JPH04242010A - 異方性導電剤による接続構造 - Google Patents
異方性導電剤による接続構造Info
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- JPH04242010A JPH04242010A JP3014787A JP1478791A JPH04242010A JP H04242010 A JPH04242010 A JP H04242010A JP 3014787 A JP3014787 A JP 3014787A JP 1478791 A JP1478791 A JP 1478791A JP H04242010 A JPH04242010 A JP H04242010A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、対向する接続回路を導
通接着するための接続用異方性導電剤に関する。
通接着するための接続用異方性導電剤に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路の配線基板への接続、液晶ディ
スプレイ等の表示装置と配線基板との接続、電気回路と
リードとの接続などのように接続端子が対向して細かい
ピッチで並んでいる場合の接続方法として異方性導電剤
を用いた接続方法が提案されている。之は特に、高密度
、高精細化の進む微細回路の接続に適用して好適である
。この接続方法は導電性粒子を分散させた粘着性の樹脂
フィルム（所謂異方性導電剤）を、対向する接続回路間
に配し、加圧または加熱加圧によって接続回路間の導通
と同時に隣り合う回路間の絶縁性を付与して対向する接
続回路間を接着固定するものである。
スプレイ等の表示装置と配線基板との接続、電気回路と
リードとの接続などのように接続端子が対向して細かい
ピッチで並んでいる場合の接続方法として異方性導電剤
を用いた接続方法が提案されている。之は特に、高密度
、高精細化の進む微細回路の接続に適用して好適である
。この接続方法は導電性粒子を分散させた粘着性の樹脂
フィルム（所謂異方性導電剤）を、対向する接続回路間
に配し、加圧または加熱加圧によって接続回路間の導通
と同時に隣り合う回路間の絶縁性を付与して対向する接
続回路間を接着固定するものである。
【０００３】従来、この様な異方性導電剤としては、（
Ｉ）例えば架橋ポリスチレン粒子の表面に金属メッキ例
えばＮｉ及びＡｕメッキを施した導電性粒子を、スチレ
ンブタジェンラバー系バインダー中に分散して成る異方
性導電剤、（ＩＩ）圧着の際、導電性粒子の金属メッキ
層が割れて中のポリスチレン粒子とスチレンブタジェン
ラバー系バインダーが接続し安定した導通を得るように
した異方性導電剤（特公平２−８２９号参照）、（ＩＩ
Ｉ）半田粒子をエポキシ系熱硬化性バインダー中に分散
して成る異方性導電剤、等が知られている。
Ｉ）例えば架橋ポリスチレン粒子の表面に金属メッキ例
えばＮｉ及びＡｕメッキを施した導電性粒子を、スチレ
ンブタジェンラバー系バインダー中に分散して成る異方
性導電剤、（ＩＩ）圧着の際、導電性粒子の金属メッキ
層が割れて中のポリスチレン粒子とスチレンブタジェン
ラバー系バインダーが接続し安定した導通を得るように
した異方性導電剤（特公平２−８２９号参照）、（ＩＩ
Ｉ）半田粒子をエポキシ系熱硬化性バインダー中に分散
して成る異方性導電剤、等が知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
（Ｉ）の異方性導電剤は、スチレンブタジェン系バイン
ダーの熱膨張係数が １．４×１０−４、導電性粒子の
熱膨張係数が ７．０×１０−５であるために、対向す
る接続回路（即ち端子）間を接続した場合、熱膨張係数
の違いでサーマルショックなどの熱衝撃により導通抵抗
が変化しやすい欠点を有していた。即ち、図３に示すよ
うに異方性導電剤１を介して例えば液晶ディスプレイ本
体２の端子３とフレキシブル配線基板４の端子５を接続
した状態（図３Ａ参照）で高温と低温が周期的に繰返さ
れるサーマルショックを与えると、高温時ではバインダ
ー６が導電性粒子７よりも熱膨張が大きいめた、導電性
粒子７と端子３、５間の接触が外れ（図３Ｂ参照）導通
抵抗が大きくなる。
（Ｉ）の異方性導電剤は、スチレンブタジェン系バイン
ダーの熱膨張係数が １．４×１０−４、導電性粒子の
熱膨張係数が ７．０×１０−５であるために、対向す
る接続回路（即ち端子）間を接続した場合、熱膨張係数
