JPH04252083A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims abstract description 9
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- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
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- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 8
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光通信や光情報処理に用
いられる半導体発光素子に関する。
いられる半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体発光素子は光通信や光情報処理に
欠くことのできない素子としてその高効率高性能化が要
請されている。これらの半導体発光素子は禁制帯幅の異
なる半導体を積層してつくられるものが多い。
欠くことのできない素子としてその高効率高性能化が要
請されている。これらの半導体発光素子は禁制帯幅の異
なる半導体を積層してつくられるものが多い。
【０００３】これらの積層膜の界面は、最近の結晶成長
技術の進展に伴い組成の急峻な界面が得られるようにな
っている。これらの界面の急峻性は、発光層においては
電子・正孔キャリヤの閉じ込めを容易にし発光の高効率
化には有効である。しかし、発光層を挟む電流通電層部
分においては禁制帯幅差が大きいと界面に生じるヘテロ
ポテンシャルがキャリヤの空乏層を発生させ、そのため
素子の直列抵抗が大きくなる問題点が従来あった。
技術の進展に伴い組成の急峻な界面が得られるようにな
っている。これらの界面の急峻性は、発光層においては
電子・正孔キャリヤの閉じ込めを容易にし発光の高効率
化には有効である。しかし、発光層を挟む電流通電層部
分においては禁制帯幅差が大きいと界面に生じるヘテロ
ポテンシャルがキャリヤの空乏層を発生させ、そのため
素子の直列抵抗が大きくなる問題点が従来あった。
【０００４】なかでも最近、４分の１波長相当膜厚の高
反射多層膜を発光層の上下に積層した構造の面型発光素
子が開発されつつある。このような面型発光素子は、微
小サイズで高効率、集積可能な利点が期待されているが
、従来の面発光素子は、多層膜部分での直列抵抗が異常
に高く、熱発生を伴って発光効率が低い問題点があった
。この問題点は、アプライド・フィジックス・レターズ
（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．）５６巻１９９０年
２４９６−２４９８頁にＧａＡｓとＡｌ組成比ｘが０．
７のＡｌｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓからなる多層膜の例が記
載されている。そして、この問題点は、Ａｌ組成ｘが０
．３５と中間組成のＡｌＧａＡｓ層を挿入する階段状構
造にする、あるいは、平均組成が等間隔の階段状になる
ような膜厚比のＧａＡｓとｘ＝０．７のＡｌＧａＡｓ層
とを積層するスーパーラティス構造にすることで改善さ
れると報告されている。しかし、このような改善でも素
子として使用すると発熱により素子特性が悪化するなど
なお直列抵抗が高い点が問題点であった。
反射多層膜を発光層の上下に積層した構造の面型発光素
子が開発されつつある。このような面型発光素子は、微
小サイズで高効率、集積可能な利点が期待されているが
、従来の面発光素子は、多層膜部分での直列抵抗が異常
に高く、熱発生を伴って発光効率が低い問題点があった
。この問題点は、アプライド・フィジックス・レターズ
（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．）５６巻１９９０年
２４９６−２４９８頁にＧａＡｓとＡｌ組成比ｘが０．
７のＡｌｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓからなる多層膜の例が記
載されている。そして、この問題点は、Ａｌ組成ｘが０
．３５と中間組成のＡｌＧａＡｓ層を挿入する階段状構
造にする、あるいは、平均組成が等間隔の階段状になる
ような膜厚比のＧａＡｓとｘ＝０．７のＡｌＧａＡｓ層
とを積層するスーパーラティス構造にすることで改善さ
れると報告されている。しかし、このような改善でも素
子として使用すると発熱により素子特性が悪化するなど
なお直列抵抗が高い点が問題点であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
の従来困難であった多層膜半導体の直列抵抗の低減を行
ない、発熱による素子特性悪化の少なく、かつ高集積可
能な半導体発光素子を提供することである。
の従来困難であった多層膜半導体の直列抵抗の低減を行
ない、発熱による素子特性悪化の少なく、かつ高集積可
能な半導体発光素子を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体発光素子
は最小禁制帯幅がΓ点に存在する第１の半導体とΓ点以
外に存在する第２の半導体とを交互に積層した多層膜で
