JPH04252044A - ビーム描画装置および該装置における検査方法 - Google Patents
ビーム描画装置および該装置における検査方法Info
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- JPH04252044A JPH04252044A JP3001423A JP142391A JPH04252044A JP H04252044 A JPH04252044 A JP H04252044A JP 3001423 A JP3001423 A JP 3001423A JP 142391 A JP142391 A JP 142391A JP H04252044 A JPH04252044 A JP H04252044A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ビーム描画装置および
該装置における検査方法に関し、特に、半導体集積回路
の製造に使用するレチクル等を作成するためのビーム描
画装置および該装置における検査方法に関する。近年、
半導体集積回路装置のパターン高集積化および微細化に
伴って、例えば、半導体集積回路の製造に使用するレチ
クルのパターン検査に対しても高速化および高精度化が
要求され、また、開発の短納期が要求されている。その
ため、基板に形成されたパターンおよび表面の検査を早
期に短時間で行うことが要望されている。
該装置における検査方法に関し、特に、半導体集積回路
の製造に使用するレチクル等を作成するためのビーム描
画装置および該装置における検査方法に関する。近年、
半導体集積回路装置のパターン高集積化および微細化に
伴って、例えば、半導体集積回路の製造に使用するレチ
クルのパターン検査に対しても高速化および高精度化が
要求され、また、開発の短納期が要求されている。その
ため、基板に形成されたパターンおよび表面の検査を早
期に短時間で行うことが要望されている。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体集積回路装置は、様々な処
理工程を経て製造されるが、これらの処理工程の内、レ
チクルを使用したフォトエッチング処理も頻繁に利用さ
れるものの一つである。このようなレチクルは、例えば
、電子ビーム描画装置を使用して、基板上に所定パター
ンの遮光層を形成することにより作成される。
理工程を経て製造されるが、これらの処理工程の内、レ
チクルを使用したフォトエッチング処理も頻繁に利用さ
れるものの一つである。このようなレチクルは、例えば
、電子ビーム描画装置を使用して、基板上に所定パター
ンの遮光層を形成することにより作成される。
【０００３】図６は半導体集積回路装置の製造に使用す
るレチクルを作成する様子を示す図である。同図に示さ
れるように、半導体集積回路装置を製造するために使用
されるレチクルは、基板（石英ガラス）１０ａ上にクロ
ム層１０ｂおよびフォトレジスト層１０ｃ を積層した
試料（レチクル）１０に対して電子ビームＥＢを走査し
、所定のパターンを描画するようになっている。さらに
、試料１０に対して現像処理等を行って、基板１０ａ
上に所定のクロムパターン（１０ｂ） を形成するよう
になっている。
るレチクルを作成する様子を示す図である。同図に示さ
れるように、半導体集積回路装置を製造するために使用
されるレチクルは、基板（石英ガラス）１０ａ上にクロ
ム層１０ｂおよびフォトレジスト層１０ｃ を積層した
試料（レチクル）１０に対して電子ビームＥＢを走査し
、所定のパターンを描画するようになっている。さらに
、試料１０に対して現像処理等を行って、基板１０ａ
上に所定のクロムパターン（１０ｂ） を形成するよう
になっている。
【０００４】図７は従来のビーム描画装置における検査
方法の一例の流れを示すブロック図である。同図に示さ
れるように、従来方法では、まず、ステップ１０１ で
基板１０ａ（レジスト層１０ｃ）の表面検査が行われ、
次いで、ステップ１０２ で、例えば、試料１０に対し
て電子ビームＥＢを照射して所定のパターンが描画され
る。さらに、ステップ１０３ に進んで、現像等の処理
工程が実行され、さらに、ステップ１０４ に進んで、
再びパターン面（基板１０ａ またはクロム層１０ｂ）
の表面検査が行われる。その後、ステップ１０５ で、