の違いでサーマルショックなどの熱衝撃により導通抵抗
が変化しやすい欠点を有していた。即ち、図３に示すよ
うに異方性導電剤１を介して例えば液晶ディスプレイ本
体２の端子３とフレキシブル配線基板４の端子５を接続
した状態（図３Ａ参照）で高温と低温が周期的に繰返さ
れるサーマルショックを与えると、高温時ではバインダ
ー６が導電性粒子７よりも熱膨張が大きいめた、導電性
粒子７と端子３、５間の接触が外れ（図３Ｂ参照）導通
抵抗が大きくなる。
【０００５】また、上述の（ＩＩ）の異方性導電剤は、
圧着の際に導電性粒子の金属メッキ層が割れて中のポリ
スチレン粒子とバインダーが接着するが、これは単なる
ポリスチレン粒子とバインダーの接着にとどまる為に、
高温でのエージングではバインダーの凝集力が低下し熱
膨張係数の差が導通抵抗を上昇させる原因となる。さら
に、上述の（ＩＩＩ）の異方性導電剤は、バインダーの
熱膨張係数が ５．２×１０−５、半田粒子の熱膨張係
数が ２．５×１０−５であるため、（Ｉ）の異方性導
電剤と同様にサーマルショック等で導通抵抗が上昇する
傾向になる。
圧着の際に導電性粒子の金属メッキ層が割れて中のポリ
スチレン粒子とバインダーが接着するが、これは単なる
ポリスチレン粒子とバインダーの接着にとどまる為に、
高温でのエージングではバインダーの凝集力が低下し熱
膨張係数の差が導通抵抗を上昇させる原因となる。さら
に、上述の（ＩＩＩ）の異方性導電剤は、バインダーの
熱膨張係数が ５．２×１０−５、半田粒子の熱膨張係
数が ２．５×１０−５であるため、（Ｉ）の異方性導
電剤と同様にサーマルショック等で導通抵抗が上昇する
傾向になる。
【０００６】本発明は、上述の点に鑑み、導通の信頼性
を向上することができる異方性導電剤を提供するもので
ある。
を向上することができる異方性導電剤を提供するもので
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、対向する接続
回路間に薄層状で介在させ、接続回路間を押圧すること
により接続回路間の導通と接着が得られる接続用異方性
導電剤において、異方性導電剤１５を、官能基を有する
高分子粒子１１の表面を導電性金属薄膜１２で被覆して
なる導電性粒子１３と、この高分子粒子１１と架橋する
硬化剤と、絶縁性有機接着剤１４とを有して構成する。
回路間に薄層状で介在させ、接続回路間を押圧すること
により接続回路間の導通と接着が得られる接続用異方性
導電剤において、異方性導電剤１５を、官能基を有する
高分子粒子１１の表面を導電性金属薄膜１２で被覆して
なる導電性粒子１３と、この高分子粒子１１と架橋する
硬化剤と、絶縁性有機接着剤１４とを有して構成する。
【０００８】
【作用】本発明においては、異方性導電剤１５を対向す
る接続回路間に介在させて加圧したとき、導電性粒子１
３の導電性金属薄膜１２が割れて、内部の高分子粒子１
１が露出し、その高分子粒子１１表面の官能基と、絶縁
性有機接着剤１４の官能基が該絶縁性有機接着剤１４中
の硬化剤を介して反応し、導電性粒子１３の高分子粒子
１１と絶縁性有機接着剤１４とが化学的に結合する。
る接続回路間に介在させて加圧したとき、導電性粒子１
３の導電性金属薄膜１２が割れて、内部の高分子粒子１
１が露出し、その高分子粒子１１表面の官能基と、絶縁
性有機接着剤１４の官能基が該絶縁性有機接着剤１４中
の硬化剤を介して反応し、導電性粒子１３の高分子粒子
１１と絶縁性有機接着剤１４とが化学的に結合する。
【０００９】之によって、導電性粒子１３の膨張、収縮
と絶縁性有機接着剤１４の膨張、収縮が同等となるか、
若しくは両者の結合がしっかりする為に、導電性粒子１
３の膨張、収縮が抑えられ、その後のサーマルショック
等の熱衝撃試験を行っても安定した導通抵抗が得られる
。
と絶縁性有機接着剤１４の膨張、収縮が同等となるか、
若しくは両者の結合がしっかりする為に、導電性粒子１
３の膨張、収縮が抑えられ、その後のサーマルショック
等の熱衝撃試験を行っても安定した導通抵抗が得られる
。
【００１０】
【実施例】本発明においては、図１に示すように、例え
ば水酸基（−ＯＨ）、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）、
アミノ基（−ＮＨ３）、エポキシ基（化１）、Ｃ＝Ｃ等
の官能基を有する高分子粒子１１の表面を、導電性金属
薄膜１２例えばＮｉ、Ａｕメッキ（所謂ＮｉとＡｕの２
層メッキ）等の金属メッキ膜で被覆した導電性粒子１３
を設け、この導電性粒子１３を上記の各対応する官能基
