JPH04253328A - 表面処理装置 - Google Patents

表面処理装置

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JPH04253328A
JPH04253328A JP3008916A JP891691A JPH04253328A JP H04253328 A JPH04253328 A JP H04253328A JP 3008916 A JP3008916 A JP 3008916A JP 891691 A JP891691 A JP 891691A JP H04253328 A JPH04253328 A JP H04253328A
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etching
wafer
reaction chamber
plasma
charged particles
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Tetsuo Ono
哲郎 小野
Tatsumi Mizutani
巽 水谷
Keizo Suzuki
敬三 鈴木
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体や金属などの固体
を、高速でかつ低損傷にエッチングなどの処理をする装
置及び方法にかかわる。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体表面に微細パタンを作るエ
ッチングには、主にプラズマを利用していた。例えば、
ジャパニーズ　　ジャーナル　　オブ　　アプライド　
　フイジクス１２巻　　１５４頁　　１９７３年（Ｊａ
ｐａｎ．　Ｊ．　Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．　ｖｏｌ．１２
　　ｐ１５４（１９７３））では１３．６ＭＨｚ　の電
磁波でＣＦ４　のプラズマを作り、この中でＳｉやＳｉ
Ｏ２　をエッチングする方法を述べている。この方法は
湿式のエッチングと比較して細かいパターンを形成でき
る一方、プラズマ中の電荷により半導体基板に損傷が生
じる。
【０００３】電荷による損傷を防ぐために、電気的に中
性な粒子によりエッチングをする方法が、特開昭６１−
１１３７７５や特開昭６２−２５９４４３で知られてい
る。前者は塩素などの分子を炉で加熱して熱的に励起し
た分子線によりエッチングをする技術である。後者は、
プラズマで発生させたＡｒイオンなどを、基板に入射さ
せる前に電荷交換により中性ビーム化してこの運動エネ
ルギーで基板とハロゲンガスの反応を促進して、基板を
エッチングする技術である。これらの技術は電荷による
損傷を防げるが、従来のプラズマを利用したエッチング
と比べると処理速度が１０分の１から１０００分の１と
遅い欠点がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は電荷による基
板の損傷がなく、かつ、処理速度が速い表面処理装置を
提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明においては、電荷
を用いた高速処理と、中性粒子を用いた低損処理を組合
せて使う。
【０００６】
【作用】例えばエッチングでは、最初電荷を使いエッチ
ングをして、エッチングが終了する直前の薄い被エッチ
ング物質のみを中性粒子によりエッチングする。すると
、エッチングの途中では被エッチング物質の層が下地物
質を保護するので、電荷による損傷が抑えられる。被エ
ッチング物質が極薄くなり、電荷による損傷が表れ始め
るときに中性粒子エッチングに切り替えるので下地物質
への損傷は無くなる。かつ、中性粒子がエッチングする
厚さは極薄いのでエッチング時間も短い。
【０００７】
【実施例】図１は本発明の表面処理装置の構成図である
。プラズマを利用したエッチングと中性粒子によるエッ
チングがウエハを空気中に曝さずに連続して行える。 この装置でＳｉＯ２　上のＳｉをエッチングする例を説
明する。請求項で述べた下地物質とはエッチングの場合
は被エッチング物質の下になる物質で、この場合はＳｉ
Ｏ２である。反応室１にガス供給口２から例えばＣＦ４
　などのハロゲンを含むガスを供給する。試料台３の上
