JPH0425767A - 半導体装置の温度特性補正装置 - Google Patents
半導体装置の温度特性補正装置Info
- Publication number
- JPH0425767A JPH0425767A JP2130844A JP13084490A JPH0425767A JP H0425767 A JPH0425767 A JP H0425767A JP 2130844 A JP2130844 A JP 2130844A JP 13084490 A JP13084490 A JP 13084490A JP H0425767 A JPH0425767 A JP H0425767A
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- JP
- Japan
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- circuit
- temperature
- temperature characteristic
- signal
- resistor
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- Indication And Recording Devices For Special Purposes And Tariff Metering Devices (AREA)
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置から出力される信号の温度特性を
補正する半導体装置の温度特性補正装置に関する。
補正する半導体装置の温度特性補正装置に関する。
［従来の技術］
半導体圧力センサ等、半導体素子を利用した装置では、
半導体固有の温度特性により出力信号が周囲温度によっ
て変化するため、その出力信号の温度特性を補正する必
要があり、一般には、サーミスタ等の温度センサを用い
て周囲温度を検出し、その検出結果に基づき半導体装置
の出力信号を補正することが行われている。また温度セ
ンサを用いることなく温度補償を行うために、例えば特
公昭６２−５５６２９号公報に記載の如く、半導体装置
に温度補償用の抵抗器を設けることも提案されている。
半導体固有の温度特性により出力信号が周囲温度によっ
て変化するため、その出力信号の温度特性を補正する必
要があり、一般には、サーミスタ等の温度センサを用い
て周囲温度を検出し、その検出結果に基づき半導体装置
の出力信号を補正することが行われている。また温度セ
ンサを用いることなく温度補償を行うために、例えば特
公昭６２−５５６２９号公報に記載の如く、半導体装置
に温度補償用の抵抗器を設けることも提案されている。
［発明が解決しようとする課題］
二のように半導体装置の温度特性を抵抗器を用いて補正
するようにした場合、温度センサが不要となり、回路構
成を簡素化することができるが、上記提案の装置では、
半導体装置の温度特性に応じて温度補償用抵抗の取り付
は位置を変更しなければならず、補正回路の調整作業が
繁雑になるといった問題があった。
するようにした場合、温度センサが不要となり、回路構
成を簡素化することができるが、上記提案の装置では、
半導体装置の温度特性に応じて温度補償用抵抗の取り付
は位置を変更しなければならず、補正回路の調整作業が
繁雑になるといった問題があった。
そこで本発明は、半導体装置の温度特性を温度センサを
使用することなく補正でき、しかもその調整作業を簡単
に行うことのできる温度特性補正装置を提供することを
目的としてなされた。
使用することなく補正でき、しかもその調整作業を簡単
に行うことのできる温度特性補正装置を提供することを
