JPH0426119A - 半導体結晶表面クリーニング方法 - Google Patents
半導体結晶表面クリーニング方法Info
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- JPH0426119A JPH0426119A JP13178590A JP13178590A JPH0426119A JP H0426119 A JPH0426119 A JP H0426119A JP 13178590 A JP13178590 A JP 13178590A JP 13178590 A JP13178590 A JP 13178590A JP H0426119 A JPH0426119 A JP H0426119A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置製作技術に関する。
従来性なわれていた化合物半導体結晶の表面クリーニン
グ方法には、真空中にて水素や塩素のプラズマを結晶表
面に照射して酸素や炭素を取り除くプラズマクリーニン
グ法がある（ジャーナル オブ バキュウム サイエン
ス アンドテクノロジー（Ｔｏｕｒｎｆｌ ｏｆ Ｖａ
ｃｕｕｍ ５ｃｉｅｎｃｅ ａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇ
ｙ）第Ａ４巻 ６７７ページ［１９８６年］）。
グ方法には、真空中にて水素や塩素のプラズマを結晶表
面に照射して酸素や炭素を取り除くプラズマクリーニン
グ法がある（ジャーナル オブ バキュウム サイエン
ス アンドテクノロジー（Ｔｏｕｒｎｆｌ ｏｆ Ｖａ
ｃｕｕｍ ５ｃｉｅｎｃｅ ａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇ
ｙ）第Ａ４巻 ６７７ページ［１９８６年］）。
プラズマは反応性が強いため、比較的低い基板温度で結
晶にダメージを与える事なく酸化物を取り除く事ができ
る。
晶にダメージを与える事なく酸化物を取り除く事ができ
る。
しかし、ＡＪ２ＧａＡｓなど酸化されやすい材料ではプ
ラズマを照射した場合でも基板温度を高くしないと酸化
膜を除去する事はできない しかし、基板温度を高くす
ると化合物を構成する材料のうち蒸気圧の高い材料が表
面から蒸発してしまい、その結果酸化膜かど１１にくく
な・−）たり、組成がずれ’ｉ（Ｌ、まい、そのＬへの
半導体膜可成ができないという欠点がある。
ラズマを照射した場合でも基板温度を高くしないと酸化
膜を除去する事はできない しかし、基板温度を高くす
ると化合物を構成する材料のうち蒸気圧の高い材料が表
面から蒸発してしまい、その結果酸化膜かど１１にくく
な・−）たり、組成がずれ’ｉ（Ｌ、まい、そのＬへの
半導体膜可成ができないという欠点がある。
〔課題を解決するための千ｆ”ｉｔ ）前述の問題点を
解決”するためＣ２“本発明が折代゛４る手段は、真空
中にで反応性のガス（プラズマ）を照射して行なう化合
物半導体結晶の表面クリーニングにおいて、前記化合物
半導体を構成する材料のうち蒸気圧の高い材料を前記プ
ラズマと同時に前記化合物半導体表面に照射４゛る一１
程、または前記蒸気圧の高い材オ、４ど前記プラズマと
を交互に前記化合物半導体表面に照射−りる−１．程を
含む事を特徴どする結晶表面クリ−ごニング方法である
。
解決”するためＣ２“本発明が折代゛４る手段は、真空
中にで反応性のガス（プラズマ）を照射して行なう化合
物半導体結晶の表面クリーニングにおいて、前記化合物
半導体を構成する材料のうち蒸気圧の高い材料を前記プ
ラズマと同時に前記化合物半導体表面に照射４゛る一１
程、または前記蒸気圧の高い材オ、４ど前記プラズマと
を交互に前記化合物半導体表面に照射−りる−１．程を
含む事を特徴どする結晶表面クリ−ごニング方法である
。
〔作用）
プラズマのみを照射し７、て基板を加熱すると、蒸気圧
の高い材料が蒸発し、てし、まい、基板表面にイ・１着
Ｃ７ていた酸素は、化合物を構成する材料のうちの蒸気
圧の低い材料と強く結合するようになる。
の高い材料が蒸発し、てし、まい、基板表面にイ・１着
Ｃ７ていた酸素は、化合物を構成する材料のうちの蒸気
圧の低い材料と強く結合するようになる。
このため酸化物はい・・−ンそうどれにくくなり、組成
もずれてしまう。
もずれてしまう。
プラズマと同時または交ｈ゛に蒸気圧の高い材料を基板
表面（１，：照射すると、蒸気Ｈ６の高い材料の蒸発が
抑制され、蒸気圧の低い材料と酸素との結合の進展も抑
制さｈる。また、プラズマにより除去した酸素に替わり
、蒸気Ｊｆの高い（・Ａ料がＸ板結晶に取り込ｔ、 １
する／、：め、残（１７酸素（、″よる酸化も抑制され
る。
表面（１，：照射すると、蒸気Ｈ６の高い材料の蒸発が
抑制され、蒸気圧の低い材料と酸素との結合の進展も抑
制さｈる。また、プラズマにより除去した酸素に替わり
、蒸気Ｊｆの高い（・Ａ料がＸ板結晶に取り込ｔ、 １
する／、：め、残（１７酸素（、″よる酸化も抑制され
る。
［実施例〕
第１図は本発明を実施するために用いた、表ＩＲ１クリ
ーニング装置の概略図である。真空チャンバーに電子サ
