JPH04262601A - マイクロ波継手装置 - Google Patents

マイクロ波継手装置

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Publication number
JPH04262601A
JPH04262601A JP3274434A JP27443491A JPH04262601A JP H04262601 A JPH04262601 A JP H04262601A JP 3274434 A JP3274434 A JP 3274434A JP 27443491 A JP27443491 A JP 27443491A JP H04262601 A JPH04262601 A JP H04262601A
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JP
Japan
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holes
waveguide
mode
waveguide means
coupling device
Prior art date
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Pending
Application number
JP3274434A
Other languages
English (en)
Inventor
Charles P Moeller
チャールス・ポーター・モーラー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Atomics Corp
Original Assignee
General Atomics Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by General Atomics Corp filed Critical General Atomics Corp
Publication of JPH04262601A publication Critical patent/JPH04262601A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/12Coupling devices having more than two ports
    • H01P5/16Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port
    • H01P5/18Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port consisting of two coupled guides, e.g. directional couplers
    • H01P5/181Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port consisting of two coupled guides, e.g. directional couplers the guides being hollow waveguides
    • H01P5/182Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port consisting of two coupled guides, e.g. directional couplers the guides being hollow waveguides the waveguides being arranged in parallel
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E30/00Energy generation of nuclear origin
    • Y02E30/10Nuclear fusion reactors

Landscapes

  • Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Particle Accelerators (AREA)
  • Waveguide Connection Structure (AREA)
  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波導波管に関
し、より詳細には、オーバーヒート、著しいモード変換
もしくは過度の周波数感度なしに高周波高電力マイクロ
