JPH04261494A - 下降流流動床での接触クラッキング方法および装置 - Google Patents
下降流流動床での接触クラッキング方法および装置Info
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- JPH04261494A JPH04261494A JP3256227A JP25622791A JPH04261494A JP H04261494 A JPH04261494 A JP H04261494A JP 3256227 A JP3256227 A JP 3256227A JP 25622791 A JP25622791 A JP 25622791A JP H04261494 A JPH04261494 A JP H04261494A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
- C10G—CRACKING HYDROCARBON OILS; PRODUCTION OF LIQUID HYDROCARBON MIXTURES, e.g. BY DESTRUCTIVE HYDROGENATION, OLIGOMERISATION, POLYMERISATION; RECOVERY OF HYDROCARBON OILS FROM OIL-SHALE, OIL-SAND, OR GASES; REFINING MIXTURES MAINLY CONSISTING OF HYDROCARBONS; REFORMING OF NAPHTHA; MINERAL WAXES
- C10G11/00—Catalytic cracking, in the absence of hydrogen, of hydrocarbon oils
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
- B01J8/18—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with fluidised particles
- B01J8/1809—Controlling processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C10G11/00—Catalytic cracking, in the absence of hydrogen, of hydrocarbon oils
- C10G11/14—Catalytic cracking, in the absence of hydrogen, of hydrocarbon oils with preheated moving solid catalysts
- C10G11/18—Catalytic cracking, in the absence of hydrogen, of hydrocarbon oils with preheated moving solid catalysts according to the "fluidised-bed" technique
- C10G11/187—Controlling or regulating
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Production Of Liquid Hydrocarbon Mixture For Refining Petroleum (AREA)
- Devices And Processes Conducted In The Presence Of Fluids And Solid Particles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、より特定的には重質炭
化水素油の処理を可能にする接触クラッキング方法、お
よびこの方法の実施を可能にする装置に関する。
化水素油の処理を可能にする接触クラッキング方法、お
よびこの方法の実施を可能にする装置に関する。
【0002】
【従来技術および解決すべき課題】原油の供給の種類の
変化、およびガソリン型のより軽質な製品のための燃料
油精製品の需要の減少のため、石油精製業では、天然重
質油、および残油、例えば常圧蒸溜残渣、または減圧蒸
溜残渣の有効利用をすることができる種々の方法を開発
することになった。
変化、およびガソリン型のより軽質な製品のための燃料
油精製品の需要の減少のため、石油精製業では、天然重
質油、および残油、例えば常圧蒸溜残渣、または減圧蒸
溜残渣の有効利用をすることができる種々の方法を開発
することになった。
【0003】このような仕込原料を利用する接触クラッ
キング方法に関して、主な難点は、これらの仕込原料が
、有機体、例えばアスファルテン、および縮合多環式芳
香族炭化水素を含んでいることに起因することは明らか
である。これらは、あまり高くない沸点で沸騰するフラ
クションの大きな収率を生じうる、より軽質な分子へク
ラッキングするのが難しく、用いられた触媒上へ沈積す
る多量のコークス形成を引き起こす傾向があり、従って
それらの活性を減少させるものである。さらには、これ
らの重質油中に多量の重質金属、例えばニッケル、バナ
ジウム、鉄等が存在することは有害と考えられる。これ
は、これらの金属が、以下F.C.C.と呼ばれる、現
在の流動床接触クラッキング方法において一般に用いら
れるゼオライト型触媒を被毒させるか、少なくとも失活
させる傾向があるからである。
キング方法に関して、主な難点は、これらの仕込原料が
、有機体、例えばアスファルテン、および縮合多環式芳
香族炭化水素を含んでいることに起因することは明らか
である。これらは、あまり高くない沸点で沸騰するフラ
クションの大きな収率を生じうる、より軽質な分子へク
ラッキングするのが難しく、用いられた触媒上へ沈積す
る多量のコークス形成を引き起こす傾向があり、従って
それらの活性を減少させるものである。さらには、これ
らの重質油中に多量の重質金属、例えばニッケル、バナ
ジウム、鉄等が存在することは有害と考えられる。これ
は、これらの金属が、以下F.C.C.と呼ばれる、現
在の流動床接触クラッキング方法において一般に用いら
れるゼオライト型触媒を被毒させるか、少なくとも失活
させる傾向があるからである。
【0004】しかしながらいくつかの本質的要因によっ
て、できるだけコークスの形成を少なくしながら、良好
な選択率で、重質生成物をより軽質なフラクションに転
換することが可能になる。
て、できるだけコークスの形成を少なくしながら、良好
な選択率で、重質生成物をより軽質なフラクションに転
換することが可能になる。
【0005】これらの要因のうち、最も重要なものの1
つは、(一般に予備加熱され、場合によっては水蒸気が
添加された)炭化水素仕込原料と、接触クラッキング装
置内で用いられる、熱い再生触媒との接触のレベルで、
仕込原料と触媒との間の熱伝達が、できるだけ急速に、
かつできるだけ規則的に実施されるような混合を確実に
行うことである。同様に、反応帯域への仕込原料の導入
レベルでの再生触媒の取替えは、特に逆混合現象を防ぎ
ながら、連続的かつ効率的に実施されることが肝要であ
る。これらの逆混合現象は、接触時間を増加させ、かつ
触媒粒子上に形成されるコークスの重量割合の増加によ
る、軽質留分の形成の大幅な減少を引起こすものである
。
つは、(一般に予備加熱され、場合によっては水蒸気が
添加された)炭化水素仕込原料と、接触クラッキング装
置内で用いられる、熱い再生触媒との接触のレベルで、
仕込原料と触媒との間の熱伝達が、できるだけ急速に、
かつできるだけ規則的に実施されるような混合を確実に
行うことである。同様に、反応帯域への仕込原料の導入
レベルでの再生触媒の取替えは、特に逆混合現象を防ぎ
ながら、連続的かつ効率的に実施されることが肝要であ
る。これらの逆混合現象は、接触時間を増加させ、かつ
触媒粒子上に形成されるコークスの重量割合の増加によ
る、軽質留分の形成の大幅な減少を引起こすものである
。
【0006】同様にF.C.C.装置の良好な運転、よ
り特定すれば重質仕込原料を処理するための運転に有害
なもう1つの重要な現象は、反応帯域の初期部分におい
ても、反応帯域のそれ以降の部分においても、触媒の半
径方向の良好な均質性を得るのが難しいことである。
り特定すれば重質仕込原料を処理するための運転に有害
なもう1つの重要な現象は、反応帯域の初期部分におい
ても、反応帯域のそれ以降の部分においても、触媒の半
径方向の良好な均質性を得るのが難しいことである。
【0007】一般的なクラッキング反応の選択率に関し
