JPH04261068A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
- Publication number
- JPH04261068A JPH04261068A JP3011188A JP1118891A JPH04261068A JP H04261068 A JPH04261068 A JP H04261068A JP 3011188 A JP3011188 A JP 3011188A JP 1118891 A JP1118891 A JP 1118891A JP H04261068 A JPH04261068 A JP H04261068A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- layer
- silicon layer
- conductivity type
- amorphous silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は太陽電池の製造方法に係
り、より詳しくは、太陽電池のｐｎ接合を固相成長法で
形成する太陽電池の製造方法に関する。
り、より詳しくは、太陽電池のｐｎ接合を固相成長法で
形成する太陽電池の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコン多結晶を用いた太陽電池は知ら
れている。シリコン多結晶はシリコン単結晶よりも大面
積化が容易であり、かつ安価である利点があり、太陽電
池用半導体基板として非常に有望である。シリコン多結
晶基板にｐｎ接合を形成する方法としては、一般的に、
ｎ型シリコン基板上にＣＶＤ法でｐ型シリコン層をエピ
タキシャル成長するか、またはｎ型シリコン基板に拡散
法でｐ型拡散層を形成する方法がとられている。
れている。シリコン多結晶はシリコン単結晶よりも大面
積化が容易であり、かつ安価である利点があり、太陽電
池用半導体基板として非常に有望である。シリコン多結
晶基板にｐｎ接合を形成する方法としては、一般的に、
ｎ型シリコン基板上にＣＶＤ法でｐ型シリコン層をエピ
タキシャル成長するか、またはｎ型シリコン基板に拡散
法でｐ型拡散層を形成する方法がとられている。
【０００３】また、例えば、ｐｎ接合がｐ− 型シリコ
ン基板とその表面のｎ＋ 型層からなる場合に基板の裏
面にｐ＋ 型層を設けてＢＳＦ効果（裏面電界効果：Ｂ
ａｃｋ Ｓｕｒｆａｃｅ．Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ）
を得ることができることが知られているが、このｐ＋
型層も一般的にはアルミペーストや蒸着アルミ等の熱拡
散で形成されている。
ン基板とその表面のｎ＋ 型層からなる場合に基板の裏
面にｐ＋ 型層を設けてＢＳＦ効果（裏面電界効果：Ｂ
ａｃｋ Ｓｕｒｆａｃｅ．Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ）
を得ることができることが知られているが、このｐ＋
型層も一般的にはアルミペーストや蒸着アルミ等の熱拡
散で形成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＣＶＤ
法でシリコン層をエピタキシャル成長する方法は高温を
必要とし、用いうる基板に制約があり、プラズマＣＶＤ
法では低温成長できるが、その後電極ペースト焼成など
高温の熱処理を経るため膜質が低下する（デバイス特性
が低下する）欠点がある。また、拡散法では１０２０ｃ
ｍ−３以上の高濃度の拡散層を形成することが困難であ
り、しかも高濃度にすると拡散深さが深くなる、拡散層
形成の制御性が低いという欠点がある。また、裏面に高
濃度層を形成する場合、熱処理の工程が増え、プロセス
が簡単でない。
法でシリコン層をエピタキシャル成長する方法は高温を
必要とし、用いうる基板に制約があり、プラズマＣＶＤ
法では低温成長できるが、その後電極ペースト焼成など
高温の熱処理を経るため膜質が低下する（デバイス特性
が低下する）欠点がある。また、拡散法では１０２０ｃ
ｍ−３以上の高濃度の拡散層を形成することが困難であ
り、しかも高濃度にすると拡散深さが深くなる、拡散層
形成の制御性が低いという欠点がある。また、裏面に高
濃度層を形成する場合、熱処理の工程が増え、プロセス
が簡単でない。
【０００５】そこで、本発明は、低温で、浅い高濃度の
ｐｎ接合を形成しかつそのとき同時に裏面高濃度層を形