波パワーを伝搬可能な導波管のカプリング窓に関する。
【0002】
【従来の技術】マイクロ波パワー装置の導波管窓は、一
般に1つの導波管から次の導波管への電力の通過を可能
とするが、2つの導波管間の物理的バリヤとなる。この
2つの導波管は、異なるガスを含むこともあれば、異な
る圧力レベルを有することもあり、また、一方もしくは
双方の導波管が排気されることもある。例えば、ジャイ
ロトロン等の高電力マイクロ波真空装置では、電力は、
一般に、装置の排気された室もしくは導波管と2つの媒
体間で気密封止を行う1以上の導波管窓を介したガス状
環境を有する導波管との間で搬送される。また、HE1
,1モードのマイクロ波電力がプラズマに追加される核
融合原子炉では、係るバリヤが原子炉の近傍にあってプ
ラズマの構成要素を封じこめることが望ましい。
【0003】従来技術の窓は、導波管内に固着された誘
電体ディスクから成っても良い。低周波及び低電力では
、固有の誘電損による熱を該ディスクの縁部を冷却する
ことで散逸することが可能である。しかしながら、所定
の材料、周波数及び温度上昇では、窓のサイズに関係な
く許容電力の絶対限界がある。この限界は、周波数が増
加すると急速に低下する。追加された熱が充分に散逸さ
れない場合には、窓がオーバーヒートして作用しなくな
ることがある。
【0004】別の公知の窓は、一対のディスクを有し、
該ディスク間に誘電液体が流れて冷却を行っている。高
周波数もしくは高電力になると冷却液の流量を増加しな
ければならず、これにより圧力が上昇し、以て、該圧力
に耐える厚いディスクが必要となる。窓の厚さが増加す
れば、合計散逸量が更に増加する。ディスクが数波長の
厚さであれば、特にマイクロ波管に使用された場合には
、ディスクの周波数感度は非常に高くなり、また、ディ
スク材料の誘電率の変化にも敏感になる。更に、厚いデ
ィスクを介しての熱の伝送が悪くなる
【0005】19
54年5月に発行されたベルシステムテクノロジージャ
ーナル(BELLSYSTEM  TECH.J.)の
661ページから719ページに掲載されたエス・イー
・ミラー(S.E.MILLER)の結合導波管理論と
応用(COUPLED  WAVEGUIDES  T
HEORY  AND  APPLICATION)中
に述べられている如く、共通壁の複数の孔を同等の位相
速度を有する導波管の間でマイクロ波電力を伝送するの
に使用することが可能である。各カップリングホールを
介しての電力を小さくすることが可能なため、誘電プラ
グを使用して各ホールおシールする場合には、プラグの
縁部を冷却することが出来、該複数のホールを介してメ
ガワット範囲の高電力を伝送することが可能となる。し
かしながら、本書にて問題とする周波数及び電力では、
導波管は、損が許容出来る程低くなるようにオーバーモ
ードされなければならない。即ち、導波管内において多
くのモードが伝搬可能であり、且つ、導波管の間での電
力搬送を概ね効果的に行うには高度の対称配置が必要と
なる。
【0006】複数の比較的小さな孔を使用する継手装置
がシー・ピー・モウラー(C.P.MOELLER)の
米国特許第4,523,127号に開示されている。こ
の記載された装置は、同軸状に装着された第2の円筒状
導波管を有する第1の円筒状導波管から成り、内側円筒
状導波管と外側同軸状導波管を形成する。内側導波管は
、その表面周辺に内側(円筒状)導波管と外側(同軸状
)導波管の間でマイクロ波電力を結合する複数の孔を有
する。この装置は、必要な方位対称性を有するものの、
断面のタイプが(円筒状と同軸状の)異なる2つの導波
管を使用するため、孔が2つの導波管を異なって摂動す
る傾向にあって、実際問題として位相速度のマッチング
が困難になる。また、この配置に適した低損失モードの
み、即ち、円形TEo,nモードが電力をプラズマ内に
投入する前に更にHE1,1モードへ変換される必要が
ある。
【0007】プラズマに高電力マイクロ波を照射するこ
とで電力をプラズマに追加することがしばしば望まれる
。HE1,1モードは、低損失と高周波数の高電力マイ
クロ波をプラズマに投入するのに理想的な照射パターン
を有している。円形導波管内で伝搬されるには、HE1
,1モードは、導波管の内側面周辺でコルゲーションが
必要となる。しかしながら、これらのコルゲーションは
、2つの導波管の間に孔が導入されると結合をもたらす
壁電流に干渉する。1987年発行の赤外線及びミリメ
ータ波国際ジャーナル(INT.JOURNAL  O
F  INFRARED  AND  MILLIME
TERS  WAVES)第8巻の13ページにジェイ
