JPH04261282A - Ｃｃｄ固体撮像素子 - Google Patents
Ｃｃｄ固体撮像素子Info
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- JPH04261282A JPH04261282A JP3054390A JP5439091A JPH04261282A JP H04261282 A JPH04261282 A JP H04261282A JP 3054390 A JP3054390 A JP 3054390A JP 5439091 A JP5439091 A JP 5439091A JP H04261282 A JPH04261282 A JP H04261282A
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- Japan
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- state image
- substrate
- drain voltage
- ccd solid
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/158—Charge-coupled device [CCD] image sensors having arrangements for blooming suppression
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はビデオカメラ等を作製
するのに用いられるＣＣＤ固体撮像素子に関する。
するのに用いられるＣＣＤ固体撮像素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＣＣＤ（電荷転送型）固体撮像素
子としては例えば図２に示すようなものがある。このＣ
ＣＤ固体撮像素子は、半導体基板１上に、行列状に配さ
れた光電変換部２と、この光電変換部２の各列に隣接し
て設けられた垂直転送部３と、この垂直転送部３の各列
の端部につながる水平転送部４と、この水平転送部４の
端部につながる出力回路５を備えている。上記半導体基
板１の表面に入射した光は光電変換部２によって信号電
荷に変換される。各光電変換部２が発生する信号電荷は
、垂直転送部３によって水平転送部４に順次転送され、
さらにこの水平転送部４によって順次出力回路５に転送
される。上記出力回路５は、水平転送部４からの信号電
荷量に応じて出力信号を出力端子Ｔへ出力する。この出
力回路５につながるドレイン端子６には、上記信号電荷
を出力するために、素子外部から一定の正電圧（以下「
ドレイン電圧」という。）が印加される。また、このＣ
ＣＤ固体撮像素子は、オーバーフロードレイン電圧入力
端子（基板１内のオーバーフロードレイン電圧供給部８
にそのまま接続されている）７に印加された電圧に応じ
て、図示しない経路（接合からなる）を通して、上記光
電変換部２に過剰に発生した電荷を基板１中へ逃がすよ
うになっている。オーバーフロードレイン電圧入力端子
７に対しては、例えば素子外部の電圧調整部１０によっ
て電圧発生回路９の出力電圧を上記ドレイン電圧を越え
ないように調節した電圧（以下「オーバーフロードレイ
ン電圧」という。）が印加される。これにより、基板１
の表面（すなわち光電変換部２）に過大な光が入射した
ときに、光電変換部２の過剰電荷によって生ずるブルー
ミングすなわち被写体の周囲に明るい部分が広がる現象
を防ぐようになっている。
子としては例えば図２に示すようなものがある。このＣ
ＣＤ固体撮像素子は、半導体基板１上に、行列状に配さ
れた光電変換部２と、この光電変換部２の各列に隣接し
て設けられた垂直転送部３と、この垂直転送部３の各列
の端部につながる水平転送部４と、この水平転送部４の
端部につながる出力回路５を備えている。上記半導体基
板１の表面に入射した光は光電変換部２によって信号電
荷に変換される。各光電変換部２が発生する信号電荷は
、垂直転送部３によって水平転送部４に順次転送され、
さらにこの水平転送部４によって順次出力回路５に転送
される。上記出力回路５は、水平転送部４からの信号電
荷量に応じて出力信号を出力端子Ｔへ出力する。この出
力回路５につながるドレイン端子６には、上記信号電荷
を出力するために、素子外部から一定の正電圧（以下「
ドレイン電圧」という。）が印加される。また、このＣ
ＣＤ固体撮像素子は、オーバーフロードレイン電圧入力
端子（基板１内のオーバーフロードレイン電圧供給部８
にそのまま接続されている）７に印加された電圧に応じ
て、図示しない経路（接合からなる）を通して、上記光
電変換部２に過剰に発生した電荷を基板１中へ逃がすよ
うになっている。オーバーフロードレイン電圧入力端子
７に対しては、例えば素子外部の電圧調整部１０によっ
て電圧発生回路９の出力電圧を上記ドレイン電圧を越え
ないように調節した電圧（以下「オーバーフロードレイ
ン電圧」という。）が印加される。これにより、基板１
の表面（すなわち光電変換部２）に過大な光が入射した
ときに、光電変換部２の過剰電荷によって生ずるブルー
ミングすなわち被写体の周囲に明るい部分が広がる現象
を防ぐようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記オーバ
ーフロードレイン電圧は、上記光電変換部２に入射する
