JPH04243996A - 結晶引上げ育成方法 - Google Patents
結晶引上げ育成方法Info
- Publication number
- JPH04243996A JPH04243996A JP2679891A JP2679891A JPH04243996A JP H04243996 A JPH04243996 A JP H04243996A JP 2679891 A JP2679891 A JP 2679891A JP 2679891 A JP2679891 A JP 2679891A JP H04243996 A JPH04243996 A JP H04243996A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- crystal
- diameter
- melt
- pulling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ルツボに収容された原
料融液から棒状結晶を育成する技術に関するもので、特
にルツボ内の溶融原料に固体原料を連続的に投入しなが
ら結晶を引き上げて育成する結晶育成技術において使用
される。
料融液から棒状結晶を育成する技術に関するもので、特
にルツボ内の溶融原料に固体原料を連続的に投入しなが
ら結晶を引き上げて育成する結晶育成技術において使用
される。
【０００２】
【従来の技術】ルツボに収容された原料融液に固体原料
を連続的に投入しながら結晶を引上げ育成する結晶育成
技術は古くから知られており、近年Ｓｉ 単結晶の育成
ばかりでなく、ＩＩＩ−Ｖ族結晶への応用も試みられて
いる。
を連続的に投入しながら結晶を引上げ育成する結晶育成
技術は古くから知られており、近年Ｓｉ 単結晶の育成
ばかりでなく、ＩＩＩ−Ｖ族結晶への応用も試みられて
いる。
【０００３】結晶引上げ育成技術においては、育成結晶
の直径制御が重要な要素となっている。従来、引上げ速
度をあるスケジュールに固定して直径制御をする場合、
例えば引上げ速度を一定とする場合には、直径が増加傾
向のときヒーターのパワーを上げ融液温度を上昇させて
結晶成長を鈍らせ、直径が減少傾向のときヒーターのパ
ワーを下げ融液温度を下降させて結晶成長を加速させる
制御が行われている。
の直径制御が重要な要素となっている。従来、引上げ速
度をあるスケジュールに固定して直径制御をする場合、
例えば引上げ速度を一定とする場合には、直径が増加傾
向のときヒーターのパワーを上げ融液温度を上昇させて
結晶成長を鈍らせ、直径が減少傾向のときヒーターのパ
ワーを下げ融液温度を下降させて結晶成長を加速させる
制御が行われている。
【０００４】また、上記した一定引上げ速度の場合では
なく、直径が増加傾向にあるとき引上げ速度を増加し、
直径が減少傾向にあるとき引上げ速度を減少させて直径
の制御をする場合に、引上げ速度が目標の範囲をこえて
変動することのないよう、引上げ速度が目標範囲をうわ
まわるときヒーターのパワーを上げ融液温度を上昇させ
て結晶成長を鈍らせ、引上げ速度が目標範囲をしたまわ
るときヒーターのパワーを下げ融液温度を下降させて結
晶成長を加速させる制御も行われている。
なく、直径が増加傾向にあるとき引上げ速度を増加し、
直径が減少傾向にあるとき引上げ速度を減少させて直径
の制御をする場合に、引上げ速度が目標の範囲をこえて
変動することのないよう、引上げ速度が目標範囲をうわ
まわるときヒーターのパワーを上げ融液温度を上昇させ
て結晶成長を鈍らせ、引上げ速度が目標範囲をしたまわ
るときヒーターのパワーを下げ融液温度を下降させて結
晶成長を加速させる制御も行われている。
【０００５】次に、固体原料を連続的に投入しながら結
晶育成をする方法においては、ルツボ内から引き上げら
れる結晶の重量とルツボ内に投入される固体原料の重量
とは様々な理由により等しく選ばれている場合が多い。 Ｇａ Ａｓ単結晶の育成に例をとれば、結晶中のドーパ
ント濃度（比抵抗）、ストイキオメトリー等が結晶長さ
方向に均一となり、またルツボ内の融液量がいつも一定
