JPH04247682A - 断線修復方法及び断線修復用シート - Google Patents
断線修復方法及び断線修復用シートInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は開口欠陥修復方法及び支
持シートに関し、特にプリント回路基板又は多層セラミ
ツクのような基板の薄いフイルム状導電性ラインにある
開口欠陥を支持シートから導電体の開口欠陥領域に対し
て拡散ボンデイングすることによつて修復する方法に関
するものである。特に導電性ラインのパターンはレーザ
エネルギー及び超音波エネルギーの組合せを用いること
によつて導電性ライン内の開口欠陥を修復する位置に選
択的に1本のラインがボンデイングされるような支持シ
ート上に形成される。
持シートに関し、特にプリント回路基板又は多層セラミ
ツクのような基板の薄いフイルム状導電性ラインにある
開口欠陥を支持シートから導電体の開口欠陥領域に対し
て拡散ボンデイングすることによつて修復する方法に関
するものである。特に導電性ラインのパターンはレーザ
エネルギー及び超音波エネルギーの組合せを用いること
によつて導電性ライン内の開口欠陥を修復する位置に選
択的に1本のラインがボンデイングされるような支持シ
ート上に形成される。
【0002】
【従来の技術】米国特許4,704,304に記述の修
復方法によると、修復金属膜を基板上の導電性ラインに
開口欠陥が生ずることが多い部分にかぶせる。修復金属
及び導電性ライン間を拡散接合するため基板が加熱させ
られる。その後修復部分は導電性ラインの開口上の修復
金属のブリツジを取り除くことなく導体間の金属のブリ
ツジを取り除くために液体中に置いて超音波エネルギー
を与える。
復方法によると、修復金属膜を基板上の導電性ラインに
開口欠陥が生ずることが多い部分にかぶせる。修復金属
及び導電性ライン間を拡散接合するため基板が加熱させ
られる。その後修復部分は導電性ラインの開口上の修復
金属のブリツジを取り除くことなく導体間の金属のブリ
ツジを取り除くために液体中に置いて超音波エネルギー
を与える。
【0003】米国特許4,636,403による光電子
マスク修復方法は欠陥の範囲のパツチになるまでレーザ
光線をさらした金属有機物の混合物の層を表面にかぶせ
るものである。パツチが形成された後、基板表面に残つ
ている過剰な露光されていない混合物が適当な溶液によ
つて除去される。
マスク修復方法は欠陥の範囲のパツチになるまでレーザ
光線をさらした金属有機物の混合物の層を表面にかぶせ
るものである。パツチが形成された後、基板表面に残つ
ている過剰な露光されていない混合物が適当な溶液によ
つて除去される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】密集度の高いプリント
基板又は多層セラミツク基板のような基板に非常に細か
い回路の導体を製造することは必然的に欠陥が発生する
特徴がある。導体内の開口を修復する従来の方法の1つ
は、レーザ化学蒸着によつて導入された有機金属ガスを
分解させることによつてギヤツプを付着した銅によつて
埋める方法がある。この方法は、完全な合金接合の構成
を抑制するような冷金属付着作用を使う結果として重大
な欠点をもつている。従来の方法がもつ他の問題は、基
板を回転クリーニング又は熱サイクル処理する間に裂け
る現象が生じることによつて明白になるような修復部分
の機械的信頼性が低いことである。また従来の方法は薄
い汚染すなわち回路面の表面にしばしば見つかるクロム
層のような金属膜が生じたときにはこれを取り除くため
に追加の処理ステツプも必要になり、そのため修復時間
を延長する必要がある。
基板又は多層セラミツク基板のような基板に非常に細か
い回路の導体を製造することは必然的に欠陥が発生する
特徴がある。導体内の開口を修復する従来の方法の1つ
は、レーザ化学蒸着によつて導入された有機金属ガスを
分解させることによつてギヤツプを付着した銅によつて
埋める方法がある。この方法は、完全な合金接合の構成
を抑制するような冷金属付着作用を使う結果として重大
な欠点をもつている。従来の方法がもつ他の問題は、基
板を回転クリーニング又は熱サイクル処理する間に裂け
る現象が生じることによつて明白になるような修復部分
の機械的信頼性が低いことである。また従来の方法は薄
い汚染すなわち回路面の表面にしばしば見つかるクロム
層のような金属膜が生じたときにはこれを取り除くため
に追加の処理ステツプも必要になり、そのため修復時間
を延長する必要がある。
【0005】本発明は以下の点を考慮してなされたもの
で、主な目的は基板の導体の開口欠陥を修復する方法を
供給しようとするものである。また本発明の他の目的は
、超音波エネルギー及びレーザエネルギーを同時に組み
合せて適用することにより支持シートによつて支持され
ている修復部分のパターンから導電性修復ラインをボン
デイングし、これにより基板上の切断した導体を修復す
る方法を提供しようとするものである。本発明のさらに
他の目的は、基板の回路導体の開口欠陥の修復に役立つ
支持シートを供給することである。
で、主な目的は基板の導体の開口欠陥を修復する方法を
供給しようとするものである。また本発明の他の目的は
、超音波エネルギー及びレーザエネルギーを同時に組み
合せて適用することにより支持シートによつて支持され
ている修復部分のパターンから導電性修復ラインをボン
デイングし、これにより基板上の切断した導体を修復す
る方法を提供しようとするものである。本発明のさらに
