JPH04247456A - 露光用マスク - Google Patents
露光用マスクInfo
- Publication number
- JPH04247456A JPH04247456A JP3012022A JP1202291A JPH04247456A JP H04247456 A JPH04247456 A JP H04247456A JP 3012022 A JP3012022 A JP 3012022A JP 1202291 A JP1202291 A JP 1202291A JP H04247456 A JPH04247456 A JP H04247456A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- area
- light
- exposed
- exposure mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、露光用マスク、特に透
過領域の光の透過率が、透過領域に対応したレジストの
被感光領域の膜厚に応じて変えられている露光用マスク
に関する。
過領域の光の透過率が、透過領域に対応したレジストの
被感光領域の膜厚に応じて変えられている露光用マスク
に関する。
【０００２】
【従来の技術】次に、従来の露光用マスクについて図２
を参照しながら説明する。図２、従来の露光用マスクを
説明するための図であって、同図（ａ） は露光用マス
クの要部側断面図、同図（ｂ） はレジストの感光状態
を示す要部側断面図である。なお、本明細書においては
同一部品、同一材料等に対しては全図をとおして同じ符
号を付与してある。
を参照しながら説明する。図２、従来の露光用マスクを
説明するための図であって、同図（ａ） は露光用マス
クの要部側断面図、同図（ｂ） はレジストの感光状態
を示す要部側断面図である。なお、本明細書においては
同一部品、同一材料等に対しては全図をとおして同じ符
号を付与してある。
【０００３】同図（ａ） に示す従来の露光用マスク２
０は、レジスト１２を感光する光、例えば紫外線１３を
略１００％透過する基板、例えば石英板２１に何にも被
着させないで紫外線をそのまま透過する透過領域２３ａ
と紫外線１３を略１００％遮光する被膜、例えば膜厚
が１０００Å程度のクロム膜２２が被着している遮光領
域２３ｂ からなるパターン２３を設けて形成されてい
た。
０は、レジスト１２を感光する光、例えば紫外線１３を
略１００％透過する基板、例えば石英板２１に何にも被
着させないで紫外線をそのまま透過する透過領域２３ａ
と紫外線１３を略１００％遮光する被膜、例えば膜厚
が１０００Å程度のクロム膜２２が被着している遮光領
域２３ｂ からなるパターン２３を設けて形成されてい
た。
【０００４】かかる露光用マスク２０を使用して半導体
ウェーハ１１に塗布したレジスト１２の感光は、半導体
ウェーハ１１と対向且つ平行にした露光用マスク２０の
背面から紫外線１３を照射して行っている。
ウェーハ１１に塗布したレジスト１２の感光は、半導体
ウェーハ１１と対向且つ平行にした露光用マスク２０の
背面から紫外線１３を照射して行っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、同図（ａ）
に示すように半導体ウェーハ１１に形成された被膜、
例えば絶縁膜１１ａ 上のレジスト１２の被感光領域１
２ｂ と、それ以外のレジスト１２の被感光領域１２ａ
とでは膜厚は、通常、異なることとなる。したがって
、従来の露光用マスクを使用して、このように膜厚の異
なるレジスト１２の被感光領域１２ａ 、１２ｂ とを
感光すると幾つかの問題がでることとなる。例えば、レ
ジスト１２がポジティブ型であれば、膜厚の厚いレジス
ト１２の被感光領域１２ａ を完全に感光させようとす
ると、膜厚の薄いレジスト１２の被感光領域１２ｂ が
感光過剰となって、同図（ｂ）で示すように正規の被感
光領域１２ｂ が１２ｂ ’の如く拡大して露光用マス
ク２０のパターン２３が正確にレジスト１２に転写でき
ないという問題が、また被感光領域１２ｂ が適正に感
光する程度にすると被感光領域１２ａ が感光不足にな
るという問題があった。
に示すように半導体ウェーハ１１に形成された被膜、
例えば絶縁膜１１ａ 上のレジスト１２の被感光領域１
２ｂ と、それ以外のレジスト１２の被感光領域１２ａ
とでは膜厚は、通常、異なることとなる。したがって
、従来の露光用マスクを使用して、このように膜厚の異
なるレジスト１２の被感光領域１２ａ 、１２ｂ とを
感光すると幾つかの問題がでることとなる。例えば、レ
ジスト１２がポジティブ型であれば、膜厚の厚いレジス
ト１２の被感光領域１２ａ を完全に感光させようとす
ると、膜厚の薄いレジスト１２の被感光領域１２ｂ が
感光過剰となって、同図（ｂ）で示すように正規の被感
光領域１２ｂ が１２ｂ ’の如く拡大して露光用マス