パターンとデータの照合検査が行われ、そして、ステッ
プ１０６ で、精度検査等が行われるようになっている
。なお、ステップ１０６ における精度検査等が終了す
ると、次の工程へ進むことになる。
方法の一例の流れを示すブロック図である。同図に示さ
れるように、従来方法では、まず、ステップ１０１ で
基板１０ａ（レジスト層１０ｃ）の表面検査が行われ、
次いで、ステップ１０２ で、例えば、試料１０に対し
て電子ビームＥＢを照射して所定のパターンが描画され
る。さらに、ステップ１０３ に進んで、現像等の処理
工程が実行され、さらに、ステップ１０４ に進んで、
再びパターン面（基板１０ａ またはクロム層１０ｂ）
の表面検査が行われる。その後、ステップ１０５ で、
パターンとデータの照合検査が行われ、そして、ステッ
プ１０６ で、精度検査等が行われるようになっている
。なお、ステップ１０６ における精度検査等が終了す
ると、次の工程へ進むことになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のビーム描画装置における検査は、例えば、図７に示さ
れるようなステップ １０１〜１０６により実行されて
いる。 しかし、半導体集積回路装置に対する開発の短納期が要
求されている現在においては、従来の工程 （ステップ
１０１〜１０６）を全て実行していたのでは、時間が
掛かり過ぎて開発の短納期の要求を満足することができ
ない。
のビーム描画装置における検査は、例えば、図７に示さ
れるようなステップ １０１〜１０６により実行されて
いる。 しかし、半導体集積回路装置に対する開発の短納期が要
求されている現在においては、従来の工程 （ステップ
１０１〜１０６）を全て実行していたのでは、時間が
掛かり過ぎて開発の短納期の要求を満足することができ
ない。
【０００６】すなわち、従来のビーム描画技術では、パ
ターン描画（ステップ１０１）〜処理工程（ステップ１
０３）で発生した欠陥については、後工程の表面検査（
ステップ１０４）まで判明しないため、欠陥に対する原
因追求が困難となる場合が多く、また、データ照合検査
のためのデータも必要となるため、検査工程が複雑にな
る問題がある。さらに、従来のビーム描画技術は、検査
を高感度で行うためには高精度な検査装置が必要となり
、実際上は、高精度な検査を行うことが困難であり、ま
た、工程数が多いために長時間を要するといった問題が
ある。
ターン描画（ステップ１０１）〜処理工程（ステップ１
０３）で発生した欠陥については、後工程の表面検査（
ステップ１０４）まで判明しないため、欠陥に対する原
因追求が困難となる場合が多く、また、データ照合検査
のためのデータも必要となるため、検査工程が複雑にな
る問題がある。さらに、従来のビーム描画技術は、検査
を高感度で行うためには高精度な検査装置が必要となり
、実際上は、高精度な検査を行うことが困難であり、ま
た、工程数が多いために長時間を要するといった問題が
ある。
【０００７】本発明は、上述した従来のビーム描画技術
が有する課題に鑑み、基板に形成されたパターンおよび
表面の検査を短時間に且つ早い段階で行って、無駄な処
理工程を減少すると共に、半導体集積回路装置の開発期
間を短縮することを目的とする。
が有する課題に鑑み、基板に形成されたパターンおよび
表面の検査を短時間に且つ早い段階で行って、無駄な処
理工程を減少すると共に、半導体集積回路装置の開発期
間を短縮することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、試料１
０に対してビームＥＢを照射し、所定のパターンを描画
するビーム描画装置における検査方法であって、パター
ン描画時において、前記パターン描画を行うために照射
したビームＥＢによる前記試料１０からの反射信号ＲＳ
を検出して当該試料１０の表面検査を同時に行うように
したことを特徴とするビーム描画装置における検査方法
が提供される。
０に対してビームＥＢを照射し、所定のパターンを描画
するビーム描画装置における検査方法であって、パター
ン描画時において、前記パターン描画を行うために照射
したビームＥＢによる前記試料１０からの反射信号ＲＳ
を検出して当該試料１０の表面検査を同時に行うように
したことを特徴とするビーム描画装置における検査方法
が提供される。
【０００９】