他の目的は、基板の回路導体の開口欠陥の修復に役立つ
支持シートを供給することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は従来の修復技術
を改善しようとするもので、選択された導電性修復ライ
ンを支持シート上の開口欠陥位置にあるラインのパター
ンを位置合せすると共に、修復すべき導体にある開口欠
陥上だけに当該選択されたラインをボンデイングするよ
うにする。この方法によれば、基板から必要のない金属
を取り除くステツプが必要なくなり、これによつて作業
は早くなり、より費用がかからなくなる。
を改善しようとするもので、選択された導電性修復ライ
ンを支持シート上の開口欠陥位置にあるラインのパター
ンを位置合せすると共に、修復すべき導体にある開口欠
陥上だけに当該選択されたラインをボンデイングするよ
うにする。この方法によれば、基板から必要のない金属
を取り除くステツプが必要なくなり、これによつて作業
は早くなり、より費用がかからなくなる。
【0007】本発明を実施するより好ましい方法は回路
導体の開口欠陥上に導電性ライン部分を位置決めするこ
とを含む。当該ライン部分は、基板のエツチング、ラミ
ネーテイング、めつき又は支持シートへの金属ブランケ
ツトフイルムのような従来の回路形式過程により導電性
修復ラインに好適な形成をした格子から選択される。修
復ライン自身はエツチングされたウインドウ開口を通し
て露出されるか、除去されるか又はその逆に支持シート
に形成される。修復ライン部分は超音波エネルギー及び
レーザエネルギーを組み合せて同時に使用することによ
つて切れた導体の末端同士が接線される。超音波エネル
ギー及び光線エネルギーを組み合せて使つてワイヤボン
デイングをすることは、例えば、米国特許出願07/4
89,838において述べられている。
導体の開口欠陥上に導電性ライン部分を位置決めするこ
とを含む。当該ライン部分は、基板のエツチング、ラミ
ネーテイング、めつき又は支持シートへの金属ブランケ
ツトフイルムのような従来の回路形式過程により導電性
修復ラインに好適な形成をした格子から選択される。修
復ライン自身はエツチングされたウインドウ開口を通し
て露出されるか、除去されるか又はその逆に支持シート
に形成される。修復ライン部分は超音波エネルギー及び
レーザエネルギーを組み合せて同時に使用することによ
つて切れた導体の末端同士が接線される。超音波エネル
ギー及び光線エネルギーを組み合せて使つてワイヤボン
デイングをすることは、例えば、米国特許出願07/4
89,838において述べられている。
【0008】
【作用】導電性修復ラインは高い電気伝導特性がありか
つ腐食作用がないような金属によつて形成され、この金
属は支持シート上に容易に製造される。好適な金属は銅
に金めつきしたものである。しかしながら、導電性修復
ラインはまた金のような貴金属、銅、金めつきした銅又
は例えば金めつきしたスズのように共融合金を形成する
ような金属の組合せでも良い。
つ腐食作用がないような金属によつて形成され、この金
属は支持シート上に容易に製造される。好適な金属は銅
に金めつきしたものである。しかしながら、導電性修復
ラインはまた金のような貴金属、銅、金めつきした銅又
は例えば金めつきしたスズのように共融合金を形成する
ような金属の組合せでも良い。
【0009】支持シート材料は修復ラインを形成する金
属の金属処理及びエツチング処理がし易いものが選択さ
れる。支持シートはポリイミド又はカプトンが好適であ
る。しかしながらマイラ、テフロン又はニツケル金属の
ような金属も支持シートの原材料に使うことができる。 さらに感光性ポリマ又はエポキシは転写シートとして作
用できる。転写シートはクロム/銅をスパツタリングに
よつて金属処理して得たブランケツトでなり、このブラ
ンケツトはその後光処理及びエツチング加工によつて回
路化される。支持シートはボンデイング処理の前及びボ
ンデイング間に修復ライン又はワイヤに対する機械的な
サポートを提供する。
属の金属処理及びエツチング処理がし易いものが選択さ
れる。支持シートはポリイミド又はカプトンが好適であ
る。しかしながらマイラ、テフロン又はニツケル金属の
ような金属も支持シートの原材料に使うことができる。 さらに感光性ポリマ又はエポキシは転写シートとして作
用できる。転写シートはクロム/銅をスパツタリングに
よつて金属処理して得たブランケツトでなり、このブラ
ンケツトはその後光処理及びエツチング加工によつて回
路化される。支持シートはボンデイング処理の前及びボ
ンデイング間に修復ライン又はワイヤに対する機械的な
サポートを提供する。
【0010】
【実施例】以下図面について本発明の一実施例を詳述す
る。
る。
【0011】図1は本発明の実施に役立つ好適な欠陥修
復装置の略線的な構成(寸法は比例しない)を示す。基
板10は欠陥12をもつ一般的なプリント回路基板又は
多層セラミツク基板で、X−Y位置決め台14上に置か
れている。プリント回路基板は堅くて曲がらないもので
構成され、又はエポキシプリント回路基板のように柔ら
かく曲がるものでも良い。
復装置の略線的な構成(寸法は比例しない)を示す。基
板10は欠陥12をもつ一般的なプリント回路基板又は
多層セラミツク基板で、X−Y位置決め台14上に置か
れている。プリント回路基板は堅くて曲がらないもので
構成され、又はエポキシプリント回路基板のように柔ら
かく曲がるものでも良い。
【0012】図2は支持シート16を示し、支持シート
16上には複数の導電性修復ライン又はワイヤ18がエ