と反応する硬化剤を配合したバインダー（絶縁性有機接
着剤）１４中に分散して目的の異方性導電剤１５を構成
する。
ば水酸基（−ＯＨ）、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）、
アミノ基（−ＮＨ３）、エポキシ基（化１）、Ｃ＝Ｃ等
の官能基を有する高分子粒子１１の表面を、導電性金属
薄膜１２例えばＮｉ、Ａｕメッキ（所謂ＮｉとＡｕの２
層メッキ）等の金属メッキ膜で被覆した導電性粒子１３
を設け、この導電性粒子１３を上記の各対応する官能基
と反応する硬化剤を配合したバインダー（絶縁性有機接
着剤）１４中に分散して目的の異方性導電剤１５を構成
する。
【化１】
【００１１】この異方性導電剤１５の導電性粒子１３は
、例えば図２に示すように相対向する接続回路間即ち例
えば液晶ディスプレイ本体２の端子３とフレキシブル配
線基板４の端子５との間で押圧変形した形状で高分子粒
子１１の一部が導電性金属薄膜１２から露出してバイン
ダー１４と接触状態となるように形成する。表面に官能
基を有する高分子粒子１１としては、官能基をもつポリ
マーで形成してもよく、又は高分子粒子１１の表面に官
能基を付与して形成することができる。
、例えば図２に示すように相対向する接続回路間即ち例
えば液晶ディスプレイ本体２の端子３とフレキシブル配
線基板４の端子５との間で押圧変形した形状で高分子粒
子１１の一部が導電性金属薄膜１２から露出してバイン
ダー１４と接触状態となるように形成する。表面に官能
基を有する高分子粒子１１としては、官能基をもつポリ
マーで形成してもよく、又は高分子粒子１１の表面に官
能基を付与して形成することができる。
【００１２】バインダー１４としては例えば熱硬化性樹
脂、紫外線硬化性樹脂、電子ビーム硬化性樹脂等、プレ
ス時に反応が開始するタイプのものを用いる。硬化剤と
してはバインダー１４と導電性粒子１３の官能基のどち
らとも反応するものを用いる。
脂、紫外線硬化性樹脂、電子ビーム硬化性樹脂等、プレ
ス時に反応が開始するタイプのものを用いる。硬化剤と
してはバインダー１４と導電性粒子１３の官能基のどち
らとも反応するものを用いる。
【００１３】かかる構成の異方性導電剤１５においては
、導電性粒子が接続時の加圧或は加熱加圧により、導電
性粒子相互あるいは回路部と面状に接触して導通状態が
形成される。このとき、加圧によって導電性粒子１３の
導電性金属薄膜１２が割れて内部の高分子粒子１１が一
部露出すると、この高分子粒子１１の官能基とバインダ
ー１４の官能基がバインダー１４中の硬化剤を介して反
応し、高分子粒子１１とバインダー１４とが化学的に結
合し、一体化する。この導電性粒子１３とバインダー１
４との一体化で導電性粒子１３の膨張、収縮が抑えられ
、例えばサーマルショックなどの熱衝撃を受けた場合に
も導通抵抗の安定性が向上する。従って、用途として例
えば車載用の液晶ディスプレイ装置に適用した場合にも
十分耐える特性が得られる。
、導電性粒子が接続時の加圧或は加熱加圧により、導電
性粒子相互あるいは回路部と面状に接触して導通状態が
形成される。このとき、加圧によって導電性粒子１３の
導電性金属薄膜１２が割れて内部の高分子粒子１１が一
部露出すると、この高分子粒子１１の官能基とバインダ
ー１４の官能基がバインダー１４中の硬化剤を介して反
応し、高分子粒子１１とバインダー１４とが化学的に結
合し、一体化する。この導電性粒子１３とバインダー１
４との一体化で導電性粒子１３の膨張、収縮が抑えられ
、例えばサーマルショックなどの熱衝撃を受けた場合に
も導通抵抗の安定性が向上する。従って、用途として例
えば車載用の液晶ディスプレイ装置に適用した場合にも
十分耐える特性が得られる。
【００１４】次に、具体例を示す。
〔比較例１〕
成 分
スチレンブタジェンラバー
５０重量部 テルペ
ンフェノール（接着付与剤） ５０
重量部 導電性粒子Ａ
５重量部但し、導電性粒子Ａは、架橋ポルスチレ
ン粒子の表面にＮｉ、Ａｕメッキを施した平均粒径８μ
ｍの金属メッキ粒子である。上記成分を配合して異方性
導電剤を作成する。 この異方性導電剤において、導電性粒子Ａの熱膨張係数
は７×１０−５、バインダーの熱膨張係数は １．４×
１０−４である。
成 分
スチレンブタジェンラバー
５０重量部 テルペ
ンフェノール（接着付与剤） ５０
重量部 導電性粒子Ａ
５重量部但し、導電性粒子Ａは、架橋ポルスチレ
ン粒子の表面にＮｉ、Ａｕメッキを施した平均粒径８μ
ｍの金属メッキ粒子である。上記成分を配合して異方性