ては、流体の流れがピストン型の流れに近付けば近付く
ほど、選択率は一層よいことが知られている。しかし、
通常のF.C.C.装置において得るのは特に難しい。
ては、流体の流れがピストン型の流れに近付けば近付く
ほど、選択率は一層よいことが知られている。しかし、
通常のF.C.C.装置において得るのは特に難しい。
【0008】本発明は、上記の3つの要因を達成するの
に最良の条件を同時に得ることを目指す。すなわち逆混
合が無いこと、半径方向の均質性、およびピストン型の
流れである。この目的は、下降方向の仕込原料と触媒と
の並流が通る反応帯域において達成できた。この触媒は
、その仕込原料との接触前に、十分に定義された流動化
レベルに維持されているからである。
に最良の条件を同時に得ることを目指す。すなわち逆混
合が無いこと、半径方向の均質性、およびピストン型の
流れである。この目的は、下降方向の仕込原料と触媒と
の並流が通る反応帯域において達成できた。この触媒は
、その仕込原料との接触前に、十分に定義された流動化
レベルに維持されているからである。
【0009】先行技術に記載され、かつ反応帯域におい
て下降並流反応器を用いるF.C.C.方法のうち、い
くつかは、通常の仕込原料、例えば減圧ガスオイルを処
理するためのものである。すなわちこのような方法を記
載している特許US−A−2,420,558は、触媒
の唯一の再生帯域しか用いていない。特許US−A−2
,965,454は、仕込原料と触媒の下降並流が通過
する複数の垂直管からなる反応帯域を有する装置を記載
している。特許US−A−3,835,029はまた、
下降並流のF.C.C.法にも関連がある。これは軽質
仕込原料(510 〜550 ℃で完全に気化しうるも
の)にしか適用されない。これらの仕込原料の導入は、
触媒の速度が9〜30m/sである時、反応帯域への触
媒の導入点の下で、蒸気相で行なわれる。
て下降並流反応器を用いるF.C.C.方法のうち、い
くつかは、通常の仕込原料、例えば減圧ガスオイルを処
理するためのものである。すなわちこのような方法を記
載している特許US−A−2,420,558は、触媒
の唯一の再生帯域しか用いていない。特許US−A−2
,965,454は、仕込原料と触媒の下降並流が通過
する複数の垂直管からなる反応帯域を有する装置を記載
している。特許US−A−3,835,029はまた、
下降並流のF.C.C.法にも関連がある。これは軽質
仕込原料(510 〜550 ℃で完全に気化しうるも
の)にしか適用されない。これらの仕込原料の導入は、
触媒の速度が9〜30m/sである時、反応帯域への触
媒の導入点の下で、蒸気相で行なわれる。
【0010】これらの方法は、より重質な炭化水素仕込
原料には不適当である。これは触媒のこれほど高い速度
を選ぶことによって、仕込原料が、触媒との接触前に完
全に気化されることになるからである。ところが気化状
態の重質仕込原料の導入には、必然的に望ましくない熱
クラッキングが伴なう(コークスの形成)。
原料には不適当である。これは触媒のこれほど高い速度
を選ぶことによって、仕込原料が、触媒との接触前に完
全に気化されることになるからである。ところが気化状
態の重質仕込原料の導入には、必然的に望ましくない熱
クラッキングが伴なう(コークスの形成)。
【0011】特許US−A−4,385,985は、最
終沸点が560 ℃以上で、コンラドソン炭素含量が3
%またはそれ以上である重質仕込原料を処理することが
できる、改良下降流接触クラッキング方法について記載
している。しかしながら、見掛け密度が調節されない粒
子流形態の濃密相から触媒を導入することからなるシス
テムでは、注入レベルでの触媒の均質分配は可能でない
。その結果、反応器の全断面上での仕込原料の完全かつ
急速な気化ができない。
終沸点が560 ℃以上で、コンラドソン炭素含量が3
%またはそれ以上である重質仕込原料を処理することが
できる、改良下降流接触クラッキング方法について記載
している。しかしながら、見掛け密度が調節されない粒
子流形態の濃密相から触媒を導入することからなるシス
テムでは、注入レベルでの触媒の均質分配は可能でない
。その結果、反応器の全断面上での仕込原料の完全かつ
急速な気化ができない。
【0012】同様に、特許US−A−4,532,02
6によって先行技術が示されている。
6によって先行技術が示されている。
【0013】しかしながら前記装置のどれによっても、
触媒と、それとの接触で気化される仕込原料との急速な
(好ましくは500 ミリ秒以下)混合、熱交換係数の
増加、および反応器の表面全体における混合物の半径方
向の良好な均質性を同時に確実に行いながら、接触クラ
ッキング反応帯域における重質炭化水素仕込原料の適切
な注入を実施することはできない。
触媒と、それとの接触で気化される仕込原料との急速な
(好ましくは500 ミリ秒以下)混合、熱交換係数の
増加、および反応器の表面全体における混合物の半径方
向の良好な均質性を同時に確実に行いながら、接触クラ
ッキング反応帯域における重質炭化水素仕込原料の適切
な注入を実施することはできない。
【0014】
【課題を解決するための手段】従って本発明は、上記欠
点を解消する、より特定すれば重質炭化水素仕込原料の
転換に使用しうる、新規F.C.C.(Fluid C
atalytic Cracking、すなわち流動床
接触クラッキング)方法に関する。実際これらの仕込原
料は、従来の仕込原料、すなわち例えば400 ℃程度
の最終沸点を有するもの、例えば減圧ガスオイル、ある
いはより重質な炭化水素油、例えば原油および/または
ストリッピングされた油、および常圧蒸溜残渣または減
圧蒸溜残渣であってもよい。これらの仕込原料は、場合
によっては予備処理、例えばコバルト−モリブデン型の
触媒の存在下における水素化処理を受けたものであって
もよい。本発明の好ましい仕込原料は、高い割合のアス
ファルテン物質を含んでいてもよく、かつコンラドソン
炭素含量が4%まで、またはそれ以上であってもよい、
一般的には700 ℃まで、およびそれ以上で沸騰する
フラクションを含むものである。これらの仕込原料は、
通常のより軽質な留分によって希釈されても、されなく
てもよい。これらは、既にクラッキング操作を受けた炭
化水素留分を含んでいてもよい。これらは、例えば軽質
再循環油(”light cycle oils”、L
.C.O.)または重質再循環油(”heavy cy
cle oils”、H.C.O.)として再循環され
る。本発明の好ましい態様によれば、これらの仕込原料
は、処理前に、100 〜250 ℃の温度範囲で予備
加熱される。
点を解消する、より特定すれば重質炭化水素仕込原料の
転換に使用しうる、新規F.C.C.(Fluid C
atalytic Cracking、すなわち流動床
接触クラッキング)方法に関する。実際これらの仕込原
料は、従来の仕込原料、すなわち例えば400 ℃程度
の最終沸点を有するもの、例えば減圧ガスオイル、ある
いはより重質な炭化水素油、例えば原油および/または
ストリッピングされた油、および常圧蒸溜残渣または減
圧蒸溜残渣であってもよい。これらの仕込原料は、場合
によっては予備処理、例えばコバルト−モリブデン型の
触媒の存在下における水素化処理を受けたものであって
もよい。本発明の好ましい仕込原料は、高い割合のアス
ファルテン物質を含んでいてもよく、かつコンラドソン
炭素含量が4%まで、またはそれ以上であってもよい、
一般的には700 ℃まで、およびそれ以上で沸騰する
フラクションを含むものである。これらの仕込原料は、
通常のより軽質な留分によって希釈されても、されなく
てもよい。これらは、既にクラッキング操作を受けた炭
化水素留分を含んでいてもよい。これらは、例えば軽質
再循環油(”light cycle oils”、L
.C.O.)または重質再循環油(”heavy cy
cle oils”、H.C.O.)として再循環され
る。本発明の好ましい態様によれば、これらの仕込原料
は、処理前に、100 〜250 ℃の温度範囲で予備
加熱される。
【0015】一般的には、本発明は、仕込原料と触媒と
が全体的に並流で上から下へ流れる、好ましくは実質的
に垂直な反応帯域における炭化水素仕込原料の流動床で
の接触クラッキング方法であって、この方法は、少なく
とも一部再生された触媒の、反応帯域の上端部への供給
工程、前記反応帯域の上部における触媒供給帯域の下に
位置する導入帯域における仕込原料の導入および微細化
工程、前記反応帯域の上部における前記触媒と前記仕込
原料との接触工程、反応帯域における触媒と仕込原料と
の流通工程であって、この工程中に、適切なクラッキン
グ条件において前記仕込原料のクラッキングを実施し、
