JPH04252085A - 電子冷却型赤外線検知器 - Google Patents
電子冷却型赤外線検知器Info
- Publication number
- JPH04252085A JPH04252085A JP3008233A JP823391A JPH04252085A JP H04252085 A JPH04252085 A JP H04252085A JP 3008233 A JP3008233 A JP 3008233A JP 823391 A JP823391 A JP 823391A JP H04252085 A JPH04252085 A JP H04252085A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- ceramic substrate
- hole
- infrared detector
- heat sink
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【産業上の利用分野】本発明は、熱電変換素子を多段実
装したサーモモジュールを用いて、赤外線検知素子を冷
却する電子冷却型赤外線検知器に関する。赤外線検知素
子は−６０℃前後に冷却しないと、その感度が低下する
。したがって、熱電変換素子を用いた多段構成のサーモ
モジュール上に赤外線検知素子を搭載し、熱電変換素子
のペルチエ効果を利用して、赤外線検知素子を冷却して
いる。
装したサーモモジュールを用いて、赤外線検知素子を冷
却する電子冷却型赤外線検知器に関する。赤外線検知素
子は−６０℃前後に冷却しないと、その感度が低下する
。したがって、熱電変換素子を用いた多段構成のサーモ
モジュール上に赤外線検知素子を搭載し、熱電変換素子
のペルチエ効果を利用して、赤外線検知素子を冷却して
いる。
【従来の技術】図３は従来の電子冷却型赤外線検知器の
断面図であって、１は、赤外線検知素子、２は熱電変換
素子を多段（図は２段）実装したサーモモジュールであ
る。サーモモジュール２は、上下一対のセラミック基板
４の間にマトリクス状に熱電変換素子３を配列した上段
モジュールと、上段モジュールの下のセラミック基板４
と最下段セラミック基板５の間に、上段モジュールの熱
電変換素子数より多い数量の熱電変換素子３を配列した
下段モジュールと、から構成されている。それぞれの段
の熱電変換素子３は、Ｐ型素子とＮ型素子とが交互に配
置され、セラミック基板に形成したパターン電極により
Ｐ型素子の上端面とＮ型素子の上端面が接続され、その
Ｎ型素子の下端面は、次列のＰ型素子の下端面に接続さ
れている。そして赤外線検知素子１を、サーモモジュー
ル２の最上部のセラミック基板４上に搭載している。一
方、１０は銅系合金等よりなる角板状のヒートシンク基
板であって、その上面に半田或いは接着剤等の接着材料
１５を用いて、サーモモジュール２の最下段セラミック
基板５の底面を接着して、サーモモジュール２をヒート
シンク基板１０に搭載している。２０は、ヒートシンク
基板１０を貫通しガラス封止された出力端子であり、２
５は、ヒートシンク基板１０を貫通しガラス封止された
給電端子である。出力端子２０の先端を金線等のワイヤ
２１を介して、赤外線検知素子１の電極に接続し、給電
端子２５の先端を金線等のワイヤ２６を介して、サーモ
モジュール２のセラミック基板面の電極パターンに接続
している。１１は、銅系合金等よりなる下部が開口した
角筒形のキャップである。キャップ１１の頭部の赤外線
検知素子１に対応する中央部に孔を設け、この孔をサフ
ァイヤ等の赤外線透過窓１２で封止している。赤外線検
知素子１及びサーモモジュール２を覆うように、上述の
キャップ１１を冠着し、その開口端面側をろう付けして
、ヒートシンク基板１０にキャップ１１を気密に固着し
ている。なお、キャップ１１とヒートシンク基板１０よ
りなる容器内は、高真空に封止されている。電子冷却型
赤外線検知器は上述のように構成されているので、Ｎ型
素子からＰ型素子に電流が流れるように給電端子２５に
電源を接続すると、サーモモジュール２は赤外線検知素
子１の熱を吸熱して、最下段セラミック基板５を経てヒ
ートシンク基板１０に伝達し、ヒートシンク基板１０か
ら外部に放出する。このようにして、赤外線検知素子１
の温度が−６０℃前後に冷却されているので、赤外線が
赤外線透過窓１２を透って、赤外線検知素子１の受光面
に入射すると、その量に応じた電流が出力端子に出力さ
れる。
断面図であって、１は、赤外線検知素子、２は熱電変換
素子を多段（図は２段）実装したサーモモジュールであ
る。サーモモジュール２は、上下一対のセラミック基板