導電剤を作成する。 この異方性導電剤において、導電性粒子Ａの熱膨張係数
は７×１０−５、バインダーの熱膨張係数は １．４×
１０−４である。
【００１５】
〔比較例２〕
成 分
ビスフェノールＡ型のエポキシ樹脂（固型） ５０重
量部 ビスフェノールＡ型のエ
ポキシ樹脂（液状） ５０重量部
潜在性エポキシ硬化剤
４０重量部
導電性粒子Ｂ
３０重量部但し、導電性粒
子Ｂは平均粒径１０μｍの半田粒子である。上記成分を
配合して異方性導電剤を作成する。この異方性導電剤に
おいて、導電性粒子Ｂの熱膨張係数は ２．５×１０−
５、バインダーの熱膨張係数は ５．２×１０−５であ
る。
成 分
ビスフェノールＡ型のエポキシ樹脂（固型） ５０重
量部 ビスフェノールＡ型のエ
ポキシ樹脂（液状） ５０重量部
潜在性エポキシ硬化剤
４０重量部
導電性粒子Ｂ
３０重量部但し、導電性粒
子Ｂは平均粒径１０μｍの半田粒子である。上記成分を
配合して異方性導電剤を作成する。この異方性導電剤に
おいて、導電性粒子Ｂの熱膨張係数は ２．５×１０−
５、バインダーの熱膨張係数は ５．２×１０−５であ
る。
【００１６】
〔実施例１〕
成 分
ビスフェノールＡ型のエポキシ樹脂（固型） ５０重
量部 ビスフェノールＡ型のエ
ポキシ樹脂（液状） ５０重量部
潜在性エポキシ硬化剤
４０重量部
導電性粒子Ｃ
５重量部但し、導電性
粒子Ｃは、ポリスチレン粒子表面にエポキシ基を付与し
た高分子粒子の表面にＮｉ、Ａｕメッキを施した平均粒
径７μｍの金属メッキ粒子である。上記成分を配合して
異方性導電剤を作成する。この異方性導電剤において、
導電性粒子Ｃの熱膨張係数は ６．８×１０−５、バイ
ンダーの熱膨張係数は ５．２×１０−５である。
成 分
ビスフェノールＡ型のエポキシ樹脂（固型） ５０重
量部 ビスフェノールＡ型のエ
ポキシ樹脂（液状） ５０重量部
潜在性エポキシ硬化剤
４０重量部
導電性粒子Ｃ
５重量部但し、導電性
粒子Ｃは、ポリスチレン粒子表面にエポキシ基を付与し
た高分子粒子の表面にＮｉ、Ａｕメッキを施した平均粒
径７μｍの金属メッキ粒子である。上記成分を配合して
異方性導電剤を作成する。この異方性導電剤において、
導電性粒子Ｃの熱膨張係数は ６．８×１０−５、バイ
ンダーの熱膨張係数は ５．２×１０−５である。
【００１７】
〔実施例２〕
成 分
ビスフェノールＡ型のエポキシ樹脂（固型） ５０重
量部 ビスフェノールＡ型のエ
ポキシ樹脂（液状） ５０重量部
潜在性エポキシ硬化剤
４０重量部
トルエンジイソシアネート（硬化剤）
０．５重量部 導電性粒
子Ｄ
５重量部但し、導電性粒子Ｄは、ポ
リスチレン粒子表面に水酸基（−ＯＨ）を付与した高分
子粒子の表面にＮｉ、Ａｕメッキを施した平均粒径７μ
ｍの金属メッキ粒子である。トルエンジイソシアネート
は導電性粒子Ｄの水酸基（−ＯＨ）とバインダーの水酸
基（−ＯＨ）と反応するものである。ビスフェノールＡ
型のエポキシ樹脂は水酸基（−ＯＨ）を有している。上
記成分を配合して異方性導電剤を作成する。この異方性
導電剤において導電性粒子Ｄの熱膨張係数は ６．８×
１０−５、バインダーの熱膨張係数は ５．２×１０−
５である。
成 分
ビスフェノールＡ型のエポキシ樹脂（固型） ５０重
量部 ビスフェノールＡ型のエ
ポキシ樹脂（液状） ５０重量部
潜在性エポキシ硬化剤
４０重量部
トルエンジイソシアネート（硬化剤）
０．５重量部 導電性粒
子Ｄ
５重量部但し、導電性粒子Ｄは、ポ
リスチレン粒子表面に水酸基（−ＯＨ）を付与した高分
子粒子の表面にＮｉ、Ａｕメッキを施した平均粒径７μ
ｍの金属メッキ粒子である。トルエンジイソシアネート
は導電性粒子Ｄの水酸基（−ＯＨ）とバインダーの水酸
基（−ＯＨ）と反応するものである。ビスフェノールＡ
型のエポキシ樹脂は水酸基（−ＯＨ）を有している。上
記成分を配合して異方性導電剤を作成する。この異方性
導電剤において導電性粒子Ｄの熱膨張係数は ６．８×
１０−５、バインダーの熱膨張係数は ５．２×１０−
５である。
【００１８】
〔比較例３〕
成 分
ビスフェノールＡ型のエポキシ樹脂（固型） ５０重
量部 ビスフェノールＡ型のエ
ポキシ樹脂（液状） ５０重量部
潜在性エポキシ硬化剤
４０重量部
導電性粒子Ｄ
５重量部上記成分を配
合して異方性導電剤を作成する。この異方性導電剤にお
いて、導電性粒子の熱膨張係数は ６．８×１０−５、
バインダーの熱膨張係数は ５．２×１０−５である。
成 分
ビスフェノールＡ型のエポキシ樹脂（固型） ５０重
