JPH04261344A - Pwm制御発振器 - Google Patents

Pwm制御発振器

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JPH04261344A
JPH04261344A JP1974591A JP1974591A JPH04261344A JP H04261344 A JPH04261344 A JP H04261344A JP 1974591 A JP1974591 A JP 1974591A JP 1974591 A JP1974591 A JP 1974591A JP H04261344 A JPH04261344 A JP H04261344A
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JP
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pwm
current
charging
capacitor
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Application number
JP1974591A
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Inventor
Atsushi Sugaya
厚 菅家
Katsuji Marumoto
丸本 勝二
Keiichi Masuno
敬一 増野
Yuichi Mori
雄一 森
▲たか▼松 秀一
Shiyuuichi Takamatsu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、PWM制御発振器およ
びそれを応用した半導体充電制御装置に係り、特に車両
用発電機制御装置に好適なPWM制御発振器および半導
体充電制御装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より負荷の電流を制御する装置とし
て、特開昭63−109058号公報に記載のように、
半導体パワースイッチのPWM制御方式が知られている
。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は半導体
パワースイッチのPWM制御を、外付け部品なしに実現
することは難しい。半導体パワースイッチのPWM制御
を固定周波数で行なったた場合、スイッチング損失が増
加し、スイッチング損失を低減するために周波数を下げ
ると、PWM制御発振器をICとして集積化するにチッ
プ面積が増大する等の問題があった。また、誘導負荷の
場合脈動が生ずるという問題があった。
【0004】本発明の目的は、半導体パワースイッチを
用いてPWM制御を行う制御装置において、スイッチン
グ損失の抵抗を図るとともに、充電発電機の異磁電流の
脈動(リップル)をデューティにかかわりなく一定とし
て、発電機の出力電圧の脈動率による電気負荷変動を防
止することである。また、高周波スイッチングを不必要
として高周波成分による電波雑音障害等も防止すること
である。さらに、制御回路のIC化に当っては、PWM
制御回路等に用いているコンデンサの小容量化が図れ、
IC内蔵化が可能となる半導体のPWM制御装置及び車
両用充電発電機制御装置を提供するにある。
【0005】上記目的は、充電発電機の界磁電流制御を
可変周波数方式とし、界磁制御用チョッパの周波数可変
形PWM制御(パルス幅制御)手段により、チョッパの
周波数をデューティに対応して制御し、好ましくはチョ
ッパの周波数fをデューティαの2次関数α(1−α)
に制御することにより達成される。
【0006】
【課題を解決するための手段】PWM制御発振器に出力
PWM周波数がデューティの最小と最大で低下するよう
な特性をもたせ集積化が容易なように、発振器の構成要
素を低減した。
【0007】
【作用】デューティの最大でのスイッチング損失を低減
することによって、半導体パワースイッチ全体の損失を
低減することができシステム全体の小型化,半導体パワ
ースイッチの出力電流のアップが図れる。
【0008】負荷にインダクタンスLを有するチョッパ
制御においては、電流if が脈動するので、制御を安
定化するために脈動幅は小さい方が望ましい。PWM制
御における電流の脈動率μI は、チョッパ動作におい
て一般的に次式で表せる。
