JPH04263133A - 情報光記録媒体とその記録再生方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、情報光記録媒体とその
記録再生方法、特に、レーザービーム等により情報を高
密度・大容量で記録・再生・消去できる光ディスク等の
情報光記録媒体とその記録再生方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、書換可能な情報光記録媒体とし
ては、カー効果を利用した光磁気形のものと、結晶状態
と非晶状態の２つの状態間の可逆的変化を利用した相変
化形のものとがある。相変化形のものとしては、Ｇｅ１
５Ｓｂ２　Ｔｅ８１Ｓ２　膜を相変化膜としたもの（特
開昭４７−２６８９７），Ｓｂ１０Ｔｅ８０Ｓｅ１０膜
を相変化膜としたもの（特開昭６１−１４５７３７），
Ｓｂ２　Ｓｅ膜を相変化膜としたもの（特開昭６０−１
５５４９５），Ｓｂ２　Ｓｅ３膜を相変化膜としたもの
（特開昭５９−１８５０４８），ＧｅＳｂＴｅ系膜を相
変化膜としたもの（特開昭６１−２０９７４２）などが
ある。これらの情報光記録媒体では記録したい情報の「
１」に対応するときだけ高パワーの光照射を行なうこと
により照射された部分のみ相変化膜は溶融し、その後急
冷凝固することにより非晶状態の記録マークが形成され
る。この情報列を消去するには相変化膜を融点以上にし
ないような中間パワーの光照射を一様に行なうことによ
り非晶状態の記録マークをマーク間と同様に結晶化し、
もとの状態に戻して消去する。情報の読出（再生）は相
変化膜の状態を変化させない程度の低いパワーの光を照
射することにより、媒体からの反射光量の変化を検出す
ることにより行なう。

【０００３】前述した相変化膜の材料の中では、高速消
去ができるために結晶化速度がある程度速いことと、熱
的安定性の観点からＧｅＳｂＴｅ系相変化膜が有望であ
り、この相変化膜を用いて、各所で情報光記録媒体の開
発が活発に行なわれている。

【０００４】次に、従来の情報光記録媒体の一例につい
て、図２を用いて説明する。

【０００５】基板１の上に成膜される記録膜Ｂとして透
明干渉膜２２，相変化膜２３，透明干渉膜２４，反射膜
２５，保護膜２６が順次積層されている。基板１として
はポリカーボネイト樹脂板やフォトポリマーのついたガ
ラス板等が用いられ、通常案内溝が設けられている。

【０００６】相変化膜２３としてはＧｅＳｂＴｅ系材料
が用いられる。この材料は光磁気膜に比べれば耐酸化性
に優れるものの孔あけ形記録膜であるＴｅＳｅＮＰｂよ
りは耐酸化性が劣る。そこでこの相変化膜２３の上下を
透明干渉膜２２，２４で挟むことにより耐酸化性向上の
ためのバリアーとしている。この透明干渉膜２２，２４
は相変化膜２３が適度な吸収率をもつようにすることと
積層構造全体の反射率を適度な値にするための光学的多
重反射干渉の働きもしている。さらにまた、透明干渉膜
２２，２４は相変化膜２３が記録用光照射を受けて光エ
ネルギーを吸収し、それを熱エネルギーに変換して昇温
した後に光照射がなくなって冷却するときの速度を適度
な値にする働きもしている。

【０００７】反射膜２５は、相変化膜２３が適度な吸収
率をもつようにすることと積層構造全体の反射率を適度
な値にするための光学多重反射干渉をおこすための反射
膜の働きとともに、前述の冷却速度を適度な値にする働
きもしている。