目的としてなされた。
［課題を解決するための手段］
即ち上記目的を達するためになされた本発明は、周囲温
度に応じて出力特性が変化する半導体装置の温度特性補
正装置であって、 宝を含む大中小３種の異なる温度特性を有する電圧信号
が印加された３つの端子と、 該３つの端子のうち、温度特性が最も大きい電圧信号が
印加された端子と、温度特性が最も小さい電圧信号が印
加された端子との間に直列接続さ札 トリミングにより
抵抗値を調整可能な２つの抵抗器と、 上記３つの端子のうち、温度特性が中間の電圧信号が印
加された端子と、上記直列接続された２つの抵抗体の接
続点との間に接線され、少なくとも上記２つの抵抗器の
抵抗値に対して所定倍大きい固定抵抗体と、 該固定抵抗体に流れる電流に基づき半導体装置からの出
力信号を補正する補正手段と、を備えたことを特徴とす
る半導体装置の温度特性補正装置を要旨としている。
度に応じて出力特性が変化する半導体装置の温度特性補
正装置であって、 宝を含む大中小３種の異なる温度特性を有する電圧信号
が印加された３つの端子と、 該３つの端子のうち、温度特性が最も大きい電圧信号が
印加された端子と、温度特性が最も小さい電圧信号が印
加された端子との間に直列接続さ札 トリミングにより
抵抗値を調整可能な２つの抵抗器と、 上記３つの端子のうち、温度特性が中間の電圧信号が印
加された端子と、上記直列接続された２つの抵抗体の接
続点との間に接線され、少なくとも上記２つの抵抗器の
抵抗値に対して所定倍大きい固定抵抗体と、 該固定抵抗体に流れる電流に基づき半導体装置からの出
力信号を補正する補正手段と、を備えたことを特徴とす
る半導体装置の温度特性補正装置を要旨としている。
［・作用及び発明の効果］
このように本発明の温度特性補正装置においては、温度
特性の異なる電圧信号が印加された３つの端子に、Ｙ結
線された３つの抵抗器を各々接続し、温度特性の最も大
きい電圧信号が印加された端子と温度特性の最も小さい
電圧信号が印加された端子との間に接続された２つの抵
抗器をトリミング可能とし、またもう１つの抵抗器をそ
の２つの抵抗器の抵抗値に比べて所定倍大きい固定抵抗
器とし、この固定抵抗器に流れる電流に基づき半導体装
置からの圧力信号を補正するようにしている。
特性の異なる電圧信号が印加された３つの端子に、Ｙ結
線された３つの抵抗器を各々接続し、温度特性の最も大
きい電圧信号が印加された端子と温度特性の最も小さい
電圧信号が印加された端子との間に接続された２つの抵
抗器をトリミング可能とし、またもう１つの抵抗器をそ
の２つの抵抗器の抵抗値に比べて所定倍大きい固定抵抗
器とし、この固定抵抗器に流れる電流に基づき半導体装
置からの圧力信号を補正するようにしている。
このためトリミング可能な２つの抵抗器のうちの一方の
抵抗器をトリミングして、その抵抗値を調整することに
より、固定抵抗器に流れる電流の温度特性を任意に設定
することができ、この電流値の温度特性を半導体装置か
らの出力信号の温度特性に応じて設定することにより、
この電流値を用いて半導体装置の出力特性を簡単に、し
かも正確に温度補償することが可能となる。
抵抗器をトリミングして、その抵抗値を調整することに
より、固定抵抗器に流れる電流の温度特性を任意に設定
することができ、この電流値の温度特性を半導体装置か
らの出力信号の温度特性に応じて設定することにより、
この電流値を用いて半導体装置の出力特性を簡単に、し
かも正確に温度補償することが可能となる。
「実施例］
以下に本発明の実施例を図面と共に説明する。
第１図は本発明が適用された実施例の圧力検出装置全体
の構成を表す電気回路図である。
の構成を表す電気回路図である。
図に示す如く本実施例の圧力練土装置は、半導体のピエ