・エル・ドーン(J.L.DOANE)が開示した如く
、HE1,1モード波は、2つの対向するコルゲート面
と2つの平滑面から成る矩形導波管においては低損失で
伝送可能である。しかしながら、位相速度結合を使用す
る導波管の間でHE1,1モードマイクロ波を効果的に
結合するカップリング窓は公知ではない。
【0008】
【発明の解決使用とする課題】モード変換を回避し且つ
2つの結合された導波管において略同一の位相速度を示
す一対の導波管の間で高電力レベルでHE1,1モード
を結合する導波管継手装置の必要性が存在する。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、ドーン(DO
ANE)の記載した類の導波管を適合させてHE1,1
モードで動作する導波管の間で結合を可能とする方法で
小さなホール結合を利用する方法の発見に基づく。本発
明の継手装置は、各々距離aだけ隔置された一対の対向
する平滑面と距離bだけ隔置された一対の対向するコル
ゲート面とを有する一対の略同一の矩形導波管から成る
。対向する平滑面と対向するコルゲート面との組合せに
によりHE1,1モードのマイクロ波電力の低損失伝搬
が可能となった。各導波管の平滑面の一方は、他方の平
滑面より共通壁により分離される。複数の小さなホール
から成る結合領域は、導波管の間の共通壁を介して組み
立てられる。略同一の導波管を使用することで各々の位
相速度を自動的に整合させ且つ平滑面を貫通する複数の
小さなホールを使用することで結合モードの選択性を向
上させて高電力結合を可能とする。
【0010】
【作用】好適な実施例では、導波管が共通壁の対向側面
に略整列しており、且つ、ホールがサファイア等の誘電
体により気密封止される。多数のホールが結合領域を介
した電力処理能力を向上させ且つ結合領域のサイズ及び
形状に渡る制御してモード変換を制限し且つ所望のモー
ドの伝送を最大限にすることが可能となる。結合領域の
ホールは、複数の列のホールが矩形に配置され、各列が
コルゲート導波管
【0011】開示した継手装置は、入力導波管で110
ギガヘルツの周波数fのHE1,1モードで約一メガワ
ットの電力を受け、この周波数は、2.73ミリメート
ルの自由空間波長λに相当する。他のモードの出現を制
限するために、結合された導波管の各々の平滑面間の寸
法aは、過度の導波管損を生むことなく2λまで小さく
することが可能である。HE1,1以外のモードの結合
を制限するために、導波管軸に対して横断方向の列及び
導波管のコルゲート面に対して垂直な列のホールの乱放
射の可能性を制限する。列は、λ/2未満の距離で隔置
され、好適な実施例では、約λ/3だけ隔置されるのが
効果的である。
【0012】好適な実施例の結合領域の全長は、HE1
,1モード波の結合を増長して他のモードの結合を抑制
するように考案される。HE1,1より高いモードは、
結合領域の長さを出力導波管のより高いモードが入力導
波管のHE1,1の位相から少なくとも4π離れる程に
充分長くすることで抑制される。
【0013】好適な実施例では、サファイアの充填され
たホールがサファイアを介して伝送される電力の約1.
5パーセントを吸収する。約1メガワットの電力を伝送
するには、結合領域で約15,000ワットが吸収され
ることとなる。好適な実施例の結合領域の面積は、約1
40平方センチメートで、1平方センチメートル当たり
約110ワットの電力吸収を生むこととなる。冷却管が
共通壁を貫通して延びて結合領域からの電力を散逸する
ようにされている。
【0014】
【実施例】図1は、格納容器33に包含されたプラズマ
10にマイクロ波電力を搬送するのに使用される装置の
ブロック図である。好適な実施例では、110ギガヘル
ツで約1メガワットの電力がプラズマ10に搬送される
。この電力を搬送する装置は、TE15,2モードにお
いて110ギガヘルツで1メガワットの出力電力を発生
するジャイロトロンから成る電力装置11を含む。電力
は、平滑壁付きの円形導波管14内の公知のモード変換
器12に送られて該電力をHE1,1モードに変換する
。HE1,1モードが使用されるのは、下側ローブや交
差偏波を有する良好な放射パターンが提供され且つガウ
スビームとよく整合することが可能であり、また、プラ
ズマ10に容易に結合されるからである。モード変換器
12は、主導波管系を構成する円形コルゲート導波管1
3で受ける電力を遷移ユニット15へ伝送し、該遷移ユ
ニットが方形導波管17内で受けた電力をHE1,1方
形モードに変換し、該方形導波管は、テーパーの付いた
導波管21により矩形導波管19に入るようにテーパー
