JPH04243154A - 高周波平面回路モジュールの実装構造 - Google Patents
高周波平面回路モジュールの実装構造Info
- Publication number
- JPH04243154A JPH04243154A JP3015737A JP1573791A JPH04243154A JP H04243154 A JPH04243154 A JP H04243154A JP 3015737 A JP3015737 A JP 3015737A JP 1573791 A JP1573791 A JP 1573791A JP H04243154 A JPH04243154 A JP H04243154A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- planar circuit
- circuit module
- frequency planar
- base substrate
- high frequency
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
- H10W72/07351—Connecting or disconnecting of die-attach connectors characterised by changes in properties of the die-attach connectors during connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波平面回路モジュー
ルの実装構造に関する。
ルの実装構造に関する。
【０００２】近年急速に発展したＩＣ製造技術や印刷配
線板のパターン成形技術を応用することにより、マイク
ロ波、ミリ波帯の高周波回路においても、アルミナセラ
ミックス等の誘電体基板上にストリップパターンを形成
し、半導体部品を実装してなるハイブリッドＭＩＣ、あ
るいは、シリコンやガリウム・ヒ素等の半導体基板上に
能動回路素子を一体的に形成してなるモノリシックＭＩ
Ｃ等が用いられるようになってきた。
線板のパターン成形技術を応用することにより、マイク
ロ波、ミリ波帯の高周波回路においても、アルミナセラ
ミックス等の誘電体基板上にストリップパターンを形成
し、半導体部品を実装してなるハイブリッドＭＩＣ、あ
るいは、シリコンやガリウム・ヒ素等の半導体基板上に
能動回路素子を一体的に形成してなるモノリシックＭＩ
Ｃ等が用いられるようになってきた。
【０００３】そして、これらのＭＩＣは単独であるいは
他のＭＩＣ等と複合されて金属からなるベース基板上に
配置され、このベース基板の端部にマイクロストリップ
線路からなる接続端子等を配置して高周波平面回路モジ
ュールとされる。この高周波平面回路モジュールは、筐
体等に他の高周波平面回路モジュールと共に、それぞれ
の接続端子が隣接するように実装・配置され、金リボン
等で接続されて使用される。このような高周波平面回路
モジュールにおいては、筐体等に実装した際に他の高周
波平面回路モジュールとの接続における整合性が重要で
あると共に、モジュール内の能動素子からの発熱を効率
よく放熱させる必要がある。
他のＭＩＣ等と複合されて金属からなるベース基板上に
配置され、このベース基板の端部にマイクロストリップ
線路からなる接続端子等を配置して高周波平面回路モジ
ュールとされる。この高周波平面回路モジュールは、筐
体等に他の高周波平面回路モジュールと共に、それぞれ
の接続端子が隣接するように実装・配置され、金リボン
等で接続されて使用される。このような高周波平面回路
モジュールにおいては、筐体等に実装した際に他の高周
波平面回路モジュールとの接続における整合性が重要で
あると共に、モジュール内の能動素子からの発熱を効率
よく放熱させる必要がある。
【０００４】
【従来の技術】図５は従来の高周波平面回路モジュール
を示す斜視図、図６は同じく断面図である。同図におい
て、１は整合回路や能動素子をガリウム・ヒ素（Ｇａ・
Ａｓ）等からなる半導体基板に一体形成してなるＭＭＩ
Ｃであり、２は誘電体基板上にストリップパターンが形
成されてなるマイクロ波平面回路である。３は４つの取
付フランジ部３ａ，３ｂを有する金属パッケージ（本願
明細書中においては、ベース基板ともいう）であり、こ
の金属パッケージ３は無酸素銅からなり、その表面は一
様に金メッキされている。
を示す斜視図、図６は同じく断面図である。同図におい
て、１は整合回路や能動素子をガリウム・ヒ素（Ｇａ・
