JPH0425488B2 - - Google Patents
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- JPH0425488B2 JPH0425488B2 JP58059307A JP5930783A JPH0425488B2 JP H0425488 B2 JPH0425488 B2 JP H0425488B2 JP 58059307 A JP58059307 A JP 58059307A JP 5930783 A JP5930783 A JP 5930783A JP H0425488 B2 JPH0425488 B2 JP H0425488B2
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- resistor
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
- G01L1/2268—Arrangements for correcting or for compensating unwanted effects
- G01L1/2281—Arrangements for correcting or for compensating unwanted effects for temperature variations
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/02—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning
- G01L9/06—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning of piezo-resistive devices
- G01L9/065—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning of piezo-resistive devices with temperature compensating means
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Indication And Recording Devices For Special Purposes And Tariff Metering Devices (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体圧力センサに関し、殊にセンサ
感度の温度補償手段を備えた半導体圧力センサに
関する。
感度の温度補償手段を備えた半導体圧力センサに
関する。
従来半導体圧力センサの感度の温度補償には、
NATIONAL SEMICONDUCTORより1979年
に発行されたMONOLITHIC PRESSURE
TRANSDUCERSカタログに示される様に、シ
リコン単結晶板の中央部に肉薄のダイアフラム部
を形成し、そのダイアフラム面に不純物拡散層か
らなら４ケのゲージ抵抗を設け、このゲージ抵抗
を組み合せてブリツジ回路を構成すると共に、シ
リコンの単結晶から成るダイアフラム面又は周辺
の肉厚部に温度補償用のトランジスタ回路を集積
化して形成し、ブリツジ回路と電源との間にこの
トランジスタ回路を直列に接続したものが知られ
ている。
NATIONAL SEMICONDUCTORより1979年
に発行されたMONOLITHIC PRESSURE
TRANSDUCERSカタログに示される様に、シ
リコン単結晶板の中央部に肉薄のダイアフラム部
を形成し、そのダイアフラム面に不純物拡散層か
らなら４ケのゲージ抵抗を設け、このゲージ抵抗
を組み合せてブリツジ回路を構成すると共に、シ
リコンの単結晶から成るダイアフラム面又は周辺
の肉厚部に温度補償用のトランジスタ回路を集積
化して形成し、ブリツジ回路と電源との間にこの
トランジスタ回路を直列に接続したものが知られ
ている。
この回路によればセンサ自身の温度による感度
変化を除去できる。しかしブリツジ回路の出力を
増幅する増幅器の増幅度も温度によつて変化し、
上記温度補償回路によつてセンサ自身の温度補償
を行つただけでは正確な出力を得られない。
変化を除去できる。しかしブリツジ回路の出力を
増幅する増幅器の増幅度も温度によつて変化し、
上記温度補償回路によつてセンサ自身の温度補償
を行つただけでは正確な出力を得られない。
本発明の目的はブリツジ回路の出力を増幅する
増幅器の温度による増幅度の変化を除去できる半
導体圧力センサを提供するにある。
増幅器の温度による増幅度の変化を除去できる半
導体圧力センサを提供するにある。
本発明の特徴は、ブリツジ回路を構成するゲー
ジ抵抗の温度変化に伴う変動を補償するように駆