が付けられている。円形導波管は、方形もしくは矩形導
波管のコストに対して低コストとなるため主導波管系に
選択される。
【0015】方形、矩形及びテーパーの付いた導波管1
7、19、21は、2つの対向するコルゲート面と2つ
の対向する平滑面とを有する。HE1,1モード電力を
搬送し且つ異なる幾何形状の導波管の間でテーパーを付
けるのための方形及び矩形導波管の使用は、1987年
発行の赤外線及びミリメータ波国際ジャーナル(INT
.JOURNAL  OF  INFRARED  A
ND  MILLIMETERS  WAVES)第8
巻の13ページにジェイ・エル・ドーン(J.L.DO
ANE)により開示されている。
【0016】矩形導波管19は、マイクロ波電力を結合
ユニット23に搬送し、該結合ユニットが入電力をHE
1,1モードの出矩形導波管25に結合する。この矩形
導波管25は、導波管19と類似しており、テーパー付
き導波管27の作用により方形導波管ん29に向かって
後方にテーパーが付けられている。電力は、方形導波管
29からコルゲートホーン33を介してプラズマ10に
放射される。
【0017】コルゲートホーン31及び図1の波結合装
置は、電位的にプラズマ10に晒される。好適実施例で
は、プラズマ10は、オペレータたる人間に危険であり
且つ雰囲気から隔離されなければならないトリチウムを
含むのが典型的である。従って、図1の導波管装置をシ
ールしてプラズマ格納容器及び導波管の気密封止部位か
ら流出しない用に成っている。結合ユニット23は、導
波管19からのHE1,1モード電力を導波管25に効
率的に結合して、上記2つの導波管の間で密閉封止が提
供されて、プラズマの生成物のいづれも結合ユニット2
3とプラズマ10間の導波管部分に閉じ込める。
【0018】図2は、結合ユニット23の好適な実施例
の外部構造図である。入力電力は、矩形導波管19の結
合ユニットに到着して密封封止された結合領域(図2に
は図示なし)を介して結合されて図示する方向へ矩形導
波管25内の結合ユニットから出ていく。
【0019】図3は、図2の結合ユニット23の長手方
向軸に沿った断面図であり、入矩形導波管19と出矩形
導波管25を示す。結合ユニット23内では、導波管1
9と25が共通壁43を共有しており、該共通壁の対向
する平滑面が2つの導波管19と25の内側平滑面を形
成する。共通壁43を貫通する複数のホール45より成
る結合領域35を2つの導波管19と25の間に示す。 本発明の図示の好適な実施例では、ホール45の各々が
サファイア等の誘電体で封止される。
【0020】導波管19は、曲がり37と高電力負荷3
9から成る。1メガワット範囲の電力が結合された導波
管内を搬送されるため、極少量のパーセントの非結合電
力でも大きさでは大きなものとなる。例えば、導波管1
9から導波管25へ向かって5パーセントの電力が領域
35により結合されないとすると、50キロワットの電
力が結合されないまま残り、高電力負荷39により散逸
されなければならなくなる。このため、曲がり37が使
用されて係る電力に適切な物理的に大きな負荷用の充分
な空間が可能となる。低電力負荷41が導波管25内で
使用されて導波管25内に結合される任意の電力をホー
ン31とは反対の方向へ散逸する(図1)。
【0021】図4は、導波管19と25の長手方向の軸
に沿った該導波管の斜視断面図である。導波管19と2
5の各々は、一対の対向する平滑面50と一対の対向す
るコルゲート面52から成る。面50は、距離aを隔て
て互いに略平行であり、面52は、距離b隔てて互いに
略平行である。遷移ユニット15とテーパーユニット2
1の作用により電界Eは、コルゲート面52に対して垂
直になり且つ磁界は、平滑面50に対して垂直になる。
【0022】コルゲート面52は、エッチングもしくは
スコーリングにより側壁に形成される。好適な実施例で
は、溝は、λ/4の深さで且つコルゲート面に沿って溝
の心心間でλ/4の間隔でもって隔置される。110ギ
ガヘルツでの電磁放射の自由空間波長λは、約2.73
mmであり、従って、λ/4は、約0.68に等しくな
る。
【0023】入力導波管19から出力導波管25へと伸
長するカップリングホール45を図4に示す。好適な実
施例では、冷却溝47が設けられてカップリングホール
45間を共通壁43を長手方向に貫通する。この冷却溝
47は、冷却流体入口48と出口49(図3)に連絡し
て冷却液の通り道を形成して結合領域35の温度を制御
する。
【0024】導波管19と25の断面は矩形をしており
、その断面寸法はa×bである。導波管19と25内で