【作用】図１は本発明に係るビーム描画装置における検
査方法の流れを示すブロック図である。同図に示される
ように、本発明のビーム描画装置における検査方法では
、まず、ステップ１で基板１０ａ（レジスト層１０ｃ）
の表面検査が行われる。次いで、ステップ２に進んで、
例えば、試料１０に対して電子ビームＥＢを照射して所
定のパターンが描画されるが、この時、照射したビーム
ＥＢによる試料１０からの反射信号ＲＳが検出され、描
画時の表面検査（異物の付着等の検査）およびパターン
とデータの照合検査（描画時におけるパターン欠陥等の
検査）が同時に行われる。その後、ステップ３に進んで
、現像等の処理工程（現像、エッチング、レジスト剥離
等の工程）が実行され、さらに、ステップ４に進んで、
精度検査等が行われる。また、ステップ４における精度
検査等が終了すると、次の工程へ進むことになる。
査方法の流れを示すブロック図である。同図に示される
ように、本発明のビーム描画装置における検査方法では
、まず、ステップ１で基板１０ａ（レジスト層１０ｃ）
の表面検査が行われる。次いで、ステップ２に進んで、
例えば、試料１０に対して電子ビームＥＢを照射して所
定のパターンが描画されるが、この時、照射したビーム
ＥＢによる試料１０からの反射信号ＲＳが検出され、描
画時の表面検査（異物の付着等の検査）およびパターン
とデータの照合検査（描画時におけるパターン欠陥等の
検査）が同時に行われる。その後、ステップ３に進んで
、現像等の処理工程（現像、エッチング、レジスト剥離
等の工程）が実行され、さらに、ステップ４に進んで、
精度検査等が行われる。また、ステップ４における精度
検査等が終了すると、次の工程へ進むことになる。
【００１０】このように、本発明のビーム描画装置にお
ける検査方法によれば、パターン描画時において、パタ
ーン描画を行うために照射したビームＥＢによる試料１
０からの反射信号ＲＳが検出される。この反射信号ＲＳ
により、試料１０に対してビームＥＢを照射して所定の
パターンを描画するのと同時に、試料１０の表面検査を
行うことができる。これにより、基板に形成されたパタ
ーンおよび表面の検査を短時間に且つ早い段階で行って
、無駄な処理工程を減少すると共に、半導体集積回路装
置の開発期間を短縮することができる。
ける検査方法によれば、パターン描画時において、パタ
ーン描画を行うために照射したビームＥＢによる試料１
０からの反射信号ＲＳが検出される。この反射信号ＲＳ
により、試料１０に対してビームＥＢを照射して所定の
パターンを描画するのと同時に、試料１０の表面検査を
行うことができる。これにより、基板に形成されたパタ
ーンおよび表面の検査を短時間に且つ早い段階で行って
、無駄な処理工程を減少すると共に、半導体集積回路装
置の開発期間を短縮することができる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して本発明に係るビーム描
画装置の一実施例を説明する。図２は本発明に係るビー
ム描画装置の一実施例を示すブロック図であり、半導体
集積回路装置を製造するのに使用されるレチクルを作成
するための電子ビーム描画装置を示すものである。同図
に示されるように、本実施例の電子ビーム描画装置は、
装置制御計算機５１， 描画データ管理部５２， 検査
部６， コラム部７および装置制御系８を具備している
。装置制御系８は、パターン発生ユニット・パターン補
正ユニット８１およびステージ制御ユニット・ステージ
補正ユニット８２を備えている。
画装置の一実施例を説明する。図２は本発明に係るビー
ム描画装置の一実施例を示すブロック図であり、半導体
集積回路装置を製造するのに使用されるレチクルを作成
するための電子ビーム描画装置を示すものである。同図
に示されるように、本実施例の電子ビーム描画装置は、
装置制御計算機５１， 描画データ管理部５２， 検査
部６， コラム部７および装置制御系８を具備している
。装置制御系８は、パターン発生ユニット・パターン補
正ユニット８１およびステージ制御ユニット・ステージ
補正ユニット８２を備えている。
【００１２】コラム部７は、通常の電子ビーム描画装置
と同様に、試１０に対して電子ビームＥＢを照射するた
めの機構７３（電子銃， グリッド， アノード， 複
数のレンズ， 絞り並びに位置偏向器等）およびステー