イクロＩ・ロン共鳴型の水素ブーノズマ源１とＡｓ分子
源２を付加し７たＷＩ造である。
ーニング装置の概略図である。真空チャンバーに電子サ
イクロＩ・ロン共鳴型の水素ブーノズマ源１とＡｓ分子
源２を付加し７たＷＩ造である。
大気中で表面が酸化さねたＡ 、Ｑ ｏ、 ４ Ｇ ａ
。、、Ａｓからなる半導体結晶３をし、・−ター４で４
５０℃に加熱し、５×］０°５Ｔｏｒｒの水素を水素、
プラズマ源１に導入し、半導体結晶３表面に水素プラズ
マを照射した。同時にＡｓ分子源２．Ｌ、すＪ、 Ｘ
１０ ””ｒｏ ｒ ｒのＡｓ分子と照射しノこ０．二
ノ１゜を３０分行なう事により゛ｒ導体結晶３の表面に
酸化物は完全に除去きれた。
。、、Ａｓからなる半導体結晶３をし、・−ター４で４
５０℃に加熱し、５×］０°５Ｔｏｒｒの水素を水素、
プラズマ源１に導入し、半導体結晶３表面に水素プラズ
マを照射した。同時にＡｓ分子源２．Ｌ、すＪ、 Ｘ
１０ ””ｒｏ ｒ ｒのＡｓ分子と照射しノこ０．二
ノ１゜を３０分行なう事により゛ｒ導体結晶３の表面に
酸化物は完全に除去きれた。
同じ装置中で、Ａ 、Ｑ （１，５１ｎｏ、５ Ａ Ｓ
からなる半導体結晶３をヒーター・−４で４００ ”Ｃ
で加熱し１、半導体結晶３表１ｆＴｉに水素プラズマ源
１．Ｌり水素プラズマを１５分照射４”るユ程ど、Ａｓ
分子源２よりＡｓ分子を１分間照射づる１稈どを交４）
、に］０同くり返し７な。これにより半導体結晶３表面
の酸化物を完全に除去１．た６また、この方法では、表
面の残留炭素も完全に除去された。
からなる半導体結晶３をヒーター・−４で４００ ”Ｃ
で加熱し１、半導体結晶３表１ｆＴｉに水素プラズマ源
１．Ｌり水素プラズマを１５分照射４”るユ程ど、Ａｓ
分子源２よりＡｓ分子を１分間照射づる１稈どを交４）
、に］０同くり返し７な。これにより半導体結晶３表面
の酸化物を完全に除去１．た６また、この方法では、表
面の残留炭素も完全に除去された。
Ａｓ材ｔ１は蒸気圧が高いため、加熱すると半導体結晶
３から蒸発し、てＣ７まう。Ａｓが蒸発［、て１．。
３から蒸発し、てＣ７まう。Ａｓが蒸発［、て１．。
まうど、アルミニウムは酸素と強い結合を作り、酸化物
どり、 ”ｉ（半導体結晶３表面に堆積し゛ζ除去でき
なくなって［２まう。Ａｓ分子をヰ導体結晶３表面し：
照射すると、ＡρとＡｓの結合が保たれ、Ａｌ原子の一
部の結合手が酸素と結合するが幻なので、結合は相対的
に弱いため、比較的容易（、ご酸化物を除去する事がで
きイ）。また、表面の第−層がＡｓでおおわれるため、
酸素の町付着が抑制される。
どり、 ”ｉ（半導体結晶３表面に堆積し゛ζ除去でき
なくなって［２まう。Ａｓ分子をヰ導体結晶３表面し：
照射すると、ＡρとＡｓの結合が保たれ、Ａｌ原子の一
部の結合手が酸素と結合するが幻なので、結合は相対的
に弱いため、比較的容易（、ご酸化物を除去する事がで
きイ）。また、表面の第−層がＡｓでおおわれるため、
酸素の町付着が抑制される。
ト述の方法で′クリーニングしたオ導体結晶３−■−に
、分子線エビタへ一シー法ｉ： 、ｌり半導体ｌ、・・
−ザを再成長しなどころ、良好な特性が得られた。
、分子線エビタへ一シー法ｉ： 、ｌり半導体ｌ、・・
−ザを再成長しなどころ、良好な特性が得られた。
上述の実施例′ＣはＡ ４ Ｇ ａ、 Ａ ｓ、Ａ７１
ｎＡｓを半導体結晶とし、て用いたが２これに限らヂ
他の■ ■−Ｖ族化合物≧（イ導体やｎ 石族化合物甲導体など
の材料を用い°ζもよい。ま、たプラズマとり、”（＋
素ブフズマを用い〕、二がこれに限らＶ塩素プラズマな
ど他の反応性ガスを用いζもよい。
ｎＡｓを半導体結晶とし、て用いたが２これに限らヂ
他の■ ■−Ｖ族化合物≧（イ導体やｎ 石族化合物甲導体など
の材料を用い°ζもよい。ま、たプラズマとり、”（＋
素ブフズマを用い〕、二がこれに限らＶ塩素プラズマな
ど他の反応性ガスを用いζもよい。
以十説明１．たよ）に５本発明によれば、化合物産導体
結晶表面のクリーニングができ、イの結晶１−の再成長
が可能どなるため、半導体Ｉ・・・〜す作製のための叩
込み成長や光−電了隼積素子作製のための再成長が実現
できる。
結晶表面のクリーニングができ、イの結晶１−の再成長
が可能どなるため、半導体Ｉ・・・〜す作製のための叩
込み成長や光−電了隼積素子作製のための再成長が実現
できる。
第１図は本発明の一実施例に用いた表面クリーニ〉・グ
装置の概略図である。 １・・・水素プラズマ源、２・・・Ａｓ分子源、３・・
・）１′導体結晶、４・・・し・−ター 代理人ブｆ埋■：ｌ向ｊ京 晋
装置の概略図である。 １・・・水素プラズマ源、２・・・Ａｓ分子源、３・・
・）１′導体結晶、４・・・し・−ター 代理人ブｆ埋■：ｌ向ｊ京 晋
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、真空中にて反応性のガス（プラズマ）を照射して行
なう化合物半導体結晶の表面クリーニングにおいて、前
記化合物半導体を構成する材料のうち蒸気圧の高い材料
を前記プラズマと同時に前記化合物半導体表面に照射す
る工程を含む事を特徴とする半導体結晶表面クリーニン
グ方法。 ２、真空中にて反応性のガス（プラズマ）を照射して行
なう化合物半導体結晶の表面クリーニングにおいて、前