量部 ビスフェノールＡ型のエ
ポキシ樹脂（液状） ５０重量部
潜在性エポキシ硬化剤
４０重量部
導電性粒子Ｄ
５重量部上記成分を配
合して異方性導電剤を作成する。この異方性導電剤にお
いて、導電性粒子の熱膨張係数は ６．８×１０−５、
バインダーの熱膨張係数は ５．２×１０−５である。
【００１９】
〔比較例４〕
成 分
ビスフェノールＡ型のエポキシ樹脂（固型） ５０重
量部 ビスフェノールＡ型のエ
ポキシ樹脂（液状） ５０重量部
潜在性エポキシ硬化剤
４０重量部
導電性粒子Ａ
５重量部上記成分を配
合して異方性導電剤を作成する。この異方性導電剤にお
いて、導電性粒子の熱膨張係数は ７．０×１０−５、
バインダーの熱膨張係数は ５．２×１０−５である。
成 分
ビスフェノールＡ型のエポキシ樹脂（固型） ５０重
量部 ビスフェノールＡ型のエ
ポキシ樹脂（液状） ５０重量部
潜在性エポキシ硬化剤
４０重量部
導電性粒子Ａ
５重量部上記成分を配
合して異方性導電剤を作成する。この異方性導電剤にお
いて、導電性粒子の熱膨張係数は ７．０×１０−５、
バインダーの熱膨張係数は ５．２×１０−５である。
【００２０】上記の実施例１、２、比較例１、２、３、
４の各異方性導電剤を用いて相対向する回路部間を接着
したときの、初期導通抵抗及びサーマルショック後の導
通抵抗の結果を表１に示す。
４の各異方性導電剤を用いて相対向する回路部間を接着
したときの、初期導通抵抗及びサーマルショック後の導
通抵抗の結果を表１に示す。
【００２１】
【表１】
尚、サーマルショックは、−４０℃（３０分）と＋１２
０℃（３０分）の温度変化を２００サイクル施す熱衝撃
テストである。
０℃（３０分）の温度変化を２００サイクル施す熱衝撃
テストである。
【００２２】表１により比較例１ではバインダーとして
熱可塑性バインダーを用いており、熱膨張係数も大きく
、導電性粒子とバインダーが接しているだけであるため
、サーマルショック後の導通抵抗の上昇が大きい。比較
例２では、熱硬化性バインダーを用いている為、サーマ
ルショック後の導通抵抗の上昇はそれほど大きくないが
、しかし導電性粒子をバインダーが単に接しているだけ
の為、実施例１、２に比べて導通抵抗が上昇する。
熱可塑性バインダーを用いており、熱膨張係数も大きく
、導電性粒子とバインダーが接しているだけであるため
、サーマルショック後の導通抵抗の上昇が大きい。比較
例２では、熱硬化性バインダーを用いている為、サーマ
ルショック後の導通抵抗の上昇はそれほど大きくないが
、しかし導電性粒子をバインダーが単に接しているだけ
の為、実施例１、２に比べて導通抵抗が上昇する。
【００２３】之に対し、実施例１では、熱硬化性バイン
ダーを用い、加圧時にバインダーのエポキシ基と導電性
粒子の金属メッキ層より露出する高分子粒子のエポキシ
基とが潜在性エポキシ硬化剤（即ちイミダゾール系硬化
剤）により、化学結合するため、サーマルショック後の
導通抵抗の変化が少なく、安定した導通抵抗が得られる
。化２に実施例１の化学反応式を示す。
ダーを用い、加圧時にバインダーのエポキシ基と導電性
粒子の金属メッキ層より露出する高分子粒子のエポキシ
基とが潜在性エポキシ硬化剤（即ちイミダゾール系硬化
剤）により、化学結合するため、サーマルショック後の
導通抵抗の変化が少なく、安定した導通抵抗が得られる
。化２に実施例１の化学反応式を示す。
【００２４】
【化２】
この様にバインダーのエポキシ基と導電性粒子のエポキ
シ基がイミダゾール系硬化剤を介して反応し、バインダ
ーと導電性粒子が一体化することにより、導電性粒子の
膨張、収縮とバインダーの膨張、収縮が同等になるか、
若しくは互いの結合がしっかりするため、導電性粒子の
膨張、収縮が抑えられる。
シ基がイミダゾール系硬化剤を介して反応し、バインダ
ーと導電性粒子が一体化することにより、導電性粒子の
膨張、収縮とバインダーの膨張、収縮が同等になるか、
若しくは互いの結合がしっかりするため、導電性粒子の
膨張、収縮が抑えられる。
【００２５】また、実施例２では、バインダーであるエ
ポキシ樹脂の水酸基（−ＯＨ）と導電性粒子の水酸基（
−ＯＨ）とがトルエンジイソシアート（硬化剤）を介し
て化学結合している為に、同様に安定した導通抵抗が得
られる。化３に実施例２の化学反応式を示す。
ポキシ樹脂の水酸基（−ＯＨ）と導電性粒子の水酸基（
−ＯＨ）とがトルエンジイソシアート（硬化剤）を介し
て化学結合している為に、同様に安定した導通抵抗が得
られる。化３に実施例２の化学反応式を示す。
【００２６】