かつ触媒の少なくとも一部が、触媒上へのコークスの沈
積によって失活されるものである工程、反応帯域の下端
部にある分離帯域においてクラッキングされた炭化水素
仕込原料と失活触媒との分離およびストリッピング工程
、少なくとも1つの再生帯域における失活触媒の少なく
とも一部の再生工程、および反応帯域の上端部の上流の
再循環帯域における、少なくとも一部再生された触媒の
再循環工程を含む方法において、(a) 再循環工程の
時に、濃密相から、少なくとも一部再生された触媒を採
取すること、(b) 少なくとも1つの流動化ガスの存
在下において、反応帯域の上端部で、触媒の供給工程を
実施し、かつ触媒とガスとのサスペンジョンを得ること
、(c) 仕込原料の導入帯域の上流において、適切な
測定手段によって、前記サスペンジョンの密度を測定す
ること、(d) このようにして生じたガス−固体サス
ペンジョンの密度が、前記仕込原料との接触前に、80
〜500 kg/m3になるような条件下において、仕
込原料の導入帯域の上流において、流動化ガスの流量を
適切な手段によって調節および調整すること、を特徴と
する方法に関する。
が全体的に並流で上から下へ流れる、好ましくは実質的
に垂直な反応帯域における炭化水素仕込原料の流動床で
の接触クラッキング方法であって、この方法は、少なく
とも一部再生された触媒の、反応帯域の上端部への供給
工程、前記反応帯域の上部における触媒供給帯域の下に
位置する導入帯域における仕込原料の導入および微細化
工程、前記反応帯域の上部における前記触媒と前記仕込
原料との接触工程、反応帯域における触媒と仕込原料と
の流通工程であって、この工程中に、適切なクラッキン
グ条件において前記仕込原料のクラッキングを実施し、
かつ触媒の少なくとも一部が、触媒上へのコークスの沈
積によって失活されるものである工程、反応帯域の下端
部にある分離帯域においてクラッキングされた炭化水素
仕込原料と失活触媒との分離およびストリッピング工程
、少なくとも1つの再生帯域における失活触媒の少なく
とも一部の再生工程、および反応帯域の上端部の上流の
再循環帯域における、少なくとも一部再生された触媒の
再循環工程を含む方法において、(a) 再循環工程の
時に、濃密相から、少なくとも一部再生された触媒を採
取すること、(b) 少なくとも1つの流動化ガスの存
在下において、反応帯域の上端部で、触媒の供給工程を
実施し、かつ触媒とガスとのサスペンジョンを得ること
、(c) 仕込原料の導入帯域の上流において、適切な
測定手段によって、前記サスペンジョンの密度を測定す
ること、(d) このようにして生じたガス−固体サス
ペンジョンの密度が、前記仕込原料との接触前に、80
〜500 kg/m3になるような条件下において、仕
込原料の導入帯域の上流において、流動化ガスの流量を
適切な手段によって調節および調整すること、を特徴と
する方法に関する。
【0016】従って前記操作条件は、エレベータ(ライ
ザ)を用いる形態において推奨されたものに非常に類似
する。このことにより、触媒と重質仕込原料との熱交換
係数が増加され、半径方向の平面に沿う触媒の分布はよ
り均質的である。その結果、仕込原料のより急速な気化
が生じ、このため、逆混合現象が最少にされればされる
だけ一層、ガソリンフラクションのより良好な選択率が
生じる。処理された重質仕込原料のタイプにもかかわら
ず、触媒上へのコークスの沈積はより少ないことが同時
に認められる。
ザ)を用いる形態において推奨されたものに非常に類似
する。このことにより、触媒と重質仕込原料との熱交換
係数が増加され、半径方向の平面に沿う触媒の分布はよ
り均質的である。その結果、仕込原料のより急速な気化
が生じ、このため、逆混合現象が最少にされればされる
だけ一層、ガソリンフラクションのより良好な選択率が
生じる。処理された重質仕込原料のタイプにもかかわら
ず、触媒上へのコークスの沈積はより少ないことが同時
に認められる。
【0017】流動化条件は、仕込原料との接触前の触媒
の速度が、約2m/s〜約8m/sであるようなもので
あってもよい。
の速度が、約2m/s〜約8m/sであるようなもので
あってもよい。
【0018】特に有利な特徴によれば、触媒は、仕込原
料との接触前、固体−ガスサスペンジョン中の見掛け密
度が200 〜300 kg/m3、速度が3〜5m/
sであってもよい。
料との接触前、固体−ガスサスペンジョン中の見掛け密
度が200 〜300 kg/m3、速度が3〜5m/
sであってもよい。
【0019】特に触媒と、従ってより急速に気化される
重質仕込原料との熱交換係数の点で、最良の結果が認め
られたのは、これらの条件下である。
重質仕込原料との熱交換係数の点で、最良の結果が認め
られたのは、これらの条件下である。
【0020】さらに、2つの再生帯域において、クラッ
キング反応の際に沈積したコークスによって失活した触
媒を再生するのが好ましい。この触媒はまず、第一再生
帯域に送られる。ここで触媒は一部再生され、ついで第
二再生帯域において、一般に650 〜900 ℃、好
ましくは750 〜800℃のより高い温度で再生され
る。このようにして再生された触媒は、例えば800
℃の温度でクラッキング反応帯域へ再循環される。
キング反応の際に沈積したコークスによって失活した触
媒を再生するのが好ましい。この触媒はまず、第一再生
帯域に送られる。ここで触媒は一部再生され、ついで第
二再生帯域において、一般に650 〜900 ℃、好
ましくは750 〜800℃のより高い温度で再生され
る。このようにして再生された触媒は、例えば800
℃の温度でクラッキング反応帯域へ再循環される。
【0021】この方法の第一実施態様によれば、再循環
帯域は、全体に上昇的であり、触媒の上昇速度は、適切
な流動化手段によって、一般に5〜20m/sである。
帯域は、全体に上昇的であり、触媒の上昇速度は、適切
な流動化手段によって、一般に5〜20m/sである。
【0022】本発明のもう1つの有利な特徴によれば、
触媒の再循環帯域は、上昇帯域の下流に、濃密流動床貯
蔵帯域を備えていてもよい。この帯域では再生触媒が流
されている。これを濃密床において採取し、次にこれを
貯蔵帯域から、反応帯域の上部まで、サスペンジョンの
見掛け密度が微細化仕込原料と接触する前に、80〜5
00 kg/m3であるような条件下に流通させる。触
媒の流動化は、クラッキング反応帯域の上流の貯蔵帯域
の排出管に配置された、少なくとも1つの流動化手段に
よって確実に行なわれる。これらの流動化条件において
、触媒の速度は、2〜8m/sの値に達してもよい。
触媒の再循環帯域は、上昇帯域の下流に、濃密流動床貯
蔵帯域を備えていてもよい。この帯域では再生触媒が流
されている。これを濃密床において採取し、次にこれを
貯蔵帯域から、反応帯域の上部まで、サスペンジョンの
見掛け密度が微細化仕込原料と接触する前に、80〜5
00 kg/m3であるような条件下に流通させる。触
媒の流動化は、クラッキング反応帯域の上流の貯蔵帯域
の排出管に配置された、少なくとも1つの流動化手段に
よって確実に行なわれる。これらの流動化条件において
、触媒の速度は、2〜8m/sの値に達してもよい。
【0023】この方法の第二の実施態様によれば、再循
環帯域は下降的であってもよく、触媒は、有利には第二
再生器の濃密流動床から採取され、好ましくはクラッキ
ング反応帯域に通じる排出管に配置された流動化手段に
よって、前記の見掛け密度および速度条件によって、反
応帯域の方へ流れる。
環帯域は下降的であってもよく、触媒は、有利には第二
再生器の濃密流動床から採取され、好ましくはクラッキ
ング反応帯域に通じる排出管に配置された流動化手段に
よって、前記の見掛け密度および速度条件によって、反
応帯域の方へ流れる。
【0024】触媒とクラッキング流出物との分離は、例
えば下記の2つの方法で実施されうる:−第一変形例に
よれば、失活触媒とクラッキングされた仕込原料とを、
分離帯域において重力によって分離することができ、つ
いで流出物によってエントレインされた触媒の少なくと
も一部のサイクロン工程を実施し、クラッキング流出物
を回収する。
えば下記の2つの方法で実施されうる:−第一変形例に
よれば、失活触媒とクラッキングされた仕込原料とを、
分離帯域において重力によって分離することができ、つ
いで流出物によってエントレインされた触媒の少なくと
も一部のサイクロン工程を実施し、クラッキング流出物
を回収する。
【0025】−第二変形例によれば、分離帯域において
、失活触媒とクラッキングされた仕込原料とを、反応帯
域の出口において、触媒全部と流出物のサイクロン工程
を実施することによって分離することができ、クラッキ