発光層を挟んだ半導体発光素子において、前記第１と第
２の半導体の界面に禁制帯幅が均等間隔の階段状となる
半導体挿入層を有することを特徴とする。
は最小禁制帯幅がΓ点に存在する第１の半導体とΓ点以
外に存在する第２の半導体とを交互に積層した多層膜で
発光層を挟んだ半導体発光素子において、前記第１と第
２の半導体の界面に禁制帯幅が均等間隔の階段状となる
半導体挿入層を有することを特徴とする。
【０００７】
【作用】本発明の半導体発光素子は図１に示すように基
板１０の上に第１導電型で最小禁制帯幅がΓ点に存在す
る半導体１１とΓ点以外に存在する半導体１２とからな
る多層膜を積層し次いで発光層１３、更にその上に第２
導電型で最小禁制帯幅がΓ点以外に存在する半導体１４
、Γ点に存在する半導体１５とを積層し、電極１６、１
７を設けた構造を有する。この発光素子の電極に電圧を
かけ電流を流そうとすると従来の半導体発光素子では、
半導体１１と１２および半導体１４と１５の界面に禁制
帯幅の不連続性を反映してキャリヤの蓄積空乏化が生じ
キャリヤの空乏層部分において大きな直列抵抗が生じた
。これは従来の半導体発光素子では界面での禁制帯幅差
が未だ大きかったためと言える。このことは、図２のＧ
ａＡｓとＡｌｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓ界面における組成比
ｘと禁制帯幅の関係図の例により説明できる。すなわち
、従来例では図２の破線の交点２０に対応するＡｌ組成
比ｘ＝０．７のＡｌＧａＡｓとＧａＡｓとの界面に、点
２１に対応する組成比ｘ＝０．３５のＡｌＧａＡｓ層を
挿入することが行なわれていた。この従来例では、Ｇａ
Ａｓ層とｘ＝０．３５のＡｌＧａＡｓ層との禁制帯幅の
禁制帯幅差が未だ大きかったと言える。これに対し、本
発明では禁制帯幅差が均等の階段状となる半導体挿入層
を導入することにより、禁制帯幅差を実効的に小さくし
て直列抵抗を顕著に減少できる。
板１０の上に第１導電型で最小禁制帯幅がΓ点に存在す
る半導体１１とΓ点以外に存在する半導体１２とからな
る多層膜を積層し次いで発光層１３、更にその上に第２
導電型で最小禁制帯幅がΓ点以外に存在する半導体１４
、Γ点に存在する半導体１５とを積層し、電極１６、１
７を設けた構造を有する。この発光素子の電極に電圧を
かけ電流を流そうとすると従来の半導体発光素子では、
半導体１１と１２および半導体１４と１５の界面に禁制
帯幅の不連続性を反映してキャリヤの蓄積空乏化が生じ
キャリヤの空乏層部分において大きな直列抵抗が生じた
。これは従来の半導体発光素子では界面での禁制帯幅差
が未だ大きかったためと言える。このことは、図２のＧ
ａＡｓとＡｌｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓ界面における組成比
ｘと禁制帯幅の関係図の例により説明できる。すなわち
、従来例では図２の破線の交点２０に対応するＡｌ組成
比ｘ＝０．７のＡｌＧａＡｓとＧａＡｓとの界面に、点
２１に対応する組成比ｘ＝０．３５のＡｌＧａＡｓ層を
挿入することが行なわれていた。この従来例では、Ｇａ
Ａｓ層とｘ＝０．３５のＡｌＧａＡｓ層との禁制帯幅の
禁制帯幅差が未だ大きかったと言える。これに対し、本
発明では禁制帯幅差が均等の階段状となる半導体挿入層
を導入することにより、禁制帯幅差を実効的に小さくし
て直列抵抗を顕著に減少できる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例について更に詳しく説
明する。
明する。
【０００９】図１は本発明の一実施例の斜視図である。
本実施例ではＧａＡｓ基板１０上にｎ形のＧａＡｓ層１
１とｎ形のＡｌｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓ層１２とを交互に
積層しＡｌＧａＡｓ層からなるガイド層を介してノンド
ープのＩｎＧａＡｓ活性層１３とを積層し、更にｐ形Ａ
ｌｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓ層１４、ｐ形のＧａＡｓ層１５
とを交互に積層した。層１１、１２、１４、１５の膜厚
は活性層１３で発光した光に対し高反射鏡共振器を形成
するため媒質内波長の１／４倍の共鳴条件となるよう選
んだ。
１とｎ形のＡｌｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓ層１２とを交互に
積層しＡｌＧａＡｓ層からなるガイド層を介してノンド
ープのＩｎＧａＡｓ活性層１３とを積層し、更にｐ形Ａ
ｌｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓ層１４、ｐ形のＧａＡｓ層１５
とを交互に積層した。層１１、１２、１４、１５の膜厚
は活性層１３で発光した光に対し高反射鏡共振器を形成
するため媒質内波長の１／４倍の共鳴条件となるよう選
んだ。
【００１０】本発明では、上記１１と１２および１４と
１５の界面の禁制帯幅差を緩和させるため、禁制帯幅差
が均等の階段状となる禁制帯幅のｎ形ＡｌｘＧａ１−ｘ
Ａｓ層１８とｐ形Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓ層１９と
をそれぞれの界面に挿入した。挿入時の膜厚関係は上記
１／４波長共鳴条件を考慮した。
１５の界面の禁制帯幅差を緩和させるため、禁制帯幅差