ツチングされている。1本又は複数の導電性ライン18
は図2に示すようにシート16内にウインドウ開口12
をエツチングすることによつて露出されている。図4に
示す他の好適な実施例の場合、転写シートが平行支持部
材52と直交するように組み合された平行支持部材50
によつて形成される開口48を有するメツシユにより構
成されている。単一の導電性修復ワイヤ54は図示のよ
うに、他の平行部材50の間において各平行部材例えば
部材52と結合することにより各開口を横切るように又
は架橋するように配置されている。寸法によつては1本
以上の導電性ラインが各開口内に配置され得る。また導
電性ラインは異なつた寸法でも良い。
16上には複数の導電性修復ライン又はワイヤ18がエ
ツチングされている。1本又は複数の導電性ライン18
は図2に示すようにシート16内にウインドウ開口12
をエツチングすることによつて露出されている。図4に
示す他の好適な実施例の場合、転写シートが平行支持部
材52と直交するように組み合された平行支持部材50
によつて形成される開口48を有するメツシユにより構
成されている。単一の導電性修復ワイヤ54は図示のよ
うに、他の平行部材50の間において各平行部材例えば
部材52と結合することにより各開口を横切るように又
は架橋するように配置されている。寸法によつては1本
以上の導電性ラインが各開口内に配置され得る。また導
電性ラインは異なつた寸法でも良い。
【0013】導電性ラインは腐食作用がなく、高い導電
特性を示し、しかも支持シート上に容易に格子を形成す
るようなものであれば実質上どのような金属によつても
形成される。好適な金属は金めつきされた銅である。し
かしながら、修復ライン部材は例えば金のような貴金属
にし得るが、多くの場合合金が好適な金属になる。代わ
りに、銅、金めつきした銅又は共融合金を形成する例え
ば金めつきしたスズのような金属の組合せを導電性ライ
ンの材料として使用することができる。支持シート上の
導電性ラインは同じ寸法でも良く又は異なつた寸法でも
良い。
特性を示し、しかも支持シート上に容易に格子を形成す
るようなものであれば実質上どのような金属によつても
形成される。好適な金属は金めつきされた銅である。し
かしながら、修復ライン部材は例えば金のような貴金属
にし得るが、多くの場合合金が好適な金属になる。代わ
りに、銅、金めつきした銅又は共融合金を形成する例え
ば金めつきしたスズのような金属の組合せを導電性ライ
ンの材料として使用することができる。支持シート上の
導電性ラインは同じ寸法でも良く又は異なつた寸法でも
良い。
【0014】支持シートは導電性ラインに使用した材料
の金属処理及びエツチング処理に都合が良いように選択
された材料を使用して製造される。好適な支持シートの
材料はポリイミド又はカプトン(Kapton)により
構成され、この材料はクロム/銅をスパツタされること
により金属処理されたブランケツトになり、その後光処
理及びエツチングによつて回路化加工される。支持シー
トとして他の有機又は無機材料が使用され得る。例えば
、マイラ及びテフロンが金属処理されて支持シートとし
て使用され得る。支持シートは薄いフイルム状層を金属
処理又は打ち伸ばす加工をして得ることができる。支持
シートは感光性ポリマ又はエポキシ又は単に金属を使う
ことができる。例えば、ニツケル金属の薄い層(厚さ0
.5 〜12ミル〔mil 〕)に厚さ0.5 ミルの
金の層を塗布しても良い。支持シートの他の必要条件は
エツチング処理されることにより修復部材となる導電性
ラインを与えることである。光電処理及び精選されたエ
ツチング処理を使えば、ニツケルはエツチング処理され
ることによりウインドウ開口をもたせることができ、そ
の結果修復部材として使用されるべき金のラインを露出
させることができる。
の金属処理及びエツチング処理に都合が良いように選択
された材料を使用して製造される。好適な支持シートの
材料はポリイミド又はカプトン(Kapton)により
構成され、この材料はクロム/銅をスパツタされること
により金属処理されたブランケツトになり、その後光処
理及びエツチングによつて回路化加工される。支持シー
トとして他の有機又は無機材料が使用され得る。例えば
、マイラ及びテフロンが金属処理されて支持シートとし
て使用され得る。支持シートは薄いフイルム状層を金属
処理又は打ち伸ばす加工をして得ることができる。支持
シートは感光性ポリマ又はエポキシ又は単に金属を使う
ことができる。例えば、ニツケル金属の薄い層(厚さ0
.5 〜12ミル〔mil 〕)に厚さ0.5 ミルの
金の層を塗布しても良い。支持シートの他の必要条件は
エツチング処理されることにより修復部材となる導電性
ラインを与えることである。光電処理及び精選されたエ
ツチング処理を使えば、ニツケルはエツチング処理され
ることによりウインドウ開口をもたせることができ、そ
の結果修復部材として使用されるべき金のラインを露出
させることができる。
【0015】支持シートの主要な目的は、ボンデイング
する前及びボンデイングしている間修復ワイヤに対して
機械的な支持を与えることである。開口欠陥を塞ぐよう
にボンデイングされるのは支持されたワイヤである。導
電性ライン及び支持シートの厚さは修復される回路導体
による。例えば、従来のプリント回路基板はほぼ幅が2
ミル、厚さが0.5 ミルの修復線分を必要とする。さ
らに進んだ装置では、幅が0.5 ミル、厚さが0.5
ミルの修復線分を必要とする。同様に、支持シートの