ング流出物を回収する。
、失活触媒とクラッキングされた仕込原料とを、反応帯
域の出口において、触媒全部と流出物のサイクロン工程
を実施することによって分離することができ、クラッキ
ング流出物を回収する。
【0026】本発明はまた、特に本方法の実施のための
装置にも関する。
装置にも関する。
【0027】より特定すれば、この装置は、前記仕込原
料を接触的に、上から下へ並流でクラッキングするのに
適している、上端部と下端部を備えた、細長い好ましく
は実質的に垂直な管状反応器(すなわちドロッパ)であ
って、前記上端部が仕込原料の導入および微細化手段を
備えるもの、仕込原料の導入および微細化手段の上流に
配置された触媒の導入手段、クラッキングされた仕込原
料と失活接触粒子との一次分離手段を有する、反応器の
下端部に連結された少なくとも1つの分離容器、分離容
器の下部に配置された、クラッキングされた仕込原料に
よってエントレインされた触媒の大部分の蒸気ストリッ
ピングによる二次分離手段、およびクラッキングされた
仕込原料または反応流出物の少なくとも1つの回収手段
を備えており、前記装置はさらに、分離容器の下部に連
結された入口を備える失活触媒の少なくとも1つの再生
器、および再生器の下出口と反応器の上端部との間に位
置する、少なくとも一部再生された触媒の再循環手段を
備える装置において、再循環手段(26b)(21)
が、仕込原料の導入手段(5) および微細化手段の上
流において、触媒を適切な見掛け密度にするのに適した
ガスによる、触媒の少なくとも1つの流動化手段(30
)と、前記流動化手段と共同作用するのに適した、制御
および調節手段(28)とを組合わせて設けられている
ことを特徴とする。
料を接触的に、上から下へ並流でクラッキングするのに
適している、上端部と下端部を備えた、細長い好ましく
は実質的に垂直な管状反応器(すなわちドロッパ)であ
って、前記上端部が仕込原料の導入および微細化手段を
備えるもの、仕込原料の導入および微細化手段の上流に
配置された触媒の導入手段、クラッキングされた仕込原
料と失活接触粒子との一次分離手段を有する、反応器の
下端部に連結された少なくとも1つの分離容器、分離容
器の下部に配置された、クラッキングされた仕込原料に
よってエントレインされた触媒の大部分の蒸気ストリッ
ピングによる二次分離手段、およびクラッキングされた
仕込原料または反応流出物の少なくとも1つの回収手段
を備えており、前記装置はさらに、分離容器の下部に連
結された入口を備える失活触媒の少なくとも1つの再生
器、および再生器の下出口と反応器の上端部との間に位
置する、少なくとも一部再生された触媒の再循環手段を
備える装置において、再循環手段(26b)(21)
が、仕込原料の導入手段(5) および微細化手段の上
流において、触媒を適切な見掛け密度にするのに適した
ガスによる、触媒の少なくとも1つの流動化手段(30
)と、前記流動化手段と共同作用するのに適した、制御
および調節手段(28)とを組合わせて設けられている
ことを特徴とする。
【0028】反応器の長さは、仕込原料の導入点から計
って、その直径の6〜20倍、好ましくは10〜15倍
であってもよい。この長さは、装置の高さ(eleva
tion) を変えずに、所望の転換の度合いによって
必要とされる滞留時間を決定するように定義されてもよ
い。
って、その直径の6〜20倍、好ましくは10〜15倍
であってもよい。この長さは、装置の高さ(eleva
tion) を変えずに、所望の転換の度合いによって
必要とされる滞留時間を決定するように定義されてもよ
い。
【0029】もう1つの特徴によれば、仕込原料の導入
手段は、反応器の直径の1〜5倍、有利には2〜3倍に
相当する、流動化手段からの距離に配置される。
手段は、反応器の直径の1〜5倍、有利には2〜3倍に
相当する、流動化手段からの距離に配置される。
【0030】装置の変形例によれば、再循環手段は、実
質的に垂直な細長い塔であって、この下端部が第二再生
器の下部と、連結管によって連結され、この上端部が反
応器の上端部と連結され、前記塔の下端部が、調節およ
び制御手段と共同作用を行なう、ガスによる少なくとも
1つの流動化装置を備える塔を備えていてもよい。
質的に垂直な細長い塔であって、この下端部が第二再生
器の下部と、連結管によって連結され、この上端部が反
応器の上端部と連結され、前記塔の下端部が、調節およ
び制御手段と共同作用を行なう、ガスによる少なくとも
1つの流動化装置を備える塔を備えていてもよい。
【0031】より有利な変形例によれば、再循環手段は
、実質的に垂直な細長い塔であって、この下端部が第二
再生器の下部と、連結管によって連結され、この上端部
が、貯蔵容器に連結され、前記貯蔵容器は、貯蔵容器の
下部に配置された二次流動化手段によって濃密流動床と
して作動するのに適したものであり、前記塔の下端部が
、ガスによる少なくとも1つの第一流動化手段を備え、
前記貯蔵容器が、その下部に、反応器の上端部に連結さ
れた排出管を備え、これは前記制御および調節手段と共
同作用を行なう、ガスによる少なくとも1つの流動化手
段を備えるものである塔を備える。
、実質的に垂直な細長い塔であって、この下端部が第二
再生器の下部と、連結管によって連結され、この上端部
が、貯蔵容器に連結され、前記貯蔵容器は、貯蔵容器の
下部に配置された二次流動化手段によって濃密流動床と
して作動するのに適したものであり、前記塔の下端部が
、ガスによる少なくとも1つの第一流動化手段を備え、
前記貯蔵容器が、その下部に、反応器の上端部に連結さ
れた排出管を備え、これは前記制御および調節手段と共
同作用を行なう、ガスによる少なくとも1つの流動化手
段を備えるものである塔を備える。
【0032】これらの導入手段は、当業者に知られたイ
ンジェクタであって、注入区域に対称的に配置され、通
常、垂直線に対して有利には20〜50°の角度で、反
応器の軸の方へ向けられている。これらは、一般に直径
50〜100 マイクロメータの液体小滴を与えるのに
適している。これらは通常、仕込原料に対して2〜10
重量%、好ましくは4〜6重量%の割合で導入される中
圧噴霧蒸気によって、例えば50〜100 m/sの速
度で動かされる。
ンジェクタであって、注入区域に対称的に配置され、通
常、垂直線に対して有利には20〜50°の角度で、反
応器の軸の方へ向けられている。これらは、一般に直径
50〜100 マイクロメータの液体小滴を与えるのに
適している。これらは通常、仕込原料に対して2〜10
重量%、好ましくは4〜6重量%の割合で導入される中
圧噴霧蒸気によって、例えば50〜100 m/sの速
度で動かされる。
【0033】本発明の主な特徴によれば、流動化手段の
調節および制御手段は、フランス特許出願第89/15
600号に記載されており、これらは下記のものを備え
る。
調節および制御手段は、フランス特許出願第89/15
600号に記載されており、これらは下記のものを備え
る。
【0034】(a) 少なくとも1つのイオン化放射線
源、および前記放射線の少なくとも1つの検知器であっ
て、前記源と前記検知器は、仕込原料の移動方向に実質
的に垂直な少なくとも1つの一定方向に沿って、または
少なくとも1つの一定帯域において、前記源と前記レセ
プタとの間で、移動中の固体の平均密度の測定が可能に
なるように、固体の導入レベルの(固体の移動方向に見
て)下流に位置するレベルに配置されているもの;(b
) 流動化流体の流量弁の調節に適した手段;(c)
下記のような例えばプログラミング可能な計算手段であ
って、少なくとも1つの一定方向に沿って、または少な
くとも1つの一定帯域において、ある一定の瞬間に密度
の値を得て、予め決定された安定化条件下において、種
々のパラメータの基準値、例えば前記プログラミング可
能な計算の手段において記憶される値との比較によって
、連続的または周期的に、手段(b) によって流動化
流体の流量を調節しながら、炭化水素仕込原料のクラッ
キングを実施することができる手段。
源、および前記放射線の少なくとも1つの検知器であっ
て、前記源と前記検知器は、仕込原料の移動方向に実質
的に垂直な少なくとも1つの一定方向に沿って、または
少なくとも1つの一定帯域において、前記源と前記レセ
プタとの間で、移動中の固体の平均密度の測定が可能に
なるように、固体の導入レベルの(固体の移動方向に見
て)下流に位置するレベルに配置されているもの;(b
) 流動化流体の流量弁の調節に適した手段;(c)
下記のような例えばプログラミング可能な計算手段であ
って、少なくとも1つの一定方向に沿って、または少な
くとも1つの一定帯域において、ある一定の瞬間に密度