Ａｓ）等からなる半導体基板に一体形成してなるＭＭＩ
Ｃであり、２は誘電体基板上にストリップパターンが形
成されてなるマイクロ波平面回路である。３は４つの取
付フランジ部３ａ，３ｂを有する金属パッケージ（本願
明細書中においては、ベース基板ともいう）であり、こ
の金属パッケージ３は無酸素銅からなり、その表面は一
様に金メッキされている。
【０００５】ＭＭＩＣ１及びマイクロ波平面回路２の裏
面には、アースパターンが一様に形成されており、ＭＭ
ＩＣ１は銅・タングステン（Ｃｕ・Ｗ）焼結金属からな
る板状部材４にそのアース面が、金・錫（Ａｕ・Ｓｎ）
等のロー材により接着されている。これらＭＭＩＣ１及
びマイクロ波平面回路２は金属パッケージ３上に配列さ
れ、接着・固定されている。
面には、アースパターンが一様に形成されており、ＭＭ
ＩＣ１は銅・タングステン（Ｃｕ・Ｗ）焼結金属からな
る板状部材４にそのアース面が、金・錫（Ａｕ・Ｓｎ）
等のロー材により接着されている。これらＭＭＩＣ１及
びマイクロ波平面回路２は金属パッケージ３上に配列さ
れ、接着・固定されている。
【０００６】金属パッケージ３の両端縁部近傍にはマイ
クロストリップ線路からなる接続端子５がそれぞれ配置
され、ＭＭＩＣ１、マイクロ波平面回路２及び接続端子
５はそれぞれ順次金リボン等により接続されている。６
はＭＭＩＣ１等にバイアス電圧を印加する等に使用され
る端子である。また、金属パッケージ３のＭＭＩＣ１等
が実装される部分の周囲には、側壁部７がその全周に渡
って形成されており、ＭＭＩＣ１等を実装した後に、蓋
８により封止されるようになっている。
クロストリップ線路からなる接続端子５がそれぞれ配置
され、ＭＭＩＣ１、マイクロ波平面回路２及び接続端子
５はそれぞれ順次金リボン等により接続されている。６
はＭＭＩＣ１等にバイアス電圧を印加する等に使用され
る端子である。また、金属パッケージ３のＭＭＩＣ１等
が実装される部分の周囲には、側壁部７がその全周に渡
って形成されており、ＭＭＩＣ１等を実装した後に、蓋
８により封止されるようになっている。
【０００７】このような構成の高周波平面回路モジュー
ルは、他の高周波平面回路モジュールと共に、それぞれ
の接続端子５が隣接するように筐体９に配置され、金属
パッケージ３の取付フランジ部３ａ，３ｂをそれぞれね
じ等により筐体９に固定して実装される。それぞれの高
周波平面回路モジュールはその接続端子５が金リボン等
により接続されることにより電気的に接続される。
ルは、他の高周波平面回路モジュールと共に、それぞれ
の接続端子５が隣接するように筐体９に配置され、金属
パッケージ３の取付フランジ部３ａ，３ｂをそれぞれね
じ等により筐体９に固定して実装される。それぞれの高
周波平面回路モジュールはその接続端子５が金リボン等
により接続されることにより電気的に接続される。
【０００８】このような高周波平面回路モジュールにお
いては、筐体９に実装された際に、他の高周波平面回路
モジュールとの整合性が重要であり、また、ＭＭＩＣ１
上に設けられている能動素子からの放熱を効率よく筐体
９に放熱する等の必要があるため、金属パッケージ３の
裏面（ＭＭＩＣ１等の実装側と反対側の面）、及び筐体
９の高周波平面回路モジュールが実装される部分を、一
様に平坦に形成し、金属パッケージ３と筐体９とをむら
なく面接触させるようにして放熱効率や接地特性を向上
するようにしていた。また、高周波平面回路モジュール
を筐体９に実装する際に、金属パッケージ３の裏面にシ
リコンやエポキシ樹脂等を塗布して実装し、熱抵抗を低
下させ、放熱効率の向上を図っていた。
いては、筐体９に実装された際に、他の高周波平面回路
モジュールとの整合性が重要であり、また、ＭＭＩＣ１
上に設けられている能動素子からの放熱を効率よく筐体
９に放熱する等の必要があるため、金属パッケージ３の
裏面（ＭＭＩＣ１等の実装側と反対側の面）、及び筐体
９の高周波平面回路モジュールが実装される部分を、一
様に平坦に形成し、金属パッケージ３と筐体９とをむら
なく面接触させるようにして放熱効率や接地特性を向上
するようにしていた。また、高周波平面回路モジュール
を筐体９に実装する際に、金属パッケージ３の裏面にシ
リコンやエポキシ樹脂等を塗布して実装し、熱抵抗を低
下させ、放熱効率の向上を図っていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、近時において
は、適用される周波数が高くなってきており、これに伴
い高周波平面回路モジュールも小型化してきている。そ
して、高周波平面回路モジュールの構成部品である金属