ジ７１を備え、それぞれパターン発生ユニット・パター
ン補正ユニット８１およびステージ制御ユニット・ステ
ージ補正ユニット８２により制御されるようになってい
る。さらに、コラム部７には、ステージ７１の上方部に
反射電子信号検出器７２が設けられ、ステージ７１に載
置された試料１０に対して照射された電子ビームが該試
料１０で反射された信号ＲＳを検出するようになってい
る。
と同様に、試１０に対して電子ビームＥＢを照射するた
めの機構７３（電子銃， グリッド， アノード， 複
数のレンズ， 絞り並びに位置偏向器等）およびステー
ジ７１を備え、それぞれパターン発生ユニット・パター
ン補正ユニット８１およびステージ制御ユニット・ステ
ージ補正ユニット８２により制御されるようになってい
る。さらに、コラム部７には、ステージ７１の上方部に
反射電子信号検出器７２が設けられ、ステージ７１に載
置された試料１０に対して照射された電子ビームが該試
料１０で反射された信号ＲＳを検出するようになってい
る。
【００１３】ここで、参照符号５３は設計データ， ９
１は反射電子信号， ９２は描画データを示し、また、
参照符号Ｓ１は反射電子信号検出器７２により検出され
た反射信号ＲＳに応じた信号， Ｓ２は所定のパターン
を描画するための制御信号を示し、そして、参照符号Ｄ
１は実際にパターンを描画するために照射ビームＥＢを
駆動制御するパターンデータ， Ｄ２は描画すべきパタ
ーンの設計データを示している。
１は反射電子信号， ９２は描画データを示し、また、
参照符号Ｓ１は反射電子信号検出器７２により検出され
た反射信号ＲＳに応じた信号， Ｓ２は所定のパターン
を描画するための制御信号を示し、そして、参照符号Ｄ
１は実際にパターンを描画するために照射ビームＥＢを
駆動制御するパターンデータ， Ｄ２は描画すべきパタ
ーンの設計データを示している。
【００１４】図３は図２のビーム描画装置における検査
部の処理を説明するための図である。同図に示されるよ
うに、検査部６は、信号 Ｓ１（反射電子信号） およ
び信号 Ｓ２（信号の真理値） が供給される反射電子
信号比較検査部６１と、データ Ｄ１（描画用データ）
およびデータ Ｄ２（設計データ） が供給されるデ
ータ比較検査部６２とを備えている。
部の処理を説明するための図である。同図に示されるよ
うに、検査部６は、信号 Ｓ１（反射電子信号） およ
び信号 Ｓ２（信号の真理値） が供給される反射電子
信号比較検査部６１と、データ Ｄ１（描画用データ）
およびデータ Ｄ２（設計データ） が供給されるデ
ータ比較検査部６２とを備えている。
【００１５】反射電子信号比較検査部６１は、反射電子
信号 Ｓ１（反射電子信号検出器７２により検出された
反射信号ＲＳに応じた信号） と、信号の真理値 Ｓ２
（所定のパターンを描画するための制御信号） とを比
較して試料１０の表面の検査を実行するためのものであ
る。また、データ比較検査部６２は、描画用データ Ｄ
１（実際にパターンを描画するために照射ビームＥＢを
駆動制御するパターンデータ） と、設計データ Ｄ２
（描画すべきパターンの設計データ）との照合検査を行
うためのものである。ここで、パターンデータは設計デ
ータに対して所定の処理を行って作成する場合が多いた
め、比較処理を行うデータも同一の処理を行った検査用
データを用いる。また、装置を使用し、パターンデータ
に対して所定の処理を行って描画する場合にも、比較処
理を行うデータ（設計データ）も同一の処理を行った検
査用データを用いる。尚、上記の所定の処理とは、具体
的には、チップの縮小（拡大）、パターン幅または線幅
の縮小（拡大）、および、露光部と非露光部の反転等の
処理である。
信号 Ｓ１（反射電子信号検出器７２により検出された
反射信号ＲＳに応じた信号） と、信号の真理値 Ｓ２
（所定のパターンを描画するための制御信号） とを比
較して試料１０の表面の検査を実行するためのものであ
る。また、データ比較検査部６２は、描画用データ Ｄ
１（実際にパターンを描画するために照射ビームＥＢを
駆動制御するパターンデータ） と、設計データ Ｄ２
（描画すべきパターンの設計データ）との照合検査を行
うためのものである。ここで、パターンデータは設計デ
ータに対して所定の処理を行って作成する場合が多いた
め、比較処理を行うデータも同一の処理を行った検査用