【０００８】記録再生の光源としては通常波長８３０ｎ
ｍ前後の半導体レーザーが用いられ、基板を通して記録
膜Ｂの面上で約φ１．４μｍとなるように絞りこんで記
録再生が行なわれる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな上述した従来の情報光記録媒体とその記録再生方法
は、現在各所で開発が行なわれているが、その課題は高
速な書換記録が可能であり、かつ記録感度が高く、かつ
Ｃ／Ｎ，消去率等の信号品質が良好であり、かつ書換記
録を多数回繰返しても上記記録再生特性の劣化がなく、
高温高湿度環境に長時間保存しておいても上記記録再生
特性および書換の繰返し性に劣化がないことであり、現
状ではこれらに対応できてていないという欠点がある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の情報光記録媒体
は基板上に形成された記録膜に光を照射することにより
情報の記録・消去・再生が可能であり、情報の記録・消
去が結晶状態と非晶状態の間の相変化により行なわれる
情報光記録媒体であって、前記記録膜が少なくとも第１
の透明干渉膜，相変化膜，第２の透明干渉膜，反射膜，
保護膜を備え、かつ前記第１の透明干渉膜と前記第２の
透明干渉膜とはＺｎＳとＳｉＯ２　との混合物であり、
混合物中のＳｉＯ２　の存在率は１０モル％以上２０モ
ル％未満であり、かつ前記相変化膜はＧｅ１　Ｓｂ２　
Ｔｅ４　の化合物組成であり、かつ前記反射膜はＡｌＴ
ｉ合金であり、かつ前記保護膜はＵＶ硬化樹脂であり、
それぞれの膜の厚さは第１の透明干渉膜が２００ｎｍ〜
２４０ｎｍの範囲，相変化膜が２５ｎｍ〜３５ｎｍの範
囲，第２の透明干渉膜が１５ｎｍ〜２５ｎｍの範囲，反
射膜が３５ｎｍ〜８５ｎｍの範囲，保護膜が３μｍ〜２
０μｍの範囲に設定されて構成される。

【００１１】また、本発明の情報光記録媒体の記録再生
方法は基板上に、ＺｎＳとＳｉＯ２　との混合物であり
混合物中のＳｉＯ２　の存在率が１０モル％以上２０モ
ル％未満で厚さが２００ｎｍ〜２４０ｎｍの第１の透明
干渉膜と、Ｇｅ１　Ｓｂ２　Ｔｅ４　の化合物組成で厚
さが２５ｎｍ〜３５ｎｍの相変化膜と、ＺｎＳとＳｉＯ
２　との混合物であり混合物中のＳｉＯ２　の存在率が
１０モル％以上２０モル％未満で厚さが１５ｎｍ〜２５
ｎｍの第２の透明干渉膜と、ＡｌＴｉ合金で厚さが３５
ｎｍ〜８５ｎｍの反射膜と、ＵＶ硬化樹脂で厚さが３μ
ｍ〜２０μｍの保護膜を積層して構成された情報光記録
媒体を用い記録したい２値情報に対応させて高パワーの
光照射と中間パワーの光照射とを行なうことにより、相
変化膜の昇温後の冷却速度を臨界速度に比べて速い場合
と遅い場合とに対応させ、相変化膜の状態を非晶状態と
結晶状態とに対応させて情報を記録し、低パワーの光照
射を行なうことにより、相変化膜の状態の違いを読出し
て情報を再生するように構成される。

【００１２】

【作用】相変化形の情報光記録媒体への記録においては
、相変化膜を結晶状態から非晶状態へ変化させたり、非
晶状態から結晶状態へ変化させたりしなければならず、
この２つの変化は相変化膜の昇温後の冷却速度が非常に
重要である。そこで本発明者はφ１３０ｍｍの光ディス
クが毎分３６００回転する場合に良好な記録を行なえる
記録膜の開発を目的として前述の課題を解決すべく鋭意
検討した結果、本発明に到った。