ク２０のパターン２３が正確にレジスト１２に転写でき
ないという問題が、また被感光領域１２ｂ が適正に感
光する程度にすると被感光領域１２ａ が感光不足にな
るという問題があった。
【０００６】本発明は、このような問題を解消するため
になされたものであって、その目的は透過領域の光の透
過率が、透過領域に対応したレジストの被感光領域の膜
厚に応じて変えられている露光用マスクを提供すること
にある。
になされたものであって、その目的は透過領域の光の透
過率が、透過領域に対応したレジストの被感光領域の膜
厚に応じて変えられている露光用マスクを提供すること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的は、図１に示す
ようにレジストを感光する光を透過する透過領域と透過
しない遮光領域とからなるパターンを有する露光用マス
クにおいて、透過領域３３ａ の光１３の透過率が、透
過領域３３ａ に対応したレジスト１２の被感光領域１
２ａ，１２ｂ の膜厚に応じて変えられていることを特
徴とする露光用マスクにより達成される。
ようにレジストを感光する光を透過する透過領域と透過
しない遮光領域とからなるパターンを有する露光用マス
クにおいて、透過領域３３ａ の光１３の透過率が、透
過領域３３ａ に対応したレジスト１２の被感光領域１
２ａ，１２ｂ の膜厚に応じて変えられていることを特
徴とする露光用マスクにより達成される。
【０００８】
【作用】本発明の露光用マスクは、図１に示すように透
過領域３３ａ の光１３の透過率が、この透過領域３３
ａ に対応したレジスト１２の被感光領域１２ａ，１２
ｂ の膜厚に応じて変えられている。すなわち、膜厚の
厚いレジスト１２の被感光領域１２ａ に対応した透過
領域３３ａ の光１３の透過率は大きく、また、膜厚の
薄いレジスト１２の被感光領域１２ｂ に対応した透過
領域３３ａ の光１３の透過率は小さくされている。
過領域３３ａ の光１３の透過率が、この透過領域３３
ａ に対応したレジスト１２の被感光領域１２ａ，１２
ｂ の膜厚に応じて変えられている。すなわち、膜厚の
厚いレジスト１２の被感光領域１２ａ に対応した透過
領域３３ａ の光１３の透過率は大きく、また、膜厚の
薄いレジスト１２の被感光領域１２ｂ に対応した透過
領域３３ａ の光１３の透過率は小さくされている。
【０００９】したがって、かかる本発明の露光用マスク
は、膜厚の厚いレジスト１２の被感光領域１２ａ には
多くの光量を照射し、また膜厚の薄いレジスト１２の被
感光領域１２ｂ には少ない光量を照射することとなり
、厚さの異なるレジスト１２に対してもパターンを正確
に転写できることとなる。
は、膜厚の厚いレジスト１２の被感光領域１２ａ には
多くの光量を照射し、また膜厚の薄いレジスト１２の被
感光領域１２ｂ には少ない光量を照射することとなり
、厚さの異なるレジスト１２に対してもパターンを正確
に転写できることとなる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例の露光用マスクにつ
いて図１を参照して説明する。図１は、本発明の一実施
例の露光用マスクを説明するための図であって、同図（
ａ） は露光用マスクの側断面図、同図（ｂ） は透明
な石英板に被着したクロム膜の膜厚と紫外線の透過率と
の関係を示す図である。
いて図１を参照して説明する。図１は、本発明の一実施
例の露光用マスクを説明するための図であって、同図（
ａ） は露光用マスクの側断面図、同図（ｂ） は透明
な石英板に被着したクロム膜の膜厚と紫外線の透過率と
の関係を示す図である。
【００１１】同図（ａ） に示す本発明の一実施例の露
光用マスク３０は、レジスト１２を感光する光、例えば
紫外線１３を透過する透過領域３３ａ と、紫外線１３
を透過しない遮光領域３３ｂ とからなるパターン３３
を設けて形成したものである。そして、透過領域３３ａ
は、紫外線１３を略１００％ 完全に透過する完全透
過領域３３ａ１と、紫外線１３を略５０％程度透過する
半透過領域３３ａ２とで構成したものである。この完全
透過領域３３ａ１は半導体ウェーハ１１に塗布されたレ
ジスト１２の膜厚の厚い領域、例えば膜厚が５μｍ程度
の被感光領域１２ａ を感光する領域であり、また半透
過領域３３ａ２は半導体ウェーハ１１に塗布されたレジ
スト１２の膜厚の薄い領域、例えば膜厚が２〜３μｍの
被感光領域１２ｂ を感光する領域である。
光用マスク３０は、レジスト１２を感光する光、例えば
紫外線１３を透過する透過領域３３ａ と、紫外線１３
を透過しない遮光領域３３ｂ とからなるパターン３３
を設けて形成したものである。そして、透過領域３３ａ
は、紫外線１３を略１００％ 完全に透過する完全透
過領域３３ａ１と、紫外線１３を略５０％程度透過する
半透過領域３３ａ２とで構成したものである。この完全
透過領域３３ａ１は半導体ウェーハ１１に塗布されたレ