であることにより育成結晶がルツボ内融液より受ける熱
的環境も熱履歴も長さ方向にほぼ均一となるなど、優れ
た利点があるからである。
晶育成をする方法においては、ルツボ内から引き上げら
れる結晶の重量とルツボ内に投入される固体原料の重量
とは様々な理由により等しく選ばれている場合が多い。 Ｇａ Ａｓ単結晶の育成に例をとれば、結晶中のドーパ
ント濃度（比抵抗）、ストイキオメトリー等が結晶長さ
方向に均一となり、またルツボ内の融液量がいつも一定
であることにより育成結晶がルツボ内融液より受ける熱
的環境も熱履歴も長さ方向にほぼ均一となるなど、優れ
た利点があるからである。
【０００６】従って、従来の連続引上げ方法では、投入
される固体原料の量が、引上げ結晶の育成重量に対応し
て時々刻々変化し、育成重量が多いときは多く投入され
、育成重量が少ないときは少量投入されることになる。
される固体原料の量が、引上げ結晶の育成重量に対応し
て時々刻々変化し、育成重量が多いときは多く投入され
、育成重量が少ないときは少量投入されることになる。
【０００７】ところが、この従来の連続引上げ方法によ
ると、ルツボ内融液の温度が低めで結晶径が増加傾向に
あるときには、多量の固体原料を融液内に投入するので
融液の温度はさらに下がり、その結果、結晶成長が加速
され結晶径がさらに太くなってしまうという傾向が生じ
てしまう。これとは逆に、ルツボ内融液の温度が高めで
結晶径が減少傾向にあるときには、少量の固体原料しか
融液内に投入しないので融液の温度はさらに上昇し、そ
の結果、結晶成長が減速され結晶径がさらに細くなって
しまうという傾向が生じてしまう。このように、ルツボ
内に連続的に投入する固体原料の重量をルツボ融液より
引上げ育成される結晶の重量に同期させかつ等しくなる
ようにしたのでは結晶成長の安定的な制御が難しい。
ると、ルツボ内融液の温度が低めで結晶径が増加傾向に
あるときには、多量の固体原料を融液内に投入するので
融液の温度はさらに下がり、その結果、結晶成長が加速
され結晶径がさらに太くなってしまうという傾向が生じ
てしまう。これとは逆に、ルツボ内融液の温度が高めで
結晶径が減少傾向にあるときには、少量の固体原料しか
融液内に投入しないので融液の温度はさらに上昇し、そ
の結果、結晶成長が減速され結晶径がさらに細くなって
しまうという傾向が生じてしまう。このように、ルツボ
内に連続的に投入する固体原料の重量をルツボ融液より
引上げ育成される結晶の重量に同期させかつ等しくなる
ようにしたのでは結晶成長の安定的な制御が難しい。
【０００８】また、ヒーターパワーの変化が融液温度の
変化に反映されるにはかなりの時間（Ｓｉ 単結晶の引
上げであれば〜２０分以上）を要する。従って、この時
間より短い時間の温度変動に対しては、ヒーターパワー
のコントロールにより融液の温度を安定化させることは
本質的に困難を含む方法である。
変化に反映されるにはかなりの時間（Ｓｉ 単結晶の引
上げであれば〜２０分以上）を要する。従って、この時
間より短い時間の温度変動に対しては、ヒーターパワー
のコントロールにより融液の温度を安定化させることは
本質的に困難を含む方法である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ルツ
ボ内に固体原料を投入しながら該ルツボ内融液より結晶
を連続的に引き上げる場合の直径制御をする新規な結晶
引上げ育成方法を提供することである。
ボ内に固体原料を投入しながら該ルツボ内融液より結晶
を連続的に引き上げる場合の直径制御をする新規な結晶
引上げ育成方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、ルツボ内に収
容された原料融液に固体原料を投入しながら、該ルツボ
内融液より棒状の結晶を連続的に引上げ育成する結晶育
成方法であって、引上げ結晶の直径の増減に逆対応して
投入固体原料の量を減増させることにより引上げ結晶の
直径を一定となるように制御する結晶引上げ方法である
。
容された原料融液に固体原料を投入しながら、該ルツボ