より望ましい厚さは導電性修復ラインの厚さとほぼ等し
い。
する前及びボンデイングしている間修復ワイヤに対して
機械的な支持を与えることである。開口欠陥を塞ぐよう
にボンデイングされるのは支持されたワイヤである。導
電性ライン及び支持シートの厚さは修復される回路導体
による。例えば、従来のプリント回路基板はほぼ幅が2
ミル、厚さが0.5 ミルの修復線分を必要とする。さ
らに進んだ装置では、幅が0.5 ミル、厚さが0.5
ミルの修復線分を必要とする。同様に、支持シートの
より望ましい厚さは導電性修復ラインの厚さとほぼ等し
い。
【0016】修復処理は図1に示すように、修復ライン
をもつ支持シート16が基板10上に置かれる。超音波
溶接装置すなわち超音波ボンダ22は、ホーンすなわち
共振器24に結合されて超音波ボンダ22からボンデイ
ングチツプ26に往復振動運動を結合する。またレーザ
30が光フアイバ28を経てチツプ26に連結されて、
後述するように修復ラインと接触するチツプ26の前端
表面32を加熱する。
をもつ支持シート16が基板10上に置かれる。超音波
溶接装置すなわち超音波ボンダ22は、ホーンすなわち
共振器24に結合されて超音波ボンダ22からボンデイ
ングチツプ26に往復振動運動を結合する。またレーザ
30が光フアイバ28を経てチツプ26に連結されて、
後述するように修復ラインと接触するチツプ26の前端
表面32を加熱する。
【0017】好適な実施例の場合、ボンデイングチツプ
26は円筒上内部空洞をもち、直径がほぼ0.75〜1
.0 〔mm〕で、端部が前端表面32において円錐形
になつており、直径が前端表面内の円筒形の開口にまで
先細りになつている。当該直径はほぼ25〔um〕、長
さが 100〔um〕になつている。修復ラインまでの
チツプの超音波振動動作の結合を最大限度にするために
、前端表面32内のみぞ又は他の表面は機械によつてざ
らざらに仕上げられるか又はエツチング処理される。
26は円筒上内部空洞をもち、直径がほぼ0.75〜1
.0 〔mm〕で、端部が前端表面32において円錐形
になつており、直径が前端表面内の円筒形の開口にまで
先細りになつている。当該直径はほぼ25〔um〕、長
さが 100〔um〕になつている。修復ラインまでの
チツプの超音波振動動作の結合を最大限度にするために
、前端表面32内のみぞ又は他の表面は機械によつてざ
らざらに仕上げられるか又はエツチング処理される。
【0018】レーザエネルギーは光フアイバ28に沿つ
てチツプ26に供給される。フアイバ28の直径はほぼ
200〔ミル〕である。レーザエネルギーはフアイバ
28からチツプ内の空洞に結合される。レーザエネルギ
ーはチツプ26の前端部分及び前端表面32を加熱し、
これによつて空洞の内壁において反射及び吸収される。
てチツプ26に供給される。フアイバ28の直径はほぼ
200〔ミル〕である。レーザエネルギーはフアイバ
28からチツプ内の空洞に結合される。レーザエネルギ
ーはチツプ26の前端部分及び前端表面32を加熱し、
これによつて空洞の内壁において反射及び吸収される。
【0019】導電性修復ワイヤ及び開口欠陥の位置が一
致すると、その後金属ワークピースを接続するためのレ
ーザ音波接合装置は矢印34の方向に(すなわち導体表
面に対して垂直方向に)静圧力Fを供給することによつ
て動作し、これにより修復ワイヤを加圧して密に接触し
ている導体に押しつけると共に、これと同時にホーン2
4を介してチツプ26に対して二重矢印36の方向(す
なわち、供給された力の方向と直交する方向かつ修復ラ
イン及び修復されるべき導体の境界面と平行線の方向)
に往復する振動運動を供給する。チツプが振動動作を受
けている間、米国特許出願07/489,838に記述
のように、レーザエネルギーがレーザ30からフアイバ
28を通つてチツプに供給されてチツプを加熱する。シ
ンクロナイザ40は超音波ボンダ22及びレーザ30の
タイミング及び動作を制御する。予定の時間期間の後、
レーザエネルギーの供給及び振動動作が終了すると共に
除去され、このとき修復ラインは開口導体を端部におい
て接続されている。
致すると、その後金属ワークピースを接続するためのレ
ーザ音波接合装置は矢印34の方向に(すなわち導体表
面に対して垂直方向に)静圧力Fを供給することによつ
て動作し、これにより修復ワイヤを加圧して密に接触し
ている導体に押しつけると共に、これと同時にホーン2
4を介してチツプ26に対して二重矢印36の方向(す
なわち、供給された力の方向と直交する方向かつ修復ラ
イン及び修復されるべき導体の境界面と平行線の方向)
に往復する振動運動を供給する。チツプが振動動作を受
けている間、米国特許出願07/489,838に記述
のように、レーザエネルギーがレーザ30からフアイバ
28を通つてチツプに供給されてチツプを加熱する。シ
ンクロナイザ40は超音波ボンダ22及びレーザ30の
タイミング及び動作を制御する。予定の時間期間の後、
レーザエネルギーの供給及び振動動作が終了すると共に
除去され、このとき修復ラインは開口導体を端部におい
て接続されている。
【0020】導体の開口欠陥の修復のための処理手順を
図3〜図6に示す。図3においては基板10上に配置さ
れた導体42の欠陥12は第1のX−Y位置決め台14
(図1)上に露出されている。ウインドウ開口内に配置
されている導電性修復ライン18をもつ支持シートは第
2のX−Y位置決め台38(図1)に結合されている。 X−Y位置決め台38は選択された修復ラインを導体4
2の開口欠陥12の上に位置決めする。