データを用いる。また、装置を使用し、パターンデータ
に対して所定の処理を行って描画する場合にも、比較処
理を行うデータ（設計データ）も同一の処理を行った検
査用データを用いる。尚、上記の所定の処理とは、具体
的には、チップの縮小（拡大）、パターン幅または線幅
の縮小（拡大）、および、露光部と非露光部の反転等の
処理である。
【００１６】図４は図３に示す反射電子信号比較検査部
における試料の表面検査を説明するための図である。ま
ず、図４（ａ）に示されるように、異物が存在しない場
合の反射電子信号Ｓ１は、信号の真理値Ｓ２に対応した
波形となり、該波形は同一の信号レベル■となる。また
、図４（ｂ）および図４（ｃ）に示されるように、異物
が存在する場合（図６中の符号２０ａ，２０ｂ 参照）
の反射電子信号Ｓ１は、信号の真理値Ｓ２と対応しな
い波形個所が生じることになり、図４（ｂ）に示される
ように、反射電子信号Ｓ１の検出値が減少し（低い信号
レベル■が検出され）たり、逆に、図４（ｃ）に示され
るように、反射電子信号Ｓ１の検出値が増大し（高い信
号レベル■が検出され）たりする。ここで、スポットビ
ームの電子ビーム描画装置では、装置側のオン・オフか
ら信号の論理値（波形）を算出して比較することになる
。また、可変矩形ビームの電子ビーム描画装置では、装
置側のビームの大きさおよびビームのオン・オフ時間か
ら信号の論理値（波形）を算出して比較することになる
。
における試料の表面検査を説明するための図である。ま
ず、図４（ａ）に示されるように、異物が存在しない場
合の反射電子信号Ｓ１は、信号の真理値Ｓ２に対応した
波形となり、該波形は同一の信号レベル■となる。また
、図４（ｂ）および図４（ｃ）に示されるように、異物
が存在する場合（図６中の符号２０ａ，２０ｂ 参照）
の反射電子信号Ｓ１は、信号の真理値Ｓ２と対応しな
い波形個所が生じることになり、図４（ｂ）に示される
ように、反射電子信号Ｓ１の検出値が減少し（低い信号
レベル■が検出され）たり、逆に、図４（ｃ）に示され
るように、反射電子信号Ｓ１の検出値が増大し（高い信
号レベル■が検出され）たりする。ここで、スポットビ
ームの電子ビーム描画装置では、装置側のオン・オフか
ら信号の論理値（波形）を算出して比較することになる
。また、可変矩形ビームの電子ビーム描画装置では、装
置側のビームの大きさおよびビームのオン・オフ時間か
ら信号の論理値（波形）を算出して比較することになる
。
【００１７】このように、反射電子信号比較検査部６１
は、反射電子信号Ｓ１と信号の真理値Ｓ２とを比較して
信号レベルが変動する個所を検出することにより、試料
１０の表面における異物の存在の有無を判別して検査す
るようになっている。ここで、異物による反射電子信号
Ｓ１の検出値が増減は、異物の種類や該異物と検出され
る反射電子との相対角度等の様々な要因により変化する
が、反射電子信号Ｓ１が基準値（信号レベル■）から変
化することにより異物の存在の有無が判別できるように
なっている。
は、反射電子信号Ｓ１と信号の真理値Ｓ２とを比較して
信号レベルが変動する個所を検出することにより、試料
１０の表面における異物の存在の有無を判別して検査す
るようになっている。ここで、異物による反射電子信号
Ｓ１の検出値が増減は、異物の種類や該異物と検出され
る反射電子との相対角度等の様々な要因により変化する
が、反射電子信号Ｓ１が基準値（信号レベル■）から変
化することにより異物の存在の有無が判別できるように
なっている。
【００１８】図５は図３に示すデータ比較検査部の一構
成例を示す図である。データ比較検査部６２は、データ
形式が異なる設計データＤ２と、描画用データＤ１との
比較を行うために、データＤ２およびＤ１を画像対画像
で比較するようになっている。同図に示されるように、
データ比較検査部６２は、設計データ Ｄ２（レチクル
テープ５３） が供給されるビデオ変換ユニット６２ａ
と、比較制御ユニット６２ｂ と、描画用データ Ｄ
１（パターン発生ユニット・パターン補正ユニット８１
の出力） が供給されるビデオ変換ユニット６２ｃ と
で構成されている。ビデオ変換ユニット６２ａ は、レ
チクルテープ５３からの設計データを受け取るテープユ
ニット６２６，磁気テープメモリ６２５ａ，６２５ｂ，
ビデオ信号変換器６２３，磁気テープ制御部６２４，ビ
デオメモリ６２２ａ，６２２ｂ およびビデオ信号出力