【0009】
【数1】
【0010】ここに、 ifmax :脈動電流ピーク値 ifmix :脈動電流最大値 If     :負荷電流平均値 また、電流の脈動率μI は、回路定数から数1式のほ
かに、次のように表わすことができる。
【0011】
【数2】
【0012】ここに、 VB :直流電源電圧 Lf :負荷インダクタンス f  :チョッパ周波数 α  :通流率 数2式において、今、チョッパ周波数fを固定すると通
流率αにより脈動率μI が変化し、図3(a)に示す
ようにαが0.5 で最大となる二乗関数の特性を示す
。そこで、チョッパ周波数fと通流率αとの関係を次式
とする場合を考えてみると
【0013】
【数3】
【0014】となる。
【0015】この式は可変周波数型と呼ばれるもので、
αとfが二乗関数の関係を示す。
【0016】従って、数3式を数2式に代入すると、電
流脈動率μI は数4式を得ることができる。
【0017】
【数4】
【0018】数4式は負荷電流If が同一条件であれ
ば、通流率αによらず脈動率μI がほぼ一定となる。 すなわち、周波数可変型PWM制御を行えば、負荷電流
If の脈動を負荷が一定条件下では一定にできること
がわかる。
【0019】また、周波数可変型PWMの場合には、半
導体スイッチング素子の損失電力は、一般に直流損失P
DCとスイッチング損失PSWがある。
【0020】周波数一定方式の場合には、スイッチング
損失PSWが、デューティによらず一定となる。一方、
周波数可変方式の場合の損失は、デューティが50%附
近で最大となり、デューティが小さく、あるいは、大き
くなっても小さくなる。従って、可変周波数方式の全損
失P01が固定周波方式の損失P02よりも小さくなる
特徴を有している。
【0021】
【実施例】以下、本発明の実施例を図1により説明する
。半導体パワースイッチ3は、負荷4と電源のアース側
の間に接続している。負荷の接続は高電位側であっても
低電位側であっても特に限定されない。半導体パワース
イッチ3は本実施例においてNチャネルパワーMOSF
ETで説明するが、PチャネルパワーMOSFETやバ
イポーラ素子、MOSFETとバイポーラの複合素子で
あるIGBTであってもかまわない。負荷3は電気的に
はL成分とR成分からなり、L/Rの時定数を持つ。
【0022】半導体パワースイッチ3は、端子1aのア
ナログ入力電圧信号VINに対して、PWM制御発振器
1によって端子1bにパルス変換され出力したPWM信
号によって駆動回路2により図2のように電源VBと接
地間でスイッチングされる。特に負荷4が誘導性の場合
、負荷電流はノコギリ波状の波形となる。この際、PW
M制御発振器1の入出力特性は、図3に示すような入力
電圧にたいして、デューティが単調増加、もしくは単調
減少し、出力PWM周波数fがデューティαの50%付
近で最大となり、0%及び、100%にて最小になる二
乗関数特性を要している。図4に示すようPWM周波数
fが一定の場合、PWM制御発振器1のデューティαと
等価な通流率αに対して脈動率μiが二乗関数特性とな
り変動する。これに対して、図5に示すよにPWM周波
数fを二乗関数特性に可変することにより、脈動率μi
を一定にすることができる。
【0023】図6に、半導体パワースイッチ3の損失電
力を周波数一定と、二乗関数特性に可変した場合の対比
を示す。周波数を可変にした場合、デューティの0%及
び、100%側で全体の損失が低減することがわかる。 特に損失の厳しい、100%側での効果が大きく、シス
テム全体の損失電力設計が楽になり、周波数一定制御の
場合と比較して、半導体パワースイッチ3の定格を下げ
ることもできる。
【0024】本発明の第2の実施例を図7により説明す
る。端子1aのアナログ入力電圧信号VINに対して、
出力電流I10,I20が単調増加、および単調減少す
る電圧電流変換器11を用い、出力電流I10,I20
によって充電電流源12a及び放電電流源12bを制御
し、コンデンサ106の充放電電流Icの電流値及び充
放電を制御する。まず充電時はスイッチ14bをOFF
し充電電流源12aによってコンデンサ106の出力電
圧V0を直線的に増加させ、放電時はスイッチ14bを
ONし放電電流源12bによって出力電圧V0を減少さ
せる。充電電流源12aの電流値が最大でI0とすると
、充放電電流Icの電流値は最大でI0の2倍となる。 スイッチ14bの切り替えは、出力電圧V0を電圧比較