図3〜図6に示す。図3においては基板10上に配置さ
れた導体42の欠陥12は第1のX−Y位置決め台14
(図1)上に露出されている。ウインドウ開口内に配置
されている導電性修復ライン18をもつ支持シートは第
2のX−Y位置決め台38(図1)に結合されている。 X−Y位置決め台38は選択された修復ラインを導体4
2の開口欠陥12の上に位置決めする。
【0021】修復ライン18及び開口欠陥12の位置合
せはいくつかの方法によりなし得る。1つの方法は、X
−Y位置決め台38が基板10上の導体42の欠陥12
と支持シート16に配置された修復ライン18を位置合
せする。X−Y位置決め台38は自動的に従来技術によ
る方法によつてX−Y位置決め台14と連動する。修復
ライン18を基板10の開口欠陥12との適切な位置関
係に配置してから、X−Y位置決め台38と連動するX
−Y位置決め台14は基板10及びチツプ26の真下の
相対的な位置に正確に位置決めをした修復ラインを、そ
の後のボンデイングのために適切な相対的位置に配置す
る。他にとり得る方法においてはX−Y位置決め台14
は開口欠陥12をチツプ26の真下の適切な位置に配置
する。その後X−Y位置決め台38は修復ワイヤ18を
その後のボンデイングのために適切な位置である開口欠
陥12の真下に配置する。なおその上にとり得る他の方
法は、修復ワイヤ18はX−Y位置決め台14の動作に
より、又はX−Y位置決め台38の動作により、又はそ
の位置決め台の動作の連動によつて開口欠陥12の真下
の位置に配置される。その後ボンダ及び特にチツプ26
はボンデイングのために修復ライン18又は開口欠陥1
2の真上の位置に動いて行く。
せはいくつかの方法によりなし得る。1つの方法は、X
−Y位置決め台38が基板10上の導体42の欠陥12
と支持シート16に配置された修復ライン18を位置合
せする。X−Y位置決め台38は自動的に従来技術によ
る方法によつてX−Y位置決め台14と連動する。修復
ライン18を基板10の開口欠陥12との適切な位置関
係に配置してから、X−Y位置決め台38と連動するX
−Y位置決め台14は基板10及びチツプ26の真下の
相対的な位置に正確に位置決めをした修復ラインを、そ
の後のボンデイングのために適切な相対的位置に配置す
る。他にとり得る方法においてはX−Y位置決め台14
は開口欠陥12をチツプ26の真下の適切な位置に配置
する。その後X−Y位置決め台38は修復ワイヤ18を
その後のボンデイングのために適切な位置である開口欠
陥12の真下に配置する。なおその上にとり得る他の方
法は、修復ワイヤ18はX−Y位置決め台14の動作に
より、又はX−Y位置決め台38の動作により、又はそ
の位置決め台の動作の連動によつて開口欠陥12の真下
の位置に配置される。その後ボンダ及び特にチツプ26
はボンデイングのために修復ライン18又は開口欠陥1
2の真上の位置に動いて行く。
【0022】実際問題として、オペレータが顕微鏡を使
用して開口欠陥に関して修復ラインを一列に位置合せし
たり、さらにまたチツプ26の真下において修復ライン
又は開口欠陥の組合せを一列に位置合せする。とり得る
他のものは、オペレータが顕微鏡のモニタを通して映像
として見るための従来技術のように、カメラに顕微鏡を
足し加えることができる。開口欠陥、修復ライン及びボ
ンデイングチツプはモニタを観察しながら一列に位置合
せさせることができる。モニタによる十字線又は他の方
向指示の付加により一列に位置合せする処理をさらにま
た容易にできる。X−Y位置決め台14、及び/又はX
−Y位置決め台38、及び/又はチツプ26の位置、こ
れらの制御のためのコンピユータ又はマイクロプロセツ
サの使用による修復ライン及びボンデイングチツプもま
た開口欠陥を一列に位置合せすることができる。
用して開口欠陥に関して修復ラインを一列に位置合せし
たり、さらにまたチツプ26の真下において修復ライン
又は開口欠陥の組合せを一列に位置合せする。とり得る
他のものは、オペレータが顕微鏡のモニタを通して映像
として見るための従来技術のように、カメラに顕微鏡を
足し加えることができる。開口欠陥、修復ライン及びボ
ンデイングチツプはモニタを観察しながら一列に位置合
せさせることができる。モニタによる十字線又は他の方
向指示の付加により一列に位置合せする処理をさらにま
た容易にできる。X−Y位置決め台14、及び/又はX
−Y位置決め台38、及び/又はチツプ26の位置、こ
れらの制御のためのコンピユータ又はマイクロプロセツ
サの使用による修復ライン及びボンデイングチツプもま
た開口欠陥を一列に位置合せすることができる。
【0023】修復ラインは開口欠陥を有する導体の寸法
に対応する寸法をもつように選択される。予定の線が上
述したように基板のX−Y平面内の開口欠陥上に正確に
位置合せされたとき、Z軸制御装置(図示せず)は図3
に示すように修復ラインを開口欠陥を有する導体と並列
に置く。
に対応する寸法をもつように選択される。予定の線が上
述したように基板のX−Y平面内の開口欠陥上に正確に
位置合せされたとき、Z軸制御装置(図示せず)は図3
に示すように修復ラインを開口欠陥を有する導体と並列
に置く。
【0024】図4に示すように、ライン18が正しく位
置合せされかつチツプ26下に配設されている状態にお
いて超音波突起24のチツプ26は、矢印34の方向に
力Fを供給することにより、正確な一列の整列及びチツ
プ26の真下への設置をされた支持シート16上に支持
されたライン18と密に接触させるようになされ、これ