成する方法を提供し、よって高品質の太陽電池を提供し
かつそのプロセスを簡単化することを目的とする。
ｐｎ接合を形成しかつそのとき同時に裏面高濃度層を形
成する方法を提供し、よって高品質の太陽電池を提供し
かつそのプロセスを簡単化することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、第一導電型の結晶シリコンからなる基板
表面上に該第一導電型と反対の導電型である第二導電型
の第一のアモルファスシリコン層を堆積し、かつ該基板
の該第一アモルファスシリコン層と反対側表面上に該基
板より高濃度の該第一導電型の第二のアモルファスシリ
コン層を堆積し、そして該基板を熱処理して該第一及び
第二アモルファスシリコン層を結晶質シリコン層に変換
し、よって該第一アモルファスシリコン層と該第一導電
型シリコン結晶基板とでｐｎ接合を形成すると同時に該
基板裏面に高濃度第一導電型結晶シリコン層を形成する
ことを特徴とする太陽電池の製造方法を提供する。
成するために、第一導電型の結晶シリコンからなる基板
表面上に該第一導電型と反対の導電型である第二導電型
の第一のアモルファスシリコン層を堆積し、かつ該基板
の該第一アモルファスシリコン層と反対側表面上に該基
板より高濃度の該第一導電型の第二のアモルファスシリ
コン層を堆積し、そして該基板を熱処理して該第一及び
第二アモルファスシリコン層を結晶質シリコン層に変換
し、よって該第一アモルファスシリコン層と該第一導電
型シリコン結晶基板とでｐｎ接合を形成すると同時に該
基板裏面に高濃度第一導電型結晶シリコン層を形成する
ことを特徴とする太陽電池の製造方法を提供する。
【０００７】基板は、第一導電型シリコン結晶からなる
ものである。低温プラズマＣＶＤ法で多結晶シリコン層
を成長する場合には基板の面方位によって得られる膜質
の差が大きいが固相成長法ではそのような制約はない。 基板は、１０１７〜１０１５／ｃｍ３程度のドーパント
濃度、抵抗率で０．１ 〜１０Ωｃｍ程度のｎ− 型又
はｐ− 型の結晶質とする。
ものである。低温プラズマＣＶＤ法で多結晶シリコン層
を成長する場合には基板の面方位によって得られる膜質
の差が大きいが固相成長法ではそのような制約はない。 基板は、１０１７〜１０１５／ｃｍ３程度のドーパント
濃度、抵抗率で０．１ 〜１０Ωｃｍ程度のｎ− 型又
はｐ− 型の結晶質とする。
【０００８】基板の表面は、アモルファスシリコン層の
堆積前に清浄化処理を行うことが良質のｐｎ接合を固相
成長法で形成するために極めて望ましい。具体的には、
有機洗浄後、アルカリ性液又は混酸によるエッチングに
より清浄な基板表面を出す。この他、インサイトでのプ
ラズマによるエッチングによっても可能である。この第
一導電型シリコン結晶からなる基板上に、先ず、ノンド
ープのアモルファスシリコン層を堆積してグレーデッド
構造を形成するようにしてもよい。ここでノンドープと
は、試料ガスとしてＰＨ３ などのドーパントガスを含
まないもの、あるいは数十から百ｐｐｍ 程度のドーパ
ントガスを含んだものを用いて成膜するもので１０１６
／ｃｍ３以下のドーパント濃度の場合を含めていう。
堆積前に清浄化処理を行うことが良質のｐｎ接合を固相
成長法で形成するために極めて望ましい。具体的には、
有機洗浄後、アルカリ性液又は混酸によるエッチングに
より清浄な基板表面を出す。この他、インサイトでのプ
ラズマによるエッチングによっても可能である。この第
一導電型シリコン結晶からなる基板上に、先ず、ノンド
ープのアモルファスシリコン層を堆積してグレーデッド
構造を形成するようにしてもよい。ここでノンドープと
は、試料ガスとしてＰＨ３ などのドーパントガスを含
まないもの、あるいは数十から百ｐｐｍ 程度のドーパ
ントガスを含んだものを用いて成膜するもので１０１６
／ｃｍ３以下のドーパント濃度の場合を含めていう。
【０００９】ノンドープ層を形成するかどうかは別とし
て、基本的には、第一導電型結晶シリコン基板上に、第
二導電型のアモルファスシリコン層を堆積する。この堆
積の一般的条件は下記の如くである。 シリコン源： ＳｉＨ４ ドーパント（ｐ型）： Ｂ２Ｈ６ ドーパント（ｎ型）： ＰＨ３ ドーパント濃度： ０．１ 〜３％ガス流量：
１０ 〜５０ｓｃｃｍ 基板温度： １５０〜３５０ ℃ 圧力： ２００ｍＴｏｒｒ プラズマ電力： １０ 〜２０Ｗ 膜厚： １００ 〜２０００Å或いはそれ以上この堆積
法によれば、低温で、高濃度にドープしたアモルファス
シリコン層を所望の厚さに形成することができる。