記化合物半導体を構成する材料のうちの蒸気圧の高い材
料と前記プラズマとを交互に前記化合物半導体表面に照
射する工程を含む事を特徴とする半導体結晶表面クリー
ニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2131785A JP2616139B2 (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 半導体結晶表面クリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2131785A JP2616139B2 (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 半導体結晶表面クリーニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0426119A true JPH0426119A (ja) | 1992-01-29 |
| JP2616139B2 JP2616139B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=15066091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2131785A Expired - Lifetime JP2616139B2 (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 半導体結晶表面クリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2616139B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5310697A (en) * | 1991-12-20 | 1994-05-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for fabricating an AlGaInP semiconductor light emitting device including the step of removing an oxide film by irradiation with plasma beams and an As or P molecular beam |
| EP0692818A3 (en) * | 1994-06-27 | 1996-10-23 | Canon Kk | Process for removing contaminants and oxygen in the manufacture of semiconductor devices, process for producing a compound semiconductor device and device therefor |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6267826A (ja) * | 1985-09-20 | 1987-03-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-05-22 JP JP2131785A patent/JP2616139B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6267826A (ja) * | 1985-09-20 | 1987-03-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5310697A (en) * | 1991-12-20 | 1994-05-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for fabricating an AlGaInP semiconductor light emitting device including the step of removing an oxide film by irradiation with plasma beams and an As or P molecular beam |
| EP0692818A3 (en) * | 1994-06-27 | 1996-10-23 | Canon Kk | Process for removing contaminants and oxygen in the manufacture of semiconductor devices, process for producing a compound semiconductor device and device therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2616139B2 (ja) | 1997-06-04 |
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