器15で二値の基準電圧で判定した結果により行う。こ
れは端子1bにパルス変換されて出力したPWM信号と
等しい。二値の基準電圧は、スイッチ14cにより抵抗
177を短絡することによって決定する。これは、外部
から供給してもかまわない。基準電圧の電位差である基
準電圧範囲ΔVは、本実施例では数5で表される。
【0025】
【数5】
【0026】図8により、充放電の電流の関係を説明す
る。定電流で充電する場合、入力電圧にたいして、出力
周波数の関係は充放電電流値に対して、一定の関係を持
つ。コンデンサ106の充電電流Icは、充電電流源1
2aの電流値I1と、電圧電流変換器11の出力電流I
10と等しい。コンデンサ106の放電電流−Icは、
放電電流源12bの電流値I2の半分で、電圧電流変換
器11の出力電流I20と等しい。放電電流−Icは、
充電電流源12aの電流値I1と、放電電流源12bの
電流値I2との減算結果である。コンデンサ106の充
放電電流Icが等しいときPWM周波数fは最大でPW
M制御発振器のデューティαは50%となり、バイアス
電流I0とコンデンサ106の容量C,基準電圧範囲Δ
Vによって最大PWM発振周波数fmaxが決定し、数
6で表される。
【0027】
【数6】
【0028】コンデンサ106の充放電電流Icのバラ
ンスが崩れると、充放電電流Icの大小関係に応じてP
WM周波数fとデューティαは共に変化する。本実施例
によれば、半導体パワースイッチのスイッチング損失や
脈動率を低減するための二乗関数特性を用意に得ること
ができる。
【0029】図9に、第2の実施例の電圧電流変換器1
1に差動増幅器を用いた一実施例を示す。これは、NP
Nトランジスタの入力段を持つ差動増幅器の構成である
が、構成素子がPNPトランジスタやMOSトランジス
タであっても構わない。NPNトランジスタ110,1
20は差動対となり、NPNトランジスタ110のベー
ス電圧をVcc/2で固定してある。抵抗105と、N
PNトランジスタ104によって基準電流が作られ、N
PNトランジスタ104によりI0でバイアスされる。 この際、入力ゲインを低下させるために、NPNトラン
ジスタ110,120のエミッタに抵抗121,111
を挿入し、抵抗の中間からバイアスしているが、NPN
トランジスタ110,120のエミッタと抵抗121,
111の間からI0/2でそれぞれバイアスしても構わ
ない。
【0030】NPNトランジスタ120のベース端子1
aに入力電圧VINを加えると、大小に応じて、出力電
流I20,I10が変化する。充電側は、PNPトラン
ジスタ112,113のカレントミラーによって充電電
流I1を供給する。放電側は、PNPトランジスタ12
2,123のカレントミラーと、NPNトランジスタ1
25,115のカレントミラーによって放電電流I2を
供給している。この際、放電電流I2を充電電流I1の
倍にするため、カレントミラーのミラー比を合わせる必
要がある。本実施例では、NPNトランジスタ125,
115のカレントミラー比を2倍とし、他のミラー比を
1としているが任意にミラー比を設定して構わない。放
電電流I2は、NPNトランジスタ114,116によ
って構成されるスイッチでオンオフする。電圧比較器に
はコンパレータ107を用い比較出力をPWM出力とし
ている。本実施例によれば、簡単な構成で集積化に適し
たPWM制御発振器を得ることができる。
【0031】本発明の第3の実施例を図10により説明
する。端子1aのアナログ入力電圧信号VINに対して
、出力電流I10,I20が単調増加、および単調減少
する電圧電流変換器11を用い、出力電流I10,I2
0によって充電電流源12a及び放電電流源12bを制
御し、コンデンサ106の充放電電流Icの電流値及び
充放電を制御する。まず充電時はスイッチ14aをON
し、スイッチ14bをOFFし充電電流源12aによっ
てコンデンサ106の出力電圧V0を直線的に増加させ
、放電時はスイッチ14aをOFFスイッチ14bをO
Nし放電電流源12bによって出力電圧V0を減少させ
る。充電電流源12aと放電電流源12bの電流値の最
大は等しい。スイッチ14aとスイッチ14bの切り替
えは、出力電圧V0を電圧比較器15で二値の基準電圧
で判定した結果により相補的に行う。本実施例では特に
充放電電流値を一定のカレントミラー比Nで減少させて
いる。
【0032】図11により、充放電の電流の関係を説明
する。定電流で充電する場合、入力電圧にたいして、出