の値を得て、予め決定された安定化条件下において、種
々のパラメータの基準値、例えば前記プログラミング可
能な計算の手段において記憶される値との比較によって
、連続的または周期的に、手段(b) によって流動化
流体の流量を調節しながら、炭化水素仕込原料のクラッ
キングを実施することができる手段。
【0035】反応帯域の両側の同じ平面内において、選
ばれたレベル、好ましくは仕込原料のインジェクタの上
流の間近に配置された、イオン化放射線源および前記放
射線の検知器の使用によって、この放射線の吸収の変化
(この測定位置における固体の密度の変化と直接関連し
た変化)の測定により、この密度を調節することができ
、例えば予め選ばれた2つの極値間に維持することがで
きる。同じ平面内の一連の方向に沿って、一連の測定を
実施することができ、従って測定平面での固体の密度分
布のマップ作りが可能になる。このようなマップ作りは
、源と検知器の単一の同じ可動装置セットによって、ま
たはいくつかの源といくつかの検知器によって実施でき
る。
ばれたレベル、好ましくは仕込原料のインジェクタの上
流の間近に配置された、イオン化放射線源および前記放
射線の検知器の使用によって、この放射線の吸収の変化
(この測定位置における固体の密度の変化と直接関連し
た変化)の測定により、この密度を調節することができ
、例えば予め選ばれた2つの極値間に維持することがで
きる。同じ平面内の一連の方向に沿って、一連の測定を
実施することができ、従って測定平面での固体の密度分
布のマップ作りが可能になる。このようなマップ作りは
、源と検知器の単一の同じ可動装置セットによって、ま
たはいくつかの源といくつかの検知器によって実施でき
る。
【0036】イオン化放射線源は、反応帯域の外側、ま
たは下降反応帯域の内側、例えばその周辺部の近くに配
置されてもよい。放射線検知器についても同じである。 好ましくは、源および検知器は、反応帯域の外側に配置
されている。
たは下降反応帯域の内側、例えばその周辺部の近くに配
置されてもよい。放射線検知器についても同じである。 好ましくは、源および検知器は、反応帯域の外側に配置
されている。
【0037】用いられる装置の特徴に従って評価された
、十分な放射能力を有する、イオン化放射線放射機なら
、どれでも用いることができる。用いられる放射線源は
、通常、アルファ、ベータ、ガンマ、X線源またはニュ
ートロン源である。最も多くの場合、ガンマ放射線源、
例えばセシウム137 の従来の密封源、またはコバル
ト60源を用いる。用いられる源の能力は、最も多くの
場合、約1〜100 キュリーである。放射線検知器は
、通常、イオン化放射線を感知する従来の検知器、例え
ば光電子倍増管または電離箱である。
、十分な放射能力を有する、イオン化放射線放射機なら
、どれでも用いることができる。用いられる放射線源は
、通常、アルファ、ベータ、ガンマ、X線源またはニュ
ートロン源である。最も多くの場合、ガンマ放射線源、
例えばセシウム137 の従来の密封源、またはコバル
ト60源を用いる。用いられる源の能力は、最も多くの
場合、約1〜100 キュリーである。放射線検知器は
、通常、イオン化放射線を感知する従来の検知器、例え
ば光電子倍増管または電離箱である。
【0038】1つまたは複数のイオン化放射線源、およ
び1つまたは複数の対応検知器の1つまたは複数の正確
な位置は、例えば触媒粒子を含む固体の導入帯域と、炭
化水素仕込原料の導入帯域との間の正確な位置は、特に
反応帯域のサイズ、および用いられる条件下でエントレ
インされる流動床について選ばれた平均密度に従って、
当業者によって容易に決定されうる。
び1つまたは複数の対応検知器の1つまたは複数の正確
な位置は、例えば触媒粒子を含む固体の導入帯域と、炭
化水素仕込原料の導入帯域との間の正確な位置は、特に
反応帯域のサイズ、および用いられる条件下でエントレ
インされる流動床について選ばれた平均密度に従って、
当業者によって容易に決定されうる。
【0039】見掛け密度のもう1つ別の決定方法によれ
ば、例えば反応器の直径の1倍だけ離れた、かつクラッ
キング円筒反応器の母線に沿って、流動化手段と仕込原
料のインジェクタとの間に配置された、1対の圧力測定
センサ(P1)(P2)を用いることができる。記録さ
れた圧力差は、静的圧力損失の方程式によって、下記関
係式によるサスペンジョンの密度と関連させられる:△
P=P2−P1=Mvgh Mv:密度(kg/m3) g:重力加速度(m/s2) h:2つの圧力測定点間の距離(m) △P:圧力損失(Pa) 。
ば、例えば反応器の直径の1倍だけ離れた、かつクラッ
キング円筒反応器の母線に沿って、流動化手段と仕込原
料のインジェクタとの間に配置された、1対の圧力測定
センサ(P1)(P2)を用いることができる。記録さ
れた圧力差は、静的圧力損失の方程式によって、下記関
係式によるサスペンジョンの密度と関連させられる:△
P=P2−P1=Mvgh Mv:密度(kg/m3) g:重力加速度(m/s2) h:2つの圧力測定点間の距離(m) △P:圧力損失(Pa) 。
【0040】圧力損失は、マイクロコンピュータによっ
て、対照圧力損失と比較され、マイクロコンピュータは
、この比較後に、流動化手段の少なくとも一部開口と閉
鎖を可能にする信号を送る。
て、対照圧力損失と比較され、マイクロコンピュータは
、この比較後に、流動化手段の少なくとも一部開口と閉
鎖を可能にする信号を送る。
【0041】本発明の枠内において、用いられる触媒の
型も、当業者によく知られた従来のデータである種々の
流動化流体も挙げられていない。
型も、当業者によく知られた従来のデータである種々の
流動化流体も挙げられていない。
【0042】好ましくはゼオライト触媒、および上昇塔
でも、反応帯域の前の下降塔でも、流動化流体として、
水蒸気、少なくとも1つの不活性ガス、またはガス炭化
水素を用いる。
でも、反応帯域の前の下降塔でも、流動化流体として、
水蒸気、少なくとも1つの不活性ガス、またはガス炭化
水素を用いる。
【0043】
【実施例】実施方法および装置を図式的かつ非限定的に
示す図1および図2により、本発明はよりよく理解され
る。
示す図1および図2により、本発明はよりよく理解され
る。
【0044】−図1は、2つの再生帯域、および、第二
再生器の濃密床から来る上昇塔と連結された濃密床貯蔵
容器から、触媒が供給される下降クラッキング反応器(
ドロッパ)を備えた、流動床接触クラッキング装置を示
す。
再生器の濃密床から来る上昇塔と連結された濃密床貯蔵
容器から、触媒が供給される下降クラッキング反応器(
ドロッパ)を備えた、流動床接触クラッキング装置を示
す。
【0045】−図2は、触媒が反応器に、第二再生器の
濃密床によって下降的に直接供給される、流動床接触ク
ラッキング装置を示す。
濃密床によって下降的に直接供給される、流動床接触ク
ラッキング装置を示す。
【0046】図1によれば、この装置は、細長い(好ま
しくは直径の8〜10倍、実質的には垂直な)管状反応
器(1) を備える。この反応器には、上部(3) に
、導管(26b) からもたらされる、少なくとも一部
再生されたゼオライト触媒が供給される。この触媒は、
約700 ℃の高い最終沸点を有する重質炭化水素仕込
原料と接触させられる。この仕込原料は触媒の流動化手
段から、反応器の直径の3倍に相当する距離に、反応器
の周りに対称的に分配されたインジェクタ(5) によ
って導入される。これらのインジェクタは、中圧(25
バール)水蒸気によって、仕込原料を細かい小滴形態に
微細化し、該小滴束を、実質的に反応器の軸の方へ、か
つ下方向へ、10〜100 m/sの速度で進める。従
って触媒と微細化仕込原料は、並流で、反応器の下端部
(4) の方へ、約10m/sの速度で流れる。その際
、仕込原料は適切な条件下、約1秒の非常に短い時間で
クラッキングされる。
しくは直径の8〜10倍、実質的には垂直な)管状反応
器(1) を備える。この反応器には、上部(3) に
、導管(26b) からもたらされる、少なくとも一部
再生されたゼオライト触媒が供給される。この触媒は、
約700 ℃の高い最終沸点を有する重質炭化水素仕込
原料と接触させられる。この仕込原料は触媒の流動化手
段から、反応器の直径の3倍に相当する距離に、反応器
の周りに対称的に分配されたインジェクタ(5) によ
って導入される。これらのインジェクタは、中圧(25
バール)水蒸気によって、仕込原料を細かい小滴形態に
微細化し、該小滴束を、実質的に反応器の軸の方へ、か
つ下方向へ、10〜100 m/sの速度で進める。従
って触媒と微細化仕込原料は、並流で、反応器の下端部
