップから出射又は入
射する光が上記サブマウントに形成されたレンズを通し
て斜研磨ファイバーの斜研磨面に反射してファイバーに
入射されるように該斜研磨ファイバーを上記凹部に挿入
し、かつ該斜研磨ファイバーを回転しないよう樹脂等で
固定したものである。
ュールおよびアレイモジュールは、半導体光デバイスチ
ップの発光または受光面が上記サブマウントに形成され
たレンズと反対側の面と対向し、かつ光出射又は入射点
が上記レンズの中央にくるように、上記チップが上記サ
ブマウントのチップ接着部に接着された半導体光デバイ
ス用サブマウントと、上記サブマウントのレンズを形成
した面と接着する面に斜研磨ファイバーを挿入するため
の凹部を有するパッケージ（またはマウント，ステム）
とを用い、それらを接着し、上記チップから出射又は入
射する光が上記サブマウントに形成されたレンズを通し
て斜研磨ファイバーの斜研磨面に反射してファイバーに
入射されるように該斜研磨ファイバーを上記凹部に挿入
し、かつ該斜研磨ファイバーを回転しないよう樹脂等で
固定したものである。
【０００９】
【作用】この発明における半導体光デバイス用サブマウ
ントは光透過率が高い材料を用いた絶縁体ヒートシンク
材上に、レンズおよびワイヤー接着部及び配線を一体化
し、さらに半導体光デバイスのチップと同じ外形形状の
導電性接着部を設けたので、組立時に半導体光デバイス
のチップを接着部の形と一致させることで顕微鏡で見な
がら容易に接着できる。
ントは光透過率が高い材料を用いた絶縁体ヒートシンク
材上に、レンズおよびワイヤー接着部及び配線を一体化
し、さらに半導体光デバイスのチップと同じ外形形状の
導電性接着部を設けたので、組立時に半導体光デバイス
のチップを接着部の形と一致させることで顕微鏡で見な
がら容易に接着できる。
【００１０】また、この発明における半導体光デバイス
モジュールおよび半導体光デバイスアレイモジュールは
、上記半導体光デバイス用サブマウントにチップを接着
したものと、上記サブマウントと接着する面に斜研磨フ
ァイバーと同程度の大きさの凹部を形成したパッケージ
とを接着し、該凹部に、上記サブマウントに形成された
レンズの中央の真下に上記斜研磨ファイバーの斜研磨面
の中央がくるように該斜研磨ファイバーを挿入して構成
したので、半導体光デバイスのチップ，レンズ，ファイ
バーの結合を行うのに、光軸合せをすることなく、該モ
ジュールを簡単に実現することができる。
モジュールおよび半導体光デバイスアレイモジュールは
、上記半導体光デバイス用サブマウントにチップを接着
したものと、上記サブマウントと接着する面に斜研磨フ
ァイバーと同程度の大きさの凹部を形成したパッケージ
とを接着し、該凹部に、上記サブマウントに形成された
レンズの中央の真下に上記斜研磨ファイバーの斜研磨面
の中央がくるように該斜研磨ファイバーを挿入して構成
したので、半導体光デバイスのチップ，レンズ，ファイ
バーの結合を行うのに、光軸合せをすることなく、該モ
ジュールを簡単に実現することができる。
【００１１】
【実施例】図１は本発明の一実施例による半導体光デバ
イス用サブマウントを示す図であり、図において、１１
は透明なヒートシンク材、１２は光透過部分、１３はレ
ンズ、１４はチップ接着部、１５はワイヤー接着部、１
６は配線、１７は裏面メタライズ部、１８は上面（チッ
プを接着する面）、１９は裏面（レンズ１３のある面）
、２０はチップを示す。
イス用サブマウントを示す図であり、図において、１１
は透明なヒートシンク材、１２は光透過部分、１３はレ
ンズ、１４はチップ接着部、１５はワイヤー接着部、１
６は配線、１７は裏面メタライズ部、１８は上面（チッ
プを接着する面）、１９は裏面（レンズ１３のある面）
、２０はチップを示す。
【００１２】また、上記透明なヒートシンク材１１は例
えば単結晶サファイア，ダイヤモンド等からなり、その
一部分に光透過部分１２が設けられ、該光透過部分１２