により導体42の開放端42′及び42″と密に接触さ
せるようになされている。続いて超音波ボンダ22が駆
動されることにより超音波振動数による往復振動動作を
二重の矢印36の方向に(すなわち適用された力Fの方
向と実質上垂直の方向に)チツプ26に生じさせる。チ
ツプに振動動作が与えられている間、従来技術又は米国
特許出願07/489,838に説明されているように
、シンクロナイザ40がレーザ30を駆動してチツプを
加熱するようなレーザエネルギーをフアイバ28を通つ
てチツプ26に供給する。
置合せされかつチツプ26下に配設されている状態にお
いて超音波突起24のチツプ26は、矢印34の方向に
力Fを供給することにより、正確な一列の整列及びチツ
プ26の真下への設置をされた支持シート16上に支持
されたライン18と密に接触させるようになされ、これ
により導体42の開放端42′及び42″と密に接触さ
せるようになされている。続いて超音波ボンダ22が駆
動されることにより超音波振動数による往復振動動作を
二重の矢印36の方向に(すなわち適用された力Fの方
向と実質上垂直の方向に)チツプ26に生じさせる。チ
ツプに振動動作が与えられている間、従来技術又は米国
特許出願07/489,838に説明されているように
、シンクロナイザ40がレーザ30を駆動してチツプを
加熱するようなレーザエネルギーをフアイバ28を通つ
てチツプ26に供給する。
【0025】超音波振動動作はライン18をレーザが薄
い浸透すなわち導体42の表面を覆う通常400 〔A
°〕の厚さのクロム層のような金属製の膜を透過する状
態になり、この間にレーザエネルギーがチツプを加熱し
て必要な熱エネルギーを供給することにより導体42の
端部42′及び42″の近くの開口欠陥12の部分にあ
るライン18を拡散接合させる。1次に続くボンデイン
グ作業は、超音波エネルギー及びレーザエネルギーの両
方とも終了し、図5に示すようにチツプは導体42を接
合した支持シート16上の線18の導電性ラインから取
り除かれる。支持シート16はその後基板10から図示
の矢印44の方向へ持ち上げられる。支持シートを引き
はがす動作は接合された修復ラインへの引き伸ばす力及
び線と導体の間部分への引きはがす力を適用する。優れ
た修復は図6に示すように、接合部分の強度がラインの
強度を超えておりかつラインが欠陥上に接着片を残すよ
うに切れたとき得られる。このように、引きはがすステ
ツプは正常に金属処理上の接合がなされていることを決
定するための付着試験となる。
い浸透すなわち導体42の表面を覆う通常400 〔A
°〕の厚さのクロム層のような金属製の膜を透過する状
態になり、この間にレーザエネルギーがチツプを加熱し
て必要な熱エネルギーを供給することにより導体42の
端部42′及び42″の近くの開口欠陥12の部分にあ
るライン18を拡散接合させる。1次に続くボンデイン
グ作業は、超音波エネルギー及びレーザエネルギーの両
方とも終了し、図5に示すようにチツプは導体42を接
合した支持シート16上の線18の導電性ラインから取
り除かれる。支持シート16はその後基板10から図示
の矢印44の方向へ持ち上げられる。支持シートを引き
はがす動作は接合された修復ラインへの引き伸ばす力及
び線と導体の間部分への引きはがす力を適用する。優れ
た修復は図6に示すように、接合部分の強度がラインの
強度を超えておりかつラインが欠陥上に接着片を残すよ
うに切れたとき得られる。このように、引きはがすステ
ツプは正常に金属処理上の接合がなされていることを決
定するための付着試験となる。
【0026】接合処理に影響を得られる変数は、レーザ
パワー、接合時間、接合力F及び超音波エネルギーであ
る。これらの各変数又はどの変数も接合のための素材、
接合のための構成部分の幅及び厚さ、修復される開口欠
陥の長さのような修復の問題に適合させるように調整さ
れる。満足な結果を得た実践的な実験において用いられ
た値は、レーザパワーは13〔w〕、接合時間は50〔
msec〕、接合力は50〔g〕、超音波エネルギーは
200〔mw〕である。各変数の好適な値は、レーザ
パワーは13〜18〔w〕、接合時間は30〜 100
〔msec〕、接合力は40〜60〔g〕、超音波エネ
ルギーは 600〔mw〕である。
パワー、接合時間、接合力F及び超音波エネルギーであ
る。これらの各変数又はどの変数も接合のための素材、
接合のための構成部分の幅及び厚さ、修復される開口欠
陥の長さのような修復の問題に適合させるように調整さ
れる。満足な結果を得た実践的な実験において用いられ
た値は、レーザパワーは13〔w〕、接合時間は50〔
msec〕、接合力は50〔g〕、超音波エネルギーは
200〔mw〕である。各変数の好適な値は、レーザ
パワーは13〜18〔w〕、接合時間は30〜 100
〔msec〕、接合力は40〜60〔g〕、超音波エネ
ルギーは 600〔mw〕である。
【0027】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、例えば導
体から薄いフイルムを除去するような表面の調整や、例
えば過剰材料の除去のようなボンデイング後の処理ステ
ツプを必要とすることなくパツチをボンデイングするこ
とにより、導体内の開口欠陥を迅速にかつ簡易に修復す
る方法を提供できる。ワイヤボンデイングを用いる産業
システムが1秒間に10個のボンデイングをなし得るよ
うな場合を考えたとき、1つの修復について1秒の修復
スループツト率が評価される。金属処理的接合から得ら
れるワイヤ材料は構造上の欠陥が本質的に低いことによ
