JPH04259238A - Ｓｏｉ構造の製造方法 - Google Patents
Ｓｏｉ構造の製造方法Info
- Publication number
- JPH04259238A JPH04259238A JP2101291A JP2101291A JPH04259238A JP H04259238 A JPH04259238 A JP H04259238A JP 2101291 A JP2101291 A JP 2101291A JP 2101291 A JP2101291 A JP 2101291A JP H04259238 A JPH04259238 A JP H04259238A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- film
- oxide film
- substrate
- silicon oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Element Separation (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、イオン注入ダメ―ジや
格子欠陥の生じないＳＯＩ構造の製造方法に関するもの
である。
格子欠陥の生じないＳＯＩ構造の製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】図９から図１１は、従来より一般に使用
されている従来例の要部構成説明図で、例えば、「最新
電子デバイス辞典」 発行所：ラジオ技術社
著者：馬場玄武 発行日：７６年３月 Ｐ１０９〜
Ｐ１１０に示されている。
されている従来例の要部構成説明図で、例えば、「最新
電子デバイス辞典」 発行所：ラジオ技術社
著者：馬場玄武 発行日：７６年３月 Ｐ１０９〜
Ｐ１１０に示されている。
【０００３】（１）図８に示す如く、シリコン基板１の
一面側に、酸化シリコンあるいは窒化シリコンからなる
絶縁膜２を形成する。 （２）図９に示す如く、絶縁膜２の表面に多結晶シリコ
ン３を形成する。 （３）図１０に示す如く、多結晶シリコン３にレ―ザあ
るいは電子ビ―ムを照射し、多結晶シリコン３を溶融す
る。 （４）図１１に示す如く、冷却しながら、多結晶シリコ
ン３を単結晶化させる。以上の方法に因って、ＳＯＩ構
造が得られる。
一面側に、酸化シリコンあるいは窒化シリコンからなる
絶縁膜２を形成する。 （２）図９に示す如く、絶縁膜２の表面に多結晶シリコ
ン３を形成する。 （３）図１０に示す如く、多結晶シリコン３にレ―ザあ
るいは電子ビ―ムを照射し、多結晶シリコン３を溶融す
る。 （４）図１１に示す如く、冷却しながら、多結晶シリコ
ン３を単結晶化させる。以上の方法に因って、ＳＯＩ構
造が得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この様
な、図８〜図９従来例では、 （１）多結晶シリコンを溶融するのに、１４００℃程度
に昇温するため、熱によるストレスが大きくなる。 （２）完全な単結晶が得にくい。 （３）（２）の理由で、基板サイズに制限がある。 また、他の方法として、イオン注入による埋込酸化層の
形成方法があるが、この場合は、シリコン単結晶層のイ
オン注入によるダメ―ジが大きい欠点を有する。
な、図８〜図９従来例では、 （１）多結晶シリコンを溶融するのに、１４００℃程度
に昇温するため、熱によるストレスが大きくなる。 （２）完全な単結晶が得にくい。 （３）（２）の理由で、基板サイズに制限がある。 また、他の方法として、イオン注入による埋込酸化層の
形成方法があるが、この場合は、シリコン単結晶層のイ
オン注入によるダメ―ジが大きい欠点を有する。
【０００５】本発明は、この問題点を解決するものであ
る。本発明の目的は、イオン注入ダメ―ジや格子欠陥の
生じないＳＯＩ構造の製造方法を提供するにある。
る。本発明の目的は、イオン注入ダメ―ジや格子欠陥の
生じないＳＯＩ構造の製造方法を提供するにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、絶縁基板上にシリコンの単結晶薄膜を形
成するＳＯＩ構造の製造方法において、以下の工程を有
する事を特徴とするＳＯＩ構造の製造方法を採用した。 （ａ）シリコン単結晶の基板上に第１のシリコン酸化膜
を形成する工程。 （ｂ）前記膜を格子状に残して所要箇所をエッチングに
より取去る工程。 （ｃ）前記基板と前記膜の表面とにシリコンの選択エピ
タキシャル成長層を選択エピタキシャル成長させる工程
。 （ｄ）該選択エピタキシャル成長層の表面に第２のシリ
コン酸化膜を形成する工程。 （ｅ）該第２のシリコン酸化膜の表面にシリコン窒化膜
を形成する工程。 （ｆ）該シリコン窒化膜をパタ―ニングして前記選択エ
ピタキシャル成長層をエッチングして前記第１のシリコ