(4) の方へ、約10m/sの速度で流れる。その際
、仕込原料は適切な条件下、約1秒の非常に短い時間で
クラッキングされる。
【0047】反応器の下端部は、分離容器(6) に通
じている。ここでは触媒の大部分と、仕込原料のクラッ
キング流出物が、重力によって分離される。失活触媒は
、適切な手段(40)によって保たれた濃密流動床の形
態で、容器の下部(7) に累積される。ここでは水蒸
気の存在下、向流で、触媒上に留まっている炭化水素の
ストリッピングによる分離が実施される。濃密床のレベ
ルと、反応器の下端部との距離は、一般に反応器の直径
の3〜10倍、好ましくは5〜7倍である。分離容器(
6) の濃密流動床に浸された脚部(9) を備えるサ
イクロン(8) は、エントレインされた触媒と流出物
との分離を完了し、この流出物は、管路(10)によっ
て容器(6) の上部出口で回収される。
じている。ここでは触媒の大部分と、仕込原料のクラッ
キング流出物が、重力によって分離される。失活触媒は
、適切な手段(40)によって保たれた濃密流動床の形
態で、容器の下部(7) に累積される。ここでは水蒸
気の存在下、向流で、触媒上に留まっている炭化水素の
ストリッピングによる分離が実施される。濃密床のレベ
ルと、反応器の下端部との距離は、一般に反応器の直径
の3〜10倍、好ましくは5〜7倍である。分離容器(
6) の濃密流動床に浸された脚部(9) を備えるサ
イクロン(8) は、エントレインされた触媒と流出物
との分離を完了し、この流出物は、管路(10)によっ
て容器(6) の上部出口で回収される。
【0048】分離器の下端部(7) から、クラッキン
グ反応の際に沈積したコークスによって失活した触媒は
、導管(11)および移送ガスによって、第一再生器(
12)へ送られる。ここで濃密流動床として、適切な燃
焼条件で、導管(13)によってもたらされた酸素を含
むガスの存在下、触媒上に沈積したコークスの燃焼の一
部が実施される。 これは、約500 〜750 ℃の温度で実施され、触
媒上に沈積したコークス中に含まれる水素の少なくとも
50%の燃焼を得るため、かつ炭素の一部(存在する炭
素10〜60%)を燃焼するために選ばれる、低濃度の
酸素で実施される。
グ反応の際に沈積したコークスによって失活した触媒は
、導管(11)および移送ガスによって、第一再生器(
12)へ送られる。ここで濃密流動床として、適切な燃
焼条件で、導管(13)によってもたらされた酸素を含
むガスの存在下、触媒上に沈積したコークスの燃焼の一
部が実施される。 これは、約500 〜750 ℃の温度で実施され、触
媒上に沈積したコークス中に含まれる水素の少なくとも
50%の燃焼を得るため、かつ炭素の一部(存在する炭
素10〜60%)を燃焼するために選ばれる、低濃度の
酸素で実施される。
【0049】サイクロン分離装置(14)は、触媒のエ
ントレインメントと、COに富む燃焼ガスとを分離する
ために、第一再生器の上部に配置される。燃焼ガスは、
導管(15)から抜き出される。
ントレインメントと、COに富む燃焼ガスとを分離する
ために、第一再生器の上部に配置される。燃焼ガスは、
導管(15)から抜き出される。
【0050】ほとんど水素を含まないコークスを有する
、一部再生された触媒は、第一再生器の濃密流動床から
、上昇塔(16)を経て抜出され、第二再生器(17)
の下部(17a) に導かれる。ここで適切な第二再生
条件下、濃密流動床で、触媒の第二再生が実施される。
、一部再生された触媒は、第一再生器の濃密流動床から
、上昇塔(16)を経て抜出され、第二再生器(17)
の下部(17a) に導かれる。ここで適切な第二再生
条件下、濃密流動床で、触媒の第二再生が実施される。
【0051】この再生は、一般に650 ℃以上、90
0 ℃以下の温度で、実質的に水蒸気の不存在下に行な
われる。 流動化リング(17b) によって導入された酸素の量
は、コークスの燃焼による高温での再生操作を維持する
のに十分なものである。これは、COからCO2へのほ
ぼ完全な燃焼と組合わされている。従って本発明によっ
て推奨される重質仕込原料では、0.05%のコークス
という低い重量含量が、再生触媒上で測定された。一般
に第二再生器の外部に位置するサイクロン分離器(18
)で、達した温度レベルによって、再生触媒と燃焼流出
物とを分離することができる。これらは、導管(19)
によって回収される。
0 ℃以下の温度で、実質的に水蒸気の不存在下に行な
われる。 流動化リング(17b) によって導入された酸素の量
は、コークスの燃焼による高温での再生操作を維持する
のに十分なものである。これは、COからCO2へのほ
ぼ完全な燃焼と組合わされている。従って本発明によっ
て推奨される重質仕込原料では、0.05%のコークス
という低い重量含量が、再生触媒上で測定された。一般
に第二再生器の外部に位置するサイクロン分離器(18
)で、達した温度レベルによって、再生触媒と燃焼流出
物とを分離することができる。これらは、導管(19)
によって回収される。
【0052】図1に例示された装置の第一実施態様によ
れば、触媒の排出管(26a) 、すなわち温度約80
0 ℃で第二再生器の濃密流動床から来る連結管によっ
て、触媒は、細長い形状の垂直上昇塔(20)の底部へ
導かれる。
れば、触媒の排出管(26a) 、すなわち温度約80
0 ℃で第二再生器の濃密流動床から来る連結管によっ
て、触媒は、細長い形状の垂直上昇塔(20)の底部へ
導かれる。
【0053】排出管は、一般に触媒を換気するクラウン
(couronne)である第一流動化装置(21)と
、一般に速度5〜20m/s好ましくは3〜10m/s
に相当するエネルギーを、塔内を流れる触媒に与える、
前記クラウンの上にある第二装置(22)との間に到達
している。塔内の見掛け密度は、約50 kg /m3
である。第一流動化装置は、上昇塔の底部に位置してお
り、一方第二装置は、例えば上昇塔内の排出管の到着地
点(cote)に対して、前記塔の直径の1〜5倍の距
離に位置している。2つとも少なくとも1つのガス、例
えば水蒸気、不活性ガス、またはガス炭化水素が供給さ
れる。
(couronne)である第一流動化装置(21)と
、一般に速度5〜20m/s好ましくは3〜10m/s
に相当するエネルギーを、塔内を流れる触媒に与える、
前記クラウンの上にある第二装置(22)との間に到達
している。塔内の見掛け密度は、約50 kg /m3
である。第一流動化装置は、上昇塔の底部に位置してお
り、一方第二装置は、例えば上昇塔内の排出管の到着地
点(cote)に対して、前記塔の直径の1〜5倍の距
離に位置している。2つとも少なくとも1つのガス、例
えば水蒸気、不活性ガス、またはガス炭化水素が供給さ
れる。
【0054】第二流動化装置は、通常、実質的に対称的
な少なくとも2つのガスの到着管路からなる。これらの
管路は、触媒とガスとの並流を利用するように、上の方
へ向けられている。これら2つの管路は、垂直線に対し
て例えば50°の角度を定める。
な少なくとも2つのガスの到着管路からなる。これらの
管路は、触媒とガスとの並流を利用するように、上の方
へ向けられている。これら2つの管路は、垂直線に対し
て例えば50°の角度を定める。
【0055】上昇塔の長さは、一般に直径の3〜90倍
、有利には直径の10〜25倍である。その上部におい
て、塔は貯蔵容器(23)に通じている。この貯蔵容器
は、例えば前記のようなガスによる流動化クラウン(2
5)によって移動せられる濃密流動床(24)からなる
。
、有利には直径の10〜25倍である。その上部におい
て、塔は貯蔵容器(23)に通じている。この貯蔵容器
は、例えば前記のようなガスによる流動化クラウン(2
5)によって移動せられる濃密流動床(24)からなる
。
【0056】濃密流動床から排出管(26b) が出て
おり、これは貯蔵容器(23)と、クラッキング反応器
(1) の上部(3) とを連結している。流体流量弁
(29)に連結された前記の少なくとも1つの流動化ガ
ス(27)によって供給される流動化手段(30)は、
200 〜300 kg/m3のガス−固体サスペンジ
ョン中の濃度すなわち見掛け密度で、かつ約3m/sの
速度で、インジェクタによって微細化された仕込原料と
の接触前に、触媒を流通させる。これらは有利には、反
応器の上端部(垂直部の初め)から、反応器の直径の約
6倍に相当する距離に位置する箇所に配置されている。
おり、これは貯蔵容器(23)と、クラッキング反応器
(1) の上部(3) とを連結している。流体流量弁
(29)に連結された前記の少なくとも1つの流動化ガ
ス(27)によって供給される流動化手段(30)は、