パッケージの高周波平面回路部品が実装される部分の厚
さは、適用される高周波信号の伝送特性により制限され
、薄型化してきている。
は、適用される周波数が高くなってきており、これに伴
い高周波平面回路モジュールも小型化してきている。そ
して、高周波平面回路モジュールの構成部品である金属
パッケージの高周波平面回路部品が実装される部分の厚
さは、適用される高周波信号の伝送特性により制限され
、薄型化してきている。
【００１０】このような金属パッケージの薄型化に伴い
、高周波平面回路を構成する平面回路基板と金属パッケ
ージとの熱膨張率の差により図６に示されているように
、金属パッケージに円弧状の反りが生じ、放熱効率が劣
化するという問題があった。
、高周波平面回路を構成する平面回路基板と金属パッケ
ージとの熱膨張率の差により図６に示されているように
、金属パッケージに円弧状の反りが生じ、放熱効率が劣
化するという問題があった。
【００１１】また、高周波平面回路モジュールの金属パ
ッケージは筐体に実装された際に伝送線路のアース部と
なるため、上記のシリコンやエポキシ樹脂等の絶縁物を
介装する構造ではアースが不十分になるという問題があ
った。
ッケージは筐体に実装された際に伝送線路のアース部と
なるため、上記のシリコンやエポキシ樹脂等の絶縁物を
介装する構造ではアースが不十分になるという問題があ
った。
【００１２】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、放熱特性及び接地
特性を向上することができる高周波平面回路モジュール
の実装構造を提供することである。
のであり、その目的とするところは、放熱特性及び接地
特性を向上することができる高周波平面回路モジュール
の実装構造を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】高周波平面回路が形成さ
れた平面回路部品をベース基板上に固着・配置し、該ベ
ース基板の端部に入出力端子を配置してなる高周波平面
回路モジュールを、筐体に実装するための構造において
、前記ベース基板の前記筐体との当接面側の一部に複数
の凹凸部を形成し、該ベース基板の該凹凸部と前記筐体
との間に軟質金属を介在させて、該ベース基板を加圧・
固定するように構成する。
れた平面回路部品をベース基板上に固着・配置し、該ベ
ース基板の端部に入出力端子を配置してなる高周波平面
回路モジュールを、筐体に実装するための構造において
、前記ベース基板の前記筐体との当接面側の一部に複数
の凹凸部を形成し、該ベース基板の該凹凸部と前記筐体
との間に軟質金属を介在させて、該ベース基板を加圧・
固定するように構成する。
【００１４】
【作用】本発明によると、ベース基板の平面回路部品が
配置される面と反対側の面の一部に複数の凹凸部を形成
し、この凹凸部と筐体との間に軟質金属を介在させてベ
ース基板を筐体に加圧・固定するようにしているので、
ベース基板に形成されている複数の凸部に圧力が集中し
軟質金属を押し潰し、軟質金属が凹部に入り込み、ベー
ス基板と筐体との間の部分は隙間なく軟質金属により満
たされることになる。
配置される面と反対側の面の一部に複数の凹凸部を形成
し、この凹凸部と筐体との間に軟質金属を介在させてベ
ース基板を筐体に加圧・固定するようにしているので、
ベース基板に形成されている複数の凸部に圧力が集中し
軟質金属を押し潰し、軟質金属が凹部に入り込み、ベー
ス基板と筐体との間の部分は隙間なく軟質金属により満
たされることになる。
【００１５】ベース基板の裏面側の一部には凹凸部が形
成されているから、従来の如く平坦である場合と比較し
て、その表面積が大きく、また、ベース基板と筐体との
対向部分には軟質金属が充填されることとなるから、ベ
ース基板から筐体への熱の伝導が効率よく行われ、放熱
特性が向上する。また、ベース金属と筐体とは直接に、
又は軟質金属を介して接触しているので、接地特性が良
好となる。
成されているから、従来の如く平坦である場合と比較し
て、その表面積が大きく、また、ベース基板と筐体との
対向部分には軟質金属が充填されることとなるから、ベ
ース基板から筐体への熱の伝導が効率よく行われ、放熱
特性が向上する。また、ベース金属と筐体とは直接に、
又は軟質金属を介して接触しているので、接地特性が良
好となる。
【００１６】尚、筐体のベース基板の凹凸部が対向する
部分にこれと同様の凹凸部を形成することにより、放熱
特性及び接地特性をさらに向上することができる。
部分にこれと同様の凹凸部を形成することにより、放熱
