JPH0425869U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0425869U JPH0425869U JP1990064984U JP6498490U JPH0425869U JP H0425869 U JPH0425869 U JP H0425869U JP 1990064984 U JP1990064984 U JP 1990064984U JP 6498490 U JP6498490 U JP 6498490U JP H0425869 U JPH0425869 U JP H0425869U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cold trap
- growth chamber
- cryopump
- exhausts
- vapor
- Prior art date
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- Pending
Links
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例の構成図、第２図は
従来のＨｇ回収機構の一例の構成図である。 １……成長室、２……クライオポンプ、３……
ゲートバルブ、４……Ｈｇコールドトラツプ、５
……Ｈｇ回収用ゲートバルブ、６……Ｈｇ回収溜
。
従来のＨｇ回収機構の一例の構成図である。 １……成長室、２……クライオポンプ、３……
ゲートバルブ、４……Ｈｇコールドトラツプ、５
……Ｈｇ回収用ゲートバルブ、６……Ｈｇ回収溜
。
Claims (1)
- 分子線エピタキシヤル成長用の成長室にゲート
バルブを介して連結されたＨｇコールドトラツプ
と、前記成長室内のＨｇ蒸気を前記Ｈｇコールド
トラツプ側に排気するクライオポンプと、液体Ｈ
ｇを回収するＨｇ回収溜とを備え、該Ｈｇ回収溜
は前記Ｈｇコールドトラツプに直結していること
を特徴とする分子線エピタキシヤル成長装置にお
けるＨｇ回収機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990064984U JPH0425869U (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990064984U JPH0425869U (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0425869U true JPH0425869U (ja) | 1992-03-02 |
Family
ID=31596406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990064984U Pending JPH0425869U (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0425869U (ja) |
-
1990
- 1990-06-21 JP JP1990064984U patent/JPH0425869U/ja active Pending