が均等の階段状となる禁制帯幅のｎ形ＡｌｘＧａ１−ｘ
Ａｓ層１８とｐ形Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓ層１９と
をそれぞれの界面に挿入した。挿入時の膜厚関係は上記
１／４波長共鳴条件を考慮した。
【００１１】先ずＡｌＧａＡｓ層１２と１４のＡｌ組成
比ｘは従来例と同じ０．７にし、挿入層のＡｌ組成比ｘ
は従来値０．３５ではなく均等禁制帯幅差を与える図２
の２２の点すなわちｘ＝０．２５に選んだところ、多層
膜の直列抵抗は従来値の約６×１０−５Ωｃｍ２ の約
０．５倍へと減少し、素子の発熱が抑えられ素子特性が
顕著に改善された。
比ｘは従来例と同じ０．７にし、挿入層のＡｌ組成比ｘ
は従来値０．３５ではなく均等禁制帯幅差を与える図２
の２２の点すなわちｘ＝０．２５に選んだところ、多層
膜の直列抵抗は従来値の約６×１０−５Ωｃｍ２ の約
０．５倍へと減少し、素子の発熱が抑えられ素子特性が
顕著に改善された。
【００１２】次に多層膜の反射率を上げて発振しきい電
流値を下げる目的のため、層１２と１４のＡｌ組成比ｘ
を１とした場合、禁制帯幅差がｘ＝０．７の場合に比べ
拡大し直列抵抗が極めて大きいことが従来問題であった
。これに対し本発明では例として図２の点３０、３１、
３２、３３、３４の点のように均等禁制帯幅のＡｌＧａ
Ａｓ層を挿入層として選んだところ直列抵抗は従来値に
比べ顕著に減少した。もっと均等禁制帯幅の間隔の大き
さを小さくした多層の挿入層にすれば一層効果がある。
流値を下げる目的のため、層１２と１４のＡｌ組成比ｘ
を１とした場合、禁制帯幅差がｘ＝０．７の場合に比べ
拡大し直列抵抗が極めて大きいことが従来問題であった
。これに対し本発明では例として図２の点３０、３１、
３２、３３、３４の点のように均等禁制帯幅のＡｌＧａ
Ａｓ層を挿入層として選んだところ直列抵抗は従来値に
比べ顕著に減少した。もっと均等禁制帯幅の間隔の大き
さを小さくした多層の挿入層にすれば一層効果がある。
【００１３】本発明では挿入層１８、１９の組成比は禁
制帯幅の大きい層１２、１４の組成比より小さい層を階
段上に導入する例を示したが、禁制帯幅差が実効的に均
等であれば禁制帯幅層の大きい層１４または１２と禁制
帯幅の小さい層１５または１１を膜厚比を変えながら交
互に積層するスーパーラティス構造の場合も有効である
ことが容易に類推される。
制帯幅の大きい層１２、１４の組成比より小さい層を階
段上に導入する例を示したが、禁制帯幅差が実効的に均
等であれば禁制帯幅層の大きい層１４または１２と禁制
帯幅の小さい層１５または１１を膜厚比を変えながら交
互に積層するスーパーラティス構造の場合も有効である
ことが容易に類推される。
【００１４】また、ここでは多層膜の組合せがＧａＡｓ
とＡｌＧａＡｓの場合を示したが、同様に最小禁制帯幅
がΓ点とΓ点でない位置に存在する半導体の組合せ、例
えばＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰとＡｌＧａＡｓ
、ＡｌＧａＩｎＰ等との組合せにおいても本発明は有効
である。
とＡｌＧａＡｓの場合を示したが、同様に最小禁制帯幅
がΓ点とΓ点でない位置に存在する半導体の組合せ、例
えばＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰとＡｌＧａＡｓ
、ＡｌＧａＩｎＰ等との組合せにおいても本発明は有効
である。
【００１５】
【発明の効果】本発明の半導体発光素子は、直列抵抗が
低く従って発熱も少なくかつ高集積可能であり光通信・
光情報処理の光源素子に適する。
低く従って発熱も少なくかつ高集積可能であり光通信・
光情報処理の光源素子に適する。
【図１】本発明の一実施例の概略斜視図である。
【図２】本発明の半導体発光素子のＡｌ組成比ｘと禁制
帯幅の関係を示す図である。
帯幅の関係を示す図である。
１０ 基板
１１ 最小禁制帯幅がΓ点にある第１導電型層１２
最小禁制帯幅がΓ点以外にある第１導電型層１３
発光層 １４ 最小禁制帯幅がΓ点以外ある第２導電型層１５
最小禁制帯幅がΓ点にある第２導電型層１６ 電
極 １７ 電極
最小禁制帯幅がΓ点以外にある第１導電型層１３
発光層 １４ 最小禁制帯幅がΓ点以外ある第２導電型層１５
最小禁制帯幅がΓ点にある第２導電型層１６ 電
極 １７ 電極
Claims (1)
- 【請求項１】 最小禁制帯幅がΓ点に存在する第１の
半導体とΓ点以外に存在する第２の半導体とを交互に積
層した多層膜で発光層を挟んだ半導体発光素子において
、前記第１と第２の半導体の界面に、禁制帯幅が均等間
隔の階段状となる半導体挿入層を有することを特徴とす
る半導体発光素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3008182A JPH04252083A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 半導体発光素子 |