て、基本的には、第一導電型結晶シリコン基板上に、第
二導電型のアモルファスシリコン層を堆積する。この堆
積の一般的条件は下記の如くである。 シリコン源： ＳｉＨ４ ドーパント（ｐ型）： Ｂ２Ｈ６ ドーパント（ｎ型）： ＰＨ３ ドーパント濃度： ０．１ 〜３％ガス流量：
１０ 〜５０ｓｃｃｍ 基板温度： １５０〜３５０ ℃ 圧力： ２００ｍＴｏｒｒ プラズマ電力： １０ 〜２０Ｗ 膜厚： １００ 〜２０００Å或いはそれ以上この堆積
法によれば、低温で、高濃度にドープしたアモルファス
シリコン層を所望の厚さに形成することができる。
【００１０】また、第一導電型結晶シリコン基板の反対
側表面（裏面）には、基板より高濃度にドープした第一
導電型のアモルファスシリコン層を堆積する。この堆積
の一般的条件は、導電型が反対である以外、上記の第二
導電型のアモルファスシリコン層を堆積する場合と同様
である。２つのアモルファスシリコン層の堆積順序は問
わない。
側表面（裏面）には、基板より高濃度にドープした第一
導電型のアモルファスシリコン層を堆積する。この堆積
の一般的条件は、導電型が反対である以外、上記の第二
導電型のアモルファスシリコン層を堆積する場合と同様
である。２つのアモルファスシリコン層の堆積順序は問
わない。
【００１１】次に、上記２つのアモルファスシリコン層
を堆積した基板を熱処理して、アモルファスシリコン層
を両方とも結晶化させる。この熱処理は結晶シリコン層
の堆積の場合（ 一般に９００ 〜１１００℃） と比
べて低温でよく、アモルファスシリコン層の膜質等によ
るが、典型的には６００ 〜７００ ℃でよい。５００
℃未満では良好な結晶が得られにくく、一方より高温
にするとランダム結晶核発生によりエピタキシャル成長
せずに粒径の小さな多結晶となる。熱処理雰囲気は不活
性雰囲気、例えばアルゴンがよい。
を堆積した基板を熱処理して、アモルファスシリコン層
を両方とも結晶化させる。この熱処理は結晶シリコン層
の堆積の場合（ 一般に９００ 〜１１００℃） と比
べて低温でよく、アモルファスシリコン層の膜質等によ
るが、典型的には６００ 〜７００ ℃でよい。５００
℃未満では良好な結晶が得られにくく、一方より高温
にするとランダム結晶核発生によりエピタキシャル成長
せずに粒径の小さな多結晶となる。熱処理雰囲気は不活
性雰囲気、例えばアルゴンがよい。
【００１２】この熱処理により、第二導電型のアモルフ
ァスシリコン層は結晶化し、ｐｎ接合が形成される。こ
の方法によれば、先ず、低温でｐｎ接合が形成できるの
で、半導体膜或いは層の品質を低下させることがない。 また、低温であるのでドーパントが基板中に深く拡散す
ることもない。結晶化されるシリコン層の厚さは２００
Å程度までは薄くすることができる。従来の熱拡散法
では高濃度に拡散しようとすると少なくとも５０００Å
程度まで達したが、本発明ではドーパント濃度と無関係
に薄くすることができる。但し、１００ Åより薄くす
ると開放電圧、短絡光電流ともに減少し、太陽電池の変
換効率が低下する。結晶化した第二導電型シリコン層の
ドーパント濃度としては１０２１ｃｍ−３程度までは容
易に実現できる。従って、浅くかつ急峻な濃度勾配を持
つｐｎ接合が得られる。
ァスシリコン層は結晶化し、ｐｎ接合が形成される。こ
の方法によれば、先ず、低温でｐｎ接合が形成できるの
で、半導体膜或いは層の品質を低下させることがない。 また、低温であるのでドーパントが基板中に深く拡散す
ることもない。結晶化されるシリコン層の厚さは２００
Å程度までは薄くすることができる。従来の熱拡散法
では高濃度に拡散しようとすると少なくとも５０００Å
程度まで達したが、本発明ではドーパント濃度と無関係
に薄くすることができる。但し、１００ Åより薄くす
ると開放電圧、短絡光電流ともに減少し、太陽電池の変
換効率が低下する。結晶化した第二導電型シリコン層の
ドーパント濃度としては１０２１ｃｍ−３程度までは容
易に実現できる。従って、浅くかつ急峻な濃度勾配を持
つｐｎ接合が得られる。
【００１３】同様にして、上記の熱処理により第一導電
型アモルファスシリコン層も結晶化し、基板裏面に高濃
度の第一導電型結晶シリコン層を形成する。この結晶シ
リコン層も高濃度であり、かつ浅いので、大きなＢＳＦ
効果を得ることができる。従来ＢＳＦ効果を得るために
は例えば、基板がｐ型の場合ボロン、アルミニウムなど
の熱拡散が主として用いられているがこの方法ではやは
り高温処理が必要となる。これに対し固相成長法を用い