制御部６２１ を備えている。ここで、磁気テープメモ
リ６２５ａ，６２５ｂおよびビデオメモリ６２２ａ，６
２２ｂ は、それぞれスイッチを介して１対ずつ設けら
れている。このビデオ変換ユニット６２ａ により、レ
チクルテープ５３からの設計データはビデオ信号（画像
信号）に変換されて比較制御ユニット６２ｂ へ供給さ
れる。
成例を示す図である。データ比較検査部６２は、データ
形式が異なる設計データＤ２と、描画用データＤ１との
比較を行うために、データＤ２およびＤ１を画像対画像
で比較するようになっている。同図に示されるように、
データ比較検査部６２は、設計データ Ｄ２（レチクル
テープ５３） が供給されるビデオ変換ユニット６２ａ
と、比較制御ユニット６２ｂ と、描画用データ Ｄ
１（パターン発生ユニット・パターン補正ユニット８１
の出力） が供給されるビデオ変換ユニット６２ｃ と
で構成されている。ビデオ変換ユニット６２ａ は、レ
チクルテープ５３からの設計データを受け取るテープユ
ニット６２６，磁気テープメモリ６２５ａ，６２５ｂ，
ビデオ信号変換器６２３，磁気テープ制御部６２４，ビ
デオメモリ６２２ａ，６２２ｂ およびビデオ信号出力
制御部６２１ を備えている。ここで、磁気テープメモ
リ６２５ａ，６２５ｂおよびビデオメモリ６２２ａ，６
２２ｂ は、それぞれスイッチを介して１対ずつ設けら
れている。このビデオ変換ユニット６２ａ により、レ
チクルテープ５３からの設計データはビデオ信号（画像
信号）に変換されて比較制御ユニット６２ｂ へ供給さ
れる。
【００１９】ビデオ変換ユニット６２ｃ は、上述した
ビデオ変換ユニット６２ａ と同様の構成であり、供給
されたパターン発生ユニット・パターン補正ユニット８
１の出力をビデオ信号（画像信号）に変換して比較制御
ユニット６２ｂ へ供給するようになっている。比較制
御ユニット６２ｂ は、比較器６２７，ビデオ増幅器６
２８，データ処理部６２９，プリンタ６２０ および複
数のモニタ等を備え、ビデオ変換ユニット６２ａおよび
ビデオ変換ユニット６２ｃ から供給されたビデオ信号
を比較するようになっている。これにより、データ比較
検査部６２において、描画用データ Ｄ１（実際にパタ
ーンを描画するために照射ビームＥＢを駆動制御するパ
ターンデータ） と、設計データ Ｄ２（描画すべきパ
ターンの設計データ） とが画像対画像の形式で照合検
査されることになる。ここで、ビデオ変換ユニット６２
ａ，６２ｃ および比較制御ユニット６２ｂ は、従来
より知られている技術を用いて様々な構成とすることが
できるのはいうまでもない。
ビデオ変換ユニット６２ａ と同様の構成であり、供給
されたパターン発生ユニット・パターン補正ユニット８
１の出力をビデオ信号（画像信号）に変換して比較制御
ユニット６２ｂ へ供給するようになっている。比較制
御ユニット６２ｂ は、比較器６２７，ビデオ増幅器６
２８，データ処理部６２９，プリンタ６２０ および複
数のモニタ等を備え、ビデオ変換ユニット６２ａおよび
ビデオ変換ユニット６２ｃ から供給されたビデオ信号
を比較するようになっている。これにより、データ比較
検査部６２において、描画用データ Ｄ１（実際にパタ
ーンを描画するために照射ビームＥＢを駆動制御するパ
ターンデータ） と、設計データ Ｄ２（描画すべきパ
ターンの設計データ） とが画像対画像の形式で照合検
査されることになる。ここで、ビデオ変換ユニット６２
ａ，６２ｃ および比較制御ユニット６２ｂ は、従来
より知られている技術を用いて様々な構成とすることが
できるのはいうまでもない。
【００２０】以上、詳述したように、本実施例の電子ビ
ーム描画装置は、電子ビームを照射して試料にパターン
を描画する時に、該試料からの反射電子の信号をモニタ
リングして信号の異常を監視することによりパターン描
画時の表面検査を行うことができ、さらに、パターンデ
ータと描画時の信号の比較を行うことによってデータ照
合検査をも同時に行うことができる。また、電子ビーム
描画装置は、高精度な検出機能を有する装置であるため
、検査も高い精度で行うことができる。さらに、本実施
例の電子ビーム描画装置によれば、パターン描画時に同
時に検査が行えるため、パターン描画に起因する欠陥の
原因追求が容易になり、データ照合検査のためのデータ