内融液より棒状の結晶を連続的に引上げ育成する結晶育
成方法であって、引上げ結晶の直径の増減に逆対応して
投入固体原料の量を減増させることにより引上げ結晶の
直径を一定となるように制御する結晶引上げ方法である
。
【００１１】すなわち、結晶引上げ速度を一定とし、育
成結晶の直径が増加傾向にあるときには、ルツボ内に連
続的に投入する固体原料の量を減少させルツボ内融液の
温度を上昇させることにより、引上げ結晶の直径の増大
を制御する。また逆に、育成結晶の直径が減少傾向にあ
るときには、ルツボ内に連続的に投入する固体原料の量
を増加させ、ルツボ内融液の温度を減少させることによ
り、引上げ結晶の直径の減少を抑止する。
成結晶の直径が増加傾向にあるときには、ルツボ内に連
続的に投入する固体原料の量を減少させルツボ内融液の
温度を上昇させることにより、引上げ結晶の直径の増大
を制御する。また逆に、育成結晶の直径が減少傾向にあ
るときには、ルツボ内に連続的に投入する固体原料の量
を増加させ、ルツボ内融液の温度を減少させることによ
り、引上げ結晶の直径の減少を抑止する。
【００１２】本発明の方法は、引上げ速度が一定あるい
はあるスケジュールに固定されている場合に適用できる
し、また引上げ速度を直径の増減に対応させて増減する
場合にも適用できる。そしてルツボ内融液を加温するヒ
ーターパワーは、直径制御に直接に変動させず、長時間
にわたる投入固体原料の量と引上げ重量との比較によっ
て最適化するのがよい。
はあるスケジュールに固定されている場合に適用できる
し、また引上げ速度を直径の増減に対応させて増減する
場合にも適用できる。そしてルツボ内融液を加温するヒ
ーターパワーは、直径制御に直接に変動させず、長時間
にわたる投入固体原料の量と引上げ重量との比較によっ
て最適化するのがよい。
【００１３】
【実施例】次に、Ｇａ Ａｓ 単結晶の引上げであって
引上げ速度一定の場合に適用した第一実施例について、
図１〜図４を参照して具体的に説明する。
引上げ速度一定の場合に適用した第一実施例について、
図１〜図４を参照して具体的に説明する。
【００１４】まず、図１は本実施例に使用した単結晶引
上げ装置の縦断面図である。結晶育成はプルチャンバー
１とファーネスタンク２の密閉容器内で行われる。ファ
ーネスタンク２内にはＧａ Ａｓ 融液１２を収納する
６ ″φ（溶融原料３ ｋｇ）石英ルツボ４とそれを支
持・補強するカーボンルツボ７が配置されており、また
カーボンルツボ７は上下動及び回転運動のできるルツボ
軸８上に固定されている。また、石英ルツボ４内には、
それと同軸中心の４ ″φ円筒形の石英製隔離壁５が配
置・固定されており、ルツボ４内は内室と外室に区分さ
れる。また、ルツボ４と隔離壁５は一体型 ２重ルツボ
を構成しているので、ルツボ４を外ルツボ、隔離壁５を
内ルツボと呼ぶ。隔離壁５はその下部に０．５ ″φの
孔６を有しており、Ｇａ Ａｓ 融液はこの孔６を介し
内室、外室間を自由に行き来する。また、原料投入器９
にはＧａ Ａｓ の粒径 １〜３ｍｍ の粒状固体原料
１１が収容されており、この固体原料１１は単位時間当
り所望の量を投入管１０内に投下できるようになってい
る。また、外室への固体原料１１の連続投入と同時に、
内室からは引上げ軸３により３ ″φの単結晶１３が引
き上げられる。なお、１４はＧａ Ａｓ 引上げの場合
に用いられるＢ２ Ｏ３ 層である。
上げ装置の縦断面図である。結晶育成はプルチャンバー
１とファーネスタンク２の密閉容器内で行われる。ファ
ーネスタンク２内にはＧａ Ａｓ 融液１２を収納する
６ ″φ（溶融原料３ ｋｇ）石英ルツボ４とそれを支
持・補強するカーボンルツボ７が配置されており、また
カーボンルツボ７は上下動及び回転運動のできるルツボ
軸８上に固定されている。また、石英ルツボ４内には、
それと同軸中心の４ ″φ円筒形の石英製隔離壁５が配
置・固定されており、ルツボ４内は内室と外室に区分さ
れる。また、ルツボ４と隔離壁５は一体型 ２重ルツボ
を構成しているので、ルツボ４を外ルツボ、隔離壁５を
内ルツボと呼ぶ。隔離壁５はその下部に０．５ ″φの
孔６を有しており、Ｇａ Ａｓ 融液はこの孔６を介し
内室、外室間を自由に行き来する。また、原料投入器９
にはＧａ Ａｓ の粒径 １〜３ｍｍ の粒状固体原料
１１が収容されており、この固体原料１１は単位時間当
り所望の量を投入管１０内に投下できるようになってい
る。また、外室への固体原料１１の連続投入と同時に、
内室からは引上げ軸３により３ ″φの単結晶１３が引
き上げられる。なお、１４はＧａ Ａｓ 引上げの場合
に用いられるＢ２ Ｏ３ 層である。
【００１５】結晶引上げは、引上げ速度（ＳＬ）９ ｍ
ｍ／ｈｒで、結晶径の平均が ３″φとなるよう、次の
本発明方法（Ａ方法）および従来方法（Ｂ、Ｃ方法）に
よって行った。
ｍ／ｈｒで、結晶径の平均が ３″φとなるよう、次の
本発明方法（Ａ方法）および従来方法（Ｂ、Ｃ方法）に
よって行った。
【００１６】Ａ（本発明）方法．直径の増減に逆対応し
て投入固体原料の量を減増させる方法 Ｂ（従来）方法．投入固体原料の量を一定にし、直径の
増減に対応してヒーターパワーを増減させる方法Ｃ（従
来）方法．固体原料の単位時間当りの投入重量と単位時
間当りの単結晶引上げ重量とを等しくするとともに、直
径の増減に対応してヒーターパワーを増減させる方法 図２〜図４には、上記 ３種の引上げ方法における肩下
２ｃｍ 〜８ｃｍ の間の引上げ結晶径についての典型
的な変動を示す。
て投入固体原料の量を減増させる方法 Ｂ（従来）方法．投入固体原料の量を一定にし、直径の
増減に対応してヒーターパワーを増減させる方法Ｃ（従
来）方法．固体原料の単位時間当りの投入重量と単位時
間当りの単結晶引上げ重量とを等しくするとともに、直
径の増減に対応してヒーターパワーを増減させる方法 図２〜図４には、上記 ３種の引上げ方法における肩下
２ｃｍ 〜８ｃｍ の間の引上げ結晶径についての典型
的な変動を示す。
【００１７】また、引上げの安定性の目やすとして、次
の定義式 ΔＲ＝｜Ｒ−（Ｒの平均値）｜ｍａｘ ／（Ｒの平均値
）による結晶径Ｒの変動幅ΔＲを示すと表１のとおりで
ある。
の定義式 ΔＲ＝｜Ｒ−（Ｒの平均値）｜ｍａｘ ／（Ｒの平均値
）による結晶径Ｒの変動幅ΔＲを示すと表１のとおりで
ある。
【００１８】
【表１】
【００１９】図２〜図４及び表１をみてわかるとおり、
本発明による直径制御方式（図２；Ａ方法）が結晶径の
変動が一番小さく、最も安定した結晶引上げ方法である
ことがわかる。
本発明による直径制御方式（図２；Ａ方法）が結晶径の
変動が一番小さく、最も安定した結晶引上げ方法である
ことがわかる。
【００２０】次に、Ｓｉ 単結晶の連続引上げであって
直径の増減に対応して引上げ速度を増減させる場合に適
用した第二実施例について、図５〜図７を参照して具体
的に説明する。
直径の増減に対応して引上げ速度を増減させる場合に適
用した第二実施例について、図５〜図７を参照して具体
的に説明する。
【００２１】この場合の引上げ装置は、図１のルツボ４
の大きさは１６″φでポリシリコンのチャージ量は２０
ｋｇのものであり、また隔離壁５は１２″φ、孔６は１
″φ、投入ポリシリコンの粒径は１ 〜３ｍｍであっ
て、ここから平均引上げ速度〜０．８ｍｍ ／ｍｉｎ
を基準にし、下記のＤ〜Ｆ方法で５ ″φのシリコン単
結晶を引き上げた。 Ｄ（本発明）方法．ヒーターパワーを一定にし、結晶直
径の増減に対応して投入ポリシリコンの減増（逆対応）
と引上げ速度の増減とを組み合わせる方法。 Ｅ（従来）方法．ポリシリコンの投入重量を一定にし、
結晶直径の増減に対応してヒーターパワーの増減と引上
げ速度の増減とを組み合わせる方法。 Ｆ（従来）方法．ポリシリコンの単位時間の投入重量を
単位時間当りの引上げ重量と等しくし、結晶直径の増減
に対応して投入ポリシリコンの増減（順対応）と引上げ
速度の増減とを組み合わせる方法。
の大きさは１６″φでポリシリコンのチャージ量は２０
ｋｇのものであり、また隔離壁５は１２″φ、孔６は１
″φ、投入ポリシリコンの粒径は１ 〜３ｍｍであっ
て、ここから平均引上げ速度〜０．８ｍｍ ／ｍｉｎ