光の強さをパラメータとして出力回路５の出力信号に基
づいて最適値が求められる。一般に、この値は一定値と
はならず、個々のＣＣＤ固体撮像素子毎に異なる。これ
に応じて、従来は、ユーザーが印加すべきオーバーフロ
ー電圧の値が個々の素子毎に指定されていた。このため
、ＣＣＤ固体撮像素子を用いてビデオカメラ等を作製す
る段階で、個々のＣＣＤ固体撮像素子毎にオーバーフロ
ードレイン電圧を調整しなければならないという問題が
あった。また、わざわざＣＣＤ固体撮像素子の外部に電
圧発生回路９や電圧調整部１０を設けねばならず、ビデ
オカメラ等のコスト増大要因となっていた。
ーフロードレイン電圧は、上記光電変換部２に入射する
光の強さをパラメータとして出力回路５の出力信号に基
づいて最適値が求められる。一般に、この値は一定値と
はならず、個々のＣＣＤ固体撮像素子毎に異なる。これ
に応じて、従来は、ユーザーが印加すべきオーバーフロ
ー電圧の値が個々の素子毎に指定されていた。このため
、ＣＣＤ固体撮像素子を用いてビデオカメラ等を作製す
る段階で、個々のＣＣＤ固体撮像素子毎にオーバーフロ
ードレイン電圧を調整しなければならないという問題が
あった。また、わざわざＣＣＤ固体撮像素子の外部に電
圧発生回路９や電圧調整部１０を設けねばならず、ビデ
オカメラ等のコスト増大要因となっていた。
【０００４】そこで、この発明の目的は、素子内部でオ
ーバーフロードレイン電圧を作成でき、しかもビデオカ
メラ等を作製する段階での煩雑な電圧調整作業を無くす
ことができ、したがってビデオカメラ等のコストを下げ
ることができるＣＣＤ固体撮像素子を提供することにあ
る。
ーバーフロードレイン電圧を作成でき、しかもビデオカ
メラ等を作製する段階での煩雑な電圧調整作業を無くす
ことができ、したがってビデオカメラ等のコストを下げ
ることができるＣＣＤ固体撮像素子を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明のＣＣＤ固体撮像素子は、基板上に、この
基板表面に入射した光を信号電荷に変換する光電変換部
と、上記光電変換部が発生した信号電荷を転送する電荷
転送部と、上記電荷転送部から受けた信号電荷に応じて
出力電圧を出力する出力回路と、素子外部から所定の入
力電圧が印加される入力端子と、上記基板内のオーバー
フロードレイン電圧供給部に印加されたオーバーフロー
ドレイン電圧に応じて上記光電変換部に過剰に発生した
電荷を上記基板中へ逃がす経路を備えたＣＣＤ固体撮像
素子において、上記基板上に、上記入力端子と上記オー
バーフロードレイン電圧供給部とを接続する第１の抵抗
層と、上記オーバーフロードレイン電圧供給部と上記基
板内の接地領域とを接続する第２の抵抗層とを設けたこ
とを特徴としている。
に、この発明のＣＣＤ固体撮像素子は、基板上に、この
基板表面に入射した光を信号電荷に変換する光電変換部
と、上記光電変換部が発生した信号電荷を転送する電荷
転送部と、上記電荷転送部から受けた信号電荷に応じて
出力電圧を出力する出力回路と、素子外部から所定の入
力電圧が印加される入力端子と、上記基板内のオーバー
フロードレイン電圧供給部に印加されたオーバーフロー
ドレイン電圧に応じて上記光電変換部に過剰に発生した
電荷を上記基板中へ逃がす経路を備えたＣＣＤ固体撮像
素子において、上記基板上に、上記入力端子と上記オー
バーフロードレイン電圧供給部とを接続する第１の抵抗
層と、上記オーバーフロードレイン電圧供給部と上記基
板内の接地領域とを接続する第２の抵抗層とを設けたこ
とを特徴としている。
【０００６】また、上記第１，第２の抵抗層の双方また
はいずれか一方をトリミング加工して、上記第１，第２
の抵抗層の抵抗比を調節しているのが望ましい。
はいずれか一方をトリミング加工して、上記第１，第２
の抵抗層の抵抗比を調節しているのが望ましい。
【０００７】
【作用】素子外部から入力端子に所定の入力電圧を印加
することにより、基板内のオーバーフロードレイン電圧
供給部に対して、上記ドレイン電圧を第１の抵抗層と第
２の抵抗層とで抵抗分割した電圧がオーバーフロードレ
イン電圧として印加される。すなわち、素子内部でオー
バーフロードレイン電圧が作成される。
することにより、基板内のオーバーフロードレイン電圧
供給部に対して、上記ドレイン電圧を第１の抵抗層と第
２の抵抗層とで抵抗分割した電圧がオーバーフロードレ
イン電圧として印加される。すなわち、素子内部でオー
バーフロードレイン電圧が作成される。
【０００８】また、上記第１，第２の抵抗層の双方また
はいずれか一方をトリミング加工して、上記第１，第２
の抵抗層の抵抗比を調節している場合、このＣＣＤ固体
撮像素子の製造段階で上記オーバーフロードレイン電圧
が最適値となるように設定される。したがって、ビデオ
カメラ等の作製段階で煩雑な電圧調整作業をしなくても
済ませられる。したがって、このＣＣＤ固体撮像素子を
用いて作製されるビデオカメラ等のコストダウンが可能
となる。
はいずれか一方をトリミング加工して、上記第１，第２
の抵抗層の抵抗比を調節している場合、このＣＣＤ固体
撮像素子の製造段階で上記オーバーフロードレイン電圧
が最適値となるように設定される。したがって、ビデオ
カメラ等の作製段階で煩雑な電圧調整作業をしなくても
済ませられる。したがって、このＣＣＤ固体撮像素子を
用いて作製されるビデオカメラ等のコストダウンが可能
となる。
【０００９】