ることにより低温でｐ＋ 型結晶層の厚さや不純物濃度
の制御が容易でありＢＳＦ効果の最適化を図り易い。ま
た、この層の形成はｐｎ接合の形成のための熱処理と同
時に行われるので、プロセスが簡単である。
型アモルファスシリコン層も結晶化し、基板裏面に高濃
度の第一導電型結晶シリコン層を形成する。この結晶シ
リコン層も高濃度であり、かつ浅いので、大きなＢＳＦ
効果を得ることができる。従来ＢＳＦ効果を得るために
は例えば、基板がｐ型の場合ボロン、アルミニウムなど
の熱拡散が主として用いられているがこの方法ではやは
り高温処理が必要となる。これに対し固相成長法を用い
ることにより低温でｐ＋ 型結晶層の厚さや不純物濃度
の制御が容易でありＢＳＦ効果の最適化を図り易い。ま
た、この層の形成はｐｎ接合の形成のための熱処理と同
時に行われるので、プロセスが簡単である。
【００１４】また、固相成長のための熱処理の後、固相
成長温度以上の温度に昇温してドープした不純物を拡散
させて接合界面を改善するようにしてもよい。ｐｎ接合
の形成及び裏面高濃度層以外の電極等の形成は、通常の
太陽電池と同様にすることができる。
成長温度以上の温度に昇温してドープした不純物を拡散
させて接合界面を改善するようにしてもよい。ｐｎ接合
の形成及び裏面高濃度層以外の電極等の形成は、通常の
太陽電池と同様にすることができる。
【００１５】
【作用】基板上に固相成長法で導電層を形成するので、
高濃度でかつ浅いｐｎ接合を形成でき、低温処理である
ので、基板等の結晶品質を低下させることもない。また
、ｐｎ接合の形成と同時に基板裏面に高濃度層を形成し
て、簡単なプロセスでＢＳＦ効果を得ることができる。
高濃度でかつ浅いｐｎ接合を形成でき、低温処理である
ので、基板等の結晶品質を低下させることもない。また
、ｐｎ接合の形成と同時に基板裏面に高濃度層を形成し
て、簡単なプロセスでＢＳＦ効果を得ることができる。
【００１６】
【実施例】図１に示した如き成長装置を用いた。同図中
、１はシリコン基板、２は基板ホルダー兼ＲＦ電極、３
はヒータ、４はガスノズル、５はＲＦ電極、６はガス導
入管、７はプラズマ発生領域、８は真空チャンバーであ
る。図２を参照すると、（１００） 又は（１１１）
Ｃｚ 単結晶シリコン（抵抗率２〜６Ωｃｍ） または
キャスト多結晶シリコンを用い、アルカリエッチングし
た後、製膜前処理として、アセトンによる超音波有機洗
浄、純水洗浄、フッ酸による酸化膜除去、純水リンス、
そして乾燥窒素ブローを行った。
、１はシリコン基板、２は基板ホルダー兼ＲＦ電極、３
はヒータ、４はガスノズル、５はＲＦ電極、６はガス導
入管、７はプラズマ発生領域、８は真空チャンバーであ
る。図２を参照すると、（１００） 又は（１１１）
Ｃｚ 単結晶シリコン（抵抗率２〜６Ωｃｍ） または
キャスト多結晶シリコンを用い、アルカリエッチングし
た後、製膜前処理として、アセトンによる超音波有機洗
浄、純水洗浄、フッ酸による酸化膜除去、純水リンス、
そして乾燥窒素ブローを行った。
【００１７】このｐ− 型シリコン基板１１を成長装置
中に搭載し、下記の条件でｎ＋ 型アモルファスシリコ
ン層１２を堆積した。 ソースガス： ＰＨ３ を１％含むＳｉＨ４ガスガ
ス流量： ２５ ｓｃｃｍ 基板温度：
１７０ ℃ 圧力： ２００ ｍＴｏｏｒ 電力：
１０ Ｗ 膜厚： ２５０ Å また、ｐ− 型シリコン基板１１の裏面側に、同様にし
て下記の条件でｐ＋ 型アモルファスシリコン層１３を
堆積した。
中に搭載し、下記の条件でｎ＋ 型アモルファスシリコ
ン層１２を堆積した。 ソースガス： ＰＨ３ を１％含むＳｉＨ４ガスガ
ス流量： ２５ ｓｃｃｍ 基板温度：
１７０ ℃ 圧力： ２００ ｍＴｏｏｒ 電力：
１０ Ｗ 膜厚： ２５０ Å また、ｐ− 型シリコン基板１１の裏面側に、同様にし
て下記の条件でｐ＋ 型アモルファスシリコン層１３を
堆積した。
【００１８】ソースガス： Ｂ２Ｈ６を０．３％含
むＳｉＨ４ガスガス流量： １０ ｓｃｃｍ
基板温度： ２００℃ 圧力： ２００ ｍＴｏｏｒ 電力：
１０ Ｗ 膜厚： １００ Å 次いで、アモルファスシリコン層１２， １３を堆積し
た基板１１をイメージ炉中で、１２０ ℃／ 分の速度
で昇温し、６００ ℃に５ 分間保持した後、徐冷した
。
むＳｉＨ４ガスガス流量： １０ ｓｃｃｍ
基板温度： ２００℃ 圧力： ２００ ｍＴｏｏｒ 電力：
１０ Ｗ 膜厚： １００ Å 次いで、アモルファスシリコン層１２， １３を堆積し
た基板１１をイメージ炉中で、１２０ ℃／ 分の速度