【００１３】

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。

【００１４】図１は本発明の一実施例を示す概略断面図
である。

【００１５】図１に示す情報光記録媒体は、基板１と、
記録膜Ａとからなり、記録膜Ａとしては、ＺｎＳとＳｉ
Ｏ２　との混合物で混合物中のＳｉＯ２　の存在率が１
０モル％以上２０モル％未満で厚さが２００ｎｍ〜２４
０ｎｍの透明干渉膜２と、Ｇｅ１　Ｓｂ２　Ｔｅ４　の
化合物組成で厚さが２５ｎｍ〜３５ｎｍの相変化膜３と
、ＺｎＳとＳｉＯ２　との混合物で混合物中のＳｉＯ２
　の存在率が１０モル％以上２０モル％未満で厚さが１
５ｎｍ〜２５ｎｍの透明干渉膜４と、ＡｌＴｉ合金で厚
さが３５ｎｍ〜８５ｎｍの反射膜５と、ＵＶ硬化樹脂で
厚さが３μｍ〜２０μｍの保護膜６とを含んで構成され
る。

【００１６】記録および再生用の光ビームは基板１を通
して入射し、記録膜Ａの面上でおよそφ１．４μｍに集
光される。「１」と「０」の任意の並びからなる２値情
報を記録するときには「１」，「０」に対応させて高パ
ワーの光照射と中間パワーの光照射とを行なうことによ
り、「１」を記録したい部分の相変化膜３は融解後急冷
されるようにし非晶状態とし、「０」を記録したい部分
の相変化膜３は徐冷されるようにし結晶状態とする。

【００１７】図１に示す情報光記録媒体は相変化膜３と
してＧｅ１　Ｓｂ２　Ｔｅ４　という化合物組成を用い
ており結晶化速度が速いので、φ１３０ｍｍのディスク
を毎分３６００回転するのに相当する媒体線速度１１．
３ｍ／ｓｅｃ〜２２．６ｍ／ｓｅｃという速い線速度で
あっても２０ｄＢ以上という良好な消去率を得ることが
できる。（相変化膜３の厚さ，透明干渉膜２，４の材質
と厚さ，反射膜５の材質と厚さとが熱的に良好に設計さ
れているためでもある。）本発明の情報光記録媒体は、
熱的設計が良好であるため、Ｃ／Ｎが良好であるととも
に、記録感度も高く、高速な書換記録が可能となってい
る。

【００１８】本発明の情報光記録媒体は光学設計的にも
良好であるため、Ｃ／Ｎが良好であり、記録感度も高い
。また、結晶状態と非晶状態との相変化膜の吸収率をほ
とんど等しくしているため、新しい「１」，「０」を記
録する前の情報列がどのようなパターンであっても、そ
のパターンの影響をうけずに新しい「１」「０」列の記
録を行なうことができ、ジッターも小さく良好な重ね書
き記録ができる。

【００１９】透明干渉膜２，４としてはＺｎＳとＳｉＯ
２　との混合物を用い、混合物中のＳｉＯ２　の存在率
を１０モル％以上２０モル％未満としているのでノイズ
が小さく、かつ、屈折率が約２．２と大きな値であるの
で光学的な多重反射干渉が良好となりＣ／Ｎが良好とな
っている。混合物中のＳｉＯ２　の存在率が１０モル％
未満の場合は、屈折率は大きいので望ましいが、膜表面
が平坦ではなくなるのでノイズが大きくなり総合的には
望ましくない。混合物中のＳｉＯ２　の存在率が２０モ
ル％以上の場合は膜表面は平坦になりノイズが小さくな
り望ましいが、屈折率はｎ＝２．０以下と小さくなるの
で総合的には望ましくない。また、ＺｎＳとＳｉＯ２　
との混合物の高温高湿度環境での保存性は、ＳｉＯ２　
の存在率が１０モル％以上であれば８０℃９０％６００
Ｈでもほとんど変化がなく安定である。