動電圧源を制御するとともに、温度変化により前
記増幅回路の増幅度の変動を補償するために、前
記ブリツジ回路を構成するゲージ抵抗と同じ温度
変化をする抵抗を前記増幅器の入力側に設けた点
にある。
ジ抵抗の温度変化に伴う変動を補償するように駆
動電圧源を制御するとともに、温度変化により前
記増幅回路の増幅度の変動を補償するために、前
記ブリツジ回路を構成するゲージ抵抗と同じ温度
変化をする抵抗を前記増幅器の入力側に設けた点
にある。
以下図面に示す本発明の実施例を詳説する。
G1乃至G5はシリコンダイヤフラムの表面に形
成された不純物拡散層から成るゲージ抵抗で、そ
のうちのG1乃至G4はG1とG3及びG2とG4が互いに
対向する辺になる様接続されたホイートストンブ
リツジを構成する。
成された不純物拡散層から成るゲージ抵抗で、そ
のうちのG1乃至G4はG1とG3及びG2とG4が互いに
対向する辺になる様接続されたホイートストンブ
リツジを構成する。
ブリツジの電源供給端子Ｐに接続される駆動電
源回路は、温度に比例して出力電流が変化する電
流源Ibとこれに直列に接続された抵抗R11、ゲー
ジ抵抗G5及び、電流源Ibと抵抗R11との接続点ａ
の電圧を増幅してブリツジの電源供給端子Ｐに印
加するオペアンプOP3とから成る。
源回路は、温度に比例して出力電流が変化する電
流源Ibとこれに直列に接続された抵抗R11、ゲー
ジ抵抗G5及び、電流源Ibと抵抗R11との接続点ａ
の電圧を増幅してブリツジの電源供給端子Ｐに印
加するオペアンプOP3とから成る。
ゲージ抵抗G1乃至G4はダイアフラムに作用す
る圧力が零の時G1＝G2＝G3＝G4＝Ｇとなる様設
定する。
る圧力が零の時G1＝G2＝G3＝G4＝Ｇとなる様設
定する。
ブリツジの出力端子Q1は抵抗R8を介してオペ
アンプOP2の正端子へ、ブリツジの出力端子Q2は
抵抗R7を介してオペアンプOP2の負端子へそれぞ
れ接続される。
アンプOP2の正端子へ、ブリツジの出力端子Q2は
抵抗R7を介してオペアンプOP2の負端子へそれぞ
れ接続される。
R9はオペアンプOP2の帰還抵抗、R10は分圧抵
抗である。
抗である。
抵抗R7乃至R11は温度変化に対して鈍感な抵抗
で構成されている。
で構成されている。
そして抵抗R7とR8との抵抗値及び抵抗R9とR10
との互いの抵抗値は等しく設計されている。
との互いの抵抗値は等しく設計されている。
ブリツジの電源供給端子Ｐの電圧V4はオペア
ンプOP3によつて構成される電圧フオロー回路に
よりａ点の電圧V3と等しくなる様制御される。
ンプOP3によつて構成される電圧フオロー回路に
よりａ点の電圧V3と等しくなる様制御される。
ダイヤフラムに圧力が作用するとブリツジの平
衡がくずれ、出力端子Q1、Q2の電位V1、V2の電
圧差V1−V2がその圧力に応じて変化する。
衡がくずれ、出力端子Q1、Q2の電位V1、V2の電
圧差V1−V2がその圧力に応じて変化する。
オペアンプOP2及び抵抗R7乃至R10で構成され
た平衡入力型増幅回路はブリツジの出力電圧V1
−V2を所定の出力電圧V0に増幅する。
た平衡入力型増幅回路はブリツジの出力電圧V1
−V2を所定の出力電圧V0に増幅する。
今電源供給端子Ｐの電圧V4及びダイアフラム
に作用する圧力を一定に保つてブリツジ周囲の温
度を変化させるとブリツジの出力V1−V2は第２
図の曲線９で示す如く温度に対して変化する。
に作用する圧力を一定に保つてブリツジ周囲の温
度を変化させるとブリツジの出力V1−V2は第２
図の曲線９で示す如く温度に対して変化する。
但し曲線９は、V0＝V1−V2とし、V0（Ｔ）：温
度Ｔの時のブリツジ出力電位差、V0（20）：温度
20度（基準温度）の時のブリツジ出力電位差とし
た時のセンサ感度変化率δ δ＝V0（Ｔ）−V0（20）／V0（20）×100〔％〕…
…(1) を示す。
度Ｔの時のブリツジ出力電位差、V0（20）：温度
20度（基準温度）の時のブリツジ出力電位差とし
た時のセンサ感度変化率δ δ＝V0（Ｔ）−V0（20）／V0（20）×100〔％〕…
…(1) を示す。
従つてブリツジの感度の温度変化を補償する為
にはブリツジの電源供給端子Ｐに印加される電圧
V4を温度に応じて第２図破線の如く、曲線９と
傾きが逆の変化をする様に制御すればよい。
にはブリツジの電源供給端子Ｐに印加される電圧
V4を温度に応じて第２図破線の如く、曲線９と
傾きが逆の変化をする様に制御すればよい。
この為、電流源Ibは温度に比例して出力電流が
変化する様に構成されている。
変化する様に構成されている。
しかし、ここで問題が生ずる。オペアンプOP2
による増幅回路の増幅度がゲージ抵抗G1乃至G4
の温度変化に伴つて変わつてしまい最適補償がで
きない。
による増幅回路の増幅度がゲージ抵抗G1乃至G4
の温度変化に伴つて変わつてしまい最適補償がで
きない。