４の間にマトリクス状に熱電変換素子３を配列した上段
モジュールと、上段モジュールの下のセラミック基板４
と最下段セラミック基板５の間に、上段モジュールの熱
電変換素子数より多い数量の熱電変換素子３を配列した
下段モジュールと、から構成されている。それぞれの段
の熱電変換素子３は、Ｐ型素子とＮ型素子とが交互に配
置され、セラミック基板に形成したパターン電極により
Ｐ型素子の上端面とＮ型素子の上端面が接続され、その
Ｎ型素子の下端面は、次列のＰ型素子の下端面に接続さ
れている。そして赤外線検知素子１を、サーモモジュー
ル２の最上部のセラミック基板４上に搭載している。一
方、１０は銅系合金等よりなる角板状のヒートシンク基
板であって、その上面に半田或いは接着剤等の接着材料
１５を用いて、サーモモジュール２の最下段セラミック
基板５の底面を接着して、サーモモジュール２をヒート
シンク基板１０に搭載している。２０は、ヒートシンク
基板１０を貫通しガラス封止された出力端子であり、２
５は、ヒートシンク基板１０を貫通しガラス封止された
給電端子である。出力端子２０の先端を金線等のワイヤ
２１を介して、赤外線検知素子１の電極に接続し、給電
端子２５の先端を金線等のワイヤ２６を介して、サーモ
モジュール２のセラミック基板面の電極パターンに接続
している。１１は、銅系合金等よりなる下部が開口した
角筒形のキャップである。キャップ１１の頭部の赤外線
検知素子１に対応する中央部に孔を設け、この孔をサフ
ァイヤ等の赤外線透過窓１２で封止している。赤外線検
知素子１及びサーモモジュール２を覆うように、上述の
キャップ１１を冠着し、その開口端面側をろう付けして
、ヒートシンク基板１０にキャップ１１を気密に固着し
ている。なお、キャップ１１とヒートシンク基板１０よ
りなる容器内は、高真空に封止されている。電子冷却型
赤外線検知器は上述のように構成されているので、Ｎ型
素子からＰ型素子に電流が流れるように給電端子２５に
電源を接続すると、サーモモジュール２は赤外線検知素
子１の熱を吸熱して、最下段セラミック基板５を経てヒ
ートシンク基板１０に伝達し、ヒートシンク基板１０か
ら外部に放出する。このようにして、赤外線検知素子１
の温度が−６０℃前後に冷却されているので、赤外線が
赤外線透過窓１２を透って、赤外線検知素子１の受光面
に入射すると、その量に応じた電流が出力端子に出力さ
れる。
【発明が解決しようとする課題】ところで、最下段セラ
ミック基板５とヒートシンク基板１０とは、平面同士が
当接した状態で接着剤又は半田等の接着材料１５で固着
しているので、接着材料１５が最下段セラミック基板５
の底面からはみ出している。一方、容器内は高真空であ
る。したがって、接着材料から水分， 有機ガス等が発
生して容器内に拡散し、これらのガスが最下段セラミッ
ク基板と赤外線検知素子間を対流して、熱を赤外線検知
素子側に運搬する。この結果赤外線検知素子の温度が上
がり、感度が低下するという問題点があった。本発明は
このような点に鑑みて創作されたもので、接着材料の発
生するガスが容器内に拡散することが阻止され、赤外線
検知素子の感度が低下することのない電子冷却型赤外線
検知器を提供することを目的としている。
ミック基板５とヒートシンク基板１０とは、平面同士が
当接した状態で接着剤又は半田等の接着材料１５で固着
しているので、接着材料１５が最下段セラミック基板５
の底面からはみ出している。一方、容器内は高真空であ
る。したがって、接着材料から水分， 有機ガス等が発
生して容器内に拡散し、これらのガスが最下段セラミッ
ク基板と赤外線検知素子間を対流して、熱を赤外線検知
素子側に運搬する。この結果赤外線検知素子の温度が上
がり、感度が低下するという問題点があった。本発明は
このような点に鑑みて創作されたもので、接着材料の発
生するガスが容器内に拡散することが阻止され、赤外線
検知素子の感度が低下することのない電子冷却型赤外線
検知器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、図１に例示したように、熱電変換素子３
を用いた多段構成のサーモモジュール２と、サーモモジ
ュール２上に搭載した赤外線検知素子１とを、キャップ
１１とヒートシンク基板１０とよりなる容器に、真空封
止した赤外線検知器において、サーモモジュール２の最
下段セラミック基板５が密接に嵌入する有底穴３１を、
ヒートシンク基板１０に設ける。また、有底穴３１の側
壁の全周に、高さが最下段セラミック基板５の厚さより
も小さい横溝３０を設ける。そして、最下段セラミック
基板５の底面を、接着材料１５を使用して穴底面３２に