【００２０】反射膜５としてはＡｌＴｉ合金膜が望まし
い。反射膜５の材料としてはＡｌ，ＡｌＴｉ合金，Ａｕ
，ＡｕＰｄ合金，ＮｉＣｒ合金を検討したが、ＮｉＣｒ
合金は単体膜での反射率が他の材料に比べて低いため、
本発明のような多重反射干渉を利用する媒体には適さな
かった。ＡｕおよびＡｕＰｄ合金は反射率的には問題な
いが、接着力の点で問題であった。すなわち、高パワー
で記録しようとすると反射膜５が剥れて変形するという
問題が生じた。ＡｌおよびＡｌＴｉ合金は光学特性的に
はほとんど同じであったが、高温高湿度環境での長時間
保存特性の点で腐食のないＡｌＴｉ合金の方が望ましい
。

【００２１】保護膜６としては、記録感度をそれほど低
下させないＵＶ硬化樹脂が望ましい。ＵＶ硬化樹脂の保
護膜６を反射膜５の上に形成することにより、高パワー
で記録しようとするときの記録膜Ａの不可逆的変形を抑
止することができる。

【００２２】媒体線速度１１．３ｍ／ｓｅｃのときのＣ
／Ｎ，消去率，ジッター，記録感度，繰返し書換特性お
よび媒体線速度２２．６ｍ／ｓｅｃのときのＣ／Ｎ，消
去率，ジッター，記録感度，繰返し書換特性が本発明の
媒体で良好な理由は、それぞれの膜材料と厚さが最適に
積層されたためと考えられる。とくに、繰返し書換特性
，高温高湿度環境長時間保存性が良好な理由は、種々の
媒体を作製して見出したためであり、各膜材料と厚さの
因果関係は定かではなく、総合的に得られたものである
。以下に前述した実施例の３個の具体例および１４個の
比較例について、説明する。 （具体例１）案内溝が形成されている直径１３０ｍｍ，
厚さ１．２ｍｍのポリカーボネイト樹脂製ディスク基板
をスパッタ装置内に載置し、１×１０−６Ｔｏｒｒ以下
に真空排気した後、ポリカーボネイト基板をおよそ３ｎ
ｍ程度逆スパッタした後、ＺｎＳスパッタターゲット上
にＳｉＯ２　チップを置くという複合スパッタターゲッ
トを用いてＺｎＳとＳｉＯ２　との混合物で厚さが２２
０ｎｍの第１の透明干渉膜を形成した。この膜中のＳｉ
Ｏ２　の存在率を後でＲＢＳ（ラザフォード・バック・
スキャッタリング）法で測定したところ１５モル％であ
った。

【００２３】次に、Ｇｅ１　Ｓｂ２　Ｔｅ４　スパッタ
ターゲットを用いて３０ｎｍ厚の相変化膜を形成した。 この膜の組成は後でＩＣＰ法で測定したところ、スパッ
タターゲット組成とほぼ同じであった。

【００２４】次に、第１の透明干渉膜のときと同様にし
て厚さが２０ｎｍの第２の透明干渉膜を形成し、次にＡ
ｌＴｉスパッタターゲット（Ｔｉの含有量は１重量％）
を用いて４０ｎｍ厚の反射膜を形成した後スパッタ装置
から外に出した。

【００２５】その後この反射膜の上にＵＶ硬化樹脂をス
ピンコートし、ＵＶ照射することによりＵＶ硬化樹脂の
保護膜をおよそ９μｍ形成した。

【００２６】しかる後、このような２枚のディスクを記
録膜が内側になるようにホットメルトで貼合せた。これ
を媒体線速度５．６５ｍ／ｓｅｃ一定で楕円ビームを照
射することによりディスク全域の相変化膜を結晶状態に
そろえることにより初期化を行ない、情報光記録媒体を
作製した。

【００２７】このようにして作製した光ディスクを３６
００ｒｐｍで回転し、波長８３０ｎｍの半導体レーザー
光を基板を通して記録膜に約φ１．４μｍに絞って照射
した。トラッキング・サーボおよびフォーカシング・サ
ーボ用にも用いる再生ビームパワーは１ｍＷである。半
径３０ｍｍのところ（線速度１１．３ｍ／ｓｅｃ）で、
記録周波数２．１２ＭＨｚの信号をデューティ５０％で
１１ｍＷの高パワー，７ｍＷの中間パワーで８．４７Ｍ
Ｈｚの信号の上に重ね書き記録したところ５２ｄＢのＣ
／Ｎが得られ、そのときの消去率は２８ｄＢであり、良
好な記録再生結果が得られた。半径６０ｍｍのところ（
線速度２２．６ｍ／ｓｅｃ）でも同様の記録再生を行な
い、５２ｄＢ以上のＣ／Ｎ，２０ｄＢ以上の消去率が得
られ良好であった。