200 〜300 kg/m3のガス−固体サスペンジ
ョン中の濃度すなわち見掛け密度で、かつ約3m/sの
速度で、インジェクタによって微細化された仕込原料と
の接触前に、触媒を流通させる。これらは有利には、反
応器の上端部(垂直部の初め)から、反応器の直径の約
6倍に相当する距離に位置する箇所に配置されている。
【0057】密度の測定は、クラッキング反応器(1)
の軸と実質的に垂直な方向に沿って実施される。イオ
ン化放射線源(S) は、反応器の外部の、仕込原料の
インジェクタ(5) の上流に配置されており、移動す
る固体の入った反応器を通過した放射線は、検知器(D
) によって回収される。信号は、プログラミング可能
な処理装置(28)に送られる。この装置は、予め公表
された指令点を基準にして、流動化流体の流量弁(29
)を制御および調節する。
の軸と実質的に垂直な方向に沿って実施される。イオ
ン化放射線源(S) は、反応器の外部の、仕込原料の
インジェクタ(5) の上流に配置されており、移動す
る固体の入った反応器を通過した放射線は、検知器(D
) によって回収される。信号は、プログラミング可能
な処理装置(28)に送られる。この装置は、予め公表
された指令点を基準にして、流動化流体の流量弁(29
)を制御および調節する。
【0058】図2に例示されたもう1つの実施態様によ
れば、再生触媒の採取は、貯蔵容器(24)によるので
はなく、第二再生器(17)の濃密流動床内で、導管(
26b) によって直接実施される。この管は触媒を、
反応器(1) の上端部(3) へ直接下降させる。
れば、再生触媒の採取は、貯蔵容器(24)によるので
はなく、第二再生器(17)の濃密流動床内で、導管(
26b) によって直接実施される。この管は触媒を、
反応器(1) の上端部(3) へ直接下降させる。
【0059】触媒は、本発明による密度条件において、
流動化手段(30)によって、あるいは注入スプレー、
あるいは導管に沿った穿孔(piquages)によっ
て流動化される。この手段は、導管(27)によっても
たらされる流動化流体の流れの開口または閉鎖弁(29
)に連結されている。 この弁は、前記のように、図1の場合のように作動する
マイクロコンピュータ(28)に連結されている。この
マイクロコンピュータは、検知器(D) によって送ら
れた信号を受ける。この検知器は、源(S) によって
放射されたイオン化放射線を受ける。図1の場合のよう
に、源(S) と検知器(D) は、反応器(1) の
外側の実質的に両側で、仕込原料のインジェクタの上流
に、好ましくは1本のコードに沿って配置されている。 このコードに沿って、移動している触媒の密度の測定値
は、断面全体上で計算された、この密度の平均値にほぼ
等しい。
流動化手段(30)によって、あるいは注入スプレー、
あるいは導管に沿った穿孔(piquages)によっ
て流動化される。この手段は、導管(27)によっても
たらされる流動化流体の流れの開口または閉鎖弁(29
)に連結されている。 この弁は、前記のように、図1の場合のように作動する
マイクロコンピュータ(28)に連結されている。この
マイクロコンピュータは、検知器(D) によって送ら
れた信号を受ける。この検知器は、源(S) によって
放射されたイオン化放射線を受ける。図1の場合のよう
に、源(S) と検知器(D) は、反応器(1) の
外側の実質的に両側で、仕込原料のインジェクタの上流
に、好ましくは1本のコードに沿って配置されている。 このコードに沿って、移動している触媒の密度の測定値
は、断面全体上で計算された、この密度の平均値にほぼ
等しい。
【0060】本発明の枠内において、接触クラッキング
業者に知られた従来のデータである装置の作動パラメー
タ全部については記載されていない。例えば温度測定器
(32)によって、クラッキング反応器の出口で測定さ
れたクラッキング流出物の温度は、第二再生器の濃密流
動床から流れている再生触媒流量と直接関連している。 これは弁(21)によって確かに行なわれ、この弁自体
は、温度測定器(32)に連結された流量調節手段(3
3)によって自動制御化されている。
業者に知られた従来のデータである装置の作動パラメー
タ全部については記載されていない。例えば温度測定器
(32)によって、クラッキング反応器の出口で測定さ
れたクラッキング流出物の温度は、第二再生器の濃密流
動床から流れている再生触媒流量と直接関連している。 これは弁(21)によって確かに行なわれ、この弁自体
は、温度測定器(32)に連結された流量調節手段(3
3)によって自動制御化されている。
【0061】さらに、触媒と流出物との重力による分離
工程を、流出物から分離されなかった触媒の一部だけの
、サイクロンによる二次分離工程によって完了するもの
が記載された。もちろん、すべての失活触媒を、サイズ
が大きい少なくとも1つのサイクロンに送って、分離工
程を実施することもできる。このサイクロンの入口は、
反応器の下端部に連結され、この排出用脚部は、ストリ
ッピングによる分離手段の濃密層中に浸されている。前
記サイクロンは、回収される流出物のためにもう1つの
排出口を備える。
工程を、流出物から分離されなかった触媒の一部だけの
、サイクロンによる二次分離工程によって完了するもの
が記載された。もちろん、すべての失活触媒を、サイズ
が大きい少なくとも1つのサイクロンに送って、分離工
程を実施することもできる。このサイクロンの入口は、
反応器の下端部に連結され、この排出用脚部は、ストリ
ッピングによる分離手段の濃密層中に浸されている。前
記サイクロンは、回収される流出物のためにもう1つの
排出口を備える。
【0062】さらに、下記実施例により、本発明による
方法を例証する。これは下記条件下に実施された:仕込
原料:アラビアンヘビイ常圧残渣(370 ℃+)d=
0.990 触媒T℃:800 ℃ 仕込原料T℃:200 ℃ 触媒の仕込原料に対する比:6 流動化流体:ガス炭化水素(C1〜nC4)仕込原料の
小滴の直径:80マイクロメータ。
方法を例証する。これは下記条件下に実施された:仕込
原料:アラビアンヘビイ常圧残渣(370 ℃+)d=
0.990 触媒T℃:800 ℃ 仕込原料T℃:200 ℃ 触媒の仕込原料に対する比:6 流動化流体:ガス炭化水素(C1〜nC4)仕込原料の
小滴の直径:80マイクロメータ。
【0063】
【表1】
【0064】
【発明の効果】本発明の接触クラッキング方法および装
置によると、触媒の分布が均質的であり、逆混合現象が
最少にされ、ガソリンフラクションの良好な選択率が生
じる。また、触媒上へのコークスの沈積は少ない。
置によると、触媒の分布が均質的であり、逆混合現象が
最少にされ、ガソリンフラクションの良好な選択率が生
じる。また、触媒上へのコークスの沈積は少ない。
【図1】本発明による流動床接触クラッキング装置の一
具体例を示す図である。
具体例を示す図である。
【図2】本発明による流動床接触クラッキング装置の一
具体例を示す図である。
具体例を示す図である。
(1) …管状反応器
(5) …インジェクタ
(6) …分離容器
(8) (14)(18)…サイクロン(12)…第一
再生器 (17)…第二再生器 (20)…垂直上昇塔 (21)…第一流動化装置 (22)…第二流動化装置 (23)…貯蔵容器 (30)…流動化手段 (S) …イオン化放射線源 (D) …放射線検知器 (28)…マイクロコンピュータ
再生器 (17)…第二再生器 (20)…垂直上昇塔 (21)…第一流動化装置 (22)…第二流動化装置 (23)…貯蔵容器 (30)…流動化手段 (S) …イオン化放射線源 (D) …放射線検知器 (28)…マイクロコンピュータ
Claims (23)
- 【請求項1】 仕込原料と触媒が、全体的に並流で上
から下へ流れる反応帯域における炭化水素仕込原料の流
動床での接触クラッキング方法であって、この方法は、
少なくとも一部再生された触媒の、反応帯域の上端部へ
の供給工程、前記反応帯域の上部にある触媒供給帯域の
下に位置する導入帯域における、仕込原料の導入および
微細化工程、前記反応帯域の上部における前記触媒と前
記仕込原料との接触工程、反応帯域における触媒と仕込
原料との流通工程であって、この工程中に、適切なクラ
ッキング条件において前記仕込原料のクラッキングを実
施し、かつ触媒の少なくとも一部が、触媒上へのコーク
スの沈積によって失活されるものであり、反応帯域の下
端部にある分離帯域においてクラッキングされた炭化水
素仕込原料と失活触媒との分離およびストリッピング工
程、少なくとも1つの再生帯域における失活触媒の少な
くとも一部の再生工程、および反応帯域の上端部の上流
の再循環帯域における、少なくとも一部再生された触媒