の片側の上記ヒートシンク材の裏面１９にレンズ１３が
形成されている。また、該裏面１９に図示しないパッケ
ージ（マウント，ステム）に接着するための裏面メタラ
イズ部１７が上記光透過部分１２とその周辺とを除いて
一面に形成されている。さらに、上記ヒートシンク材１
１の上面に上記レンズ１３の中心線の延長が上記チップ
２０の発光点に一致するように、該チップ２０と同じ外
形形状で上記光透過部分１２と同じ形の開口部を有する
導電性のチップ接着部１４が形成されている。また、該
チップ接着部１４から少し隙間をあけたその横に、上記
チップ２０のもう一方の電極につけたワイヤーを接着す
る導電性のワイヤー接着部１５が形成されており、該ワ
イヤー接着部１５とチップ接着部１４からは各々、図示
しないパッケージ等のリード端子まで信号を伝送するた
めの導電性の配線１６が形成されている。
えば単結晶サファイア，ダイヤモンド等からなり、その
一部分に光透過部分１２が設けられ、該光透過部分１２
の片側の上記ヒートシンク材の裏面１９にレンズ１３が
形成されている。また、該裏面１９に図示しないパッケ
ージ（マウント，ステム）に接着するための裏面メタラ
イズ部１７が上記光透過部分１２とその周辺とを除いて
一面に形成されている。さらに、上記ヒートシンク材１
１の上面に上記レンズ１３の中心線の延長が上記チップ
２０の発光点に一致するように、該チップ２０と同じ外
形形状で上記光透過部分１２と同じ形の開口部を有する
導電性のチップ接着部１４が形成されている。また、該
チップ接着部１４から少し隙間をあけたその横に、上記
チップ２０のもう一方の電極につけたワイヤーを接着す
る導電性のワイヤー接着部１５が形成されており、該ワ
イヤー接着部１５とチップ接着部１４からは各々、図示
しないパッケージ等のリード端子まで信号を伝送するた
めの導電性の配線１６が形成されている。
【００１３】次に組立方法について説明する。上記半導
体光デバイス用サブマウント２１と半導体光デバイスチ
ップ２０とを用い、該チップ２０の向きを、その発光ま
たは受光面が上記サブマウント２１のチップ接着部１４
に対向するように合せ、上記チップ２０を、その外形が
上記チップ接着部１４の外形と一致するように上記サブ
マウントに接触させる。そして、これらをはんだ付けす
ることにより固定する。さらに、上記チップ２０の上面
の電極にワイヤーの片端を接着し、該ワイヤーの他端を
上記ワイヤー接着部１５に接着する。
体光デバイス用サブマウント２１と半導体光デバイスチ
ップ２０とを用い、該チップ２０の向きを、その発光ま
たは受光面が上記サブマウント２１のチップ接着部１４
に対向するように合せ、上記チップ２０を、その外形が
上記チップ接着部１４の外形と一致するように上記サブ
マウントに接触させる。そして、これらをはんだ付けす
ることにより固定する。さらに、上記チップ２０の上面
の電極にワイヤーの片端を接着し、該ワイヤーの他端を
上記ワイヤー接着部１５に接着する。
【００１４】このように本実施例では、光軸合せをせず
簡単な組立を行うだけで高精度のサブマウントが完成し
、ワイヤー長も短くできるので高速動作を可能とできる
効果がある。
簡単な組立を行うだけで高精度のサブマウントが完成し
、ワイヤー長も短くできるので高速動作を可能とできる
効果がある。
【００１５】図２は本発明の第２の実施例による面発光
ＬＤアレイモジュールを示す図であり、図において、２
１は上記半導体デバイス用サブマウント、２２は面発光
ＬＤアレイチップ、２３はチップの電極、２４はワイヤ
ー、２５は斜研磨ファイバーアレイ、２６はパッケージ
（あるいはマウント，ファイバーアレイホルダー）、２
７は上記パッケージ２６の上記半導体デバイス用サブマ
ウント２１を接着する面、２８はファイバーを挿入する
凹部、２９は樹脂等である。
ＬＤアレイモジュールを示す図であり、図において、２
１は上記半導体デバイス用サブマウント、２２は面発光
ＬＤアレイチップ、２３はチップの電極、２４はワイヤ