も不要となり、そして、検査工程が簡略化されて短時間
でパターン描画〜検査を行うことが可能となる。
ーム描画装置は、電子ビームを照射して試料にパターン
を描画する時に、該試料からの反射電子の信号をモニタ
リングして信号の異常を監視することによりパターン描
画時の表面検査を行うことができ、さらに、パターンデ
ータと描画時の信号の比較を行うことによってデータ照
合検査をも同時に行うことができる。また、電子ビーム
描画装置は、高精度な検出機能を有する装置であるため
、検査も高い精度で行うことができる。さらに、本実施
例の電子ビーム描画装置によれば、パターン描画時に同
時に検査が行えるため、パターン描画に起因する欠陥の
原因追求が容易になり、データ照合検査のためのデータ
も不要となり、そして、検査工程が簡略化されて短時間
でパターン描画〜検査を行うことが可能となる。
【００２１】
【発明の効果】以上、詳述したように、本発明によれば
、基板に形成されたパターンおよび表面の検査を短時間
に且つ早い段階で行って、無駄な処理工程を減少すると
共に、半導体集積回路装置の開発期間を短縮することが
できる。
、基板に形成されたパターンおよび表面の検査を短時間
に且つ早い段階で行って、無駄な処理工程を減少すると
共に、半導体集積回路装置の開発期間を短縮することが
できる。
【図１】本発明に係るビーム描画装置における検査方法
の流れを示すブロック図である。
の流れを示すブロック図である。
【図２】本発明に係るビーム描画装置の一実施例を示す
ブロック図である。
ブロック図である。
【図３】図２のビーム描画装置における検査部の処理を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図４】図３に示す反射電子信号比較検査部における試
料の表面検査を説明するための図である。
料の表面検査を説明するための図である。
【図５】図３に示すデータ比較検査部の一構成例を示す
図である。
図である。
【図６】半導体集積回路装置の製造に使用するレチクル
を作成する様子を示す図である。
を作成する様子を示す図である。
【図７】従来のビーム描画装置における検査方法の一例
の流れを示すブロック図である。
の流れを示すブロック図である。
１…基板の表面検査
２…パターン描画・描画時の表面検査・パターンとデー
タの照合検査 ３…処理工程（現像等） ４…精度検査他 ５１…装置制御計算機 ５２…描画データ管理部 ５３…設計データ ６…検査部 ６１…反射電子信号比較検査部 ６２…データ比較検査部 ７…コラム部 ７１…ステージ ７２…反射電子信号検出器 ８…装置制御系 １０…試料 １０ａ …石英ガラス（基板） １０ｂ …クロム層 １０ｃ …レジスト ＥＢ…照射ビーム（電子ビーム） ＲＳ…反射信号
タの照合検査 ３…処理工程（現像等） ４…精度検査他 ５１…装置制御計算機 ５２…描画データ管理部 ５３…設計データ ６…検査部 ６１…反射電子信号比較検査部 ６２…データ比較検査部 ７…コラム部 ７１…ステージ ７２…反射電子信号検出器 ８…装置制御系 １０…試料 １０ａ …石英ガラス（基板） １０ｂ …クロム層 １０ｃ …レジスト ＥＢ…照射ビーム（電子ビーム） ＲＳ…反射信号
Claims (8)
- 【請求項１】 試料（１０）に対してビーム（ＥＢ）
を照射し、所定のパターンを描画するビーム描画装置に
おける検査方法であって、パターン描画時において、前
記パターン描画を行うために照射したビームによる前記
試料からの反射信号（ＲＳ）を検出して当該試料の表面
検査を同時に行うようにしたことを特徴とするビーム描
画装置における検査方法。 - 【請求項２】 前記ビーム描画装置は、半導体集積回
路の製造に使用するレチクルを作成するための電子ビー
ム描画装置であり、レチクルパターンを描画するために
照射した電子ビーム（ＥＢ）による前記試料（１０）か
らの反射信号（ＲＳ）の強度を検出して当該試料の表面
における異物（２０ａ，２０ｂ） の有無を検出するよ
うになっていることを特徴とする請求項１のビーム描画
装置における検査方法。 - 【請求項３】 前記ビーム描画装置は、前記試料から
の反射信号（ＲＳ）に応じた信号（Ｓ１）と、前記所定
のパターンを描画するための制御信号（Ｓ２）とを比較
して前記試料表面の検査を実行するようになっているこ
とを特徴とする請求項１のビーム描画装置における検査