に半導体ウエハが置かれ、反応室内に例えば１３．６Ｍ
Ｈｚ　の高周波が電源４から供給される。これにより反
応室１内のプラズマでＣＦ４　が分解しＦラジカルがで
き、Ｓｉがエッチングされる。ここで被エッチング物質
の厚さを干渉膜圧計１１でモニターし残りわずかになっ
た時点でウエハを反応室９に移す。このときはハッチ５
を開けてウエハ搬送機６で試料台１０にウエハを移す。 反応室９，ウエハ移動室１２をあらかじめ真空に引いて
おけばウエハを大気中に曝すこと無く移動できる。反応
室９にはノズル８をとおして塩素などのハロゲンを含む
ガスを導入する。ガスは途中、ヒータ７で加熱される。 このように熱的に励起されたガスは反応性が高く基板を
エッチングできるが、電荷を持っていないので下地物質
に損傷を与えることが無い。また、この方法は、異方性
の高いエッチングができる。中性粒子によるエッチング
に切り替える目安は被エッチング物質や条件により変わ
るが、およそ１０ｎｍから１００ｎｍ残して中性に切り
替える。エッチング終了までの時間があらかじめわかっ
ているときは、膜厚モニターでは無く時間で切り替えて
も良い。この実施例では試料台３が電極をかねているが
、別に電極を設置したり、コイルで高周波を導入しても
良い。
【０００８】以上図１の装置を用いて、エッチングをす
る例を述べたが、つぎに同じ構成の装置で膜を堆積する
方法を説明する。堆積の場合はその上に膜が堆積される
物質を下地物質と定義する。例えばＳｉの上にＳｉＯ２
　を堆積する場合はにＳｉが下地物質である。堆積の場
合は、初め下地物質が露出しているので、中性粒子を使
う処理を先にする。まず反応室９でノズル８に酸素を流
しヒータ７で加熱して、Ｓｉウエハを酸化する。この処
理は荷電粒子を使う処理と比べ遅いが下地物質に損傷は
入らない。ウエハ全面に薄い酸化膜ができたら、ウエハ
を反応室１に移し、酸素プラズマを使い表面を酸化する
。 このときはウエハ表面は薄い酸化膜で保護されているの
で下地物質に損傷は入らずかつ酸化の速度も速い。
【０００９】実施例２ 図２は別実施例で、一つの反応室１３で荷電粒子を用い
た処理と中性粒子による処理ができる。ウエハは試料台
１５上に置かれる。初めガス導入口１６から反応性ガス
を入れ、電極１４に高周波をかける。これでプラズマを
発生させてウエハのエッチングをする。被エッチング物
質が薄くなった時点で電源４を切り、次にノズル８とヒ
ータ７で熱的に励起した分子線を生成し試料をエッチン
グする。この装置は小型になる利点がある。
【００１０】実施例３ 図３は中性粒子の生成方法を変えた実施例である。第２
図と荷電粒子を使う処理は同様である。荷電粒子による
処理が終わったら、ガス導入口１６から中性粒子エッチ
ング用のガスが導入される。反応室１３内では、ヒータ
１７により活性化面１８が熱せられている。反応性ガス
は活性化面１８に衝突して、熱的に励起されエッチング
能力を増し、試料台１５上のウエハに入射する。このと
き、入射する分子はランダムな方向を向いているので試
料は等法的にエッチングされる。異方性が必要な場合は
、入射分子に方向を揃えるためコリメーター１９をウエ
ハ前面に設ける。コリメーター１９は低温に冷却されて
いてこれに衝突した分子は基底状態に落ちてエッチング
能力を失う。このため、コリメーター１９の穴２０を衝
突なしで通過した分子のみがウエハをエッチングするの
で、ウエハに垂直なエッチングができる。活性化面１８
の材料は石英、セラミック、金属などが適している。 コリメーター１９も同様の材料で作る。
【００１１】実施例４ 図４は別実施例を示す。ここでは、プラズマはマイクロ
波（通常２．４５ＧＨｚ）でつくられる。マイクロ波は
マグネトロン２１で発生し、導波管２２を通り、マイク
ロ波導入部２３から反応室２６内に入る。マイクロ波導
入部２３は電磁波が透過する材料すなわち石英、セラミ
ックなどでできている。磁石２４は荷電粒子に円運動を
起こし、荷電粒子が壁に衝突し消滅するまでの時間を長
くする役目を持つ。反応室２６内には電荷加速用グリッ
ド２８，２９と電荷遮蔽用グリッド３０，３１，３２，
３３が設けられている。これらのグリッドにはグリッド
移動機構２５が付いており、グリッドが試料台３４を被
う位置と被わない位置に移動できる。本装置の処理手順
を説明する。まず、グリッド２８から３３を試料台３４
を被わない位置に移動する。この状態ではウエハにはプ
