JPH04242183A - 磁気センサ - Google Patents
磁気センサInfo
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- JPH04242183A JPH04242183A JP354491A JP354491A JPH04242183A JP H04242183 A JPH04242183 A JP H04242183A JP 354491 A JP354491 A JP 354491A JP 354491 A JP354491 A JP 354491A JP H04242183 A JPH04242183 A JP H04242183A
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- magnetism
- magnetic
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- magnetic sensor
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- Pending
Links
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- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims description 5
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 abstract 1
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
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Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Piezo-Electric Transducers For Audible Bands (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、磁気センサに関する
もので、特に、新規な原理を利用する磁気センサに関す
るものである。
もので、特に、新規な原理を利用する磁気センサに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気を感知するセンサ、または、
磁気の強さを測定するための磁気計測素子のような磁気
センサとして、次のようなものがある。
磁気の強さを測定するための磁気計測素子のような磁気
センサとして、次のようなものがある。
【０００３】まず、磁気抵抗効果を利用したものがあり
、具体的には、ホール素子、ＳＤＭＥなどが挙げられる
。これは、磁界の強さによって、電気抵抗が変化するこ
とを利用している。
、具体的には、ホール素子、ＳＤＭＥなどが挙げられる
。これは、磁界の強さによって、電気抵抗が変化するこ
とを利用している。
【０００４】次に、磁気歪効果を利用したものもある。
この範疇には、磁界の強さによって固体の歪（変位）の
大きさが変化することを利用した磁気歪センサ、および
結晶歪によって光が偏光されることを利用したＢＳＯセ
ンサが含まれる。
大きさが変化することを利用した磁気歪センサ、および
結晶歪によって光が偏光されることを利用したＢＳＯセ
ンサが含まれる。
【０００５】さらに、プロトン磁力計、フラックスゲー
ト磁力計などもある。
ト磁力計などもある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この発明の目的は、上
述した従来の磁気センサとは異なる新規な原理に基づい
て構成される磁気センサを提供しようとすることである
。
述した従来の磁気センサとは異なる新規な原理に基づい
て構成される磁気センサを提供しようとすることである
。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明による磁気セン
サは、強磁性体材料を振動体の少なくとも一部とする圧
電振動子を備えることを特徴としている。
サは、強磁性体材料を振動体の少なくとも一部とする圧
電振動子を備えることを特徴としている。
【０００８】
【発明の作用および効果】上述したように、強磁性体材
料を振動体の少なくとも一部とすることにより、圧電振
動子の共振周波数、反共振周波数、共振抵抗、反共振抵
抗、といった特性は、周囲の磁界の強さによって変化す
る。したがって、このような特性のいずれかを測定する
ことによって、磁界の強さを知ることができる。
料を振動体の少なくとも一部とすることにより、圧電振
動子の共振周波数、反共振周波数、共振抵抗、反共振抵
抗、といった特性は、周囲の磁界の強さによって変化す
る。したがって、このような特性のいずれかを測定する
ことによって、磁界の強さを知ることができる。
【０００９】それゆえに、この発明に係る磁気センサに
よれば、磁気を感知するセンサ、または、磁気の強さを
測定するための磁気計測素子を構成することができ、従
来のたとえばホール素子の代替品として使用することが
できる。
よれば、磁気を感知するセンサ、または、磁気の強さを
測定するための磁気計測素子を構成することができ、従
来のたとえばホール素子の代替品として使用することが
できる。
【００１０】
【実施例】図１は、この発明の一実施例による磁気セン
サ１０を示す平面図である。図２は、図１の線ＩＩ−Ｉ
Ｉに沿う断面図である。
サ１０を示す平面図である。図２は、図１の線ＩＩ−Ｉ
Ｉに沿う断面図である。
【００１１】磁気センサ１０は、強磁性体材料からなる
基板１１を備える。この実施例では、基板１１は、たと
えばエリンバのような強磁性体金属から構成され、した
がって、基板１１は導電性を有している。基板１１には
、２つのスリット１２および１３が設けられる。これら
スリット１２および１３によって囲まれた領域が振動領
域１４とされ、基板１１が、その周辺１５において支持
された場合、振動領域１４における振動が抑制されない
ようにされる。
基板１１を備える。この実施例では、基板１１は、たと
えばエリンバのような強磁性体金属から構成され、した
がって、基板１１は導電性を有している。基板１１には
、２つのスリット１２および１３が設けられる。これら
スリット１２および１３によって囲まれた領域が振動領
域１４とされ、基板１１が、その周辺１５において支持
された場合、振動領域１４における振動が抑制されない
ようにされる。
【００１２】基板１１上には、たとえばＺｎＯのような
圧電体からなる圧電体薄膜１６が、たとえばスパッタリ
ングによって形成される。この圧電体薄膜１６は、基板
１１の振動領域１４から周辺１５の一部にまで延びてい
る。圧電体薄膜１６上には、ＮｉまたはＡｌ等の電極膜
１７が形成される。
圧電体からなる圧電体薄膜１６が、たとえばスパッタリ
ングによって形成される。この圧電体薄膜１６は、基板
１１の振動領域１４から周辺１５の一部にまで延びてい
る。圧電体薄膜１６上には、ＮｉまたはＡｌ等の電極膜
１７が形成される。
【００１３】このようにして、磁気センサ１０において
圧電振動子が構成される。図１において、「×」印で示
された点１８および１９のように、電極膜１７上の一点
と基板１１上の一点との間に、駆動電圧が印加されたと