このことについて、半定量的に説明する。圧力
センサの増幅回路においては一般にＧ≪R8＋R10
となるように各定数が選択される。そこで、増幅
回路の出力V0とブリツジの出力V1−V2の関係を
近似式で示すと、 V0R9／R7＋１／２Ｇ（V1−V2） ……(2) となる。
センサの増幅回路においては一般にＧ≪R8＋R10
となるように各定数が選択される。そこで、増幅
回路の出力V0とブリツジの出力V1−V2の関係を
近似式で示すと、 V0R9／R7＋１／２Ｇ（V1−V2） ……(2) となる。
したがつて、増幅回路の増幅度Ｋは次式で示さ
れる。
れる。
Ｋ＝R9／R7＋１／２Ｇ≒R9／R7＋１／２Ｇ｛１−１／２
G0／R7＋１／２G0αG（Ｔ）｝＝K0／１＋γ｛１−γ／
１＋γαG（Ｔ）｝……(3) ここで、G0は基準温度におけるゲージ抵抗、
αG（Ｔ）はゲージ抵抗の温度による変化項、K0は
理想平衡入力増幅回路の増幅度（K0＝R9／R7）、
γは入力抵抗R7に対するゲージ抵抗1/2G0の比
（γ＝１／２G0／R7）を示す。
G0／R7＋１／２G0αG（Ｔ）｝＝K0／１＋γ｛１−γ／
１＋γαG（Ｔ）｝……(3) ここで、G0は基準温度におけるゲージ抵抗、
αG（Ｔ）はゲージ抵抗の温度による変化項、K0は
理想平衡入力増幅回路の増幅度（K0＝R9／R7）、
γは入力抵抗R7に対するゲージ抵抗1/2G0の比
（γ＝１／２G0／R7）を示す。
ゲージ抵抗値G0が入力抵抗R7に対して大きく
なるに従い、有効増幅度Ｋが小さくなると共に、
有効増幅度Ｋの温度による変化が、ゲージ抵抗Ｇ
の温度による変化傾向と逆の傾向に近くなる。
なるに従い、有効増幅度Ｋが小さくなると共に、
有効増幅度Ｋの温度による変化が、ゲージ抵抗Ｇ
の温度による変化傾向と逆の傾向に近くなる。
この為電源供給端子Ｐに印加する電圧V4を第
２図の曲線１０に一致するよう電流源Ibに温度特
性をもたせたとしても、(3)式の｛ ｝内第２項の
影響で、高温側でＫが小さくなる分だけ補償不足
となる。この不足分はまさにゲージ抵抗Ｇの温度
特性によつて生ずる。これを補償するには、ゲー
ジ抵抗Ｇと同一プロセスで形成した抵抗によつて
補償することができる。この機能を持つ抵抗が
G5である。
２図の曲線１０に一致するよう電流源Ibに温度特
性をもたせたとしても、(3)式の｛ ｝内第２項の
影響で、高温側でＫが小さくなる分だけ補償不足
となる。この不足分はまさにゲージ抵抗Ｇの温度
特性によつて生ずる。これを補償するには、ゲー
ジ抵抗Ｇと同一プロセスで形成した抵抗によつて
補償することができる。この機能を持つ抵抗が
G5である。
G5がもつべき条件について説明する。
圧力によるセンサの感度の温度特性を考慮する
と(2)式を次のように書きかえることができる。
と(2)式を次のように書きかえることができる。
V0Kv0｛１＋αs（Ｔ）｝・V4＝K0v0／１＋γ
｛１−γ／１＋γαG(T)}{１＋αs(T)}・V4
……(4)
ここで、αs（Ｔ）は圧力センサブリツジ出力電
圧の温度による変化分で、第２図曲線９で示され
る。v0は特定圧力が加えられたときのブリツジ単
位駆動電圧当りのブリツジ出力を示す。
圧の温度による変化分で、第２図曲線９で示され
る。v0は特定圧力が加えられたときのブリツジ単
位駆動電圧当りのブリツジ出力を示す。
一方、V3の電位は次のように示される。
V3＝(R11+G5)Ib〔R11+G50{１＋αG（Ｔ）｝〕
Ib0｛１−βS(T)}＝（R11＋G50）Ib0｛１＋
G50／R11＋G50αG(T)}{１−βS（Ｔ）｝V4 ……(5)
ここで、G50は基準温度におけるG5の抵抗値、
Ib0は基準温度における電流源の出力電流、βS
（Ｔ）は電流源Ibの温度依存項で、式(4)のαSと符
号が逆で第２図曲線１３示され、正確には１／
（１＋αS）−１となるように設定されているが、こ
こでは説明をわかりやすくするため、１／１＋αS
１−αSなる仮定をおいた。
Ib0は基準温度における電流源の出力電流、βS
（Ｔ）は電流源Ibの温度依存項で、式(4)のαSと符
号が逆で第２図曲線１３示され、正確には１／
（１＋αS）−１となるように設定されているが、こ
こでは説明をわかりやすくするため、１／１＋αS
１−αSなる仮定をおいた。
今、
G50／R11γ ……(6)
ならば、(5)式を(4)式に代入して、再び温度依存項
の高次項を無視すれば、 V0K0v0R11Ib0 ……(7) となり、V0は温度に依存しなくなる。
の高次項を無視すれば、 V0K0v0R11Ib0 ……(7) となり、V0は温度に依存しなくなる。
以上の説明をまとめると、
(1) 電流源Ibの温度特性を、第２図の曲線１１に
示した特性に等しくする。
示した特性に等しくする。
(2) 抵抗R11とG5の比を
G5／R11１／２Ｇ／R7 ……(8)
とする。
このように各諸元を設定すれば、増幅回路の増