ジスト１２の膜厚の厚い領域、例えば膜厚が５μｍ程度
の被感光領域１２ａ を感光する領域であり、また半透
過領域３３ａ２は半導体ウェーハ１１に塗布されたレジ
スト１２の膜厚の薄い領域、例えば膜厚が２〜３μｍの
被感光領域１２ｂ を感光する領域である。
【００１２】したがって、かかる本発明の一実施例の露
光用マスク３０は、半導体ウェーハ１１に被着したレジ
スト１２が５μｍ程度の厚さで被着した被感光領域１２
ａ を照射する光量は、レジスト１２が２〜３μｍ程度
で被着した被感光領域１２ｂ に照射する光量に比べて
略２倍となるために、それぞれの被感光領域１２ａ，１
２ｂ は略同時に適正に感光されることとなり、前述し
た感光過剰と感光不足の問題を解消できることとなる。
光用マスク３０は、半導体ウェーハ１１に被着したレジ
スト１２が５μｍ程度の厚さで被着した被感光領域１２
ａ を照射する光量は、レジスト１２が２〜３μｍ程度
で被着した被感光領域１２ｂ に照射する光量に比べて
略２倍となるために、それぞれの被感光領域１２ａ，１
２ｂ は略同時に適正に感光されることとなり、前述し
た感光過剰と感光不足の問題を解消できることとなる。
【００１３】なお、本発明の一実施例の露光用マスク３
０は、紫外線を１００％透過する石英板２１にクロム膜
２２を１０００Å程度の膜厚で被着し、透過領域３３ａ
の完全透過領域３３ａ１はそのクロム膜２２をエッチ
ングにより完全に除去して形成し、半透過領域は３３ａ
２には同図（ｂ） に従ってクロム膜２２の表層部を均
一にエッチングしてその膜厚を略２００Å程度に薄くし
て形成し、そして遮光領域３３ｂ はクロム膜２２をそ
のまま１０００Å程度の膜厚で残して形成したものであ
る。
０は、紫外線を１００％透過する石英板２１にクロム膜
２２を１０００Å程度の膜厚で被着し、透過領域３３ａ
の完全透過領域３３ａ１はそのクロム膜２２をエッチ
ングにより完全に除去して形成し、半透過領域は３３ａ
２には同図（ｂ） に従ってクロム膜２２の表層部を均
一にエッチングしてその膜厚を略２００Å程度に薄くし
て形成し、そして遮光領域３３ｂ はクロム膜２２をそ
のまま１０００Å程度の膜厚で残して形成したものであ
る。
【００１４】
【発明の効果】前述したように本発明は、透過領域の光
の透過率が、透過領域に対応したレジストの被感光領域
の膜厚に応じて変えられている露光用マスクを提供でき
ることとなる。したがって、本発明の露光用マスクを採
用すれば、半導体ウェーハに塗布したレジストの被感光
領域の膜厚が異なっていても、感光過剰も感光不足もな
い状態でレジストを感光できるので、そのパターンを正
確にレジストに転写できることとなる。
の透過率が、透過領域に対応したレジストの被感光領域
の膜厚に応じて変えられている露光用マスクを提供でき
ることとなる。したがって、本発明の露光用マスクを採
用すれば、半導体ウェーハに塗布したレジストの被感光
領域の膜厚が異なっていても、感光過剰も感光不足もな
い状態でレジストを感光できるので、そのパターンを正
確にレジストに転写できることとなる。
【図１】は、本発明の一実施例の露光用マスクを説明す
るための図、
るための図、
【図２】は、従来の露光用マスクを説明するかめの図で
ある。
ある。
１１は、半導体ウェーハ、
１１ａ は、絶縁膜、
１２は、レジスト、
１２ａ は、膜厚が厚いレジストの被感光領域、１２ｂ
は、膜厚が薄いレジストの被感光領域、１３は、光
（紫外線） 、 ２０と３０は、露光用マスク、 ２１は、石英板、 ２２は、クロム膜、 ２３と３３は、パターン、 ２３ａ と３３ａ は、透過領域、 ３３ａ１は、完全透過領域、 ３３ａ２は、半透過領域をそれぞれ示す。
は、膜厚が薄いレジストの被感光領域、１３は、光
（紫外線） 、 ２０と３０は、露光用マスク、 ２１は、石英板、 ２２は、クロム膜、 ２３と３３は、パターン、 ２３ａ と３３ａ は、透過領域、 ３３ａ１は、完全透過領域、 ３３ａ２は、半透過領域をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【請求項１】 レジストを感光する光を透過する透過
領域と透過しない遮光領域とからなるパターンを有する
露光用マスクにおいて、前記透過領域の前記光の透過率
が、当該透過領域に対応した前記レジストの被感光領域
の膜厚に応じて変えられていることを特徴とする露光用
マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3012022A JPH04247456A (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | 露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3012022A JPH04247456A (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | 露光用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04247456A true JPH04247456A (ja) | 1992-09-03 |