を基準にし、下記のＤ〜Ｆ方法で５ ″φのシリコン単
結晶を引き上げた。 Ｄ（本発明）方法．ヒーターパワーを一定にし、結晶直
径の増減に対応して投入ポリシリコンの減増（逆対応）
と引上げ速度の増減とを組み合わせる方法。 Ｅ（従来）方法．ポリシリコンの投入重量を一定にし、
結晶直径の増減に対応してヒーターパワーの増減と引上
げ速度の増減とを組み合わせる方法。 Ｆ（従来）方法．ポリシリコンの単位時間の投入重量を
単位時間当りの引上げ重量と等しくし、結晶直径の増減
に対応して投入ポリシリコンの増減（順対応）と引上げ
速度の増減とを組み合わせる方法。
【００２２】図５〜図７には、上記 ３種の引上げ方法
における肩下１０ｃｍ〜３０ｃｍの間の範囲で、引上げ
速度についての典型的な変動を示す。また次式 ΔＳＬ＝｜ＳＬ−（ＳＬの平均値）｜ｍａｘ ／（ＳＬ
の平均値） で示される引上げ速度変動幅ΔＳＬの値を表２に示す。
における肩下１０ｃｍ〜３０ｃｍの間の範囲で、引上げ
速度についての典型的な変動を示す。また次式 ΔＳＬ＝｜ＳＬ−（ＳＬの平均値）｜ｍａｘ ／（ＳＬ
の平均値） で示される引上げ速度変動幅ΔＳＬの値を表２に示す。
【００２３】
【表２】
【００２４】図５〜図７及び表２をみてわかるとおり、
本発明による直径制御方式（図５；Ｄ方法）が結晶引上
げ速度の変動が一番小さく、最も安定した結晶引上げ方
法であることがわかる。
本発明による直径制御方式（図５；Ｄ方法）が結晶引上
げ速度の変動が一番小さく、最も安定した結晶引上げ方
法であることがわかる。
【００２５】なお、第一実施例におけるＡ方法、第二実
施例におけるＤ方法は、長時間にわたっての固体原料の
投入重量の平均と結晶の引上げ重量の平均とが等しくな
るようにヒーターパワーを調整したときの結果であって
、そうすることにより、引上げ結晶の長さ方向の熱履歴
と結晶の特性を一定にすることができた。
施例におけるＤ方法は、長時間にわたっての固体原料の
投入重量の平均と結晶の引上げ重量の平均とが等しくな
るようにヒーターパワーを調整したときの結果であって
、そうすることにより、引上げ結晶の長さ方向の熱履歴
と結晶の特性を一定にすることができた。
【００２６】
【発明の効果】本発明方法によれば、固体原料を連続的
にルツボに投入しながら、同一のルツボ中の融液原料よ
り単結晶を引上げ育成する結晶育成方法において、従来
方法に比較して引上げ結晶の径の変動を非常に小さく抑
え、良好に直径制御された結晶を引き上げることができ
るという効果がある。また、引上げ速度で結晶径を制御
するときには、引上げ速度の変動を非常に小さく抑えな
がら、しかも良好に直径制御された結晶を引き上げるこ
とができるという効果がある。
にルツボに投入しながら、同一のルツボ中の融液原料よ
り単結晶を引上げ育成する結晶育成方法において、従来
方法に比較して引上げ結晶の径の変動を非常に小さく抑
え、良好に直径制御された結晶を引き上げることができ
るという効果がある。また、引上げ速度で結晶径を制御
するときには、引上げ速度の変動を非常に小さく抑えな
がら、しかも良好に直径制御された結晶を引き上げるこ
とができるという効果がある。
【図１】本発明の結晶引上げ方法を実施する結晶引上げ
装置の構成を示す。
装置の構成を示す。
【図２】本発明第一実施例によるＧａ Ａｓ 引上げ結
晶の直径の変動を示したグラフである。
晶の直径の変動を示したグラフである。
【図３】従来方法によるＧａ Ａｓ 引上げ結晶の直径
の変動を示したグラフである。
の変動を示したグラフである。
【図４】別の従来方法によるＧａ Ａｓ 引上げ結晶の
直径の変動を示したグラフである。
直径の変動を示したグラフである。
【図５】本発明第二実施例によるＳｉ 引上げ結晶の直
径の変動を示したグラフである。
径の変動を示したグラフである。
【図６】従来方法によるＳｉ 引上げ結晶の直径の変動
を示したグラフである。
を示したグラフである。
【図７】別の従来方法によるＳｉ 引上げ結晶の直径の
変動を示したグラフである。
変動を示したグラフである。