力周波数の関係は充放電電流値に対して、一定の関係を
持つ。コンデンサ106の充電電流Icは、充電電流源
12aの電流値I1と等しく、電圧電流変換器11の出
力電流I10のカレントミラー比Nで減少している。コ
ンデンサ106の放電電流−Icは、放電電流源12b
の電流値I2のと等しく、電圧電流変換器11の出力電
流I20のミラー比Nで減少している。コンデンサ10
6の充放電電流Icが等しいときPWM周波数fは最大
でPWM制御発振器のデューティαは50%となり、カ
レントミラー比Nとバイアス電流I0とコンデンサ10
6の容量C,基準電圧範囲ΔVによって最大PWM発振
周波数fmaxが決定し、数7で表される。
【0033】
【数7】
【0034】コンデンサ106の充放電電流Icのバラ
ンスが崩れると、充放電電流Icの大小関係に応じてP
WM周波数fとデューティαは共に変化する。本実施例
によれば、カレントミラー比Nを大きくとることによっ
て、小さなコンデンサ容量で最大PWM発振周波数が数
Kキロヘルツの、低周波のPWM制御発振器を得ること
ができる。
【0035】図12に、第3の実施例の電圧電流変換器
11に差動増幅器を用いた一実施例を示す。これは、N
PNトランジスタの入力段を持つ差動増幅器の構成であ
るが、構成素子がPNPトランジスタやMOSトランジ
スタであっても構わない。ここでは特に、カレントミラ
ー比Nを大きくとり、素子サイズを低減するために、図
7のPNPトランジスタにたいしてPMOSトランジス
タ121,123のカレントミラー、PMOSトランジ
スタ112,113のカレントミラーを用いている。ま
た、充電側のスイッチ117をPMOSトランジスタを
もちいているが、NMOSトランジスタでもよい。例え
は、バイアス電流I0を10マイクロアンペア,カレン
トミラー比Nを10,コンデンサ106の容量を100
ピコファラド,基準電圧範囲ΔVを2ボルトとすると、
前出数3より最大PWM発振周波数fmaxは1.25
K キロヘルツとなる。容量値100ピコファラドのコ
ンデンサ106は、各トランジスタと共にICチップ上
への集積化が可能となる。本実施例によれば、コンデン
サの集積化が容易になるといった利点がある。また、充
放電電流のアンバランスによるPWM制御発振器のデュ
ーティ50%における周波数の対象性を良くでき、IC
生産の際の歩留まりを良くできる。
【0036】本発明の第4の実施例を図13により説明
する。端子1aのアナログ入力電圧信号VINに対して
A/D変換器21でデジタル信号に変換し、ROM等に
記憶されたPWMパターン22と演算回路23で比較演
算し、結果をデジタルで直接端子1bに出力してPWM
信号を得るものである。これは、内部或は外部に設けら
れた、クロック回路24のクロック信号に同期して動作
する。これらの構成要素を含むPWM制御発振器20は
、専用のデジタル回路であっても構わないし、マイクロ
コンピュータで構成してもよい。PWM制御発振器の周
波数は、クロック信号の精度によるため、入力電圧にた
いして安定である。
【0037】図14に周波数とデューティの関係を示す
が、A/D変換器21の分解能で決まる二乗関数特性と
なる。本実施例によれば、PWM制御発振器の周波数と
デューティのずれによる電力損失の変動を減らすことが
できる。
【0038】本発明の第5の実施例を図15により説明
する。端子1aのアナログ入力電圧信号VINに対して
、V/F変換器31でデューティが一定の入力電圧に応
じた周波数に変換し、その周波数出力をD/A変換器3
2のクロックパルスfckに用いて基準三角波信号を発
生して電圧比較器107に入力し、端子1aより直接入
力されたアナログ入力電圧信号VINとを電圧比較器1
07で比較し、それに応じたパルスを端子1bに出力し
てPWM信号を得るものである。この際D/A変換器3
2は、例えば電源,接地間を抵抗34a,34b,34
c,34d,34eで分圧し、各抵抗間の電圧をスイッ
チ33a,33b,33c,33dで切り替えて、階段
状の擬似的に三角波信号を得るものである。スイッチ3
3a,33b,33c,33dの切り替えは、シフトレ
ジスタ35でクロックパルスfckごとに切り替えて行
なう。クロックパルスfckの周波数を変えれば、三角
波信号の周波数も変わることになる。本実施例では4段
階で説明したが、段数は特に限定されるものではない。
【0039】図16に、V/F変換器31に要求される