【化３】
この様に、エポキシ樹脂の水酸基と導電性粒子の水酸基
をトルエンジイソシアネートが継ぐ反応が起こり、実施
例１と同様に導電性粒子の膨張、収縮とバインダーの膨
張、収縮が同等になるか、若しくは互いの結合がしっか
りしているため、導電性粒子の膨張、収縮が抑えられる
。
をトルエンジイソシアネートが継ぐ反応が起こり、実施
例１と同様に導電性粒子の膨張、収縮とバインダーの膨
張、収縮が同等になるか、若しくは互いの結合がしっか
りしているため、導電性粒子の膨張、収縮が抑えられる
。
【００２７】比較例３は実施例２との比較である。この
比較例３ではトルエンジイソシアネートが配合系に入っ
ていないために実施例２に比べて導通抵抗がやや上昇す
る。比較例４は実施例１との比較である。この比較例４
では導電性粒子の核である高分子粒子に官能基がないた
めに導通抵抗の上昇が大きい。
比較例３ではトルエンジイソシアネートが配合系に入っ
ていないために実施例２に比べて導通抵抗がやや上昇す
る。比較例４は実施例１との比較である。この比較例４
では導電性粒子の核である高分子粒子に官能基がないた
めに導通抵抗の上昇が大きい。
【００２８】このように本実施例１、２においては、導
通抵抗がサーマルショック後においても変化が少なく、
安定しており、したがって導通抵抗の信頼性を向上する
ことができる。
通抵抗がサーマルショック後においても変化が少なく、
安定しており、したがって導通抵抗の信頼性を向上する
ことができる。
【００２９】
【発明の効果】本発明の異方性導電剤によれば、従来に
比べてサーマルショックなどの熱衝撃に対する導通抵抗
の安定性が向上し、異方性導電剤としての信頼性を向上
することができる。
比べてサーマルショックなどの熱衝撃に対する導通抵抗
の安定性が向上し、異方性導電剤としての信頼性を向上
することができる。
【図１】本発明の接続用異方性導電剤の構成図である。
【図２】本発明に係る接着時の構成図である。
【図３】従来の接続用異方性導電剤の説明図である。
３、５ 端子
１１ 高分子粒子
１２ 導電性金属薄膜
１３ 導電性粒子
１４ 絶縁性有機接着剤
１５ 接続用異方性導電剤
Claims (1)
- 【請求項１】 対向する接続回路間に薄層状で介在さ
せ前記接続回路間を押圧することにより前記接続回路間
の導通と接着が得られる接続用異方性導電剤において、
前記異方性導電剤は、官能基を有する高分子粒子の表面
を導電性金属薄膜で被覆してなる導電性粒子と、前記高
分子粒子と架橋する硬化剤と、絶縁性有機接着剤とを有
してなることを特徴とする接続用異方性導電剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3014787A JP3003952B2 (ja) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | 異方性導電剤による接続構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3014787A JP3003952B2 (ja) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | 異方性導電剤による接続構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04242010A true JPH04242010A (ja) | 1992-08-28 |
| JP3003952B2 JP3003952B2 (ja) | 2000-01-31 |
Family
ID=11870769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3014787A Expired - Lifetime JP3003952B2 (ja) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | 異方性導電剤による接続構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3003952B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995012643A1 (en) * | 1993-11-03 | 1995-05-11 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Electrically conductive adhesives |