| US07/823,292 US5216685A (en) | 1991-01-28 | 1992-01-21 | Semiconductor light emitting device with luminescent layer sandwiched between quarter wavelength distributed Bragg reflectors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3008182A JPH04252083A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04252083A true JPH04252083A (ja) | 1992-09-08 |
Family
ID=11686168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3008182A Pending JPH04252083A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 半導体発光素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5216685A (ja) |
| JP (1) | JPH04252083A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014011261A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体発光素子 |
| CN113036008A (zh) * | 2021-03-12 | 2021-06-25 | 錼创显示科技股份有限公司 | 发光元件及显示面板 |
| US12414407B2 (en) | 2021-03-12 | 2025-09-09 | PlayNitride Display Co., Ltd. | Light-emitting element and display panel including a light guide structure to improve optical quality |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3052552B2 (ja) * | 1992-03-31 | 2000-06-12 | 株式会社日立製作所 | 面発光型半導体レーザ |
| SE501635C2 (sv) * | 1993-08-20 | 1995-04-03 | Asea Brown Boveri | Förfarande och anordning för utsändande av ljus med integrerad excitationskälla |
| US6795470B1 (en) * | 1999-06-09 | 2004-09-21 | Science Applications International Corporation | Semiconductor laser light source with photocurrent feedback control for single mode operation |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5052016A (en) * | 1990-05-18 | 1991-09-24 | University Of New Mexico | Resonant-periodic-gain distributed-feedback surface-emitting semiconductor laser |
| US5068868A (en) * | 1990-05-21 | 1991-11-26 | At&T Bell Laboratories | Vertical cavity surface emitting lasers with electrically conducting mirrors |
-
1991
- 1991-01-28 JP JP3008182A patent/JPH04252083A/ja active Pending
-
1992
- 1992-01-21 US US07/823,292 patent/US5216685A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014011261A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体発光素子 |
| CN113036008A (zh) * | 2021-03-12 | 2021-06-25 | 錼创显示科技股份有限公司 | 发光元件及显示面板 |
| CN113036008B (zh) * | 2021-03-12 | 2023-11-03 | 錼创显示科技股份有限公司 | 发光元件及显示面板 |
| US12414407B2 (en) | 2021-03-12 | 2025-09-09 | PlayNitride Display Co., Ltd. | Light-emitting element and display panel including a light guide structure to improve optical quality |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5216685A (en) | 1993-06-01 |
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