は横断方向界の構成要素が式(1)により表される。           Ey,∝Bx∝sin(mπx/
a)sin(nπy/b)  (1)上記式中、Eyは
横断方向電界であり、Bxは横断方向磁界であり、mは
寸法aに沿った半サイクル数であり、nは寸法bに沿っ
た半サイクル数であり、xは寸法aに沿った距離であり
、且つ、yは寸法bに沿った距離である。導波管19と
25のカットオフ波数Kcは、式(2)により表される
。           Kc2m,n=(mπ/a)2+
(nπ/b)    (2)
【0025】矩形導波管1
9と25は、多くのモードを搬送することが可能である
。導波管内の搬送可能なモード数を制限するために、寸
法aは、約2λと等しくなるように選択され、この2λ
は、オーム損失が無視出来るものとなる程充分に大きい
が伝搬をm=1、2及び3となるモードに限定する。好
適な実施例では、110ギガヘルツの表面周波数fは、
約2.72ミリメートルの自由空間波長λに相当する。 寸法bは、下記に述べる如く、電力密度を考慮して10
0mmとなるように選定された。
【0026】図5は、共通壁43を貫通するホール45
の矩形配列を示す結合領域の平面図である。領域35は
、導波管25と19の長手方向軸に沿った長さLと該導
波管の各々の共通壁43面の幅bとを有する。結合領域
の長さLは、出力導波管25のHE1,1より高いモー
ドがこれらの高いモードの結合を抑制するために入力導
波管内HE1,1モードを有する位相から少なくとも4
π離れるように選定される。このように、結合領域35
の最小長は、HE1,1モードの軸方向波数と次の高い
モードHE2,1モードとの差を4π/L以上にするこ
とで決定される。長さLは、式(3)により表される。 上記式中、表されるモードの軸方向波数K  は、式(
4)により決定される。 上記式中、Cは、光の速度である。HE1,1及びHE
2,1モード波では、110ギガヘルツの周波数fで少
なくとも5.35センチメートルの結合領域に就いては
長さがLとなる。
【0027】結合方向は、結合強さ係数と結合領域の長
さの積の関数として周期的なものとなる。出力導波管に
対する最大結合は、結合長さと結合強さの積がラジアン
でπ/2の奇数倍となる時に生じる。所定の導波管結合
窓に対する結合強さ係数は、実験的に決定される。結合
強さが決定されると、結合領域の長さが算出されて所望
の結合量と方向が出る。好適な実施例では、結合領域長
は14cmである。エス・イー・ミラー(S.E.MI
LLER)の前記の論文には結合方向の周期性を含む導
波管の間での結合が記載されている。
【0028】導波管幅bに渡るホールの数を制御するこ
ともまたHE1,1モードへの結合を制限する上で重要
である。距離b上に等間隔で隔置されたホール45の列
がN個ある場合には、HE1,1はHEm,1モードに
結合されるばかりでなくHEm,nモードへも結合され
、n=1、n=1±N、1±2N等である。例えば、1
0列のホール45が結合領域35上に配置されるとする
と、N=10であり、入導波管がHE1,1モードにあ
るため出力導波管においてHEm,9、HEm,11、
HEm,19 以上になるように選定される限り、式(2)及び(4)
中の(nπ/b)項は、結合領域長Lが前記した如く直
近の軸方向モード(HE2,1)を識別するのに必要と
される以上、即ち、5.35センチメートル以上に長く
する必要がないことが判明した。
【0029】長さLに沿ったホールの軸方向の隔置も考
慮に入れるべきである。1波長に就いてホールが2つ以
上存在しない場合には、後方散乱が生じる。好適実施例
では、ホール間で約1ミリメートルの軸方向隔置が行わ
れて1波長に就いてほぼ3個のホールが提供される。こ
れは、保守的なデザインである。
【0030】ホールは、各々円筒状の誘電体をブレージ
ングによりその中に気密封止した真円形の円筒状容積で
ある。好適実施例では、誘電率がε=9であるサファイ
アが誘電体として使用された。気密封止されたホールの
各々は、その最低モードである円形TE1,1モードを
伝搬するがそれより高いモードを好適に伝搬しない小導
波管から成る。それ以下では所定モードが伝搬出来ない
各ホールの半径rは、式5)により表される。 上記式中、所定モードがTEモードの場合はPはJ’m
(P)=0を満たし、所定のモードがTMモードの場合
はPがJm(P)=0を満たす。Jmは次数mのベッセ
ル関数であり、J’mはJmの導関数であり、mはモー
ドの角度モード数 度である。例えば、ホールに関しては、TE1,1モー
ドより高い次のモードはTM0,1モードであり、該モ
ードでは、ベッセル根の表から決定される如くP=2.