特性及び接地特性をさらに向上することができる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
することにする。図１は本発明実施例に係る高周波平面
回路モジュールの構成断面図、図２は要部拡大図である
。同図において、図５及び図６を参照して説明した従来
の高周波平面回路モジュールと同一の構成部分について
は同一の番号を付して説明することにする。
することにする。図１は本発明実施例に係る高周波平面
回路モジュールの構成断面図、図２は要部拡大図である
。同図において、図５及び図６を参照して説明した従来
の高周波平面回路モジュールと同一の構成部分について
は同一の番号を付して説明することにする。
【００１８】同図において、１は整合回路や能動素子を
ガリウム・ヒ素（Ｇａ・Ａｓ）等からなる半導体基板に
一体形成してなるＭＭＩＣであり、２は誘電体基板上に
ストリップパターンが形成されてなるマイクロ波平面回
路である。３は４つの取付フランジ部を有する金属パッ
ケージ（ベース基板）であり、この金属パッケージ３は
無酸素銅からなり、その表面は一様に金メッキされてい
る。
ガリウム・ヒ素（Ｇａ・Ａｓ）等からなる半導体基板に
一体形成してなるＭＭＩＣであり、２は誘電体基板上に
ストリップパターンが形成されてなるマイクロ波平面回
路である。３は４つの取付フランジ部を有する金属パッ
ケージ（ベース基板）であり、この金属パッケージ３は
無酸素銅からなり、その表面は一様に金メッキされてい
る。
【００１９】ＭＭＩＣ１及びマイクロ波平面回路２の裏
面には、アースパターンが一様に形成されており、ＭＭ
ＩＣ１は銅・タングステン（Ｃｕ・Ｗ）焼結金属からな
る板状部材４にそのアース面が、金・錫（Ａｕ・Ｓｎ）
等のロー材により接着され、これらＭＭＩＣ１及びマイ
クロ波平面回路２は金属パッケージ３上に配列され、接
着・固定されている。
面には、アースパターンが一様に形成されており、ＭＭ
ＩＣ１は銅・タングステン（Ｃｕ・Ｗ）焼結金属からな
る板状部材４にそのアース面が、金・錫（Ａｕ・Ｓｎ）
等のロー材により接着され、これらＭＭＩＣ１及びマイ
クロ波平面回路２は金属パッケージ３上に配列され、接
着・固定されている。
【００２０】金属パッケージ３の両端縁部近傍にはマイ
クロストリップ線路からなる接続端子５がそれぞれ配置
され、ＭＭＩＣ１、マイクロ波平面回路２及び接続端子
５はそれぞれ順次金リボン等により接続されている。同
図では省略されているが、ＭＭＩＣ１等にバイアス電圧
を印加する等の端子も設けられている。また、金属パッ
ケージ３のＭＭＩＣ１等が実装される部分の周囲には、
側壁部７がその全周に渡って形成されており、ＭＭＩＣ
１等を実装した後に、蓋８により封止されるようになっ
ている。
クロストリップ線路からなる接続端子５がそれぞれ配置
され、ＭＭＩＣ１、マイクロ波平面回路２及び接続端子
５はそれぞれ順次金リボン等により接続されている。同
図では省略されているが、ＭＭＩＣ１等にバイアス電圧
を印加する等の端子も設けられている。また、金属パッ
ケージ３のＭＭＩＣ１等が実装される部分の周囲には、
側壁部７がその全周に渡って形成されており、ＭＭＩＣ
１等を実装した後に、蓋８により封止されるようになっ
ている。
【００２１】このような構成の高周波平面回路モジュー
ルは、他の高周波平面回路モジュールと共に、それぞれ
の接続端子５が隣接するように筐体９に配置され、金属
パッケージ３の取付フランジ部をそれぞれねじ等により
筐体９に固定して実装される。それぞれの高周波平面回
路モジュールはその接続端子５が金リボン等により接続
されることにより電気的に接続される。
ルは、他の高周波平面回路モジュールと共に、それぞれ
の接続端子５が隣接するように筐体９に配置され、金属
パッケージ３の取付フランジ部をそれぞれねじ等により
筐体９に固定して実装される。それぞれの高周波平面回
路モジュールはその接続端子５が金リボン等により接続
されることにより電気的に接続される。
【００２２】金属パッケージ３の裏面（ＭＭＩＣ１等が
実装される面と反対側の面）には複数の凹凸部１１が形
成されている。この凹凸部１１は発熱部品であるＭＭＩ
Ｃ１に対応する部分に形成されている。凹凸部１１は金
属パッケージ３の裏面を切削加工することにより形成す
ることができ、あるいは、金属パッケージ３を鍛造する
際に同時に形成することもできる。
実装される面と反対側の面）には複数の凹凸部１１が形
成されている。この凹凸部１１は発熱部品であるＭＭＩ
Ｃ１に対応する部分に形成されている。凹凸部１１は金