１…プルチャンバー
２…ファーネスタンク
３…引上げ軸
４…ルツボ
５…隔離壁
６…隔離壁５に開けられた孔
７…カーボンルツボ
８…ルツボ軸
９…粒状固体原料投入器
１０…粒状固体原料投入管
１１…粒状固体原料
１２…原料融液
１３…育成結晶
１４…液体封止剤（Ｂ２ Ｏ３ ）
Claims (3)
- 【請求項１】 ルツボに収容された原料融液に固体原
料を投入しながら、該ルツボ内融液から棒状の結晶を連
続的に引き上げるにあたり、引上げ速度があらかじめあ
るスケジュールで定められている結晶引上げ育成方法で
あって、ルツボ内の融液を加温するヒーターのパワーを
一定とし、育成結晶の直径が増加傾向にあるときには、
ルツボ内に連続的に投入する固体原料の量を減少させて
ルツボ内融液の温度を上昇させることにより引上げ結晶
の直径の増大を抑制し、逆に、育成結晶の直径が減少傾
向にあるときには、ルツボ内に連続的に投入する固体原
料の量を増加させてルツボ内融液の温度を低下させるこ
とにより引上げ結晶の直径の減少を抑止する、引上げ結
晶の直径抑制方法で特徴づけられる結晶引上げ育成方法
。 - 【請求項２】 ルツボに収容された原料融液に固体原
料を投入しながら、該ルツボ内融液から棒状の結晶を連
続的に引き上げるにあたり、棒状結晶の直径の増減に対
応して引上げ速度を増減させることにより引上げ結晶の
直径を一定になるよう制御する結晶引上げ方法であって
、ルツボ内の融液を加温するヒーターのパワーを一定と
し、育成結晶の直径が増加傾向にあり、引上げ速度が増
大するときには、ルツボ内に連続的に投入する固体原料
の量を減少させルツボ内融液の温度を上昇させることに
より引上げ結晶の直径の増大を抑制し、育成結晶の直径
が減少傾向にあり、引上げ速度が減少するときには、ル
ツボ内に連続的に投入する固体原料の量を増加させルツ
ボ内融液の温度を減少させることにより引上げ結晶の直
径の減少を抑止する、引上げ結晶の直径抑制方法で特徴
づけられる結晶引上げ育成方法。 - 【請求項３】 長い時間範囲にわたっての固体原料投
入重量が引上げ重量の目標値より多い場合にはヒーター
パワーを下げ、逆の場合には上げることによりルツボ内
の融液の温度を最適化し、固体原料投入重量の単位時間
当りの平均値を引上げ重量の単位時間当りの目標値に近
づける請求項１又は請求項２記載の結晶引上げ育成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2679891A JPH04243996A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 結晶引上げ育成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2679891A JPH04243996A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 結晶引上げ育成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04243996A true JPH04243996A (ja) | 1992-09-01 |
Family
ID=12203338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2679891A Pending JPH04243996A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 結晶引上げ育成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04243996A (ja) |
-
1991
- 1991-01-28 JP JP2679891A patent/JPH04243996A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20150252491A1 (en) | Apparatus for manufacturing ingot and method of manufacturing ingot | |