の再循環工程を含む方法において、(a) 再循環工程
の時に、濃密相から、少なくとも一部再生された触媒を
採取すること、(b) 少なくとも1つの流動化ガスの
存在下において、反応帯域の上端部で、触媒の供給工程
を実施し、かつ触媒とガスとのサスペンジョンを得るこ
と、(c) 仕込原料の導入帯域の上流において、適切
な測定手段によって、前記サスペンジョンの密度を測定
すること、(d) このようにして生じたガス−固体サ
スペンジョンの密度が、前記仕込原料と接触させる前に
、80〜500 kg/m3になるような条件下におい
て、仕込原料の導入帯域の上流で、流動化ガスの流量を
適切な手段によって調節および調整すること、を特徴と
する方法。 - 【請求項2】 触媒の速度が、約2〜約8m/sであ
る、請求項1による方法。 - 【請求項3】 再生触媒が、3〜5m/sの速度に加
速され、サスペンジョンの見掛け密度が200 〜30
0 kg/m3である、請求項1または2による方法。 - 【請求項4】 触媒が、適切な条件下において、2つ
の再生帯域で再生され、失活触媒が第一再生帯域に送ら
れ、温度650 〜900 ℃で反応帯域へ再循環され
る触媒は第二再生帯域から来る、請求項1〜3のうちの
1つによる方法。 - 【請求項5】 再循環帯域が全体に上昇的であり、触
媒の上昇速度が5〜20m/sである、請求項1〜4の
うちの1つによる方法。 - 【請求項6】 再循環帯域が、上昇帯域の下流に、濃
密流動床貯蔵帯域を備え、この帯域で再生触媒を流れる
ようにし、この触媒を、貯蔵帯域から、反応帯域の上部
へ、見掛け密度80〜500 kg/m3で送る、請求
項5による方法。 - 【請求項7】 再循環帯域が全体に下降的である、請
求項1〜4のうちの1つによる方法。 - 【請求項8】 分離帯域において、重力によってクラ
ッキング仕込原料と失活触媒とを分離し、ついでエント
レイン触媒の少なくとも一部のサイクロン(cyclo
nage) 工程を実施し、クラッキング流出物を回収
する、請求項1〜7のうちの1つによる方法。 - 【請求項9】 分離帯域において、すべての触媒のサ
イクロン工程を行なうことによって、クラッキング仕込
原料と失活触媒とを分離し、かつクラッキング流出物を
回収する、請求項1〜7のうちの1つによる方法。 - 【請求項10】 前記仕込原料を接触的に、上から下
へ並流でクラッキングするのに適している、上端部と下
端部とを備えた、細長い管状反応器(すなわちドロッパ
)であって、前記上端部が仕込原料の導入および微細化
手段を備えるもの、仕込原料の導入および微細化手段の
上流に配置された触媒の導入手段、クラッキングされた
仕込原料と失活接触粒子との一次分離手段を有する、反
応器の下端部に連結された少なくとも1つの分離容器、
分離容器の下部に配置されたクラッキングされた仕込原
料によってエントレインされた触媒の大部分の蒸気スト
リッピングによる二次分離手段、およびクラッキングさ
れた仕込原料または反応流出物の少なくとも1つの回収
手段を備えた、請求項1〜9のうちの1つによる、前記
仕込原料のクラッキングによる、失活触媒の再生および
炭化水素仕込原料の流動床における接触クラッキング装
置であって、前記装置はその他に、分離容器の下部に連
結された入口を備える失活触媒の少なくとも1つの再生
器、および再生器の下出口と反応器の上端部との間に位
置する、少なくとも一部再生された触媒の再循環手段を
備える装置において、再循環手段(26b)(21)
が、仕込原料の導入手段(5) および微細化手段の上
流において、触媒を適切な見掛け密度にするのに適した
ガスによる、触媒の少なくとも1つの流動化手段(30
)と、前記流動化手段と共同作用するのに適した、制御
および調節手段(28)とを組合わせて設けられている
ことを特徴とする装置。 - 【請求項11】 分離容器が第一再生器に連結され、
再循環手段が第二再生器の下部に連結されている、請求
項10による装置。 - 【請求項12】 再循環手段が、実質的に垂直な細長
い塔(20)を備え、この下端部が連結管(26a)
によって第二再生器の下部に連結され、かつその上端部
が反応器(1) の上端部に連結され、前記塔(20)
の下端部が、ガスによる少なくとも1つの流動化装置(
21)を備え、前記手段は調節および制御手段と共同作
用を行なう、請求項11による装置。 - 【請求項13】 再循環手段が、実質的に垂直な細長
い塔(20)を備え、この下端部が、連結管(26a)
によって第二再生器の下部に連結され、かつその上端
部が、貯蔵容器(23)に連結され、前記貯蔵容器は、
貯蔵容器の下部に配置された二次流動化手段(25)に
よって濃密流動床として作動するのに適したものであり
、前記塔の下端部に、ガスによる少なくとも1つの第一
流動化装置を備えられ、前記貯蔵容器は、ガスによる少
なくとも1つの流動化装置(30)を備える、反応器の
上端部に連結された排出管(26b)を貯蔵容器の下部
に備え、前記手段は、前記制御および調節手段(28)
と共同作用を行なう、請求項11による装置。 - 【請求項14】 細長い塔(20)が、2つの流動化
装置(21)(22)を備え、第一装置(21)は塔の
底部に位置し、第二装置(22)は、前記塔において、
連結管(26a) の到着地点(cote)の上で、塔
の直径の1〜5倍の距離に位置する、請求項12または
13による装置。 - 【請求項15】 細長い垂直塔の長さは、直径の3〜
90倍、好ましくは直径の10〜25倍である、請求項
12または13による装置。 - 【請求項16】 触媒の再循環手段が、第二再生器の
下部および反応器の上端部に連結された排出管(26b
) を備え、この排出管(26b) は、ガスによる少
なくとも1つの流動化手段(30)を備え、前記手段は
前記調節および制御手段と共同作用を行なう、請求項1
1による装置。 - 【請求項17】 反応器の長さは、仕込原料の導入手
段から計って、その直径の6〜20倍である、請求項1
0〜16のうちの1つによる装置。 - 【請求項18】 仕込原料の導入手段が、前記流動化
手段(30)から、反応器の直径の1〜5倍に相当する
距離に配置されている、請求項10〜17のうちの1つ
による装置。 - 【請求項19】 反応器の下端部が通じている分離容
器(6) は、濃密床として作動するのに適しており、
前記容器(6) が、1つの入口から、回収される流出
物を受入れるのに適した少なくとも1つのサイクロン(
8) と、流出物によってエントレインされた触媒の一
部を含み、濃密床のレベルと、反応器の下端部との距離
は、反応器の直径の3〜10倍、好ましくは5〜7倍で
あり、前記サイクロンは、ストリッピングによる分離手
段と連結されたエントレイン触媒の排出用脚部を備える
、請求項10〜18のうちの1つによる装置。 - 【請求項20】 分離容器が少なくとも1つのサイク
ロンを備え、このサイクロンの入口は反応器の下端部に
連結され、かつこの排出用脚部が、ストリッピングによ
る分離手段と連結され、前記サイクロンは、回収される
流出物のために別の排出口を備える、請求項10〜18
のうちの1つによる装置。 - 【請求項21】 制御および調節手段は、実質的に反
応器の両側に、流動化手段と仕込原料の導入手段との間
に、好ましくは仕込原料の導入手段の間近の上流に配置
された、少なくとも1つのイオン化放射線源(S) 、
前記放射線の少なくとも1つの検知器(D) 、および
流動化手段(30)を少なくとも一部開口または閉鎖す
るのに適した手段を備え、これらの手段全体は、マイク
ロコンピュータ(28)に連結され、このマイクロコン
ピュータは指令点を基準にして、流動化手段の開口また
は閉鎖を指令する信号を発する、請求項10〜20のう
ちの1つによる装置。 - 【請求項22】 制御および調節手段は、流動化手段
(30)と、仕込原料の導入手段(5) との間におい
て、反応器(1) の母線に沿って配置された、1対の
圧力測定センサ(capteur de prise
de pression) (P1)(P2) 、流動
化手段(30)の少なくとも一部オープンまたは閉鎖に
適した手段を備え、これらの手段全体は、マイクロコン
ピュータ(28)に連結され、このマイクロコンピュー
タは指令点を基準にして、流動化手段の開口または閉鎖
を指令する信号を発する、請求項10〜20のうちの1
つによる装置。 - 【請求項23】 実質量のアスファルテンを含む重質
炭化水素仕込原料の流動床接触クラッキング方法におけ
る、請求項10〜22のうちの1つによる装置を使用す
る方法。
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