405となる。式(5)は、ε=9ではTM0,1モー
ドはrが0.35ミリメートル未満の場合には伝搬しな
いことを示す。しかしながら、TM0,1モードの対称
性のためその励振は起こりそうもない。抑制される次の
高いモードは、TE2,1モードであり、P=3.05
4である。式(5)は、カットオフされるべきTE2,
1モードの用のホールの半径は、0.44ミリメートル
未満出なければならないことを示しており、上記の如く
軸方向間隔を1mmとするならば、直径0.88mmは
常になけらばならない。
【0031】誘電体を充填したホールの長さは、誘電体
中のマイクロ波の波長の二分の一倍数となるように選定
される。誘電率が9であるサファイア中の110ギガヘ
ルツのHE1,1モード波の波長は、約0.909ミリ
メートルである。共通壁の厚さを妥当なものとし一方誘
電体インサート中の電力散逸を制限するためには、各々
の長さ(及び共通壁の厚さ)は、好適な実施例では、サ
ファイアの6波長もしくは約5.45ミリメートルとな
るように選択される。
【0032】以上の如く、導波管19と25及び結合領
域35に対するデザイン状の拘束が規定される。図5は
、上記拘束に従ってデザインされた結合領域の構造を示
す。結合領域は、140ミリメートルに等しい寸法Lと
100ミリメートルに等しい寸法bを有する。心心で約
1ミリメートル隔置された140個のホールが各軸方向
のホール列に並び、30個のホールが各横断列を構成し
て、横断方向に心心で約3.3ミリメートル隔置される
。ホールの各々は、半径約0.44ミリメートルの共通
壁43を貫通する誘電円筒体から成る。従って、結合領
域35には4,200個のホールと誘電体インサートが
存在することになる。
【0033】ホール配列は、公知の数値制御工作機械技
術を利用して上記の如く厚さが5.45ミリメートルを
僅かに越える共通壁を貫通してホール形成することで作
成出来る。円筒状インサートは、適当な半径に研削金属
化され、公称長さに切断されて共通壁内へろう付けされ
る。インサートがろう付けされた後で、サファイアイン
サートを含む共通壁の表面が1ユニットとして5.45
mmの所定厚さに研削される。
【0034】結合領域を介して搬送される大量の電力が
ある場合には、1メガワットの入力をデザインする上で
電力に就いて考慮することは重要なことである。伝送さ
れる電力の正弦分布が軸方向及び横断方向双方にある場
合には、窓毎に伝送される平均電力は、250ワットで
あるが、最悪の場合には、あるホールでは約1000ワ
ットになる。サファイアがピーク電力に容易に対処する
。しかしながら、各サファイアインサートは、長さ1c
mに就き約3パーセントの電力損失を生じる。インサー
トの長さが約2分の1センチメートルのため、結合電力
の約1.5%の熱損失となる。1メガワットの電力を結
合する場合には、結合領域35に約15キロワットが吸
収されることになる。結合領域のサイズを上記に選択し
たもの(面積140cm2)とすると、結合領域から散
逸される熱は、平方センチメート当たり110ワット未
満となりホール間で共通壁43を貫通する冷却液溝47
により容易に冷却することが可能となる。
【0035】ホールを介して電力を搬送するのに最適な
周波数は誘電体の波長の2分の1の倍数に相当する周波
数である。好適な実施例では、すべとのホール45は、
同一長さであり且つ同一周波数を結合することが最適で
ある。一定の範囲のホール長を提供することは、結合領
域により最適に搬送される一定の範囲の周波数を提供す
ることになる。係る周波数範囲は、結合窓が異なる周波
数でマイクロ波を生成出来る段階同調自在のジャイロト
ロン等のソースと共に使用される場合には望ましいもの
である。
【0036】図6は、図3に示す結合ユニットの別の実
施例を示し、該実施例では、共通壁43の厚さと、従っ
て、ホールの長さとが一定でなく結合領域の全長に亙り
直線状に変化する。係る変化により、結合領域のモード
差別が向上して結合される励振周波数の帯域幅が増加す
る。図6では、共通壁が結合領域の全長に亙り厚さT1