り、高い修復結果の信頼性が得られる。
体から薄いフイルムを除去するような表面の調整や、例
えば過剰材料の除去のようなボンデイング後の処理ステ
ツプを必要とすることなくパツチをボンデイングするこ
とにより、導体内の開口欠陥を迅速にかつ簡易に修復す
る方法を提供できる。ワイヤボンデイングを用いる産業
システムが1秒間に10個のボンデイングをなし得るよ
うな場合を考えたとき、1つの修復について1秒の修復
スループツト率が評価される。金属処理的接合から得ら
れるワイヤ材料は構造上の欠陥が本質的に低いことによ
り、高い修復結果の信頼性が得られる。
【図1】図1は本発明の実施に用いて好適な開口欠陥修
復装置を示す略線的ブロツク図である。
復装置を示す略線的ブロツク図である。
【図2】図2は支持シートの修復ラインを示す平面図で
ある。
ある。
【図3】図3は本発明による修復方法を示すフローチヤ
ートである。
ートである。
【図4】図4は本発明による修復方法を示すフローチヤ
ートである。
ートである。
【図5】図5は本発明による修復方法を示すフローチヤ
ートである。
ートである。
【図6】図6は本発明による修復方法を示すフローチヤ
ートである。
ートである。
【図7】図7は支持シートを示す平面図である。
10……基板、12……開口欠陥、14、38……X−
Y位置決め台、16……支持シート、22……超音波ボ
ンダ、26……ボンデイングチツプ、30……レーザ、
40……シンクロナイザ。
Y位置決め台、16……支持シート、22……超音波ボ
ンダ、26……ボンデイングチツプ、30……レーザ、
40……シンクロナイザ。
Claims (21)
- 【請求項1】基板上の導体の開口欠陥を修復する方法に
おいて、上記基板上の上記導体にある上記開口欠陥と並
設する状態に、複数の修復ラインを有する支持手段上に
置くように、選択された導電性修復ラインを位置合せす
るステツプと、超音波エネルギー及びレーザエネルギー
を組み合せて適用することによつて上記開口導体に上記
選択されたラインをボンデイングするステツプと、上記
修復ラインが上記導体にボンデイングされた後に上記基
板から上記支持手段をはがすステツプとを具えることを
特徴とする開口欠陥修復方法。 - 【請求項2】上記支持手段は上記修復ラインを製造に便
利なように選択した材料を具えることを特徴とする請求
項1に記載の開口欠陥修復方法。 - 【請求項3】上記支持手段の材料は、ポリイミド、カプ
トン、マイラ、テフロン、ニツケル金属、感光性ポリマ
及び感光性エポキシからなる群から選択されることを特
徴とする請求項2に記載の開口欠陥修復方法。 - 【請求項4】上記基板は多層セラミツク基板でなること
を特徴とする請求項1に記載の開口欠陥修復方法。 - 【請求項5】上記基板は堅くない有機材料の基板でなる
ことを特徴とする請求項1に記載の開口欠陥修復方法。 - 【請求項6】上記基板上の上記導体は修復される開口欠
陥を有することを特徴とする請求項1に記載の開口欠陥
修復方法。 - 【請求項7】基板上の導体にある開口欠陥を修復する際
に使用する支持シートを製造する方法において、原材料
のシートを供給するステツプと、上記シート上に導電性
ラインのパターンを置くステツプと、上記シートの予定
の領域内のエツチングされたラインの近くの位置にウイ
ンドウ開口を作るステツプとを具えることを特徴とする
支持シート製造方法。 - 【請求項8】上記導電性ラインのパターンを置くステツ
プは回路化処理によつて行われることを特徴とする請求
項7に記載の支持シート製造方法。 - 【請求項9】上記シートを供給するステツプはポリイミ
ド、カプトン、マイラ、テフロン、ニツケル金属、感光
性ポリマ及び感光性エポキシからなる群から選択された
シートを供給することを特徴とする請求項7に記載の支
持シート製造方法。 - 【請求項10】導電性ラインのパターンを置くステツプ
は、銅、貴金属、金めつきした銅及び共融合金による金
属の結合からなる群から選択された回路化処理された金
属ラインを具えることを特徴とする請求項7に記載の支
持シート製造方法。 - 【請求項11】請求項7に記載の支持シート製造方法に
よつて製造された支持シート。 - 【請求項12】請求項8に記載の支持シート製造方法に
よつて製造された支持シート。 - 【請求項13】請求項9に記載の支持シート製造方法に
よつて製造された支持シート。 - 【請求項14】請求項10に記載の支持シート製造方法
によつて製造された支持シート。 - 【請求項15】基板上の導体内の開口欠陥を修復する際
に用いる支持シートにおいて、原材料のシートと、上記
シート上に置かれた導電性ラインのパターンとを具え、
上記シートは上記ラインに近い予定の領域に開口を有す
ることを特徴とする支持シート。 - 【請求項16】上記原材料はポリイミド、カプトン、マ
イラ、テフロン、ニツケル金属、感光性ポリマ及び感光
性エポキシからなる群から選択されることを特徴とする
請求項15に記載の支持シート。 - 【請求項17】上記導電性ラインは銅、貴金属、金めつ
きした銅及び共融合金による金属の結合からなる群から
選択されることを特徴とする請求項16に記載の支持シ
ート。 - 【請求項18】上記ラインは複数の大きさをもつ上記パ
ターンを具えることを特徴とする請求項16に記載の支
持シート。 - 【請求項19】上記導電性ラインは銅、貴金属、金めつ
きした銅及び共融金属の結合からなる群から選択される
ことを特徴とする請求項15に記載の支持シート。 - 【請求項20】上記ラインは複数の大きさをもつ上記導