【実施例】以下、この発明のＣＣＤ固体撮像素子を図示
の実施例により詳細に説明する。
の実施例により詳細に説明する。
【００１０】図１に示すように、このＣＣＤ固体撮像素
子は、従来と同様に、半導体基板１１上に、行列状に配
された光電変換部１２と、この光電変換部１２の各列に
隣接して設けられた垂直転送部１３と、この垂直転送部
１３の各列の端部につながる水平転送部１４と、この水
平転送部１４の端部につながる出力回路１５を備えてい
る。また、入力端子として、外部から所定のドレイン電
圧（正電圧）が印加されるドレイン端子１６を備えてい
る。上記基板１１の表面に入射した光は光電変換部１２
によって信号電荷に変換される。各光電変換部１２が発
生する信号電荷は、垂直転送部１３によって水平転送部
１４に順次転送され、さらにこの水平転送部１４によっ
て順次出力回路１５に転送される。出力回路１５は、水
平転送部１４からの信号電荷量に応じて出力信号を出力
端子Ｔへ出力する。また、このＣＣＤ固体撮像素子は、
半導体基板１１内のオーバーフロードレイン電圧供給部
１７に印加される電圧に応じて、図示しない経路（接合
からなる）を通して、上記光電変換部１２に過剰に発生
した電荷を基板１中へ逃がすようになっている。
子は、従来と同様に、半導体基板１１上に、行列状に配
された光電変換部１２と、この光電変換部１２の各列に
隣接して設けられた垂直転送部１３と、この垂直転送部
１３の各列の端部につながる水平転送部１４と、この水
平転送部１４の端部につながる出力回路１５を備えてい
る。また、入力端子として、外部から所定のドレイン電
圧（正電圧）が印加されるドレイン端子１６を備えてい
る。上記基板１１の表面に入射した光は光電変換部１２
によって信号電荷に変換される。各光電変換部１２が発
生する信号電荷は、垂直転送部１３によって水平転送部
１４に順次転送され、さらにこの水平転送部１４によっ
て順次出力回路１５に転送される。出力回路１５は、水
平転送部１４からの信号電荷量に応じて出力信号を出力
端子Ｔへ出力する。また、このＣＣＤ固体撮像素子は、
半導体基板１１内のオーバーフロードレイン電圧供給部
１７に印加される電圧に応じて、図示しない経路（接合
からなる）を通して、上記光電変換部１２に過剰に発生
した電荷を基板１中へ逃がすようになっている。
【００１１】また、この半導体基板１１上には第１の抵
抗層１９と第２の抵抗層１８とが直列に設けられている
。上記第１の抵抗層１９はドレイン端子１６とオーバー
フロードレイン電圧供給部１７とを接続し、第２抵抗層
１８はオーバーフロードレイン電圧供給部１７と半導体
基板１１内の接地領域とを接続している。したがって、
ＣＣＤ固体撮像素子の外部からドレイン端子１６にドレ
イン電圧を印加することにより、オーバーフロードレイ
ン電圧供給部１７に対して、上記ドレイン電圧を抵抗層
１９と抵抗層１８とで抵抗分割した電圧をオーバーフロ
ードレイン電圧として印加することができる。すなわち
、素子内部でオーバーフロードレイン電圧を作成するこ
とができる。また、上記抵抗層１９，１８は、このＣＣ
Ｄ固体撮像素子の製造段階で、例えばレーザトリミング
法により、上記オーバーフロードレイン電圧が最適値と
なるように加工する。これにより、ビデオカメラ等の作
製段階での煩雑な電圧調整作業を無くすことができる。 したがって、このＣＣＤ固体撮像素子を用いて作製され
るビデオカメラ等のコストを下げることができる。
抗層１９と第２の抵抗層１８とが直列に設けられている
。上記第１の抵抗層１９はドレイン端子１６とオーバー
フロードレイン電圧供給部１７とを接続し、第２抵抗層
１８はオーバーフロードレイン電圧供給部１７と半導体
基板１１内の接地領域とを接続している。したがって、
ＣＣＤ固体撮像素子の外部からドレイン端子１６にドレ
イン電圧を印加することにより、オーバーフロードレイ
ン電圧供給部１７に対して、上記ドレイン電圧を抵抗層
１９と抵抗層１８とで抵抗分割した電圧をオーバーフロ
ードレイン電圧として印加することができる。すなわち
、素子内部でオーバーフロードレイン電圧を作成するこ
とができる。また、上記抵抗層１９，１８は、このＣＣ
Ｄ固体撮像素子の製造段階で、例えばレーザトリミング
法により、上記オーバーフロードレイン電圧が最適値と
なるように加工する。これにより、ビデオカメラ等の作
製段階での煩雑な電圧調整作業を無くすことができる。 したがって、このＣＣＤ固体撮像素子を用いて作製され
るビデオカメラ等のコストを下げることができる。
【００１２】なお、上に述べた例では、ドレイン端子１
６に印加されたドレイン電圧に基づいてオーバーフロー
ドレイン電圧が作成されるものとしたが、これに限られ
るものではない。図３に示すように、ドレイン端子１６
とは別個に入力端子２０を設けて、ドレイン電圧とは別
個の入力電圧に基づいてオーバーフロードレイン電圧を
作成しても良い。このようにした場合も、ビデオカメラ
等の作製段階での煩雑な電圧調整作業を無くすことがで
き、したがってビデオカメラ等のコストを下げることが
できる。
６に印加されたドレイン電圧に基づいてオーバーフロー
ドレイン電圧が作成されるものとしたが、これに限られ
るものではない。図３に示すように、ドレイン端子１６
とは別個に入力端子２０を設けて、ドレイン電圧とは別
個の入力電圧に基づいてオーバーフロードレイン電圧を
作成しても良い。このようにした場合も、ビデオカメラ
等の作製段階での煩雑な電圧調整作業を無くすことがで