で昇温し、６００ ℃に５ 分間保持した後、徐冷した
。
【００１９】得られた結晶化膜の特性として、結晶構造
を紫外表面反射及びＲ−ＨＥＥＤ（ 反射型高エネルギ
ー電子線回折） により、また電気特性をホール効果測
定および拡がり抵抗測定により観測した。その結果、キ
ャリア濃度１０２１ｃｍ−１程度、抵抗率１０−４Ω・
ｃｍ程度の結晶化膜が得られていることが分った。
を紫外表面反射及びＲ−ＨＥＥＤ（ 反射型高エネルギ
ー電子線回折） により、また電気特性をホール効果測
定および拡がり抵抗測定により観測した。その結果、キ
ャリア濃度１０２１ｃｍ−１程度、抵抗率１０−４Ω・
ｃｍ程度の結晶化膜が得られていることが分った。
【００２０】それから、太陽電池を図３ を参照して説
明すると、次の如く作成した。図３ 中、２１は透明電
極、２２はくし型表面電極、２３はｎ＋ 型結晶質シリ
コン層、２４ｐ− 型結晶質シリコン層、２５はｐ＋
型結晶質シリコン層、２６は裏面電極である。太陽電池
の特性はＡＭ１．５ による測定で開放電圧０．５６Ｖ
、短絡光電流は単結晶基板上で３３ｍＡ／ｃｍ２、多
結晶基板上で２９ｍＡ／ｃｍ２、変換効率はそれぞれ１
４．５％ と１３％ であった。
明すると、次の如く作成した。図３ 中、２１は透明電
極、２２はくし型表面電極、２３はｎ＋ 型結晶質シリ
コン層、２４ｐ− 型結晶質シリコン層、２５はｐ＋
型結晶質シリコン層、２６は裏面電極である。太陽電池
の特性はＡＭ１．５ による測定で開放電圧０．５６Ｖ
、短絡光電流は単結晶基板上で３３ｍＡ／ｃｍ２、多
結晶基板上で２９ｍＡ／ｃｍ２、変換効率はそれぞれ１
４．５％ と１３％ であった。
【００２１】また、分光感度特性の測定よりＢＳＦ効果
により長波長光に対する変換効率が上昇しその結果短絡
光電流の上昇が確認されている。
により長波長光に対する変換効率が上昇しその結果短絡
光電流の上昇が確認されている。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、低温プロセスで、高キ
ャリア濃度でかつ浅いｐｎ接合を持ちかつ基板裏面に高
濃度層を有する膜質の優れた太陽電池が得られ、かつプ
ロセスが簡単化される。
ャリア濃度でかつ浅いｐｎ接合を持ちかつ基板裏面に高
濃度層を有する膜質の優れた太陽電池が得られ、かつプ
ロセスが簡単化される。
【図１】アモルファスシリコン層のＣＶＤ堆積装置の模
式図である。
式図である。
【図２】実施例のｐｎ接合の形成を示す模式断面図であ
る。
る。
【図３】実施例の太陽電池の模式図である。
１─基板
２─基板ホルダー兼ＲＦ電極
３─ヒータ
４─ガスノズル
５─ＲＦ電極
６─ガス導入管
７─プラズマ発生領域
８─真空チャンバー
１１─ｐ− 型シリコン基板
１２─ｎ＋ 型シリコン層
１３─ｐ＋ 型シリコン層
Claims (1)
- 【請求項１】 第一導電型の結晶シリコンからなる基
板表面上に該第一導電型と反対の導電型である第二導電
型の第一のアモルファスシリコン層を堆積し、かつ該基
板の該第一アモルファスシリコン層と反対側表面上に該
基板より高濃度の該第一導電型の第二のアモルファスシ
リコン層を堆積し、そして該基板を熱処理して該第一及
び第二アモルファスシリコン層を結晶質シリコン層に変
換し、よって該第一アモルファスシリコン層と該第一導
電型シリコン結晶基板とでｐｎ接合を形成すると同時に
該基板裏面に高濃度第一導電型結晶シリコン層を形成す
ることを特徴とする太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3011188A JPH04261068A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3011188A JPH04261068A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04261068A true JPH04261068A (ja) | 1992-09-17 |
Family
ID=11771094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3011188A Pending JPH04261068A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04261068A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102804392A (zh) * | 2009-06-22 | 2012-11-28 | 国际商业机器公司 | 半导体光学检测器结构 |