ラズマ中の荷電粒子が入射する。反応室２６にガス導入
口２７からＣＦ４　などのハロゲンを含むガス、あるい
はこれらにＯ２，Ｎ２などを混合したものを入れ、マイ
クロ波プラズマを発生させる。すると、プラズマ中で生
じるラジカルとイオンのエネルギーで試料台上のウエハ
がエッチングされる。ここで被エッチング物質の厚さを
モニターして残りがわずかになったときに、グリッド２
８から３３を試料台３４を被う位置に移動する。グリッ
ド２８には正の電位、グリッド２９には負の電位を掛け
てイオンを加速する。加速されたイオンのうちいくらか
は反応室内で他の粒子に電荷を与え、自身はほぼ最初の
加速エネルギーに相当する運動エネルギーを持った中性
ビームとなる。グリッド３０から３３はウエハに電荷が
入らないようにするためにあり、例えば、グリッド３０
と３３はアース、グリッド３１は負電位、グリッド３２
は正電位にする。ここでイオンと電子ははじかれ中性ビ
ームのみが試料に入射する。同時にプラズマ中でできる
中性ラジカルがウエハに到達して、中性ビームの持つエ
ネルギーに助けられ、エッチングが進行する。つまり、
グリッド２８から３３を試料台３４を被う位置に動かす
と中性粒子によるエッチングのみが生じ下地物質に損傷
が入らない。この場合、グリッド２８と２９は使わなく
てもエッチングはある程度可能である。
【００１２】この装置で、試料台３４に上下機構を付け
ておき、グリッド２８から３３を使わないときは、試料
台３４を上げて、マイクロ波導入部２３に近くすると、
密度の高いプラズマがつかえるので、最初の電荷を使う
エッチングの部分が速くできる。また、グリッドを移動
する変わりに、グリッドの電位をオンオフして電荷を使
わないときと使うときを切り替えてもよい。
【００１３】この実施例では、中性ビームと反応性ラジ
カルは同じガスから生成したが、異なるガスにしても良
い。例えば、マイクロ波導入部近くにガス導入口３５を
付けてアルゴン、ネオンなど希ガスを入れ、中性ビーム
を生成しても良い。
【００１４】また、反応性ラジカルを生成するためにマ
イクロ波電源部を二つ設けても良い。　　また、図１の
実施例のように反応室を２つ設けて、最初の反応室でマ
イクロ波プラズマによるエッチングをして、被エッチン
グ物質が薄くなった時点で、グリッド２８から３３を設
けた別の反応室で最後のエッチングをしても良い。
【００１５】また、図１の装置で、反応室１でのエッチ
ングは図４のようなマイクロ波プラズマを使ったもので
も良い。
【００１６】
【発明の効果】本発明では、表面処理終了近くの最も下
地物質に損傷が入りやすい部分のみ中性粒子による処理
を行うので、荷電粒子を使う処理の損傷を防げ、かつ、
中性粒子を使う処理の低速度を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明表面処理装置の全体構成図。
【図２】別実施例の全体構成図。
【図３】別実施例の全体構成図。
【図４】別実施例の全体構成図。
【符号の説明】 １…反応室、２…ガス供給口、３…試料台、４…電源、
５…ハッチ、６…ウエハ搬送機、７…ヒータ、８…ノズ
ル、９…反応室、１０…試料台、１１…干渉膜圧計、１
２…ウエハ移動室、１３…反応室、１４…電極、１５…
試料台、１６…ガス導入口、１７…ヒ…タ、１８…活性
化面、１９…コリメーター、２０…穴、２１…マグネト
ロン、２２…導波管、２３…マイクロ波導入部、２４…
磁石、２５…グリッド移動機構、２６…反応室、２７…
ガス導入口、２８から３３…グリッド、３５…ガス導入
口。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】固体表面を処理する装置において、下地物
    質が露出している間は試料表面に荷電粒子が入射しない
    ような処理をし、下地物質が露出していないときは荷電
    粒子を利用した処理をすることを特徴とする表面処理装
    置。
  2. 【請求項２】上記荷電粒子が入射しない処理は、熱的に
    励起した分子線を使うことである表面処理装置。
  3. 【請求項３】上記荷電粒子が入射しない処理は、試料表
    面近傍にグリッドを設け、電荷を排除することである表
    面処理装置。
JP3008916A 1991-01-29 1991-01-29 表面処理装置 Pending JPH04253328A (ja)