入力電圧に対するクロック周波数fckとデューティα
の関係を示すが、デューティが50%一定に対し周波数
が可変する必要がある。入力電圧にたいして中央部でピ
ークをもつような、可変周波数特性が望ましい。本実施
例によれば、三角波信号を得るデジタル回路の構成が簡
単なため、集積化が容易でIC化に適している。
【0040】本発明の第6の実施例を図17により説明
する。これは、車両用発電機制御装置に用いた一例であ
る。制御回路であるICレギュレータ280は、ロータ
負荷203の電流を制御する半導体パワースイッチ3,
駆動回路2,PWM制御発振器1,誤差増幅器286と
、チャージランプ負荷282の電流を制御する半導体パ
ワースイッチ283,駆動回路284等からなっている
。ここで、半導体パワースイッチ3と負荷の接続は高電
位側であっても低電位側であっても特に限定されない。 発電機の出力電圧と、制御指令電圧との誤差出力を入力
電圧として、PWM制御発振器1が動作するものである
。本実施例によれば、リップル変動の少ない安定な車両
用発電機制御装置を得ることが出来る。また、電力損失
を減らし発熱を押えることによって、ロータ負荷203
の最大電流を増やすことが出来、それに応じた車両用発
電機制御装置の出力アップを図ることが出来る。
【0041】本発明の第7の実施例を図18により説明
する。これは、パワーIC40のチップ上のレイアウト
図をしめす。前記半導体パワースイッチ3や前記半導体
パワースイッチ283がパワー素子41となる、パワー
IC40として前記PWM制御発振器1と共に集積化す
る場合、コンデンサ106をパワー素子41と一定距離
で平行に配置し、前記コンデンサ106へ電流を充放電
する回路をコンデンサに隣接し、パワー素子41の反対
側に当距離になるよう配置したものである。コンデンサ
106を、パワーIC40に内蔵せず外付けとする場合
であっても、前記コンデンサ106へ電流を充放電する
回路は、パワー素子41から当距離になるよう配置する
。本実施例によれば、ICとして集積化した場合に、パ
ワー素子41の発熱によるPWM制御発振器の周波数の
変動を低減することが出来る。
【0042】
【発明の効果】半導体パワースイッチのスイッチング損
失を低減し、誘導負荷の脈動を押えることが出来るとい
った効果がある。また、ICとして集積化するのが容易
となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】半導体パワースイッチへのPWM制御発振器の
応用回路図。
【図2】PWM動作波形図。
【図3】PWM制御発振器の周波数及びデューティ特性
図。
【図4】固定周波数PWM制御発振器の周波数及び脈動
率図。
【図5】可変周波数PWM制御発振器の周波数及び脈動
率図。
【図6】PWM制御発振器の損失電力特性図。
【図7】V/I変換型PWM制御発振器の動作原理図。
【図8】V/I変換型PWM制御発振器図7の出力電流
波形図。
【図9】V/I変換型PWM制御発振器図7のIC化回
路図。
【図10】V/I変換型PWM制御発振器の動作原理図
。
【図11】V/I変換型PWM制御発振器図10の出力
電流波形図。
【図12】V/I変換型PWM制御発振器図10のIC
化回路図。
【図13】A/D変換型PWM制御発振器のブロック図
。
【図14】A/D変換型PWM制御発振器の周波数及び
デューティ特性図。
【図15】V/F変換型PWM制御発振器の回路ブロッ
ク図。
【図16】図15のV/F変換器の周波数及びデューテ
ィ特性図。
【図17】車両用発電機制御装置への応用回路図。
【図18】ICチップのレイアウト図。
【符号の説明】
1…PWM制御発振器、2…駆動回路、3…半導体パワ
ースイッチ、11…電圧電流変換器、15,107…電
圧比較器、106…コンデンサ、12a,12b…電流
源、14a,14b,14c…スイッチ、21…A/D
変換器、32…D/A変換器、31…V/F変換器、2
80…ICレギュレータ、40…パワーIC。

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】制御入力電圧に対して、出力PWM周波数
    がデューティの最小と最大で低下することを特徴とする
    PWM制御発振器。
  2. 【請求項2】請求項1において、制御入力電圧に対して
    デューティが単調増加、もしくは単調減少し、出力PW