ゾ抵抗効果を利用して圧力を電気信号に変換するブリッ
ジ回路１００と、このブリッジ回路１００に一定電流を
供給する定電流回路２００と、ブリッジ回路１００から
出力される圧力信号の温度特性を補正するための温度補
正信号を発生する補正回路３００と、ブリッジ回路１０
０からの圧力信号と補正回路３００からの温度補正信号
とを加算することによりブリッジ回路からの圧力信号の
温度特性を補正する加算回路４００と、この加算回路４
００から出力される温度補正された圧力信号を増幅して
外部１こ圧力する増幅回路５００とから構成されている
。
ゾ抵抗効果を利用して圧力を電気信号に変換するブリッ
ジ回路１００と、このブリッジ回路１００に一定電流を
供給する定電流回路２００と、ブリッジ回路１００から
出力される圧力信号の温度特性を補正するための温度補
正信号を発生する補正回路３００と、ブリッジ回路１０
０からの圧力信号と補正回路３００からの温度補正信号
とを加算することによりブリッジ回路からの圧力信号の
温度特性を補正する加算回路４００と、この加算回路４
００から出力される温度補正された圧力信号を増幅して
外部１こ圧力する増幅回路５００とから構成されている
。
ここでまずブリッジ回路１００は、半導体圧力センサを
構成する４つの拡散抵抗Ｒａ、 Ｒｂ、 Ｒｃ、Ｒ
ｄから構成されている。またこのブリッジ回路１００に
は、出力端子す、 ｃに生ずる不平衡電圧を補正する
ための抵抗器Ｒ１，Ｒ２も備えられている。尚上記各抵
抗の関係は、Ｒａ岬Ｒｂ均Ｒｃ＝Ｒｄ、Ｒａ （Ｒ７，
Ｒａ ＜＜Ｒ８となっている。
構成する４つの拡散抵抗Ｒａ、 Ｒｂ、 Ｒｃ、Ｒ
ｄから構成されている。またこのブリッジ回路１００に
は、出力端子す、 ｃに生ずる不平衡電圧を補正する
ための抵抗器Ｒ１，Ｒ２も備えられている。尚上記各抵
抗の関係は、Ｒａ岬Ｒｂ均Ｒｃ＝Ｒｄ、Ｒａ （Ｒ７，
Ｒａ ＜＜Ｒ８となっている。
一方定電流回路２００は、抵抗器Ｒ３，Ｒ４゜Ｒ５と、
演算増幅器ＯＰＩとから構成され、抵抗器Ｒ３，Ｒ４に
より電源電圧Ｖｃｃを分圧して得られる基準電圧０と抵
抗器Ｒ５の抵抗値とで決定される一定電流１０を、ブリ
ッジ回路］００の正極側端子ａ側より供給する。
演算増幅器ＯＰＩとから構成され、抵抗器Ｒ３，Ｒ４に
より電源電圧Ｖｃｃを分圧して得られる基準電圧０と抵
抗器Ｒ５の抵抗値とで決定される一定電流１０を、ブリ
ッジ回路］００の正極側端子ａ側より供給する。
次に加算回路４００は、ブリッジ回路１００の出力端子
す、 ｃに生じた電圧Ｖｂ、Ｖｃを、演算増幅器○Ｐ
２．ＯＰ３により構成されたバッファを介して抵抗器Ｒ
６の両端に印加し、その電圧差（Ｖｂ−Ｖｃ）を抵抗器
Ｒ６に流れる電流Ｉ Ｒ６１ｍ変換することにより、圧
力信号を生成するようにされている。またこの加算回路
４００には、補正回路３００が接続されており、上記生
成した圧力信号ＩＲ６と補正回路３００にて生成された
後述の温度特性補正信号ｌＲ１１とを加算し、トランジ
スタＴＲＩを介して増幅回路５００に出力するようにさ
れている。
す、 ｃに生じた電圧Ｖｂ、Ｖｃを、演算増幅器○Ｐ
２．ＯＰ３により構成されたバッファを介して抵抗器Ｒ
６の両端に印加し、その電圧差（Ｖｂ−Ｖｃ）を抵抗器
Ｒ６に流れる電流Ｉ Ｒ６１ｍ変換することにより、圧
力信号を生成するようにされている。またこの加算回路
４００には、補正回路３００が接続されており、上記生
成した圧力信号ＩＲ６と補正回路３００にて生成された
後述の温度特性補正信号ｌＲ１１とを加算し、トランジ
スタＴＲＩを介して増幅回路５００に出力するようにさ
れている。
また次に増幅回路５００ （１抵抗器Ｒ７，Ｒ８と演算
増幅器○Ｐ４とから構成され、 加算回路４００に流れ
る電流（Ｉ Ｒ６＋Ｉ Ｒ１１） に応じた電圧信号