ン酸化膜に達するエッチング孔を形成する工程。 （ｇ）該エッチング孔を介して前記格子状の第１のシリ
コン酸化膜をエッチング除去し空所を形成する工程。 （ｈ）該空所を酸化しシリコン基板と前記エピタキシャ
ル成長層とを第３の酸化膜で分離する工程。
に、本発明は、絶縁基板上にシリコンの単結晶薄膜を形
成するＳＯＩ構造の製造方法において、以下の工程を有
する事を特徴とするＳＯＩ構造の製造方法を採用した。 （ａ）シリコン単結晶の基板上に第１のシリコン酸化膜
を形成する工程。 （ｂ）前記膜を格子状に残して所要箇所をエッチングに
より取去る工程。 （ｃ）前記基板と前記膜の表面とにシリコンの選択エピ
タキシャル成長層を選択エピタキシャル成長させる工程
。 （ｄ）該選択エピタキシャル成長層の表面に第２のシリ
コン酸化膜を形成する工程。 （ｅ）該第２のシリコン酸化膜の表面にシリコン窒化膜
を形成する工程。 （ｆ）該シリコン窒化膜をパタ―ニングして前記選択エ
ピタキシャル成長層をエッチングして前記第１のシリコ
ン酸化膜に達するエッチング孔を形成する工程。 （ｇ）該エッチング孔を介して前記格子状の第１のシリ
コン酸化膜をエッチング除去し空所を形成する工程。 （ｈ）該空所を酸化しシリコン基板と前記エピタキシャ
ル成長層とを第３の酸化膜で分離する工程。
【０００７】
【作用】以上の方法において、シリコン単結晶の基板上
に第１のシリコン酸化膜を形成する。前記膜を格子状に
残して所要箇所をエッチングにより取去る。前記基板と
前記膜の表面とにシリコンの選択エピタキシャル成長層
を選択エピタキシャル成長させる。該選択エピタキシャ
ル成長層の表面に第２のシリコン酸化膜を形成する。該
第２のシリコン酸化膜の表面にシリコン窒化膜を形成す
る。該シリコン窒化膜をパタ―ニングして前記選択エピ
タキシャル成長層をエッチングして前記第１のシリコン
酸化膜に達するエッチング孔を形成する。該エッチング
孔を介して前記格子状の第１のシリコン酸化膜をエッチ
ング除去し空所を形成する。該空所を酸化しシリコン基
板と前記エピタキシャル成長層とを第３の酸化膜で分離
する。 以下、実施例に基づき詳細に説明する。
に第１のシリコン酸化膜を形成する。前記膜を格子状に
残して所要箇所をエッチングにより取去る。前記基板と
前記膜の表面とにシリコンの選択エピタキシャル成長層
を選択エピタキシャル成長させる。該選択エピタキシャ
ル成長層の表面に第２のシリコン酸化膜を形成する。該
第２のシリコン酸化膜の表面にシリコン窒化膜を形成す
る。該シリコン窒化膜をパタ―ニングして前記選択エピ
タキシャル成長層をエッチングして前記第１のシリコン
酸化膜に達するエッチング孔を形成する。該エッチング
孔を介して前記格子状の第１のシリコン酸化膜をエッチ
ング除去し空所を形成する。該空所を酸化しシリコン基
板と前記エピタキシャル成長層とを第３の酸化膜で分離
する。 以下、実施例に基づき詳細に説明する。
【０００８】
【実施例】図１〜図７は本発明の一実施例の要部製作説
明図である。 （ａ）図１に示す如く、シリコン単結晶の基板１０１上
に第１のシリコン酸化膜１０２を形成する。 （ｂ）図２に示す如く、膜１０２を格子状に残して所要
箇所１０３をエッチングにより取去る。 （ｃ）図３に示す如く、基板１０１と膜１０２の表面と
にシリコンの選択エピタキシャル成長層１０４を選択エ
ピタキシャル成長させる。 （ｄ）図４に示す如く、選択エピタキシャル成長層１０
４の表面に第２のシリコン酸化膜１０５を形成する。 （ｅ）図４に示す如く、第２のシリコン酸化膜１０５の
表面にシリコン窒化膜１０６を形成する。 （ｆ）図５に示す如く、シリコン窒化膜１０６をパタ―
ニングして選択エピタキシャル成長層１０４をエッチン
グして第１のシリコン酸化物１０２に達するエッチング
孔１０７を形成する。１０８はレジストを示す。 （ｇ）図６に示す如く、エッチング孔１０７を介して格
子状の第１のシリコン酸化膜１０２をエッチング除去し
空所１０９を形成する。 （ｈ）図７に示す如く、空所１０９を酸化し、シリコン
基板１０１とエピタキシャル成長層１０４とを第３の酸
化膜１１１で分離する。
明図である。 （ａ）図１に示す如く、シリコン単結晶の基板１０１上
に第１のシリコン酸化膜１０２を形成する。 （ｂ）図２に示す如く、膜１０２を格子状に残して所要
箇所１０３をエッチングにより取去る。 （ｃ）図３に示す如く、基板１０１と膜１０２の表面と
にシリコンの選択エピタキシャル成長層１０４を選択エ
ピタキシャル成長させる。 （ｄ）図４に示す如く、選択エピタキシャル成長層１０
４の表面に第２のシリコン酸化膜１０５を形成する。 （ｅ）図４に示す如く、第２のシリコン酸化膜１０５の
表面にシリコン窒化膜１０６を形成する。 （ｆ）図５に示す如く、シリコン窒化膜１０６をパタ―
ニングして選択エピタキシャル成長層１０４をエッチン
グして第１のシリコン酸化物１０２に達するエッチング