Family
ID=11793977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3012022A Withdrawn JPH04247456A (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | 露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04247456A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0738925A3 (en) * | 1995-04-21 | 1997-04-23 | Samsung Electronics Co Ltd | Mask for setting the line width of a photoresist pattern |
| WO2002001294A1 (en) * | 2000-06-28 | 2002-01-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Apparatus and method for compensating critical dimension deviations across photomask |
| WO2002001295A1 (en) * | 2000-06-28 | 2002-01-03 | Koninklijke Philips Electronics Nv | Apparatus and method for forming photoresist pattern with target critical dimension |
| WO2002042846A3 (en) * | 2000-11-24 | 2003-05-01 | Bookham Technology Plc | Fabrication of integrated circuit |
| JP2013004633A (ja) * | 2011-06-14 | 2013-01-07 | Canon Components Inc | 半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-02-01 JP JP3012022A patent/JPH04247456A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0738925A3 (en) * | 1995-04-21 | 1997-04-23 | Samsung Electronics Co Ltd | Mask for setting the line width of a photoresist pattern |
| WO2002001294A1 (en) * | 2000-06-28 | 2002-01-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Apparatus and method for compensating critical dimension deviations across photomask |
| WO2002001295A1 (en) * | 2000-06-28 | 2002-01-03 | Koninklijke Philips Electronics Nv | Apparatus and method for forming photoresist pattern with target critical dimension |
| US6590219B1 (en) | 2000-06-28 | 2003-07-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Apparatus and method for forming photoresist pattern with target critical dimension |
| WO2002042846A3 (en) * | 2000-11-24 | 2003-05-01 | Bookham Technology Plc | Fabrication of integrated circuit |
| JP2013004633A (ja) * | 2011-06-14 | 2013-01-07 | Canon Components Inc | 半導体装置の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |