JPH04260669A - 炭化珪素含有窒化珪素複合体の製造方法 - Google Patents
炭化珪素含有窒化珪素複合体の製造方法Info
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- JPH04260669A JPH04260669A JP3022227A JP2222791A JPH04260669A JP H04260669 A JPH04260669 A JP H04260669A JP 3022227 A JP3022227 A JP 3022227A JP 2222791 A JP2222791 A JP 2222791A JP H04260669 A JPH04260669 A JP H04260669A
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- sintering
- si3n4
- sic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は炭化珪素含有窒化珪素複
合体の製造方法に係る。
合体の製造方法に係る。
【０００２】
【従来の技術】窒化珪素と炭化珪素との両方の優れた性
質を具備した耐熱性構造材料を得ることを目的として、
窒化珪素と炭化珪素の複合体の開発が試みられている。 一般的には、 Ｓｉ３Ｎ４粉末と ＳｉＣ粉末の混合粉
末をホットプレスされる。また、特開平１−２９８０６
９号公報では、珪素アルコキシドを加水分解して得られ
る炭化珪素４０ｗｔ％以下の Ｓｉ３Ｎ４−ＳｉＣ 混
合粉末を１５５０〜１７３０℃の温度で加圧焼結する方
法が開示されている。
質を具備した耐熱性構造材料を得ることを目的として、
窒化珪素と炭化珪素の複合体の開発が試みられている。 一般的には、 Ｓｉ３Ｎ４粉末と ＳｉＣ粉末の混合粉
末をホットプレスされる。また、特開平１−２９８０６
９号公報では、珪素アルコキシドを加水分解して得られ
る炭化珪素４０ｗｔ％以下の Ｓｉ３Ｎ４−ＳｉＣ 混
合粉末を１５５０〜１７３０℃の温度で加圧焼結する方
法が開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一般に、 Ｓｉ３Ｎ４
−ＳｉＣ（超微粉）複合材は難焼結性であるので、特殊
な原料を用いたり、ホットプレスで強引に焼結させてい
る。特開平１−２９８０６９号公報でもアルコキシド加
水分解して得られる原料を用い、しかも実施例ではやは
りホットプレスを採用している。特殊な原料を使用しな
ければならないことは不都合であり、またホットプレス
を採用する場合には製品形状に制約がある。そこで、本
発明は、このように特殊な出発原料を用いたり、ホット
プレスなしで Ｓｉ３Ｎ４−ＳｉＣ 複合材を緻密に焼
結する方法を提供することを目的とする。
−ＳｉＣ（超微粉）複合材は難焼結性であるので、特殊
な原料を用いたり、ホットプレスで強引に焼結させてい
る。特開平１−２９８０６９号公報でもアルコキシド加
水分解して得られる原料を用い、しかも実施例ではやは
りホットプレスを採用している。特殊な原料を使用しな
ければならないことは不都合であり、またホットプレス
を採用する場合には製品形状に制約がある。そこで、本
発明は、このように特殊な出発原料を用いたり、ホット
プレスなしで Ｓｉ３Ｎ４−ＳｉＣ 複合材を緻密に焼
結する方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 Ｓｉ３Ｎ４と、焼結助剤として重量比
で４：１から１：１の範囲のＹ２Ｏ３とＭｇＡｌ２Ｏ４
をＹ２Ｏ３＋ＭｇＡｌ２Ｏ４ ＋Ｓｉ３Ｎ４ の総重
量を １００ｗｔ％として４〜８ｗｔ％と、Ｙ２Ｏ３＋
ＭｇＡｌ２Ｏ４ ＋Ｓｉ３Ｎ４ の総重量を１００ｗｔ
％としてＳｉＣを１０〜２０ｗｔ％とを含む混合粉末を
成形し、該成形体を１７００〜１８００℃の範囲の温度
まで加熱して予備焼結し、次いで同温度範囲で雰囲気圧
力を１０００気圧以上に昇圧し、本焼結することを特徴
とする炭化珪素含有窒化珪素複合体の製造方法を提供す
る。
成するために、 Ｓｉ３Ｎ４と、焼結助剤として重量比
で４：１から１：１の範囲のＹ２Ｏ３とＭｇＡｌ２Ｏ４
をＹ２Ｏ３＋ＭｇＡｌ２Ｏ４ ＋Ｓｉ３Ｎ４ の総重
量を １００ｗｔ％として４〜８ｗｔ％と、Ｙ２Ｏ３＋
ＭｇＡｌ２Ｏ４ ＋Ｓｉ３Ｎ４ の総重量を１００ｗｔ
％としてＳｉＣを１０〜２０ｗｔ％とを含む混合粉末を
成形し、該成形体を１７００〜１８００℃の範囲の温度
まで加熱して予備焼結し、次いで同温度範囲で雰囲気圧
力を１０００気圧以上に昇圧し、本焼結することを特徴
とする炭化珪素含有窒化珪素複合体の製造方法を提供す
る。
【０００５】本発明の方法の第１の特徴は、焼結助剤と
してＹ２Ｏ３とＭｇＡｌ２Ｏ４ を用いる点にある。こ
れにより Ｓｉ３Ｎ４−ＳｉＣ 複合体の焼結性が向上
する。ＭｇＡｌ２Ｏ４ は ＭｇＯとＡｌ２Ｏ３ の混
合粉ではなくＭｇＡｌ２Ｏ４ 粉でなければならない。 Ｙ２Ｏ３とＭｇＡｌ２Ｏ４ は重量比で４：１〜１：１
の範囲とし、その合計量は Ｓｉ３Ｎ４＋Ｙ２Ｏ３＋Ｍ
ｇＡｌ２Ｏ４ の総重量 １００ｗｔ％に対し４〜８ｗ
ｔ％とする。焼結助剤の量が少ないと緻密に焼結せず、
また多すぎると１０００℃強度低下の原因になるからで
ある。Ｙ２Ｏ３とＭｇＡｌ２Ｏ４ の重量比が４：１よ
りＹ２Ｏ３が増加すると緻密に焼結せず、１：１よりも
Ｙ２Ｏ３が減少すると緻密には焼結するがスピネル量が
多くなりすぎて１０００℃強度が低下する。
してＹ２Ｏ３とＭｇＡｌ２Ｏ４ を用いる点にある。こ
れにより Ｓｉ３Ｎ４−ＳｉＣ 複合体の焼結性が向上
する。ＭｇＡｌ２Ｏ４ は ＭｇＯとＡｌ２Ｏ３ の混
合粉ではなくＭｇＡｌ２Ｏ４ 粉でなければならない。 Ｙ２Ｏ３とＭｇＡｌ２Ｏ４ は重量比で４：１〜１：１
の範囲とし、その合計量は Ｓｉ３Ｎ４＋Ｙ２Ｏ３＋Ｍ
ｇＡｌ２Ｏ４ の総重量 １００ｗｔ％に対し４〜８ｗ
ｔ％とする。焼結助剤の量が少ないと緻密に焼結せず、
また多すぎると１０００℃強度低下の原因になるからで
ある。Ｙ２Ｏ３とＭｇＡｌ２Ｏ４ の重量比が４：１よ
りＹ２Ｏ３が増加すると緻密に焼結せず、１：１よりも
Ｙ２Ｏ３が減少すると緻密には焼結するがスピネル量が
多くなりすぎて１０００℃強度が低下する。
【０００６】また、Ｓｉ３Ｎ４， Ｙ２Ｏ３， ＭｇＡ
ｌ２Ｏ４の出発原料はできるだけ微細、高純度であるこ
とが望ましい。限定するわけではないが、 Ｓｉ３Ｎ４
は粒径０．６μｍ以下、より好ましくは０．１〜０．４
μｍ、純度は金属不純物総量で１００ｐｐｍ以下、Ｙ２
Ｏ３， ＭｇＡｌ２Ｏ４ は粒径０．６μｍ以下、より
好ましくは０．１〜０．４μｍ、純度は９９．９％以上
である。
ｌ２Ｏ４の出発原料はできるだけ微細、高純度であるこ
とが望ましい。限定するわけではないが、 Ｓｉ３Ｎ４
は粒径０．６μｍ以下、より好ましくは０．１〜０．４
μｍ、純度は金属不純物総量で１００ｐｐｍ以下、Ｙ２
Ｏ３， ＭｇＡｌ２Ｏ４ は粒径０．６μｍ以下、より
好ましくは０．１〜０．４μｍ、純度は９９．９％以上
である。
【０００７】また、添加する ＳｉＣ粉末は、 Ｓｉ３
Ｎ４＋Ｙ２Ｏ３＋ＭｇＡｌ２Ｏ４ の総重量 １００ｗ
ｔ％に対し、１０〜２０ｗｔ％の範囲である。 Ｓｉ３
Ｎ４に対し ＳｉＣを適当量添加することにより、高温
強度（例えば１０００℃強度）と破壊靱性値が向上する
が、添加量が多すぎると緻密に焼結しなくなり、強度、
破壊靱性値とも低下する。Ｙ２Ｏ３−ＭｇＡｌ２Ｏ４
は Ｓｉ３Ｎ４の焼結性を良くするが、反面高温強度が
低下する欠点がある。しかし、 ＳｉＣを添加すると、
高温強度が改善される。 ＳｉＣの添加量が少ないとこ
の効果が十分でない。 ＳｉＣは好ましくは０．１μｍ
以下、より好ましくは０．０５μｍ以下の粒径で、９９
．９％以上の純度を有することが望ましい。
Ｎ４＋Ｙ２Ｏ３＋ＭｇＡｌ２Ｏ４ の総重量 １００ｗ
ｔ％に対し、１０〜２０ｗｔ％の範囲である。 Ｓｉ３
Ｎ４に対し ＳｉＣを適当量添加することにより、高温
強度（例えば１０００℃強度）と破壊靱性値が向上する
が、添加量が多すぎると緻密に焼結しなくなり、強度、
破壊靱性値とも低下する。Ｙ２Ｏ３−ＭｇＡｌ２Ｏ４
は Ｓｉ３Ｎ４の焼結性を良くするが、反面高温強度が
低下する欠点がある。しかし、 ＳｉＣを添加すると、
高温強度が改善される。 ＳｉＣの添加量が少ないとこ
の効果が十分でない。 ＳｉＣは好ましくは０．１μｍ
以下、より好ましくは０．０５μｍ以下の粒径で、９９
．９％以上の純度を有することが望ましい。
【０００８】Ｓｉ３Ｎ４， ＳｉＣ、焼結助剤の混合、
成形は慣用の方法でよく、典型的には３００ＭＰａ程度
の圧力で圧縮成形する。
成形は慣用の方法でよく、典型的には３００ＭＰａ程度
の圧力で圧縮成形する。
【０００９】本発明の第２の特徴は、焼結方法としてホ
ットプレスではなく、ガス圧焼結、より詳しくは、先ず
１７００〜１８００℃の範囲で予備焼結した後、同温度
でガス圧を１０００気圧以上に昇圧し、本焼結すること
にある。このホットプレスによらない焼結は、焼結助剤
としてＹ２Ｏ３とＭｇＡｌ２Ｏ４ を用いたことにより
可能にされた。
ットプレスではなく、ガス圧焼結、より詳しくは、先ず
１７００〜１８００℃の範囲で予備焼結した後、同温度
でガス圧を１０００気圧以上に昇圧し、本焼結すること
にある。このホットプレスによらない焼結は、焼結助剤
としてＹ２Ｏ３とＭｇＡｌ２Ｏ４ を用いたことにより
可能にされた。
【００１０】焼結温度は１７００〜１８００℃の範囲で
ある。温度があまり低いと十分に焼結せず、一方温度が
高すぎると粒成長して室温及び１０００℃強度が低下す
るからである。焼成雰囲気は窒素雰囲気であるが、窒素
と不活性雰囲気との混合雰囲気でもよい。本焼結前に、
ガス圧焼結を効果的にするため常圧付近で予備焼結して
被焼結体を閉気孔化する。閉気孔化の一応の目途として
理論密度の９０％程度である。予備焼結後、雰囲気圧力
を１０００気圧以上、通常１０００〜２０００気圧に昇
圧し、同じ温度で本焼結する。本発明では、この本焼結
により理論密度の９８〜９９％以上まで緻密化すること
が可能である。１０００気圧未満では緻密に焼結しない
。そして、本発明はガス圧焼結であるので、ホットプレ
スのように製品形状に制約がない。
ある。温度があまり低いと十分に焼結せず、一方温度が
高すぎると粒成長して室温及び１０００℃強度が低下す
るからである。焼成雰囲気は窒素雰囲気であるが、窒素
と不活性雰囲気との混合雰囲気でもよい。本焼結前に、
ガス圧焼結を効果的にするため常圧付近で予備焼結して
被焼結体を閉気孔化する。閉気孔化の一応の目途として
理論密度の９０％程度である。予備焼結後、雰囲気圧力
を１０００気圧以上、通常１０００〜２０００気圧に昇
圧し、同じ温度で本焼結する。本発明では、この本焼結
により理論密度の９８〜９９％以上まで緻密化すること
が可能である。１０００気圧未満では緻密に焼結しない
。そして、本発明はガス圧焼結であるので、ホットプレ
スのように製品形状に制約がない。
【００１１】本発明の方法によれば、室温から１０００
℃までの４点曲げ強度が ９００〜１１００ＭＰａ の
範囲で、特に１０００℃の平均強度が９００ＭＰａを下
まわらない高温高強度の Ｓｉ３Ｎ４−ＳｉＣ 複合体
が得られる。
℃までの４点曲げ強度が ９００〜１１００ＭＰａ の
範囲で、特に１０００℃の平均強度が９００ＭＰａを下
まわらない高温高強度の Ｓｉ３Ｎ４−ＳｉＣ 複合体
が得られる。
【００１２】
【作用】Ｙ２Ｏ３， ＭｇＡｌ２Ｏ４を焼結助剤とした
ことにより Ｓｉ３Ｎ４−ＳｉＣ の難焼結材料をホッ
トプレスによらずに高圧力ガス圧焼結で緻密化すること
が可能になり、かつ Ｙ２Ｏ３， ＭｇＡｌ２Ｏ４では
高温強度が低下する欠点を耐酸化性に優れるＳｉＣ を
添加したことにより、特に ＳｉＣが Ｓｉ３Ｎ４焼結
体の粒界３重点に入ることにより Ｓｉ３Ｎ４焼結体の
耐酸化性が向上し、１０００℃強度が室温強度に比較し
て低下しなくなる。
ことにより Ｓｉ３Ｎ４−ＳｉＣ の難焼結材料をホッ
トプレスによらずに高圧力ガス圧焼結で緻密化すること
が可能になり、かつ Ｙ２Ｏ３， ＭｇＡｌ２Ｏ４では
高温強度が低下する欠点を耐酸化性に優れるＳｉＣ を
添加したことにより、特に ＳｉＣが Ｓｉ３Ｎ４焼結
体の粒界３重点に入ることにより Ｓｉ３Ｎ４焼結体の
耐酸化性が向上し、１０００℃強度が室温強度に比較し
て低下しなくなる。
【００１３】
【実施例】Ｓｉ３Ｎ４粉末（平均粒径０．２μｍ、金属
不純物総量３０ｐｐｍ 、α化率ほぼ １００％）に第
２相粒子として炭化珪素（製法；プラズマＣＶＤ法、比
表面積４７ｍ２ ／ｇ、平均粒径０．０３μｍ、純度９
９．９％、β相ほぼ １００％）、焼結助剤としてＹ２
Ｏ３粉末（平均粒径０．３μｍ、純度９９．９％）、
ＭｇＡｌ２Ｏ４粉末（平均粒径０．３μｍ、純度９９．
９％）の添加量を表１に示すような組成で混合（Ｓｉ３
Ｎ４製ボールミル）した各種粉末を２００ｋｇｆ／ｃｍ
２ の圧力で加圧成形し、その成形体を薄ゴムにつめ真
空封入後ＣＩＰ（静水圧成形）にて ３０００ｋｇｆ／
ｃｍ２ の圧力で加圧した。 その後、この成形体を表１に示す条件でＮ２ 雰囲気中
の炉内で焼結させた。昇温速度は５℃／ｍｉｎ 、最高
温度に到達後４時間までは０ｋｇｆ／ｃｍ２（１気圧）
のＮ２ 雰囲気下で、その後表１に示す最高圧力まで毎
分 １５ｋｇｆ／ｃｍ２ の昇圧速度で加圧し、最高温
度での総保持時間が８時間になるまで加熱・加圧した。 この昇温・昇圧スケジュールを図１に示す。これらの焼
結体の室温４点曲げ強度（ＪＩＳ Ｒ １６０１） 、
高温４点曲げ強度（ＪＩＳ Ｒ １６０４、大気中）及
び破壊靱性値（ＪＩＳ Ｒ １６０７、ＳＥＰＢ法）を
測定して表１に示す結果を得た。焼結体の相対密度はｎ
−ブタノール置換法で求めた嵩密度を理論密度で除して
得た値である。残部は気孔率であるが、光学顕微鏡によ
る鏡面研磨面の観察結果からも裏付けられた。曲げ試験
のｎ数は１５、破壊靱性値のｎ数は５で、値はその平均
値である。 曲げ強度の標準偏差値はいずれの試料も室温で ８０Ｍ
Ｐａ以下、１０００℃で ５０ＭＰａ以下であった。実
施例の試料 ＮＯ．２の焼結体組織をＴＥＭにて詳細に
観察した結果、本発明の製造法により炭化珪素粉末は均
質に分散しており、炭化珪素は焼結体の窒化珪素の粒界
また粒界３重点に存在していることが観察できた。また
一部の ＳｉＣは Ｓｉ３Ｎ４粒内にも存在していた。
不純物総量３０ｐｐｍ 、α化率ほぼ １００％）に第
２相粒子として炭化珪素（製法；プラズマＣＶＤ法、比
表面積４７ｍ２ ／ｇ、平均粒径０．０３μｍ、純度９
９．９％、β相ほぼ １００％）、焼結助剤としてＹ２
Ｏ３粉末（平均粒径０．３μｍ、純度９９．９％）、
ＭｇＡｌ２Ｏ４粉末（平均粒径０．３μｍ、純度９９．
９％）の添加量を表１に示すような組成で混合（Ｓｉ３
Ｎ４製ボールミル）した各種粉末を２００ｋｇｆ／ｃｍ
２ の圧力で加圧成形し、その成形体を薄ゴムにつめ真
空封入後ＣＩＰ（静水圧成形）にて ３０００ｋｇｆ／
ｃｍ２ の圧力で加圧した。 その後、この成形体を表１に示す条件でＮ２ 雰囲気中
の炉内で焼結させた。昇温速度は５℃／ｍｉｎ 、最高
温度に到達後４時間までは０ｋｇｆ／ｃｍ２（１気圧）
のＮ２ 雰囲気下で、その後表１に示す最高圧力まで毎
分 １５ｋｇｆ／ｃｍ２ の昇圧速度で加圧し、最高温
度での総保持時間が８時間になるまで加熱・加圧した。 この昇温・昇圧スケジュールを図１に示す。これらの焼
結体の室温４点曲げ強度（ＪＩＳ Ｒ １６０１） 、
高温４点曲げ強度（ＪＩＳ Ｒ １６０４、大気中）及
び破壊靱性値（ＪＩＳ Ｒ １６０７、ＳＥＰＢ法）を
測定して表１に示す結果を得た。焼結体の相対密度はｎ
−ブタノール置換法で求めた嵩密度を理論密度で除して
得た値である。残部は気孔率であるが、光学顕微鏡によ
る鏡面研磨面の観察結果からも裏付けられた。曲げ試験
のｎ数は１５、破壊靱性値のｎ数は５で、値はその平均
値である。 曲げ強度の標準偏差値はいずれの試料も室温で ８０Ｍ
Ｐａ以下、１０００℃で ５０ＭＰａ以下であった。実
施例の試料 ＮＯ．２の焼結体組織をＴＥＭにて詳細に
観察した結果、本発明の製造法により炭化珪素粉末は均
質に分散しており、炭化珪素は焼結体の窒化珪素の粒界
また粒界３重点に存在していることが観察できた。また
一部の ＳｉＣは Ｓｉ３Ｎ４粒内にも存在していた。
【００１４】
【表１】
【００１５】
【発明の効果】Ｓｉ３Ｎ４−ＳｉＣ 複合体において高
温強度が向上し、かつ製品形状の自由度が拡大する。
温強度が向上し、かつ製品形状の自由度が拡大する。
【図１】実施例の焼結の昇温・昇圧スケジュールを示す
図である。
図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｓｉ３Ｎ４と、焼結助剤として重量
比で４：１から１：１の範囲のＹ２Ｏ３とＭｇＡｌ２Ｏ
４ をＹ２Ｏ３＋ＭｇＡｌ２Ｏ４ ＋Ｓｉ３Ｎ４ の総
重量を １００ｗｔ％として４〜８ｗｔ％と、Ｙ２Ｏ３
＋ＭｇＡｌ２Ｏ４ ＋Ｓｉ３Ｎ４ の総重量を １００
ｗｔ％として ＳｉＣを１０〜２０ｗｔ％とを含む混合
粉末を成形し、該成形体を１７００〜１８００℃の範囲
の温度まで加熱して予備焼結し、次いで同温度範囲で雰
囲気圧力を１０００気圧以上に昇圧し、本焼結すること
を特徴とする炭化珪素含有窒化珪素複合体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3022227A JP2773439B2 (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 炭化珪素含有窒化珪素複合体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3022227A JP2773439B2 (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 炭化珪素含有窒化珪素複合体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04260669A true JPH04260669A (ja) | 1992-09-16 |
| JP2773439B2 JP2773439B2 (ja) | 1998-07-09 |
Family
ID=12076918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3022227A Expired - Fee Related JP2773439B2 (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 炭化珪素含有窒化珪素複合体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2773439B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003010113A1 (fr) * | 2001-07-24 | 2003-02-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Article en nitrure de silicium resistant a l'usure et procede de fabrication de cet article |
| JP2005147655A (ja) * | 2003-11-19 | 2005-06-09 | Beru Ag | セラミック・グロー・プラグのグロー・ピンの製造方法 |