固着する構成とする。また、最下段セラミック基板５の
側壁及び底面が、メタライズされた構成とする。
めに本発明は、図１に例示したように、熱電変換素子３
を用いた多段構成のサーモモジュール２と、サーモモジ
ュール２上に搭載した赤外線検知素子１とを、キャップ
１１とヒートシンク基板１０とよりなる容器に、真空封
止した赤外線検知器において、サーモモジュール２の最
下段セラミック基板５が密接に嵌入する有底穴３１を、
ヒートシンク基板１０に設ける。また、有底穴３１の側
壁の全周に、高さが最下段セラミック基板５の厚さより
も小さい横溝３０を設ける。そして、最下段セラミック
基板５の底面を、接着材料１５を使用して穴底面３２に
固着する構成とする。また、最下段セラミック基板５の
側壁及び底面が、メタライズされた構成とする。
【作用】本発明は上述のよう、ヒートシンク基板に設け
た有底穴の側壁の全周に、高さがサーモモジュールの最
下段セラミック基板の厚さよりも小さい横溝を設けると
ともに、最下段セラミック基板の側壁の上部を有底穴の
側壁に密接させている。したがって、最下段セラミック
基板の底面と穴底面とを接着した接着材料が、最下段セ
ラミック基板の底面からはみ出していても、その接着材
料部分から発生したガスは、横溝内に封じこめられる。 即ち、ガスが容器内に拡散することが阻止されるので、
赤外線検知素子の冷却が保証され、感度が低下すること
がない。なお、最下段セラミック基板の側壁及び底面を
メタライズすることにより、接着材料の発生するガスが
多孔質のセラミック基板を透過して、容器内に拡散する
ことがない。
た有底穴の側壁の全周に、高さがサーモモジュールの最
下段セラミック基板の厚さよりも小さい横溝を設けると
ともに、最下段セラミック基板の側壁の上部を有底穴の
側壁に密接させている。したがって、最下段セラミック
基板の底面と穴底面とを接着した接着材料が、最下段セ
ラミック基板の底面からはみ出していても、その接着材
料部分から発生したガスは、横溝内に封じこめられる。 即ち、ガスが容器内に拡散することが阻止されるので、
赤外線検知素子の冷却が保証され、感度が低下すること
がない。なお、最下段セラミック基板の側壁及び底面を
メタライズすることにより、接着材料の発生するガスが
多孔質のセラミック基板を透過して、容器内に拡散する
ことがない。
【実施例】以下図１及び図２を参照しながら、本発明を
具体的に説明する。なお、全図を通じて同一符号は同一
対象物を示す。図１は本発明の実施例の図で、（Ａ）
は断面図， （Ｂ） は要所断面図であり、図２は本発
明の他の実施例の要所断面図である。図１ において、
サーモモジュール２は上下一対のセラミック基板４の間
に、マトリクス状に熱電変換素子３を配列した上段モジ
ュールと、上段モジュールの下のセラミック基板４と最
下段セラミック基板５の間に、上段モジュールの熱電変
換素子数より多い数量の熱電変換素子３を配列した下段
モジュールと、から構成されている。それぞれの段の熱
電変換素子３は、Ｐ型素子とＮ型素子とが交互に配置さ
れ、セラミック基板に形成したパターン電極によりＰ型
素子の上端面とＮ型素子の上端面に接続し、そのＮ型素
子の下端面を次列のＰ型素子下端面に接続している。そ
して、赤外線検知素子１を、サーモモジュール２の最上
部のセラミック基板４上に搭載している。一方、銅系合
金等よりなるヒートシンク基板１０の上面の中央部に、
サーモモジュール２の最下段セラミック基板５が密接に
嵌入する有底穴３１を設け、その有底穴３１の側壁の全
周に、高さが最下段セラミック基板５の厚さよりも小さ
い有底穴側が開口した横溝３０を設けてある。なお、横
溝３０の下側面は、有底穴３１の穴底面３２と同一平面
である。サーモモジュール２の最下段セラミック基板５
を有底穴３１に差し込み、最下段セラミック基板５の底
面を半田または接着剤よりなる接着材料１５を使用して
、穴底面３２に固着している。横溝３０の高さが最下段
セラミック基板５の厚さよりも小さくしてあるので、最
下段セラミック基板５を穴底面３２に接着した状態で、
最下段セラミック基板５の側壁の上部は、有底穴の側壁
に密接している。一方、ヒートシンク基板１０を貫通し
ガラス封止された出力端子２０の先端を、金線等のワイ
ヤ２１を介して赤外線検知素子１の電極に接続している
。また、ヒートシンク基板１０を貫通しガラス封止され
た給電端子２５の先端を、金線等のワイヤ２６を介して
サーモモジュール２のセラミック基板面の電極パターン
に接続している。銅系合金等よりなる下部が開口した角
筒形で、頭部の孔をサファイヤ等の赤外線透過窓１２で
封止したキャップ１１を、赤外線検知素子１及びサーモ