を検出信号として出力する。
増幅器○Ｐ４とから構成され、 加算回路４００に流れ
る電流（Ｉ Ｒ６＋Ｉ Ｒ１１） に応じた電圧信号
を検出信号として出力する。
次に本発明の主要部となる補正回路３００ ＥＹ接続さ
れた３つの抵抗器Ｒ９，ＲＩＯ，Ｒ１１から構成されて
いる。また抵抗器Ｒ９及びＲＩＯはトリミングにより抵
抗値を調整できるようにされており、抵抗器Ｒ９の一端
はブリッジ回路１００の負極側端子Ｃに接続さ札抵抗器
ＲＩＯの一端は接地されている。尚、抵抗器Ｒ９，ＲＩ
Ｏのトリミング前の抵抗値は同じ値に設定されている。
れた３つの抵抗器Ｒ９，ＲＩＯ，Ｒ１１から構成されて
いる。また抵抗器Ｒ９及びＲＩＯはトリミングにより抵
抗値を調整できるようにされており、抵抗器Ｒ９の一端
はブリッジ回路１００の負極側端子Ｃに接続さ札抵抗器
ＲＩＯの一端は接地されている。尚、抵抗器Ｒ９，ＲＩ
Ｏのトリミング前の抵抗値は同じ値に設定されている。
一方抵抗器Ｒ１１は、抵抗器Ｒ１１に流れる温度特性補
正信号ｌＲ１１が抵抗器Ｒ９，ＲＩＯに流れる電流Ｉ
Ｒ９，ｌ ＲＩＯに対して著しく小さくなるようによう
１：、これら抵抗器Ｒ９，ＲＩＯの抵抗値の２０倍程度
の抵抗値を有する固定抵抗器により構成され、 その一
端（上前算回路４００における抵抗器Ｒ６のｖｂ側端子
に接続されている。
正信号ｌＲ１１が抵抗器Ｒ９，ＲＩＯに流れる電流Ｉ
Ｒ９，ｌ ＲＩＯに対して著しく小さくなるようによう
１：、これら抵抗器Ｒ９，ＲＩＯの抵抗値の２０倍程度
の抵抗値を有する固定抵抗器により構成され、 その一
端（上前算回路４００における抵抗器Ｒ６のｖｂ側端子
に接続されている。
このように構成された本実施例の圧力検出装置において
、補正回路３００における各抵抗器の接続点電圧をＶｆ
とすると、増幅回路５００から出力される圧力検出結果
を表す呂力電圧ＶＯＵＴｉ友次式（１）の如く記述でき
、 ＶＯＵＴ ＝Ｒ７（Ｖ ｂ−Ｖ ｃ）／Ｒ９＋Ｒ７（Ｖ
ｂ−Ｖｆ）／Ｒ１１・・・（１）その温度特性へＶＯＵ
Ｔ Ｅ 次式（２）の如くなる。
、補正回路３００における各抵抗器の接続点電圧をＶｆ
とすると、増幅回路５００から出力される圧力検出結果
を表す呂力電圧ＶＯＵＴｉ友次式（１）の如く記述でき
、 ＶＯＵＴ ＝Ｒ７（Ｖ ｂ−Ｖ ｃ）／Ｒ９＋Ｒ７（Ｖ
ｂ−Ｖｆ）／Ｒ１１・・・（１）その温度特性へＶＯＵ
Ｔ Ｅ 次式（２）の如くなる。
ΔＶＯＬＩＴ ＝Ｒ７（ＡＶ ｂ−ＡＶ ｃ）／Ｒ９＋
Ｒ７（ＡＶ ｂ−ＡＶ ｆ）／Ｒ１１＝−（２）ここで
（２）式における右辺第１項は、ブリッジ回路１００．
即ち半導体圧力センサの温度特性であり、右辺第２項は
補正回路３００における温度特性である。このため出力
電圧ＶＯＵＴの温度特性を宝にするには、補正回路３０
０における温度特性によりブリッジ回路１００の温度特
性を補正できるようにすれば良い。
Ｒ７（ＡＶ ｂ−ＡＶ ｆ）／Ｒ１１＝−（２）ここで
（２）式における右辺第１項は、ブリッジ回路１００．
即ち半導体圧力センサの温度特性であり、右辺第２項は
補正回路３００における温度特性である。このため出力
電圧ＶＯＵＴの温度特性を宝にするには、補正回路３０
０における温度特性によりブリッジ回路１００の温度特
性を補正できるようにすれば良い。
ところで上記（２）式の右辺第２項において、ブリッジ
回路］００の負極側端子ｄの電圧をＶｄとし、その温度
特性を△Ｖｄとすれば、ΔＶｆは次式の如く記述でき、 △Ｖｆ＝ΔＶｄ−Ｒ１０／（Ｒ１０＋Ｒ９）ｖｂの温度
特性Δｖｂは、ｖｂがブリッジ回路１０ｏの中間より取
り出していることから、Ｖｄの温度特性の約半分である
（△ｖｂ二△Ｖｄ／２）。
回路］００の負極側端子ｄの電圧をＶｄとし、その温度