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EP19920300725 EP0497563A3 (en) 1991-01-29 1992-01-28 Surface processing method using charged or not charged particles and apparatus for carrying out the same
US08/251,660 US5462635A (en) 1991-01-29 1994-05-31 Surface processing method and an apparatus for carrying out the same

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004535672A (ja) * 2001-07-13 2004-11-25 アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド プラズマ処理におけるマイクロジェットによる低エネルギーイオン発生および輸送のための方法および装置
CN111354618A (zh) * 2020-03-27 2020-06-30 上海交通大学 一种等离子体去胶装置

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07245193A (ja) * 1994-03-02 1995-09-19 Nissin Electric Co Ltd プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置
US5811022A (en) 1994-11-15 1998-09-22 Mattson Technology, Inc. Inductive plasma reactor
JPH08153700A (ja) * 1994-11-25 1996-06-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 導電性被膜の異方性エッチング方法
US5601654A (en) * 1996-05-31 1997-02-11 The Regents Of The University Of California, Office Of Technology Transfer Flow-through ion beam source
WO1998011600A1 (en) * 1996-09-13 1998-03-19 Hitachi, Ltd. Method for working semiconductor wafer
US6379576B2 (en) 1997-11-17 2002-04-30 Mattson Technology, Inc. Systems and methods for variable mode plasma enhanced processing of semiconductor wafers
US6125789A (en) * 1998-01-30 2000-10-03 Applied Materials, Inc. Increasing the sensitivity of an in-situ particle monitor
DE69942020D1 (de) 1998-12-11 2010-04-01 Surface Technology Systems Plc Plasmabehandlungsgerät
US6676496B2 (en) 1999-03-09 2004-01-13 Hitachi, Ltd. Apparatus for processing semiconductor wafers
US20050022839A1 (en) * 1999-10-20 2005-02-03 Savas Stephen E. Systems and methods for photoresist strip and residue treatment in integrated circuit manufacturing
US6805139B1 (en) 1999-10-20 2004-10-19 Mattson Technology, Inc. Systems and methods for photoresist strip and residue treatment in integrated circuit manufacturing
US7232767B2 (en) * 2003-04-01 2007-06-19 Mattson Technology, Inc. Slotted electrostatic shield modification for improved etch and CVD process uniformity
US20070186953A1 (en) * 2004-07-12 2007-08-16 Savas Stephen E Systems and Methods for Photoresist Strip and Residue Treatment in Integrated Circuit Manufacturing
JP4405973B2 (ja) * 2006-01-17 2010-01-27 キヤノンアネルバ株式会社 薄膜作製装置
US7780862B2 (en) * 2006-03-21 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Device and method for etching flash memory gate stacks comprising high-k dielectric
US8722547B2 (en) * 2006-04-20 2014-05-13 Applied Materials, Inc. Etching high K dielectrics with high selectivity to oxide containing layers at elevated temperatures with BC13 based etch chemistries

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4579609A (en) * 1984-06-08 1986-04-01 Massachusetts Institute Of Technology Growth of epitaxial films by chemical vapor deposition utilizing a surface cleaning step immediately before deposition
JPS61113775A (ja) * 1984-11-07 1986-05-31 Hitachi Ltd 表面処理方法
JPS61141141A (ja) * 1984-12-14 1986-06-28 Hitachi Ltd ドライエツチング装置
JPS6230324A (ja) * 1985-07-31 1987-02-09 Toshiba Corp ドライエツチング方法及びドライエツチング装置
JPS6230891A (ja) * 1985-08-02 1987-02-09 Hitachi Ltd ドライエツチング方法
KR910003169B1 (ko) * 1985-11-12 1991-05-20 가부시끼가이샤 한도다이 에네르기 겐뀨소 반도체 장치 제조 방법 및 장치
JPH0834201B2 (ja) * 1986-05-06 1996-03-29 株式会社日立製作所 エツチング方法およびその装置
JPS6390132A (ja) * 1986-10-03 1988-04-21 Hitachi Ltd 表面処理装置
US4734152A (en) * 1986-12-22 1988-03-29 Massachusetts Institute Of Technology Dry etching patterning of electrical and optical materials
JPS63224224A (ja) * 1987-03-12 1988-09-19 Seiko Epson Corp 光・プラズマ反応装置
JPH021913A (ja) * 1988-06-10 1990-01-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置用エッチング処理装置
JPH0281430A (ja) * 1988-09-16 1990-03-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の処理装置
CA2019923C (en) * 1989-06-28 1993-12-14 Kenji Miyachi Semiconductor film and process for its production
JPH03257182A (ja) * 1990-03-07 1991-11-15 Hitachi Ltd 表面加工装置
JP2605465B2 (ja) * 1990-08-31 1997-04-30 日本電気株式会社 容量絶縁膜の形成方法
JP2888258B2 (ja) * 1990-11-30 1999-05-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004535672A (ja) * 2001-07-13 2004-11-25 アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド プラズマ処理におけるマイクロジェットによる低エネルギーイオン発生および輸送のための方法および装置
CN111354618A (zh) * 2020-03-27 2020-06-30 上海交通大学 一种等离子体去胶装置
CN111354618B (zh) * 2020-03-27 2021-06-04 上海交通大学 一种等离子体去胶装置

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