JPH0425841A - マスク装置 - Google Patents
マスク装置Info
- Publication number
- JPH0425841A JPH0425841A JP2130667A JP13066790A JPH0425841A JP H0425841 A JPH0425841 A JP H0425841A JP 2130667 A JP2130667 A JP 2130667A JP 13066790 A JP13066790 A JP 13066790A JP H0425841 A JPH0425841 A JP H0425841A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask device
- auxiliary
- phase
- opening
- transmitted light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体製造のりソゲラフイエ程で用いるマスク
装置のう板 開口部を透過する光の位相を互いに反転さ
せて、マスクパタンの転写像のコントラストを向上させ
る所謂位相シフトマスク装置に関するものである。
装置のう板 開口部を透過する光の位相を互いに反転さ
せて、マスクパタンの転写像のコントラストを向上させ
る所謂位相シフトマスク装置に関するものである。
従来の技術
従来のマスク装置としては 例えば 第３６回応用物理
学会関係連合講演会講演予稿集ｐ５５８． ｌａ−に２
に示されている。第２図はこの従来のマスク装置の構成
図を示すものであり、主開口部２１は半導体集積回路を
形成する回路バタン、補助開口部２２は透過光の位相か
主開口部２１からの透過光の位相に対して１８０°異な
る様１ミ 透明薄膜で開口部か覆われている開口部であ
る。以上のように構成された従来のマスク装置において
（よ 補助開口部２２の位置、大きさを調整し 主開口
部２１の周辺部での不必要な回折成分を、補助開口部２
２からの透過光との位相差によって相殺して結像面での
光強度を低下させ、解像度を向上させる効果を得る。
学会関係連合講演会講演予稿集ｐ５５８． ｌａ−に２
に示されている。第２図はこの従来のマスク装置の構成
図を示すものであり、主開口部２１は半導体集積回路を
形成する回路バタン、補助開口部２２は透過光の位相か
主開口部２１からの透過光の位相に対して１８０°異な
る様１ミ 透明薄膜で開口部か覆われている開口部であ
る。以上のように構成された従来のマスク装置において
（よ 補助開口部２２の位置、大きさを調整し 主開口
部２１の周辺部での不必要な回折成分を、補助開口部２
２からの透過光との位相差によって相殺して結像面での
光強度を低下させ、解像度を向上させる効果を得る。
発明が解決しようとする課題
しかしながら前記のような構成では 補助開口部２２の
透過率が高い場合には 補助開口部２２の位置２寸法の
調整だけでは効果か得られない場合があるという問題点
を有してい九 本発明はかかる点に鑑へ 簡便かつ有効
なマスク装置を提供することを目的とする。
透過率が高い場合には 補助開口部２２の位置２寸法の
調整だけでは効果か得られない場合があるという問題点
を有してい九 本発明はかかる点に鑑へ 簡便かつ有効
なマスク装置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は 主開口部と、前記主開口部に対する透過光の
位相及び透過率が異なる補助開口部を備えたことを特徴
とするマスク装置である。また本発明（よ 補助開口部
を透過した透過光の位相力丈主開ロ部を透過した透過光
の位相に比べて１８０°異なると同時（ミ 補助開口部
の光透過率が主開口部よりも小さいことを特徴とするマ
スク装置である。
位相及び透過率が異なる補助開口部を備えたことを特徴
とするマスク装置である。また本発明（よ 補助開口部
を透過した透過光の位相力丈主開ロ部を透過した透過光
の位相に比べて１８０°異なると同時（ミ 補助開口部
の光透過率が主開口部よりも小さいことを特徴とするマ
スク装置である。
作用
本発明は前記した構成により、補助開口部の透過率を低
下させているので、主開口部周辺の光強度を効果的に低
減する。
下させているので、主開口部周辺の光強度を効果的に低
減する。
実施例
第１図（よ 本発明の一実施例におけるマスク装置の構
成図を示すものである。第１図において、２１は回路パ
タンを転写する主開口部３１は主開口部２１による回折
光を低減する本発明による補助開口部である。以上のよ
うに構成されたこの実施例のマスク装置において、以下
その動作を説明する。
成図を示すものである。第１図において、２１は回路パ
タンを転写する主開口部３１は主開口部２１による回折
光を低減する本発明による補助開口部である。以上のよ
うに構成されたこの実施例のマスク装置において、以下
その動作を説明する。
マスク装置に光が照射されたとき、主開口部２１の透過
光と補助開口部３１の透過光が干渉しあうことによって
、結像面上での主開口部２１周辺の光強度が減少法 主
開口部２１の転写像のコントラストが向上するものであ
る。この場合、補助開口部３１の光透過率を主開口部２
１の５０％とすることにより、主開口部２１パタンの像
面光強度のコントラストを更に改善できも 第３図は本
発明のマスク装置による像面強度のシミュレーション結
果を示すものである。第３図（ａ ） Ｉｔ 従来の
マスク装置による０、６μ口の正方形パタンの開口部の
投影像へ 第２図のｃ−ｄ切辺における像面光強度のシ
ミュレーション結果を示す。第３図（ｂ）ｌ友 本発
明によるマスク装置による０、６μｍの正方形パタンの
開口部の投影像へ 第１図のａ−ｂ切辺に於ける像面強
度のシミュレーション結果を示す。本発明によるマスク