き、したがってビデオカメラ等のコストを下げることが
できる。
【００１３】
【発明の効果】以上より明らかなように、この発明のＣ
ＣＤ固体撮像素子は、基板上に、入力端子とオーバーフ
ロードレイン電圧供給部とを接続する第１の抵抗層と、
上記オーバーフロードレイン電圧供給部と上記基板内の
接地領域とを接続する第２の抵抗層とを設けているので
、抵抗分割によって、素子内部でオーバーフロードレイ
ン電圧を作成することができる。
ＣＤ固体撮像素子は、基板上に、入力端子とオーバーフ
ロードレイン電圧供給部とを接続する第１の抵抗層と、
上記オーバーフロードレイン電圧供給部と上記基板内の
接地領域とを接続する第２の抵抗層とを設けているので
、抵抗分割によって、素子内部でオーバーフロードレイ
ン電圧を作成することができる。
【００１４】また、上記第１，第２の抵抗層の双方また
はいずれか一方をトリミング加工して、上記第１，第２
の抵抗層の抵抗比を調節しているので、ビデオカメラ等
を作製する段階での煩雑な電圧調整作業を無くすことが
でき、したがってビデオカメラ等のコストを下げること
ができる。
はいずれか一方をトリミング加工して、上記第１，第２
の抵抗層の抵抗比を調節しているので、ビデオカメラ等
を作製する段階での煩雑な電圧調整作業を無くすことが
でき、したがってビデオカメラ等のコストを下げること
ができる。
【図１】 この発明の一実施例のＣＣＤ固体撮像素子
を示す図である。
を示す図である。
【図２】 従来のＣＣＤ固体撮像素子を示す図である
。
。
【図３】 この発明の別の実施例のＣＣＤ固体撮像素
子を示す図である。
子を示す図である。
１１ 半導体基板
１２ 光電変換部
１３ 垂直転送部
１４ 水平転送部
１５ 出力回路
１６ ドレイン端子
１７ オーバーフロードレイン電圧供給部１８
第２の抵抗層 １９ 第１の抵抗層
第２の抵抗層 １９ 第１の抵抗層
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に、この基板表面に入射した光
を信号電荷に変換する光電変換部と、上記光電変換部が
発生した信号電荷を転送する電荷転送部と、上記電荷転
送部から受けた信号電荷に応じて出力電圧を出力する出
力回路と、素子外部から所定の入力電圧が印加される入
力端子と、上記基板内のオーバーフロードレイン電圧供
給部に印加されたオーバーフロードレイン電圧に応じて
上記光電変換部に過剰に発生した電荷を上記基板中へ逃
がす経路を備えたＣＣＤ固体撮像素子において、上記基
板上に、上記入力端子と上記オーバーフロードレイン電
圧供給部とを接続する第１の抵抗層と、上記オーバーフ
ロードレイン電圧供給部と上記基板内の接地領域とを接
続する第２の抵抗層とを設けたことを特徴とするＣＣＤ
固体撮像素子。 - 【請求項２】 上記第１，第２の抵抗層の双方または
いずれか一方をトリミング加工して、上記第１，第２の
抵抗層の抵抗比を調節していることを特徴とする請求項
１に記載のＣＣＤ固体撮像素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3054390A JP2725714B2 (ja) | 1991-01-04 | 1991-03-19 | Ｃｃｄ固体撮像素子 |
| US07/812,616 US5159418A (en) | 1991-01-04 | 1991-12-26 | Ccd imager with integrated voltage divider resistors to supply overflow drain |
| EP92300008A EP0494104B1 (en) | 1991-01-04 | 1992-01-02 | A CCD imager |
| DE69220386T DE69220386T2 (de) | 1991-01-04 | 1992-01-02 | CCD-Bildaufnahmevorrichtung |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2091 | 1991-01-04 | ||
| JP3-20 | 1991-01-04 | ||
| JP3054390A JP2725714B2 (ja) | 1991-01-04 | 1991-03-19 | Ｃｃｄ固体撮像素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04261282A true JPH04261282A (ja) | 1992-09-17 |
| JP2725714B2 JP2725714B2 (ja) | 1998-03-11 |
Family
ID=26332924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3054390A Expired - Fee Related JP2725714B2 (ja) | 1991-01-04 | 1991-03-19 | Ｃｃｄ固体撮像素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5159418A (ja) |
| EP (1) | EP0494104B1 (ja) |
| JP (1) | JP2725714B2 (ja) |