| US5761053A (en) * | 1996-05-08 | 1998-06-02 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Faraday cage |
| US5814180A (en) * | 1993-11-03 | 1998-09-29 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Low temperature method for mounting electrical components |
| EP0795262A4 (en) * | 1994-12-02 | 1999-11-17 | Augat Inc | CHEMICAL GRAFTED ELECTRICAL DEVICES |
| WO2000034830A1 (en) * | 1998-12-08 | 2000-06-15 | Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd. | Photocurable anisotropically conductive composition and anisotropically conductive pattern formed by using the same |
| JP2005097619A (ja) * | 2004-10-01 | 2005-04-14 | Sony Chem Corp | 異方性導電接着剤及びそれを用いた異方性導電接着剤シート |
| US8147911B2 (en) | 2003-06-06 | 2012-04-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Perforated porous resin base material and production process of porous resin base with inner wall surfaces of perforations made conductive. |
-
1991
- 1991-01-14 JP JP3014787A patent/JP3003952B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP0795262A4 (en) * | 1994-12-02 | 1999-11-17 | Augat Inc | CHEMICAL GRAFTED ELECTRICAL DEVICES |
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| US5763824A (en) * | 1996-05-08 | 1998-06-09 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Lid assembly for shielding electronic components from EMI/RFI interferences |
| WO2000034830A1 (en) * | 1998-12-08 | 2000-06-15 | Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd. | Photocurable anisotropically conductive composition and anisotropically conductive pattern formed by using the same |
| US8147911B2 (en) | 2003-06-06 | 2012-04-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Perforated porous resin base material and production process of porous resin base with inner wall surfaces of perforations made conductive. |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3003952B2 (ja) | 2000-01-31 |
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