方法。 - 【請求項４】 前記ビーム描画装置の検査方法は、さ
らに、パターン描画時において、実際にパターンを描画
するために照射ビーム（ＥＢ）を駆動制御するパターン
データ（Ｄ１）と描画すべきパターンの設計データ（Ｄ
２）との照合検査を行うようになっていることを特徴と
する請求項１のビーム描画装置における検査方法。 - 【請求項５】 試料（１０）に対してビーム（ＥＢ）
を照射し、所定のパターンを描画するビーム描画装置で
あって、前記試料に対して照射したビームが当該試料か
ら反射される信号（ＲＳ）を検出する反射信号検出手段
（７２）と、パターン描画時において、該試料からの反
射信号により当該試料の表面検査を即刻行うパターン描
画時検査実行手段（６） とを具備することを特徴とす
るビーム描画装置。 - 【請求項６】 前記ビーム描画装置は、半導体集積回
路の製造に使用するレチクルを作成するための電子ビー
ム描画装置であり、前記反射信号検出手段（７２）は、
レチクルパターンを描画するために照射した電子ビーム
（ＥＢ）による前記試料（１０）からの反射信号（ＲＳ
）の強度を検出するようになっていることを特徴とする
請求項５のビーム描画装置。 - 【請求項７】 前記パターン描画時検査実行手段（６
） は、前記反射信号検出手段（７２）により検出され
た反射信号（ＲＳ）に応じた信号（Ｓ１）と、前記所定
のパターンを描画するための制御信号（Ｓ２）とを比較
して前記試料表面の検査を実行するようになっているこ
とを特徴とする請求項５のビーム描画装置。 - 【請求項８】 前記パターン描画時検査実行手段（６
） は、さらに、パターン描画時において、実際にパタ
ーンを描画するために照射ビーム（ＥＢ）を駆動制御す
るパターンデータ（Ｄ１）と描画すべきパターンの設計
データ（Ｄ２）との照合検査を行うようになっているこ
とを特徴とする請求項５のビーム描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3001423A JPH04252044A (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | ビーム描画装置および該装置における検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3001423A JPH04252044A (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | ビーム描画装置および該装置における検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04252044A true JPH04252044A (ja) | 1992-09-08 |
Family
ID=11501053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3001423A Withdrawn JPH04252044A (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | ビーム描画装置および該装置における検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04252044A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6925629B2 (en) | 2002-09-02 | 2005-08-02 | Nec Corporation | Reticle fabrication method |
-
1991
- 1991-01-10 JP JP3001423A patent/JPH04252044A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6925629B2 (en) | 2002-09-02 | 2005-08-02 | Nec Corporation | Reticle fabrication method |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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