孔１０７を形成する。１０８はレジストを示す。 （ｇ）図６に示す如く、エッチング孔１０７を介して格
子状の第１のシリコン酸化膜１０２をエッチング除去し
空所１０９を形成する。 （ｈ）図７に示す如く、空所１０９を酸化し、シリコン
基板１０１とエピタキシャル成長層１０４とを第３の酸
化膜１１１で分離する。
【０００９】この結果、エピタキシャル成長層１０４の
下に酸化膜層１０２を埋込んでいるので、実デバイスは
、イオン注入ダメ―ジや、結晶欠陥のあるシリコン上で
はなく、単結晶シリコン上に形成出来る。
下に酸化膜層１０２を埋込んでいるので、実デバイスは
、イオン注入ダメ―ジや、結晶欠陥のあるシリコン上で
はなく、単結晶シリコン上に形成出来る。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、絶縁基
板上にシリコンの単結晶薄膜を形成するＳＯＩ構造の製
造方法において、以下の工程を有する事を特徴とするＳ
ＯＩ構造の製造方法を採用した。 （ａ）シリコン単結晶の基板上に第１のシリコン酸化膜
を形成する工程。 （ｂ）前記膜を格子状に残して所要箇所をエッチングに
より取去る工程。 （ｃ）前記基板と前記膜の表面とにシリコンの選択エピ
タキシャル成長層を選択エピタキシャル成長させる工程
。 （ｄ）該選択エピタキシャル成長層の表面に第２のシリ
コン酸化膜を形成する工程。 （ｅ）該第２のシリコン酸化膜の表面にシリコン窒化膜
を形成する工程。 （ｆ）該シリコン窒化膜をパタ―ニングして前記選択エ
ピタキシャル成長層をエッチングして前記第１のシリコ
ン酸化膜に達するエッチング孔を形成する工程。 （ｇ）該エッチング孔を介して前記格子状の第１のシリ
コン酸化膜をエッチング除去し空所を形成する工程。 （ｈ）該空所を酸化しシリコン基板と前記エピタキシャ
ル成長層とを第３の酸化膜で分離する工程。
板上にシリコンの単結晶薄膜を形成するＳＯＩ構造の製
造方法において、以下の工程を有する事を特徴とするＳ
ＯＩ構造の製造方法を採用した。 （ａ）シリコン単結晶の基板上に第１のシリコン酸化膜
を形成する工程。 （ｂ）前記膜を格子状に残して所要箇所をエッチングに
より取去る工程。 （ｃ）前記基板と前記膜の表面とにシリコンの選択エピ
タキシャル成長層を選択エピタキシャル成長させる工程
。 （ｄ）該選択エピタキシャル成長層の表面に第２のシリ
コン酸化膜を形成する工程。 （ｅ）該第２のシリコン酸化膜の表面にシリコン窒化膜
を形成する工程。 （ｆ）該シリコン窒化膜をパタ―ニングして前記選択エ
ピタキシャル成長層をエッチングして前記第１のシリコ
ン酸化膜に達するエッチング孔を形成する工程。 （ｇ）該エッチング孔を介して前記格子状の第１のシリ
コン酸化膜をエッチング除去し空所を形成する工程。 （ｈ）該空所を酸化しシリコン基板と前記エピタキシャ
ル成長層とを第３の酸化膜で分離する工程。
【００１１】この結果、エピタキシャル成長層の下に酸
化膜層を埋込んでいるので、実デバイスは、イオン注入
ダメ―ジや、結晶欠陥のあるシリコン上ではなく、単結
晶シリコン上に形成出来る。従って、本発明によれば、
イオン注入ダメ―ジや格子欠陥の生じないＳＯＩ構造の
製造方法を実現することが出来る。
化膜層を埋込んでいるので、実デバイスは、イオン注入
ダメ―ジや、結晶欠陥のあるシリコン上ではなく、単結
晶シリコン上に形成出来る。従って、本発明によれば、
イオン注入ダメ―ジや格子欠陥の生じないＳＯＩ構造の
製造方法を実現することが出来る。
【図１】本発明の一実施例の要部製作説明図である。
【図２】本発明の一実施例の要部製作説明図である。
【図３】本発明の一実施例の要部製作説明図である。
【図４】本発明の一実施例の要部製作説明図である。
【図５】本発明の一実施例の要部製作説明図である。
【図６】本発明の一実施例の要部製作説明図である。
【図７】本発明の一実施例の要部製作説明図である。
【図８】従来より一般に使用されている従来例の構成説
明図である。
明図である。
【図９】従来より一般に使用されている従来例の構成説
明図である。
明図である。
【図１０】従来より一般に使用されている従来例の構成
説明図である。
説明図である。
【図１１】従来より一般に使用されている従来例の構成
説明図である。
説明図である。
１０１…基板
１０２…第１の酸化シリコン膜
１０３…所要箇所
１０４…エピタキシャル成長層
１０５…第２の酸化シリコン膜
１０６…窒化シリコン膜
１０７…レジスト
１０８…エッチング孔
１０９…空所
１１１…第３の酸化シリコン膜
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁基板上にシリコンの単結晶薄膜を形成
するＳＯＩ構造の製造方法において、 以下の工程を
有する事を特徴とするＳＯＩ構造の製造方法。 （ａ）シリコン単結晶の基板上に第１のシリコン酸化膜
を形成する工程。 （ｂ）前記膜を格子状に残して所要箇所をエッチングに