| Azhdarov et al. | Distribution of components in Ge–Si bulk single crystals grown under the continuous feeding of the melt with the second component (Si) | |
| US4863554A (en) | Process for pulling a single crystal | |
| WO1999050482B1 (en) | Open-loop method and system for controlling growth of semiconductor crystal | |
| US20020148402A1 (en) | Growing of homogeneous crystals by bottom solid feeding | |
| US5427056A (en) | Apparatus and method for producing single crystal | |
| US5488923A (en) | Method for producing single crystal | |
| Gopalan et al. | Crystal growth, characterization, and domain studies in lithium niobate and lithium tantalate ferroelectrics | |
| JPS58130195A (ja) | 単結晶シリコン引上装置 | |
| US6916371B2 (en) | Apparatus for growing stoichiometric lithium niobate and lithium tantalate single crystals and method of growing the same | |
| Robertson et al. | Observations on the unrestrained growth of germanium crystals | |
| JPH069290A (ja) | 化合物半導体単結晶の成長方法 | |
| JP3713739B2 (ja) | ＧａＡｓ単結晶の成長方法 | |
| JPS62241889A (ja) | 単結晶製造装置 | |
| CN118600535A (zh) | 一种用于SiC单晶生长炉的增强型控温方法和控温系统 | |
| JPS6395195A (ja) | 結晶引上げ方法及び装置 | |
| JPH03215383A (ja) | 原料供給装置 | |
| JPH03183685A (ja) | シリコン単結晶棒およびその製造方法 | |
| Simura et al. | Growth of stable shaped single crystals by the micro-pulling-down method with automatic power control system | |
| JPH03199193A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| RU2278912C1 (ru) | Способ получения монокристаллического кремния (варианты) | |
| RU2076909C1 (ru) | Способ выращивания монокристаллов кремния | |
| JPH01294589A (ja) | 単結晶の引き上げ方法 | |
| JPH042686A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| Barlic | Single crystal pulling without temperature programming |