幅度がゲージ抵抗の温度変化に依存してもそれを
打消すことができる。
幅度がゲージ抵抗の温度変化に依存してもそれを
打消すことができる。
本実施例において、特にブリツジ、増幅回路及
び温度補償回路が同一チツプ上に形成される場合
抵抗G5がゲージ抵抗G1乃至G4と同一のプロセス
で作られた同一温度特性の抵抗であること、G5
がG1乃至G4の近傍に設置されて同一の温度条件
下に配置されること及び同一チツプ上に形成され
ることが望ましい。
び温度補償回路が同一チツプ上に形成される場合
抵抗G5がゲージ抵抗G1乃至G4と同一のプロセス
で作られた同一温度特性の抵抗であること、G5
がG1乃至G4の近傍に設置されて同一の温度条件
下に配置されること及び同一チツプ上に形成され
ることが望ましい。
しかし、抵抗G5がゲージ抵抗G1乃至G4と実質
的に同一の温度特性をもち、使用時に実質的に同
一温度条件下におかれれば、デイスクリート形の
ものにも使用できる。
的に同一の温度特性をもち、使用時に実質的に同
一温度条件下におかれれば、デイスクリート形の
ものにも使用できる。
第３図には電流源Ibの具体回路を示す。
一端が電源Vccに接続された抵抗20の他端にト
ランジスタQ6のエミツタが接続され、そのコレ
クタは接続点ａに接続される。
ランジスタQ6のエミツタが接続され、そのコレ
クタは接続点ａに接続される。
トランジスタQ6のベースはトランジスタQ4の
ベース及びトランジスタQ5のエミツタに接続さ
れる。
ベース及びトランジスタQ5のエミツタに接続さ
れる。
トランジスタQ4のエミツタは一端が電源Vccに
接続された抵抗R19の他端に接続され、コレクタ
はトランジスタQ5のベース及びトランジスタQ3
のコレクタに接続される。
接続された抵抗R19の他端に接続され、コレクタ
はトランジスタQ5のベース及びトランジスタQ3
のコレクタに接続される。
トランジスタQ5のコレクタはアースGNDに接
続される。
続される。
トランジスタQ3のエミツタは抵抗R18を介して
アースGNDへ、ベースはトランジスタQ2のエミ
ツタ及びトランジスタQ7のベースへ接続されて
いる。
アースGNDへ、ベースはトランジスタQ2のエミ
ツタ及びトランジスタQ7のベースへ接続されて
いる。
トランジスタQ8のコレクタは電源Vccへ、ベー
スは一端が電源Vccに接続された抵抗R16の他端
へそれぞれ接続されている。
スは一端が電源Vccに接続された抵抗R16の他端
へそれぞれ接続されている。
トランジスタQ7のエミツタは抵抗R17を介して
アースGNDへ接続されている。
アースGNDへ接続されている。
この様に接続された回路の特性は第２図の曲線
１１に適合する様に抵抗R19、R20の抵抗値及び
トランジスタQ4とQ6のエミツタの面積比を調整
して設定される。
１１に適合する様に抵抗R19、R20の抵抗値及び
トランジスタQ4とQ6のエミツタの面積比を調整
して設定される。
第４図には抵抗G5を設けた場合と設けない場
合の増幅回路出力V0を感度変化率で比較して示
してある。
合の増幅回路出力V0を感度変化率で比較して示
してある。
曲線１２は抵抗G5を設けない場合の変化率を
示し、曲線１３が抵抗G5を設けた場合の変化率
を示す。
示し、曲線１３が抵抗G5を設けた場合の変化率
を示す。
抵抗G5を設けない場合は(4)式のγαG（Ｔ）／１
＋γの温度高次項が補償されない為、抵抗G5を
設けた場合に比べ温度による変化率の変化が大き
い。
＋γの温度高次項が補償されない為、抵抗G5を
設けた場合に比べ温度による変化率の変化が大き
い。
第５図に本発明の他の実施例を示す。
第１図において抵抗R7、R8にゲージ抵抗G1乃
至G4と同一プロセスで形成した抵抗G6，G7を使
用すれば第５図に示す如く、オペアンプOP3、抵
抗R11、G5が不要となり、直接温度変化に比例し
た出力電流を発生する電流源からブリツジに電圧
を供給することができる。
至G4と同一プロセスで形成した抵抗G6，G7を使
用すれば第５図に示す如く、オペアンプOP3、抵
抗R11、G5が不要となり、直接温度変化に比例し
た出力電流を発生する電流源からブリツジに電圧
を供給することができる。
これは、(8)式において抵抗R7をゲージ抵抗に
することによつて抵抗G5の増幅度補償機能を抵
抗R7に持たせることができるからである。
することによつて抵抗G5の増幅度補償機能を抵
抗R7に持たせることができるからである。
以上説明した様に本発明によれば半導体圧力セ
ンサのブリツジ回路を構成するゲージ抵抗の温度
特性がブリツジ出力の増幅回路の増幅度に与える
影響を除去する手段を設けたので、正確な出力が
得られる圧力センサを提供できる。
ンサのブリツジ回路を構成するゲージ抵抗の温度
特性がブリツジ出力の増幅回路の増幅度に与える
影響を除去する手段を設けたので、正確な出力が
得られる圧力センサを提供できる。