より取去る工程。 （ｃ）前記基板と前記膜の表面とにシリコンの選択エピ
タキシャル成長層を選択エピタキシャル成長させる工程
。 （ｄ）該選択エピタキシャル成長層の表面に第２のシリ
コン酸化膜を形成する工程。 （ｅ）該第２のシリコン酸化膜の表面にシリコン窒化膜
を形成する工程。 （ｆ）該シリコン窒化膜をパタ―ニングして前記選択エ
ピタキシャル成長層をエッチングして前記第１のシリコ
ン酸化膜に達するエッチング孔を形成する工程。 （ｇ）該エッチング孔を介して前記格子状の第１のシリ
コン酸化膜をエッチング除去し空所を形成する工程。 （ｈ）該空所を酸化しシリコン基板と前記エピタキシャ
ル成長層とを第３の酸化膜で分離する工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2101291A JPH04259238A (ja) | 1991-02-14 | 1991-02-14 | Ｓｏｉ構造の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2101291A JPH04259238A (ja) | 1991-02-14 | 1991-02-14 | Ｓｏｉ構造の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04259238A true JPH04259238A (ja) | 1992-09-14 |
Family
ID=12043145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2101291A Pending JPH04259238A (ja) | 1991-02-14 | 1991-02-14 | Ｓｏｉ構造の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04259238A (ja) |
-
1991
- 1991-02-14 JP JP2101291A patent/JPH04259238A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4448632A (en) | Method of fabricating semiconductor devices | |
| JP2575378B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6362897B2 (ja) | ||
| JP2785918B2 (ja) | 絶縁層の上に成長層を有する半導体装置の製造方法 | |
| JP2989051B2 (ja) | 炭化シリコンバイポーラ半導体装置およびその製造方法 | |
| US5208167A (en) | Method for producing SOI substrate | |
| JP2793460B2 (ja) | Ｓｏｉ構造の製造方法 | |
| JP2822211B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6191917A (ja) | 半導体薄膜結晶の製造方法 | |
| JPH0257701B2 (ja) | ||
| JPH05326692A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06125000A (ja) | 半導体基板およびその製造方法 | |
| JPS61174736A (ja) | 誘電体分離基板の製造方法 | |
| JPS6038830A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100753670B1 (ko) | Ｓｏｉ 웨이퍼 및 그 제조방법 | |
| JPH0546706B2 (ja) | ||
| JPH03173427A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2595564B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01196812A (ja) | 絶縁膜上への単結晶シリコン膜の形成方法 | |
| JPH0541447A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
| JPS63253639A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05243536A (ja) | Ｓｏｉ構造の製造方法 | |
| JPS627112A (ja) | 半導体単結晶層の製造方法 | |
| JPH03156917A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6221269B2 (ja) |