から厚さT2へ向けて直線状に変化して、これにより、
互いに平行ではなく、ある角度で交差する導波管19と
25が形成される。図6では、視認するのに容易なよう
に、導波管が交差する角度を誇張して記している。
【0037】110ギガヘルツの範囲の結合周波数では
、距離T1は約5,24ミリメートルに、また、距離T
2は約5.7ミリメートルにされる。この距離T1及び
T2の範囲には前記実施例の5.4ミリメートルも含む
。この結合領域の各ホールは、ある程度は結合が励振周
波数の2分の1の波長毎にピークとなるバンドパス継手
として機能する。全帯域幅を大きくするためには、距離
T1及びT2をT1及びT2間のすべとのホールの誘電
体波長2分の1の倍数に相当する周波数範囲が2分の1
波長の次の高い倍数の周波数範囲と重なり合うように選
択する。例えば、T1=5.24mmでT2=5.7m
mの場合には、結合ピークは、結合領域に沿って105
.5ギガヘルツから114.5ギガヘルツの励振波長の
6倍で発生する。105.5ギガヘルツは、110ギガ
ヘルツの約96%であり、114.5ギガヘルツは、そ
の104%である。同様に、結合ピークが114.3ギ
ガヘルツから124ギガヘルツの励振波長の6.5倍で
発生する。これらの結合ピークの範囲は、重なり合う(
114.5ギガヘルツは、114.3ギガヘルツより大
である)ので、周波数の拡大範囲を効果的に結合するこ
とが可能である。
【0038】
【発明の効果】本発明の利点は、上記の如く明白である
。略同一形状の波長と対称分布したホールによりモード
の純度が維持され、且つ、比較的短い誘電体インサート
により周波数感度と誘電損失が低減される。該インサー
トは、冷却液溝中の冷却液により充分に冷却される。 本発明では、非結合電力が図3及び図6の負荷39によ
り吸収されるので、従来の不整合窓に見られる電力が反
射して発電器へ逆流する問題もない。
【0039】本発明の原理を特定の装置応用に関連させ
て説明して来たが、本説明は、一実施例を説明するため
になされたものであり、本発明の特許請求の範囲を制限
するものではない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を利用する装置のブロック図
である。
【図2】図1の継手ユニットの一実施例の外部構造図で
ある。
【図3】図2の線3−3に沿った継手ユニットの側面断
面図である。
【図4】図2の線4−4に沿った継手ユニットの斜視断
面図である。
【図5】図2に示す継手ユニットの内側平滑面に形成さ
れた結合領域の平面図である。
【図6】図2の線3−3に沿った継手ユニットの別の実
施例の側面断面図である。
【符号の説明】
19  導波管 25  導波管 43  共通壁 50  平滑な面 52  コルゲート面

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  第1の導波管のHE1,1モードと第
    2の導波管のHE1,1モード間でマイクロ波電力を結
    合する継手装置において、第1の導波管手段と第2の導
    波管手段から成り、該導波管手段の各々が略均一な距離
    bだけ隔置された一対の対向するコルゲート面と略均一
    な距離aだけ隔置された対向する平滑な面で形成された
    略矩形断面の中空容積から成り、前記第1の導波管手段
    の前記平滑な面の一方と前記第2の導波管手段の前記平
    滑面の一方が前記第1の導波管手段と前記第2の導波管
    手段間の共通壁の対向する面であり、該共通壁が前記第
    1の導波管手段と前記第2の導波管手段間で該共通壁を
    貫通して前記第1の導波管手段と前記第2の導波管手段
    間でマイクロ波電力を結合する複数のホールを有し且つ
    該ホールの各々が前記距離a及びbと比較して小さいこ
    とを特徴とする継手装置。
  2. 【請求項2】  前記第1の導波管手段と前記第2の導
    波管手段が前記共通壁の対向側で略整合する請求項1記
    載の継手装置。
  3. 【請求項3】  前記ホールの各々内で前記第2の導波