-
1991
- 1991-01-31 JP JP3011188A patent/JPH04261068A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102804392A (zh) * | 2009-06-22 | 2012-11-28 | 国际商业机器公司 | 半导体光学检测器结构 |
| JP2012531048A (ja) * | 2009-06-22 | 2012-12-06 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 半導体光検出構造体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102100909B1 (ko) | 넓은 밴드갭 반도체 재료를 갖는 이미터 영역을 구비한 태양 전지 | |
| JPH04245683A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| Gordon et al. | 8% Efficient thin‐film polycrystalline‐silicon solar cells based on aluminum‐induced crystallization and thermal CVD | |
| JP2740337B2 (ja) | 光起電力素子 | |
| US7858427B2 (en) | Crystalline silicon solar cells on low purity substrate | |
| US20150068597A1 (en) | Surface passivation of silicon based wafers | |
| JP2721271B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP3578539B2 (ja) | 太陽電池の製造方法および太陽電池構造 | |
| EP0656664A1 (en) | Polycrystalline silicon photoelectric transducer and process for its production | |
| WO2024060933A1 (zh) | 太阳电池及其制备方法 | |
| JP2962918B2 (ja) | シリコン薄膜の形成方法及び太陽電池の製造方法 | |
| JP4314716B2 (ja) | 結晶シリコン薄膜光起電力素子 | |
| CN111933738B (zh) | 基于分子束外延技术的自成结光电探测器及其制备方法 | |
| Tsuo et al. | High-flux solar furnace processing of silicon solar cells | |
| JPH04261068A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP2698115B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP3245100B2 (ja) | 半導体素子の製造方法及び太陽電池の製造方法 | |
| JPH04261069A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP2002217433A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04261067A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JPH04249374A (ja) | 光電変換素子 | |
| JP3347747B2 (ja) | 光電変換装置の作製方法 | |
| JP3623642B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
| JP2833924B2 (ja) | 結晶太陽電池およびその製造方法 | |
| TWI313026B (en) | Multi layer compound semiconductor solar photovoltaic device and its growing method |