属パッケージ３の裏面を切削加工することにより形成す
ることができ、あるいは、金属パッケージ３を鍛造する
際に同時に形成することもできる。
【００２３】然して、上記高周波平面回路モジュールを
筐体９に実装する際には、薄板状に形成したインジウム
（Ｉｎ）等の軟質金属１２をこの凹凸部１１の部分に位
置せしめた状態で金属パッケージ３と筐体９との間に介
在せしめ、金属パッケージ３の取付フランジ部をねじ締
結する。このとき、軟質金属１２は凹凸部１１の凸部に
圧力が集中することにより押し潰され、凹凸部１１の凹
部に入り込み、金属パッケージ３と筐体９との間の部分
を隙間なく埋めることになる。
筐体９に実装する際には、薄板状に形成したインジウム
（Ｉｎ）等の軟質金属１２をこの凹凸部１１の部分に位
置せしめた状態で金属パッケージ３と筐体９との間に介
在せしめ、金属パッケージ３の取付フランジ部をねじ締
結する。このとき、軟質金属１２は凹凸部１１の凸部に
圧力が集中することにより押し潰され、凹凸部１１の凹
部に入り込み、金属パッケージ３と筐体９との間の部分
を隙間なく埋めることになる。
【００２４】これにより、ＭＭＩＣ１による発熱は金属
パッケージ３を介して効率よく筐体９に伝熱し効率の良
い放熱が行われる。また、金属パッケージ３の裏面が筐
体９に直接に、あるいは軟質金属１２を介して一様に接
触しているので、接地特性も良好となる。
パッケージ３を介して効率よく筐体９に伝熱し効率の良
い放熱が行われる。また、金属パッケージ３の裏面が筐
体９に直接に、あるいは軟質金属１２を介して一様に接
触しているので、接地特性も良好となる。
【００２５】尚、上記凹凸部１１の凸部は先端に行くに
従って鋭利となるように形成すると良い。また、図３に
示されているように、筐体９の金属パッケージ３の凹凸
部１１が対向する部分に、凹凸部１１と同様な凹凸部１
３を形成することにより、さらに効率的となる。
従って鋭利となるように形成すると良い。また、図３に
示されているように、筐体９の金属パッケージ３の凹凸
部１１が対向する部分に、凹凸部１１と同様な凹凸部１
３を形成することにより、さらに効率的となる。
【００２６】また、高周波平面回路モジュールを筐体９
に実装する際に、押し潰された軟質金属１２の一部が接
続端子５近傍の裏面側の部分に至り、他の高周波平面回
路モジュール等との接続特性に悪影響を及ぼすことを防
止するため、図４に示されているように、金属パッケー
ジ３の裏面の接続端子５が対応する部分よりも、ＭＭＩ
Ｃ１等に対応する部分を僅かに凹となるように形成し、
この部分（１４）に凹凸部１１を形成するようにすると
良い。
に実装する際に、押し潰された軟質金属１２の一部が接
続端子５近傍の裏面側の部分に至り、他の高周波平面回
路モジュール等との接続特性に悪影響を及ぼすことを防
止するため、図４に示されているように、金属パッケー
ジ３の裏面の接続端子５が対応する部分よりも、ＭＭＩ
Ｃ１等に対応する部分を僅かに凹となるように形成し、
この部分（１４）に凹凸部１１を形成するようにすると
良い。
【００２７】尚、本発明は上記の説明に限定されるもの
ではなく、金属パッケージ３の裏面に形成される凹凸部
１１は金属パッケージ３の接続端子５近傍の裏面部分を
除いて、全体的に形成してもよい。
ではなく、金属パッケージ３の裏面に形成される凹凸部
１１は金属パッケージ３の接続端子５近傍の裏面部分を
除いて、全体的に形成してもよい。
【００２８】
【発明の効果】本発明は以上詳述したように構成したの
で、高周波平面回路モジュールのベース基板と筐体とは
、直接に、あるいは軟質金属を介して接触しており、ベ
ース基板と筐体との間には隙間がないから熱抵抗及び電
気的抵抗が少なく、放熱特性及び接地特性を向上するこ
とができるという効果を奏する。
で、高周波平面回路モジュールのベース基板と筐体とは
、直接に、あるいは軟質金属を介して接触しており、ベ
ース基板と筐体との間には隙間がないから熱抵抗及び電
気的抵抗が少なく、放熱特性及び接地特性を向上するこ
とができるという効果を奏する。
【図１】本発明実施例の構成断面図である。
【図２】本発明実施例の要部拡大図である。
【図３】本発明他の実施例の要部拡大図である。
【図４】本発明さらに他の実施例の要部拡大図である。
【図５】高周波平面回路モジュールの構成斜視図である
。
。
【図６】従来技術の説明図である。
１ ＭＭＩＣ
２ マイクロ波平面回路
３ 金属パッケージ（ベース基板）
５ 接続端子
９ 筐体
１１ 凹凸部
１２ 軟質金属
Claims (3)