装置によって、マスクパタンの開口部の転写像の光強度
のコントラストを著しく改善できる。
光と補助開口部３１の透過光が干渉しあうことによって
、結像面上での主開口部２１周辺の光強度が減少法 主
開口部２１の転写像のコントラストが向上するものであ
る。この場合、補助開口部３１の光透過率を主開口部２
１の５０％とすることにより、主開口部２１パタンの像
面光強度のコントラストを更に改善できも 第３図は本
発明のマスク装置による像面強度のシミュレーション結
果を示すものである。第３図（ａ ） Ｉｔ 従来の
マスク装置による０、６μ口の正方形パタンの開口部の
投影像へ 第２図のｃ−ｄ切辺における像面光強度のシ
ミュレーション結果を示す。第３図（ｂ）ｌ友 本発
明によるマスク装置による０、６μｍの正方形パタンの
開口部の投影像へ 第１図のａ−ｂ切辺に於ける像面強
度のシミュレーション結果を示す。本発明によるマスク
装置によって、マスクパタンの開口部の転写像の光強度
のコントラストを著しく改善できる。
発明の詳細
な説明したように 本発明によれば マスクバタンの転
写像の解像性を簡便な方法によって著しく改善すること
ができ、その実用的効果は太きい。
写像の解像性を簡便な方法によって著しく改善すること
ができ、その実用的効果は太きい。
第１図は本発明の実施例におけるマスク装置の構成＆
第２図は従来のマスク装置の構成＠ 第３図はマスクバ
タンの転写像の像面強度のシミュレーション結果を示す
図である。 ２１・・・・主開口部２２・・・・補助関口訊３１・・
・・補助開口部 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第 図 ２／ｌ、関口叶 ３／補補助口部 ？２［ＪＫｌ”１０１ｐ Ω 因
第２図は従来のマスク装置の構成＠ 第３図はマスクバ
タンの転写像の像面強度のシミュレーション結果を示す
図である。 ２１・・・・主開口部２２・・・・補助関口訊３１・・
・・補助開口部 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第 図 ２／ｌ、関口叶 ３／補補助口部 ？２［ＪＫｌ”１０１ｐ Ω 因
Claims (2)
- （１）主開口部と、前記主開口部に対する透過光の位相
及び透過率が異なる補助開口部とを備えたマスク装置。 - （２）補助開口部の透過光の位相が主開口部に比べて１
８０゜異なるとともに、光透過率が小さいことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のマスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2130667A JPH0425841A (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | マスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2130667A JPH0425841A (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | マスク装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0425841A true JPH0425841A (ja) | 1992-01-29 |
Family
ID=15039734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2130667A Pending JPH0425841A (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | マスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0425841A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07287387A (ja) * | 1994-02-03 | 1995-10-31 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02140743A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-30 | Hitachi Ltd | 集積回路装置の製造方法 |
| JPH03209474A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Sony Corp | 位相シフトマスクの製造方法 |
-
1990
- 1990-05-21 JP JP2130667A patent/JPH0425841A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02140743A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-30 | Hitachi Ltd | 集積回路装置の製造方法 |
| JPH03209474A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Sony Corp | 位相シフトマスクの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07287387A (ja) * | 1994-02-03 | 1995-10-31 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法 |
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