電性ラインのパターンを具えることを特徴とする請求項
15に記載の支持シート。 - 【請求項21】第1の複数の平行サポートに対してほぼ
直交するように第2の複数のサポートを交差させること
により形成される開口のメツシユと、上記開口を横切つ
てそれぞれ一対の平行サポートによつて支持される導電
性ラインとを具えることを特徴とする支持シート。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/595,902 US5079070A (en) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | Repair of open defects in thin film conductors |
| US07/595902 | 1990-10-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04247682A true JPH04247682A (ja) | 1992-09-03 |
| JPH0831671B2 JPH0831671B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=24385184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3259575A Expired - Lifetime JPH0831671B2 (ja) | 1990-10-11 | 1991-09-11 | 断線修復方法及び断線修復用シート |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5079070A (ja) |
| JP (1) | JPH0831671B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102000915A (zh) * | 2009-08-31 | 2011-04-06 | 通用电气公司 | 燃烧罩盖流出板激光焊接修理 |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE4219774C1 (de) * | 1992-06-17 | 1994-01-27 | Mannesmann Kienzle Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Stapeln von Substraten, die durch Bonden miteinander zu verbinden sind |
| US5289632A (en) * | 1992-11-25 | 1994-03-01 | International Business Machines Corporation | Applying conductive lines to integrated circuits |
| US5281025A (en) * | 1993-01-14 | 1994-01-25 | International Business Machines Corp. | Temperature sensing device for dynamically measuring temperature fluctuation in a tip of a bonding device |
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| US5904868A (en) * | 1994-06-16 | 1999-05-18 | International Business Machines Corporation | Mounting and/or removing of components using optical fiber tools |
| US5683601A (en) * | 1994-10-24 | 1997-11-04 | Panasonic Technologies, Inc. | Laser ablation forward metal deposition with electrostatic assisted bonding |
| US5567336A (en) * | 1994-10-24 | 1996-10-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laser ablation forward metal deposition with electrostatic assisted bonding |
| US5935462A (en) * | 1994-10-24 | 1999-08-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Repair of metal lines by electrostatically assisted laser ablative deposition |
| US5616524A (en) * | 1995-12-22 | 1997-04-01 | General Electric Company | Repair method for low noise metal lines in thin film imager devices |
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