ー、２５は斜研磨ファイバーアレイ、２６はパッケージ
（あるいはマウント，ファイバーアレイホルダー）、２
７は上記パッケージ２６の上記半導体デバイス用サブマ
ウント２１を接着する面、２８はファイバーを挿入する
凹部、２９は樹脂等である。
【００１６】次に組立方法について説明する。図２（ａ
） ，（ｂ） に示すように、面発光ＬＤアレイモジュ
ールは、上記面発光ＬＤアレイチップ２２を接着して、
ワイヤーボンディングした上記半導体デバイス用サブマ
ウント２１を使用する。まず、上記パッケージ２６の上
記半導体デバイス用サブマウント２１と接着する面２７
に、この面と平行に上記斜研磨ファイバーを挿入するた
めの凹部２８を形成する。該斜研磨ファイバーを挿入す
る凹部２８は、上記斜研磨ファイバーアレイ２５と同じ
高さ幅をもち、かつ上記半導体デバイス用サブマウント
２１上に形成されたレンズ１３の中心線の延長上に上記
斜研磨ファイバーアレイ２５の斜研磨面の中心が一致す
る深さをもつように形成する。そして、上記面発光ＬＤ
アレイチップ２２を接着した上記半導体デバイス用サブ
マウント２１と上記パッケージ２６をボンディングし、
これらの間に形成した上記凹部２８に上記斜研磨ファイ
バーアレイ２５を挿入し、上記斜研磨ファイバーを回転
しないよう樹脂等２９で固定する。
） ，（ｂ） に示すように、面発光ＬＤアレイモジュ
ールは、上記面発光ＬＤアレイチップ２２を接着して、
ワイヤーボンディングした上記半導体デバイス用サブマ
ウント２１を使用する。まず、上記パッケージ２６の上
記半導体デバイス用サブマウント２１と接着する面２７
に、この面と平行に上記斜研磨ファイバーを挿入するた
めの凹部２８を形成する。該斜研磨ファイバーを挿入す
る凹部２８は、上記斜研磨ファイバーアレイ２５と同じ
高さ幅をもち、かつ上記半導体デバイス用サブマウント
２１上に形成されたレンズ１３の中心線の延長上に上記
斜研磨ファイバーアレイ２５の斜研磨面の中心が一致す
る深さをもつように形成する。そして、上記面発光ＬＤ
アレイチップ２２を接着した上記半導体デバイス用サブ
マウント２１と上記パッケージ２６をボンディングし、
これらの間に形成した上記凹部２８に上記斜研磨ファイ
バーアレイ２５を挿入し、上記斜研磨ファイバーを回転
しないよう樹脂等２９で固定する。
【００１７】このような本発明の第２の実施例では、予
め位置合せして形成した凹部２８にファイバーを挿入す
るだけで、光軸合せをすることなく、ＬＤアレイモジュ
ール、即ち半導体光デバイスアレイモジュールを実現で
きる効果がある。
め位置合せして形成した凹部２８にファイバーを挿入す
るだけで、光軸合せをすることなく、ＬＤアレイモジュ
ール、即ち半導体光デバイスアレイモジュールを実現で
きる効果がある。
【００１８】なお、上記実施例では、レンズ付きの半導
体光デバイス用サブマウントを示したが、図３に示すよ
うにレンズの代わりにその中央を中心とした同心円筒状
の中央部分が高屈折率部分３１であり、その外側が低屈
折率部分３２である屈折率分布をもつように形成した光
ガイド領域をもつもの、あるいはレンズと光ガイド領域
両方を兼ね備えたものであってもよい。
体光デバイス用サブマウントを示したが、図３に示すよ
うにレンズの代わりにその中央を中心とした同心円筒状
の中央部分が高屈折率部分３１であり、その外側が低屈
折率部分３２である屈折率分布をもつように形成した光
ガイド領域をもつもの、あるいはレンズと光ガイド領域
両方を兼ね備えたものであってもよい。
【００１９】また、上記実施例では、面発光ＬＤアレイ
モジュールについて説明したが、面発光ＬＤ（単体）モ
ジュールであってもよく、また各々ＬＥＤ，ＰＤの単体
およびアレイのモジュールであってもよく、上記実施例
と同様の効果を奏する。
モジュールについて説明したが、面発光ＬＤ（単体）モ
ジュールであってもよく、また各々ＬＥＤ，ＰＤの単体
およびアレイのモジュールであってもよく、上記実施例
と同様の効果を奏する。
【００２０】さらにパッケージに形成する凹部は、直方
体の凹部について説明したが、ファイバー（アレイ）の
形状と同じ形でそれよりわずかに大きい凹部であっても
よい。
体の凹部について説明したが、ファイバー（アレイ）の
形状と同じ形でそれよりわずかに大きい凹部であっても
よい。
【００２１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、半導体光
デバイス用サブマウントに、光透過性の高いヒートシン
ク材を使用し、レンズ，チップ接着部，ワイヤー接着部
，配線等を一体としたので、半導体光デバイスのチップ
の接着を容易にかつ高精度に行え、またワイヤー長も短
くでき、高速動作を可能とできる効果がある。
デバイス用サブマウントに、光透過性の高いヒートシン
ク材を使用し、レンズ，チップ接着部，ワイヤー接着部
，配線等を一体としたので、半導体光デバイスのチップ
の接着を容易にかつ高精度に行え、またワイヤー長も短
くでき、高速動作を可能とできる効果がある。
【００２２】さらに本発明の半導体光デバイスモジュー
ルによれば、上記半導体光デバイス用サブマウントを使
用し、予め位置合せできるように設計した凹部を形成し
て、ファイバーを挿入するだけの構造としたので、組立
を容易に精度良くするとともに、ワイヤー長を短くして
高速動作の可能なパッケージを得ることができ、半導体
光デバイスチップと半導体光デバイス用サブマウント、
さらにはパッケージ及びフアイバーとの結合を、光軸合
せが不要な簡単な方法で行うことができ、半導体光素子
アレイモジュールを量産性良く得ることができる効果が
ある。
ルによれば、上記半導体光デバイス用サブマウントを使
用し、予め位置合せできるように設計した凹部を形成し
て、ファイバーを挿入するだけの構造としたので、組立
を容易に精度良くするとともに、ワイヤー長を短くして
高速動作の可能なパッケージを得ることができ、半導体
光デバイスチップと半導体光デバイス用サブマウント、
さらにはパッケージ及びフアイバーとの結合を、光軸合
せが不要な簡単な方法で行うことができ、半導体光素子
アレイモジュールを量産性良く得ることができる効果が
ある。
【図１】本発明の一実施例による半導体光デバイス用サ
ブマウントを示す上面図と裏面図と断面図である。
ブマウントを示す上面図と裏面図と断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例による面発光ＬＤアレイ
モジュールの実装方法を示す斜視図と断面図である。
モジュールの実装方法を示す斜視図と断面図である。
【図３】本発明の他の実施例を示す半導体光デバイス用
サブマウントの断面図と光透過部分の屈折率分布を示す
図である。
サブマウントの断面図と光透過部分の屈折率分布を示す
図である。
【図４】従来の面発光ＬＥＤの実装方法を示す斜視図で
ある。
ある。
１ 面発光ＬＥＤチップ
２ 球レンズ
３ サブマウント
４ 光出射部分
５ 光ファイバー
６ マウント
７ 出射光
１１ 透明なヒートシンク材
１２ 光透過部分
１３ レンズ
１４ チップ接着部
１５ ワイヤー接着部
１６ 配線
１７ 裏面メタライズ部
１８ 上面
１９ 裏面
２０ チップ
２１ 本発明によるサブマウント
２２ 面発光ＬＤアレイチップ
２３ チップの電極
２４ ワイヤー
２５ 斜研磨ファイバーアレイ
２６ パッケージ（或いはマウント）２７ サブマ
ウントを接着する面 ２８ ファイバーを挿入する凹部 ２９ 樹脂等
ウントを接着する面 ２８ ファイバーを挿入する凹部 ２９ 樹脂等
Claims (4)
- 【請求項１】 光の透過率が高い、絶縁体ヒートシン
ク材からなる半導体光デバイス用サブマウントであって
、光が透過する部分を有し、該光透過部分の片面にレン
ズを形成し、該レンズのある面の該レンズの周囲に、本
サブマウントを搭載すべきパッケージに接着するための
メタライズ部を設け、該レンズと反対側の面には上記光
透過部分以外に半導体光デバイスのチップと同じ外形形
状のチップ接着部を設け、該チップ接着部の外側には配
線およびワイヤー接着部を設けてなることを特徴とする
半導体光デバイス用サブマウント。 - 【請求項２】 上記光透過部分の屈折率はレンズの中
央部を中心とした同心円筒状に中央部よりも外側の方が
低い屈折率分布を持つことを特徴とした請求項１記載の
半導体デバイス用サブマウント。 - 【請求項３】 半導体光デバイスのチップを接着した
上記請求項１記載の半導体光デバイス用サブマウントと
、先端を斜研磨したファイバーを挿入したパッケージと
からなる半導体光デバイスモジュールであって、上記チ
ップは、その光出射又は入射点が上記半導体光デバイス
用サブマウントに形成されたレンズの中央にくるよう、
かつその発光または受光面が上記半導体光デバイス用サ
ブマウントのチップ接着部に対向するよう接着され、上
記半導体光デバイス用サブマウントのレンズのある面は
上記パッケージの上記斜研磨ファイバーを挿入する凹部
を有する面と対向して接着され、上記斜研磨ファイバー
は上記半導体光デバイス用サブマウントのレンズを通し
て出射又は入射する光が、該斜研磨ファイバーの斜研磨
面に反射して該ファイバーに入射されるように上記凹部
に挿入され、かつ回転しないよう固定保持されているこ
とを特徴とする半導体光デバイスモジュール。 - 【請求項４】 上記チップ、上記サブマウントの光透
過部分、上記配線、及び上記光ファイバーからなるもの
がアレイ状に配置されていることを特徴とする請求項３
記載の半導体光デバイスモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1717991A JP2721047B2 (ja) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | 半導体デバイス用サブマウントおよび半導体光デバイスモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1717991A JP2721047B2 (ja) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | 半導体デバイス用サブマウントおよび半導体光デバイスモジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04241477A true JPH04241477A (ja) | 1992-08-28 |
| JP2721047B2 JP2721047B2 (ja) | 1998-03-04 |
Family
ID=11936724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1717991A Expired - Lifetime JP2721047B2 (ja) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | 半導体デバイス用サブマウントおよび半導体光デバイスモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2721047B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003177287A (ja) * | 2001-12-12 | 2003-06-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光受信モジュール |
| JP2004086157A (ja) * | 2002-07-01 | 2004-03-18 | Seiko Epson Corp | 光トランシーバ及びその製造方法 |
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