    M周波数がデューティの50%付近で最大となり、0%
    及び、100%にて最小になる二乗関数特性を有するこ
    とを特徴とするのPWM制御発振器。
  3. 【請求項3】請求項2において、半導体パワースイッチ
    のPWM制御に用いたことを特徴とするPWM制御発振
    器。
  4. 【請求項4】請求項2において、制御入力電圧に対して
    出力電流が単調増加、或は、単調減少する電圧電流変換
    器を用い、前記電流出力をコンデンサの充放電に用いて
    三角波信号を発生し、該信号と基準電圧を電圧比較器で
    比較し、それに応じてコンデンサの充放電を制御してパ
    ルス出力を発生させることを特徴とするPWM制御発振
    器。
  5. 【請求項5】請求項4において、電圧電流変換器に差動
    増幅器を用い、差動増幅器の電流出力をコンデンサの充
    放電に用いて三角波信号を発生し、該信号と基準電圧を
    電圧比較器で比較し、それに応じてコンデンサの充放電
    を制御してパルス出力を発生させることを特徴とするP
    WM制御発振器。
  6. 【請求項6】請求項5において、前記充放回路は、電差
    動増幅器の電流出力に比例してコンデンサを充電し、該
    充電電荷の2倍の電流値で放電し、放電電流のみをスイ
    ッチでオンオフしてコンデンサの充放電を制御すること
    を特徴とするPWM制御発振器。
  7. 【請求項7】請求項5において、差動増幅器の電流出力
    に比例してコンデンサの充電に用いる電流値と、放電に
    用いる電流値を等しくして、充放電電流をともに相補的
    にスイッチでオンオフしてコンデンサの充放電を制御さ
    せることを特徴とするPWM制御発振器。
  8. 【請求項8】請求項6及び、7のいずれかにおいて、差
    動増幅器の電流出力に対してコンデンサの充放電に用い
    る電流値を比例関係を持たせたまま、一定割合で減少さ
    せて、コンデンサの充放電に用いることを特徴とするP
    WM制御発振器。
  9. 【請求項9】請求項2において、制御入力電圧をA/D
    変換し、デューティ及びPWM周波数をパターンとして
    記憶したものとの比較演算により、パルス出力を発生さ
    せることを特徴とするPWM制御発振器。
  10. 【請求項10】請求項2において、制御入力電圧をV/
    F変換し、デューティ一定にたいして周波数のみを変化
    して、周波数出力をD/A変換器のクロックに用いて基
    準三角波を発生させ、制御入力電圧と電圧比較器で比較
    してパルス出力を発生させることを特徴とするPWM制
    御発振器。
  11. 【請求項11】請求項2において、車両用発電機制御装
    置のPWM制御に用いたことを特徴とする半導体パワー
    スイッチのPWM制御発振器。
  12. 【請求項12】請求項8において、前記PWM制御発振
    器のコンデンサを前記半導体パワースイッチと一定距離
    で平行に配置し、前記電流を充放電する回路をコンデン
    サに隣接し、半導体パワースイッチの反対側に配置して
    集積化したことを特徴とする半導体パワースイッチのP
    WM制御発振器。
  13. 【請求項13】制御入力電圧に対して、出力PWM周波
    数がデューティの最小と最大で低下するPWM制御発振
    器を備えたことを特徴とする半導体充電制御装置。
  14. 【請求項14】請求項13において、制御入力電圧に対
    してデューティが単調増加、もしくは単調減少し、出力
    PWM周波数がデューティの50%付近で最大となり、
    0%及び、100%にて最小になる二乗関数特性を有す
    るPWM制御発振器であることを特徴とする半導体充電
    制御装置。
  15. 【請求項15】請求項13において、制御入力電圧に対
    して出力電流が単調増加、或は、単調減少する電圧電流
    変換器を用い、前記電流出力をコンデンサの充放電に用
    いて三角波信号を発生し、該信号と基準電圧を電圧比較
    器で比較し、それに応じてコンデンサの充放電を制御し
    てパルス出力を発生させるPWM制御発振器を備えるこ
    とを特徴とする半導体充電制御装置。
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