モジュール２を覆うように冠着して、その開口端面側を
ろう付けすることで、ヒートシンク基板１０にキャップ
１１を気密に固着している。なお、キャップ１１とヒー
トシンク基板１０よりなる容器内は、高真空に封止され
ている。 本発明は上述のように構成されているので、最下段セラ
ミック基板５の底面と穴底面３２とを接着した接着材料
１５が、最下段セラミック基板の底面からはみ出してい
ても、そのはみ出した部分から発生したガスは、横溝３
０内に封じこめられている。したがって、ガスが容器内
に拡散することが阻止され、赤外線検知素子１の冷却性
能が低下することがない。図２において、ニッケル等で
メタライズすることで、最下段セラミック基板５の側壁
及び底面にメタライズ層４０を設けてある。したがって
、接着材料から発生するガスが多孔質の最下段セラミッ
ク基板５を透過して、容器内に拡散することがない。
具体的に説明する。なお、全図を通じて同一符号は同一
対象物を示す。図１は本発明の実施例の図で、（Ａ）
は断面図， （Ｂ） は要所断面図であり、図２は本発
明の他の実施例の要所断面図である。図１ において、
サーモモジュール２は上下一対のセラミック基板４の間
に、マトリクス状に熱電変換素子３を配列した上段モジ
ュールと、上段モジュールの下のセラミック基板４と最
下段セラミック基板５の間に、上段モジュールの熱電変
換素子数より多い数量の熱電変換素子３を配列した下段
モジュールと、から構成されている。それぞれの段の熱
電変換素子３は、Ｐ型素子とＮ型素子とが交互に配置さ
れ、セラミック基板に形成したパターン電極によりＰ型
素子の上端面とＮ型素子の上端面に接続し、そのＮ型素
子の下端面を次列のＰ型素子下端面に接続している。そ
して、赤外線検知素子１を、サーモモジュール２の最上
部のセラミック基板４上に搭載している。一方、銅系合
金等よりなるヒートシンク基板１０の上面の中央部に、
サーモモジュール２の最下段セラミック基板５が密接に
嵌入する有底穴３１を設け、その有底穴３１の側壁の全
周に、高さが最下段セラミック基板５の厚さよりも小さ
い有底穴側が開口した横溝３０を設けてある。なお、横
溝３０の下側面は、有底穴３１の穴底面３２と同一平面
である。サーモモジュール２の最下段セラミック基板５
を有底穴３１に差し込み、最下段セラミック基板５の底
面を半田または接着剤よりなる接着材料１５を使用して
、穴底面３２に固着している。横溝３０の高さが最下段
セラミック基板５の厚さよりも小さくしてあるので、最
下段セラミック基板５を穴底面３２に接着した状態で、
最下段セラミック基板５の側壁の上部は、有底穴の側壁
に密接している。一方、ヒートシンク基板１０を貫通し
ガラス封止された出力端子２０の先端を、金線等のワイ
ヤ２１を介して赤外線検知素子１の電極に接続している
。また、ヒートシンク基板１０を貫通しガラス封止され
た給電端子２５の先端を、金線等のワイヤ２６を介して
サーモモジュール２のセラミック基板面の電極パターン
に接続している。銅系合金等よりなる下部が開口した角
筒形で、頭部の孔をサファイヤ等の赤外線透過窓１２で
封止したキャップ１１を、赤外線検知素子１及びサーモ
モジュール２を覆うように冠着して、その開口端面側を
ろう付けすることで、ヒートシンク基板１０にキャップ
１１を気密に固着している。なお、キャップ１１とヒー
トシンク基板１０よりなる容器内は、高真空に封止され
ている。 本発明は上述のように構成されているので、最下段セラ
ミック基板５の底面と穴底面３２とを接着した接着材料
１５が、最下段セラミック基板の底面からはみ出してい
ても、そのはみ出した部分から発生したガスは、横溝３
０内に封じこめられている。したがって、ガスが容器内
に拡散することが阻止され、赤外線検知素子１の冷却性
能が低下することがない。図２において、ニッケル等で
メタライズすることで、最下段セラミック基板５の側壁
及び底面にメタライズ層４０を設けてある。したがって
、接着材料から発生するガスが多孔質の最下段セラミッ
ク基板５を透過して、容器内に拡散することがない。
【発明の効果】以上説明したように本発明は、電子冷却
型赤外線検知器のサーモモジュールとヒートシンク基板
とを接着する接着材料から発生するガスが、赤外線検知
素子を封止した容器内に拡散することがないようにした
ことにより、容器内の高真空度に保持され赤外線検知素
子の所定に低く冷却され、その感度が良好に保証される
という、実用上で優れた効果を有する。
型赤外線検知器のサーモモジュールとヒートシンク基板
とを接着する接着材料から発生するガスが、赤外線検知
素子を封止した容器内に拡散することがないようにした