特性を△Ｖｄとすれば、ΔＶｆは次式の如く記述でき、 △Ｖｆ＝ΔＶｄ−Ｒ１０／（Ｒ１０＋Ｒ９）ｖｂの温度
特性Δｖｂは、ｖｂがブリッジ回路１０ｏの中間より取
り出していることから、Ｖｄの温度特性の約半分である
（△ｖｂ二△Ｖｄ／２）。
このため上記（２）式の右辺第２項（よと記述でき、出
力電圧ＶＯＩＪＴの温度特性に応じて抵抗器Ｒ９又はＲ
ＩＯをトリミングしてその抵抗値を調整すれば、温度補
正を良好に行うことができるのがわかる。
力電圧ＶＯＩＪＴの温度特性に応じて抵抗器Ｒ９又はＲ
ＩＯをトリミングしてその抵抗値を調整すれば、温度補
正を良好に行うことができるのがわかる。
即ち、本実施例で１ｉＲ９＝Ｒ１０に初期設定されてい
るため、次表に示す如く、トリミング前には温度特性補
正電流ｌＲ１１の温度特性ΔｌＲ１１は宝で、抵抗器Ｒ
９をトリミングすれ１ｉＲ９＞Ｒｌｏｏとなって温度特
性補正電流ｌＲ１１の温度特性ΔＲ１１が正となり、逆
に抵抗器ＲＩＯをトリミングすれば、Ｒ９＜ＲＩＯとな
って温度特性補正電流ｌＲ１１の温度特性Δｌ Ｒ１１
が負となる。
るため、次表に示す如く、トリミング前には温度特性補
正電流ｌＲ１１の温度特性ΔｌＲ１１は宝で、抵抗器Ｒ
９をトリミングすれ１ｉＲ９＞Ｒｌｏｏとなって温度特
性補正電流ｌＲ１１の温度特性ΔＲ１１が正となり、逆
に抵抗器ＲＩＯをトリミングすれば、Ｒ９＜ＲＩＯとな
って温度特性補正電流ｌＲ１１の温度特性Δｌ Ｒ１１
が負となる。
このため出力電圧ＶＯＵＴの温度特性ΔＶＯＵＴが正で
あれば、抵抗器ＲＩＯをトリミングして補正回路３００
側の温度特性 即ちΔｌＲ１１を負とし、逆に出力電圧
ＶＯｔｌＴの温度特性へＶ ０ｔｌＴが負であれ（戴抵
抗器Ｒ９をトリミングして補正回路３００側の温度特性
即ちΔｌＲ１１を正とすることにより、出力電圧ＶＯ
ＵＴを温度補償することが可能となる。
あれば、抵抗器ＲＩＯをトリミングして補正回路３００
側の温度特性 即ちΔｌＲ１１を負とし、逆に出力電圧
ＶＯｔｌＴの温度特性へＶ ０ｔｌＴが負であれ（戴抵
抗器Ｒ９をトリミングして補正回路３００側の温度特性
即ちΔｌＲ１１を正とすることにより、出力電圧ＶＯ
ＵＴを温度補償することが可能となる。
尚こうした温度特性の調整作業は、まず抵抗器Ｒ９，Ｒ
ＩＯのトリミング前に、出力電圧Ｖ ＯＵＴの温度特性
ΔＶＯＵＴを実測して、ブリッジ回路１００の温度特性
を求め、この温度特性に基づき、補正回路３００におけ
る各抵抗器の接続点電圧Ｖｆが次式（３）の如くなるよ
うに抵抗器Ｒ９又はＲ１０をトリミングすればよい（但
し、次式（３）は、上記（２）式とＶ ｆ ＃Ｒ１０；
／（Ｒ９＋Ｒ１０）Ｖ ｄとから求めることができる）
。
ＩＯのトリミング前に、出力電圧Ｖ ＯＵＴの温度特性
ΔＶＯＵＴを実測して、ブリッジ回路１００の温度特性
を求め、この温度特性に基づき、補正回路３００におけ
る各抵抗器の接続点電圧Ｖｆが次式（３）の如くなるよ
うに抵抗器Ｒ９又はＲ１０をトリミングすればよい（但
し、次式（３）は、上記（２）式とＶ ｆ ＃Ｒ１０；
／（Ｒ９＋Ｒ１０）Ｖ ｄとから求めることができる）
。
以上説明したように本実施例の圧力検出装置（二おいて
は、補正回路３００を、Ｙ接続された３つの抵抗器Ｒ９
〜Ｒ１１により構成すると共に、抵抗器Ｒ９の一端に温
度特性が最も大きい電圧信号Ｖｄが印加されたブリッジ
回路１００の負極側端子ｄを、抵抗器Ｒ］Ｏの一端に温
度特性が最小（Ｏ）で０電位のアースを、抵抗器Ｒ１１
の一端に温度特性が中間の電圧信号ｖｂが印加された加
算回路４００の抵抗端子に夫々接続し、しかも抵抗器Ｒ
９，ＲＩＯをトリミングにより抵抗値を調整できるよう
にしている。このため、抵抗器Ｒ９゜ＲＩＯのいずれか
一方をトリミングして、抵抗器Ｒ１１に流れる温度特性