| US7521388B2 (en) * | 2003-09-25 | 2009-04-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Wear resistant member comprised of silicon nitride and process for producing the same |
| CN107879753A (zh) * | 2017-11-24 | 2018-04-06 | 中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司 | 一种碳化硅‑镁铝尖晶石复合耐火材料 |
| CN115677357A (zh) * | 2022-11-10 | 2023-02-03 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种高耐磨氮化硅陶瓷及其制备方法 |
-
1991
- 1991-02-15 JP JP3022227A patent/JP2773439B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003010113A1 (fr) * | 2001-07-24 | 2003-02-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Article en nitrure de silicium resistant a l'usure et procede de fabrication de cet article |
| US7056850B2 (en) | 2001-07-24 | 2006-06-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Wear-resistant silicon nitride member and method of manufacture thereof |
| US7521388B2 (en) * | 2003-09-25 | 2009-04-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Wear resistant member comprised of silicon nitride and process for producing the same |
| JP2005147655A (ja) * | 2003-11-19 | 2005-06-09 | Beru Ag | セラミック・グロー・プラグのグロー・ピンの製造方法 |
| CN107879753A (zh) * | 2017-11-24 | 2018-04-06 | 中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司 | 一种碳化硅‑镁铝尖晶石复合耐火材料 |
| CN107879753B (zh) * | 2017-11-24 | 2020-10-23 | 中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司 | 一种碳化硅-镁铝尖晶石复合耐火材料 |
| CN115677357A (zh) * | 2022-11-10 | 2023-02-03 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种高耐磨氮化硅陶瓷及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2773439B2 (ja) | 1998-07-09 |
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