| DE (1) | DE69220386T2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW364238B (en) * | 1995-06-08 | 1999-07-11 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Semiconductor device containing an adjustable voltage generator |
| EP0747956A3 (en) * | 1995-06-08 | 1999-03-24 | Matsushita Electronics Corporation | Semiconductor device containing an adjustable voltage generator |
| US6329272B1 (en) | 1999-06-14 | 2001-12-11 | Technologies Ltrim Inc. | Method and apparatus for iteratively, selectively tuning the impedance of integrated semiconductor devices using a focussed heating source |
| CA2533225C (en) * | 2006-01-19 | 2016-03-22 | Technologies Ltrim Inc. | A tunable semiconductor component provided with a current barrier |
| US7508432B2 (en) * | 2006-07-19 | 2009-03-24 | Eastman Kodak Company | CCD with improved substrate voltage setting circuit |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03295274A (ja) * | 1990-04-13 | 1991-12-26 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5833708B2 (ja) * | 1977-01-31 | 1983-07-21 | 株式会社東芝 | 集積回路装置 |
| JPS5917581B2 (ja) * | 1978-01-13 | 1984-04-21 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| US4178519A (en) * | 1978-08-16 | 1979-12-11 | General Electric Company | Input circuit for charge transfer apparatus |
| US4225877A (en) * | 1978-09-05 | 1980-09-30 | Sprague Electric Company | Integrated circuit with C-Mos logic, and a bipolar driver with polysilicon resistors |
| JPS6155962A (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電荷結合素子 |
| JPH0294555A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Toshiba Corp | トリミング抵抗体 |
| JPH02155378A (ja) * | 1988-12-07 | 1990-06-14 | Nec Corp | 固体撮像素子の駆動方法 |
-
1991
- 1991-03-19 JP JP3054390A patent/JP2725714B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1991-12-26 US US07/812,616 patent/US5159418A/en not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-01-02 DE DE69220386T patent/DE69220386T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-01-02 EP EP92300008A patent/EP0494104B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03295274A (ja) * | 1990-04-13 | 1991-12-26 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0494104A2 (en) | 1992-07-08 |
| US5159418A (en) | 1992-10-27 |
| EP0494104A3 (en) | 1992-12-30 |
| JP2725714B2 (ja) | 1998-03-11 |
| DE69220386D1 (de) | 1997-07-24 |
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