ことにより、容器内の高真空度に保持され赤外線検知素
子の所定に低く冷却され、その感度が良好に保証される
という、実用上で優れた効果を有する。
【図１】 本発明の実施例の図で、（Ａ） は断面図
（Ｂ） は要所断面図
（Ｂ） は要所断面図
【図２】 本発明の他の実施例の要所断面図
【図３】
従来例の断面図
従来例の断面図
１ 赤外線検知素子、
２ サーモモジュール、３ 熱電変換
素子、
４ セラミック基板、５ 最下段セラミック基板、
１０ ヒートシンク基
板、１１ キャップ、
１２ 赤外線透過窓、１５
接着材料、
２０ 出力端子、２５ 給電端子
、
３０ 横溝、３１ 有底穴、
３２ 穴
底面、４０ メタライズ層、
２ サーモモジュール、３ 熱電変換
素子、
４ セラミック基板、５ 最下段セラミック基板、
１０ ヒートシンク基
板、１１ キャップ、
１２ 赤外線透過窓、１５
接着材料、
２０ 出力端子、２５ 給電端子
、
３０ 横溝、３１ 有底穴、
３２ 穴
底面、４０ メタライズ層、
Claims (2)
- 【請求項１】 熱電変換素子（３） を用いたサーモ
モジュール（２） と、該サーモモジュール（２） 上
に搭載した赤外線検知素子（１） とを、キャップ（１
１）とヒートシンク基板（１０）とよりなる容器に、真
空封止した赤外線検知器において、該サーモモジュール
（２） の最下段セラミック基板（５） が密接に嵌入
する、該ヒートシンク基板（１０）に穿孔した有底穴（
３１）と、該有底穴（３１）の側壁の全周に穿孔した、
高さが該最下段セラミック基板（５） の厚さよりも小
さい横溝（３０）とを有し、該最下段セラミック基板（
５） の底面を、接着材料（１５）を用いて穴底面（３
２）に固着したことを特徴とする電子冷却型赤外線検知
器。 - 【請求項２】 最下段セラミック基板（５） の側壁
及び底面が、メタライズされてなることを特徴とする請
求項１に記載の電子冷却型赤外線検知器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3008233A JPH04252085A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 電子冷却型赤外線検知器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3008233A JPH04252085A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 電子冷却型赤外線検知器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04252085A true JPH04252085A (ja) | 1992-09-08 |
Family
ID=11687438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3008233A Withdrawn JPH04252085A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 電子冷却型赤外線検知器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04252085A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06129898A (ja) * | 1992-10-15 | 1994-05-13 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線センサ |
| JP2016167494A (ja) * | 2015-03-09 | 2016-09-15 | アイシン精機株式会社 | 熱電変換デバイス |
-
1991
- 1991-01-28 JP JP3008233A patent/JPH04252085A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06129898A (ja) * | 1992-10-15 | 1994-05-13 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線センサ |
| JP2016167494A (ja) * | 2015-03-09 | 2016-09-15 | アイシン精機株式会社 | 熱電変換デバイス |
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