- 【請求項１】 高周波平面回路が形成された平面回路
部品（１，２） をベース基板（３） 上に固着・配置
し、該ベース基板（３） の端部に入出力端子（５）
を配置してなる高周波平面回路モジュールを、筐体（９
） に実装するための構造において、前記ベース基板（
３） の前記筐体（９） との当接面側の一部に複数の
凹凸部（１１）を形成し、該ベース基板（３） の該凹
凸部（１１）と前記筐体（９） との間に軟質金属（１
２）を介在させて、該ベース基板（３） を加圧・固定
するようにしたことを特徴とする高周波平面回路モジュ
ールの実装構造。 - 【請求項２】 請求項１に記載の高周波平面回路モジ
ュールの実装構造において、前記筐体（９） の前記ベ
ース基板（３） の凹凸部（１１）が対向する部分に凹
凸部（１３）を形成したことを特徴とする高周波平面回
路モジュールの実装構造。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載の高周波平面回
路モジュールの実装構造において、前記ベース基板（３
） の前記平面回路部品（１，２） が配置される部分
の裏面側部分を、前記入出力端子（５） が配置される
部分の裏面側部分よりも凹となるように形成し、該凹部
（１４）に前記凹凸部（１１）を形成したことを特徴と
する高周波平面回路モジュールの実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3015737A JP2758273B2 (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | 高周波平面回路モジュールの実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3015737A JP2758273B2 (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | 高周波平面回路モジュールの実装構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04243154A true JPH04243154A (ja) | 1992-08-31 |
| JP2758273B2 JP2758273B2 (ja) | 1998-05-28 |
Family
ID=11897074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3015737A Expired - Fee Related JP2758273B2 (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | 高周波平面回路モジュールの実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2758273B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6434006B1 (en) | 2000-05-12 | 2002-08-13 | Denso Corporation | Semiconductor device having heat radiating member |
| JP2009212390A (ja) | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Toshiba Corp | 発熱体搭載部品の取付構造 |
-
1991
- 1991-01-17 JP JP3015737A patent/JP2758273B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6434006B1 (en) | 2000-05-12 | 2002-08-13 | Denso Corporation | Semiconductor device having heat radiating member |
| JP2009212390A (ja) | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Toshiba Corp | 発熱体搭載部品の取付構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2758273B2 (ja) | 1998-05-28 |
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