補正電流ｌＲ１１の温度特性を正負いずれの方向にも調
整することが可能となり、温度特性補正電流ｌＲ１１の
調整作業を簡素化することができる。
は、補正回路３００を、Ｙ接続された３つの抵抗器Ｒ９
〜Ｒ１１により構成すると共に、抵抗器Ｒ９の一端に温
度特性が最も大きい電圧信号Ｖｄが印加されたブリッジ
回路１００の負極側端子ｄを、抵抗器Ｒ］Ｏの一端に温
度特性が最小（Ｏ）で０電位のアースを、抵抗器Ｒ１１
の一端に温度特性が中間の電圧信号ｖｂが印加された加
算回路４００の抵抗端子に夫々接続し、しかも抵抗器Ｒ
９，ＲＩＯをトリミングにより抵抗値を調整できるよう
にしている。このため、抵抗器Ｒ９゜ＲＩＯのいずれか
一方をトリミングして、抵抗器Ｒ１１に流れる温度特性
補正電流ｌＲ１１の温度特性を正負いずれの方向にも調
整することが可能となり、温度特性補正電流ｌＲ１１の
調整作業を簡素化することができる。
ここで上記実施例で１表加算回路４００において、温度
特性補正電流ｌＲ１１と検出信号ＩＲ６とを加算するこ
とにより、出力信号ＶＯＵＴの温度特性を補正するよう
にしたが、補正回路３００にて得られる温度特性補正電
流ｌＲ１１に基づき、増幅回路５００から圧力される圧
力信号ＶＯｔｌＴを補正する回路を設け、増幅回路５０
０の後段側で出力信号ＶＯＵＴを補正するようにしても
よい。
特性補正電流ｌＲ１１と検出信号ＩＲ６とを加算するこ
とにより、出力信号ＶＯＵＴの温度特性を補正するよう
にしたが、補正回路３００にて得られる温度特性補正電
流ｌＲ１１に基づき、増幅回路５００から圧力される圧
力信号ＶＯｔｌＴを補正する回路を設け、増幅回路５０
０の後段側で出力信号ＶＯＵＴを補正するようにしても
よい。
また上記実施例では、ブリッジ回路１００にて得られる
温度特性の異なる電圧信号Ｖｄ、Ｖｂと温度特性のない
アース電位とを利用して温度特性補正電流ｌＲ１１を生
成するようにしたが、温度補正対象となる半導体装置か
らこうした温度特性の異なる電圧信号を取り比すことが
できない場合には、ダイオードやトランジスタ等の順方
向電圧により温度特性の異なる電圧信号を生成し、これ
を利用して補正電流ｌＲ１１を生成するようにしてもよ
い。
温度特性の異なる電圧信号Ｖｄ、Ｖｂと温度特性のない
アース電位とを利用して温度特性補正電流ｌＲ１１を生
成するようにしたが、温度補正対象となる半導体装置か
らこうした温度特性の異なる電圧信号を取り比すことが
できない場合には、ダイオードやトランジスタ等の順方
向電圧により温度特性の異なる電圧信号を生成し、これ
を利用して補正電流ｌＲ１１を生成するようにしてもよ
い。
第１図は本発明が適用された実施例の圧力検出装置全体
の構成を表す電気回路図である。 ］００・・・ブリッジ回路 ２００・・・定電流回路
３００・・・補正回路 ４００・・・加算回路５
００・・・増幅回路 Ｒ９，ＲＩＯ，Ｒ１１・・・抵抗器
の構成を表す電気回路図である。 ］００・・・ブリッジ回路 ２００・・・定電流回路
３００・・・補正回路 ４００・・・加算回路５
００・・・増幅回路 Ｒ９，ＲＩＯ，Ｒ１１・・・抵抗器
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 周囲温度に応じて出力特性が変化する半導体装置の温度
特性補正装置であつて、 零を含む３種の異なる温度特性を有する電圧信号が印加
された３つの端子と、 該３つの端子のうち、温度特性が最も大きい電圧信号が
印加された端子と、温度特性が最も小さい電圧信号が印
加された端子との間に直列接続され、トリミングにより
抵抗値を調整可能な２つの抵抗器と、 上記３つの端子のうち、温度特性が中間の電圧信号が印
加された端子と、上記直列接続された２つの抵抗体の接
続点との間に接線され、少なくとも上記２つの抵抗器の