第１図は本発明の一実施例を示す回路図、第２
図は本発明を説明する為の特性図、第３図は第１
図の具体化回路図、第４図はその出力特性図、第
５図は本発明の他の実施例を示す図面である。 G1〜G8……ゲージ抵抗、Ib……電流源、OP2、
OP3……オペアンプ。
図は本発明を説明する為の特性図、第３図は第１
図の具体化回路図、第４図はその出力特性図、第
５図は本発明の他の実施例を示す図面である。 G1〜G8……ゲージ抵抗、Ib……電流源、OP2、
OP3……オペアンプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 少なくとも一個が外力によつて抵抗変化する
ゲージ抵抗で構成されるブリツジ回路、該ブリツ
ジ回路の出力を増幅する増幅回路及び前記ブリツ
ジ回路に駆動電圧を供給する駆動電圧源とを有す
る半導体圧力センサにおいて、前記ブリツジ回路
の温度変化に伴う感度の変動を補償するように前
記駆動電圧源を制御するとともに、温度変化によ
り前記増幅回路の増幅度の変動を補償するため
に、前記ブリツジ回路を構成するゲージ抵抗と同
じ温度変化をする抵抗を前記増幅器の入力側に設
けたことを特徴とする半導体圧力センサ。 ２ 特許請求範囲第１項において、前記駆動電源
回路は温度に比例した出力電流を発生する電流源
を有し、前記電流源の出力電流を抵抗に通流して
その電圧降下を前記ブリツジの駆動電源とすると
共に、前記抵抗を前記ゲージ抵抗の温度特性と一
致させたことを特徴とする半導体圧力センサ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58059307A JPS59184819A (ja) | 1983-04-06 | 1983-04-06 | 半導体圧力センサ |
| DE8484103678T DE3479831D1 (en) | 1983-04-06 | 1984-04-04 | Temperature compensated semiconductor-type pressure transducer |
| EP84103678A EP0126907B1 (en) | 1983-04-06 | 1984-04-04 | Temperature compensated semiconductor-type pressure transducer |
| US06/597,753 US4604899A (en) | 1983-04-06 | 1984-04-06 | Semiconductor-type pressure transducer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58059307A JPS59184819A (ja) | 1983-04-06 | 1983-04-06 | 半導体圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59184819A JPS59184819A (ja) | 1984-10-20 |
| JPH0425488B2 true JPH0425488B2 (ja) | 1992-05-01 |
Family
ID=13109581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58059307A Granted JPS59184819A (ja) | 1983-04-06 | 1983-04-06 | 半導体圧力センサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4604899A (ja) |
| EP (1) | EP0126907B1 (ja) |
| JP (1) | JPS59184819A (ja) |
| DE (1) | DE3479831D1 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6212827A (ja) * | 1985-07-10 | 1987-01-21 | Hitachi Ltd | エンジンの燃焼圧検出装置 |
| US4798093A (en) * | 1986-06-06 | 1989-01-17 | Motorola, Inc. | Apparatus for sensor compensation |
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| JP2928526B2 (ja) * | 1989-02-10 | 1999-08-03 | 株式会社日本自動車部品総合研究所 | 電源回路及び前記回路を備えるブリッジ型測定器出力補償回路 |
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