    管手段から前記第1の導波管手段を気密封止するように
    配置された複数の誘電体インサートからなる請求項2記
    載の継手装置。
  4. 【請求項4】  前記共通壁の前記対向面が互いに略平
    行である請求項3記載の継手装置。
  5. 【請求項5】  前記共通壁の前記対向する面間の距離
    が前記ホールの長さが変化して前記継手領域により搬送
    される周波数範囲を拡大するように前記装置近傍で変化
    する請求項3記載の継手装置。
  6. 【請求項6】  前記共通壁の前記対向する面間の距離
    が前記誘電体の周波数1.04fの波長の2分の1の選
    択した整数I倍に略等しい最小距離と前記誘電体の周波
    数0.96fの波長の2分の1のI倍に略等しい最大距
    離間で変化する周波数f周辺を中心とする周波数の範囲
    でマイクロ波電力を結合する請求項5記載の継手装置。
  7. 【請求項7】  前記ホールが複数列のホールから成る
    矩形配列に配置され、且つ、前記列の各々が前記第1の
    導波管手段のゴルゲート面に垂直で且つN個の載の継手
    装置。
  8. 【請求項8】  前記共通壁の対向する面が略平行で且
    つ前記共通壁の対向する面間の距離が前記誘電体インサ
    ートの前記周波数fのマイクロ波電力の波長の2分の1
    の倍数に略等しい自由空間波長λを有する周波数fでマ
    イクロ波電力を結合する請求項3記載の継手装置。
  9. 【請求項9】  前記距離aが2λ以下である自由空間
    波長λを有するマイクロ波電力を結合する請求項3記載
    の継手装置。
  10. 【請求項10】  前記ホールが複数列のホールから成
    る矩形配列に配置され、且つ、前記列の各々が前記第1
    の導波管手段のゴルゲート面に垂直で且つ隣接する列の
    間隔がλ/2未満である請求項9記載の継手装置。
  11. 【請求項11】  前記ホールが複数列のホールから成
    る矩形配列に配置され、且つ、前記列の各々が前記第1
    の導波管手段のゴルゲート面に垂直で且つN個3記載の
    継手装置。
  12. 【請求項12】  前記複数列のホールが、の式に従っ
    て選択された距離Lに沿って略等間隔で隔置され、上記
    式中、KZ1,1は、 で表される軸方向波数のHE1,1モード波であり、上
    記式中Cは光の束であり、KZ2,1は、で表される軸
    方向波数のHE2,1モード波である。
  13. 【請求項13】  前記ホールが円形円筒状で且つ、を
    満たす半径を有し、 トの前記マイクロ波電力の速度に等しい周波数fでマイ
    クロ波電力を結合する請求項3記載の継手装置。
  14. 【請求項14】  前記ホールが円形円筒状で且つ、を
    満たす半径を有し、 トの前記マイクロ波電力の速度に等しい周波数fでマイ
    クロ波電力を結合する請求項3記載の継手装置。
  15. 【請求項15】  前記ホールの各々が円形円筒状をし
    ており且つ円形TE1,1モードで前記第1の導波管手
    段と前記第2の導波管手段間で電力を伝搬する請求項3
    記載の継手装置。
  16. 【請求項16】  前記共通壁が前記ホール間に配置さ
    れて冷却流体を搬送する複数の溝から成る請求項2記載
    の継手装置。
JP3274434A 1990-07-25 1991-07-25 マイクロ波継手装置 Pending JPH04262601A (ja)

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US07/557,480 US5061912A (en) 1990-07-25 1990-07-25 Waveguide coupler having opposed smooth and opposed corrugated walls for coupling HE1,1 mode
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