抵抗値に対して所定倍大きい固定抵抗体と、 該固定抵抗体に流れる電流に基づき半導体装置からの出
力信号を補正する補正手段と、 を備えたことを特徴とする半導体装置の温度特性補正装
置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2130844A JP2976487B2 (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | 半導体装置の温度特性補正装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2130844A JP2976487B2 (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | 半導体装置の温度特性補正装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0425767A true JPH0425767A (ja) | 1992-01-29 |
| JP2976487B2 JP2976487B2 (ja) | 1999-11-10 |
Family
ID=15044021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2130844A Expired - Lifetime JP2976487B2 (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | 半導体装置の温度特性補正装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2976487B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5761957A (en) * | 1996-02-08 | 1998-06-09 | Denso Corporation | Semiconductor pressure sensor that suppresses non-linear temperature characteristics |
| US6724202B2 (en) | 2000-11-10 | 2004-04-20 | Denso Corporation | Physical quantity detection device with temperature compensation |
-
1990
- 1990-05-21 JP JP2130844A patent/JP2976487B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5761957A (en) * | 1996-02-08 | 1998-06-09 | Denso Corporation | Semiconductor pressure sensor that suppresses non-linear temperature characteristics |
| US6724202B2 (en) | 2000-11-10 | 2004-04-20 | Denso Corporation | Physical quantity detection device with temperature compensation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2976487B2 (ja) | 1999-11-10 |
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