き、振動領域１４は、所定の共振周波数をもって振動す
る。このとき、点１８および１９間のインピーダンスを
、直接、測定したり、この磁気センサ１０を発振回路に
発振子として組込み、共振周波数等を測定することによ
り、磁気を感知したり、磁気の強さを測定することがで
きる。
圧電振動子が構成される。図１において、「×」印で示
された点１８および１９のように、電極膜１７上の一点
と基板１１上の一点との間に、駆動電圧が印加されたと
き、振動領域１４は、所定の共振周波数をもって振動す
る。このとき、点１８および１９間のインピーダンスを
、直接、測定したり、この磁気センサ１０を発振回路に
発振子として組込み、共振周波数等を測定することによ
り、磁気を感知したり、磁気の強さを測定することがで
きる。
【００１４】以下に、図１および図２に示すような磁気
センサ１０に及ぼされる磁束密度を変化させることによ
って生じる磁気センサ１０に含まれる圧電振動子のイン
ピーダンス特性の変化を調べた実験例について説明する
。
センサ１０に及ぼされる磁束密度を変化させることによ
って生じる磁気センサ１０に含まれる圧電振動子のイン
ピーダンス特性の変化を調べた実験例について説明する
。
【００１５】図１における点１８および１９に、それぞ
れ、プローブを当てて、インピーダンスを測定した。こ
のとき、磁石を、図１に示した■、■、■および■の各
方向に近づけ、磁束密度とインピーダンス特性との関係
を調べた。なお、■は、紙面と垂直であって、紙の裏か
ら表に向かう方向を示しており、■は、紙面と垂直であ
って、紙の表から裏に向く方向を示しており、■は、紙
面と平行であって、左向きの方向を示しており、■は、
紙面と平行であって、下向きの方向を示している。
れ、プローブを当てて、インピーダンスを測定した。こ
のとき、磁石を、図１に示した■、■、■および■の各
方向に近づけ、磁束密度とインピーダンス特性との関係
を調べた。なお、■は、紙面と垂直であって、紙の裏か
ら表に向かう方向を示しており、■は、紙面と垂直であ
って、紙の表から裏に向く方向を示しており、■は、紙
面と平行であって、左向きの方向を示しており、■は、
紙面と平行であって、下向きの方向を示している。
【００１６】上述のような測定によって得られた、磁場
による共振周波数の変化が図３に示され、磁場による共
振抵抗の変化が図４に示されている。なお、図３および
図４において、横軸は、磁力（Ｇａｕｓｓ）を示し、ま
た、図３における縦軸は、共振周波数の変化率（ｐｐｍ
）を示し、図４における縦軸は、共振抵抗の相対的変化
値（Ω）を示している。
による共振周波数の変化が図３に示され、磁場による共
振抵抗の変化が図４に示されている。なお、図３および
図４において、横軸は、磁力（Ｇａｕｓｓ）を示し、ま
た、図３における縦軸は、共振周波数の変化率（ｐｐｍ
）を示し、図４における縦軸は、共振抵抗の相対的変化
値（Ω）を示している。
【００１７】これら図３および図４からわかるように、
共振周波数および共振抵抗は、磁気センサ１０に及ぼさ
れる磁界の強さによって変化する。したがって共振抵抗
または共振周波数を測定することにより、磁束密度を知
ることができる。
共振周波数および共振抵抗は、磁気センサ１０に及ぼさ
れる磁界の強さによって変化する。したがって共振抵抗
または共振周波数を測定することにより、磁束密度を知
ることができる。
【００１８】特に図３に示すように、共振周波数は、１
５００Ｇａｕｓｓ程度まで、ほぼリニアに変化するため
、この磁気センサ１０は、高精度の簡易な磁束計として
使用することができる。
５００Ｇａｕｓｓ程度まで、ほぼリニアに変化するため
、この磁気センサ１０は、高精度の簡易な磁束計として
使用することができる。
【００１９】なお、上述した実験例において、基板１１
としては、縦×横×厚みが１．８ｍｍ×２．６ｍｍ×１
００μｍの大きさのエリンバからなるものを用い、圧電
体薄膜１６としては、厚み約２０μｍのＺｎＯ膜を用い
た。
としては、縦×横×厚みが１．８ｍｍ×２．６ｍｍ×１
００μｍの大きさのエリンバからなるものを用い、圧電
体薄膜１６としては、厚み約２０μｍのＺｎＯ膜を用い
た。
【図１】この発明の一実施例による磁気センサ１０を示
す平面図である。
す平面図である。
【図２】図１の線ＩＩ−ＩＩに沿う断面図である。
【図３】磁気センサ１０の磁場による共振周波数の変化
を示す図である。
を示す図である。
【図４】磁気センサ１０の磁場による共振抵抗の変化を
示す図である。
示す図である。
１０ 磁気センサ
１１ 強磁性体材料からなる基板
１６ 圧電体薄膜
１７ Ｎｉ電極膜
Claims (1)
- 【請求項１】 強磁性体材料を振動体の少なくとも一
部とする圧電振動子を備える、磁気センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP354491A JPH04242183A (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | 磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP354491A JPH04242183A (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | 磁気センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04242183A true JPH04242183A (ja) | 1992-08-28 |
Family
ID=11560363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP354491A Pending JPH04242183A (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | 磁気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04242183A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57114826A (en) * | 1981-01-08 | 1982-07-16 | Seikosha Co Ltd | Sensor using piezoelectric oscillator |
| JPS61289685A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気センサ |
-
1991
- 1991-01-17 JP JP354491A patent/JPH04242183A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57114826A (en) * | 1981-01-08 | 1982-07-16 | Seikosha Co Ltd | Sensor using piezoelectric oscillator |
| JPS61289685A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気センサ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970624 |