【００２８】記録感度の点でも線速度が２２．６ｍ／ｓ
ｅｃと２倍になっても必要なパワーの増加率は１．３倍
であり、充分に実用的な値であった。

【００２９】この光ディスクで１０５　回の書換を行な
った後でもＣ／Ｎの低下はほとんどなく良好であった。

【００３０】また、８０℃９０％の高温高湿度環境に５
００Ｈ保存した後でも腐食や剥離はなく、Ｃ／Ｎ等の信
号品質も良好であった。

【００３１】これを表１に示す。この表に併せて、以下
に説明する具体例２，３およびこの具体例１〜３と比較
する比較例１〜１４のうち、比較例１〜７を表１に掲載
する。また比較例８〜１４はこれを表２に掲載する。

【００３２】

【００３３】

【００３４】（比較例１） （具体例１）で示した本発明の情報光記録媒体を１８０
０ｒｐｍで回転させて同様に記録再生特性を測定したと
ころ、半径６０ｍｍのところ（線速度１１．３ｍ／ｓｅ
ｃ）では前述と同じ結果が得られたが、半径３０ｍｍの
ところ（線速度５．６５ｍ／ｓｅｃ）では良好な記録が
できず、実用に供せるものではなかった。 （比較例２） （具体例１）で示した本発明の情報記録媒体に比べてＵ
Ｖ硬化樹脂の保護膜６をつけない媒体を作製し、３６０
０ｒｐｍで回転させて同様に記録再生特性を測定したと
ころ、１０５　回繰返し書換後の消去率が劣化した。こ
のことから本発明の媒体では、ＵＶ硬化樹脂の保護膜が
、高パワーでの記録による記録膜の不可逆的変形を抑止
していることがわかった。 （比較例３） （具体例１）で示した本発明の情報光記録媒体に比べて
反射膜をＡｌ膜で形成した媒体を作製し、３６００ｒｐ
ｍで回転させて同様に記録再生特性を測定したところ、
Ｃ／Ｎは２ｄＢ程度低かった。これは反射膜の表面の平
坦性が悪いためノイズレベルが上昇したためであった。 本発明の媒体の反射膜はＡｌＴｉ合金膜にしているため
表面の平坦性が改良されている。次に、比較例３の媒体
を８０℃９０％の高温高湿度環境に５００Ｈ保存した後
に外観検査をしたところ、反射膜に腐食が観察され、本
発明の媒体よりも耐候性に劣ることがわかった。 （比較例４） （具体例１）で示した本発明の情報光記録媒体に比べて
反射膜をＡｕ膜で形成した媒体を作製し、３６００ｒｐ
ｍで回転させて同様に記録再生特性を測定したところ、
１０５　回繰返し書換後の消去率が劣化した。これは第
２の透明干渉膜とＡｕの反射膜との接着力が悪いためと
思われる。 （比較例５） （具体例１）で示した本発明の情報光記録媒体（相変化
膜の組成は原子％でＧｅ：Ｓｂ：Ｔｅ＝１４．３：２８
．６：５７．１の化合物組成）に比べて相変化膜の組成
のみをＧｅ：Ｓｂ：Ｔｅ＝２１．１：２６．３：５２．
６にした媒体を作製し、３６００ｒｐｍで回転させて同
様に記録再生特性を測定したところ、半径６０ｍｍのと
ころ（線速度２２．６ｍ／ｓｅｃ）では２０ｄＢ以上の
良好な消去率は得られなかった。 （比較例６） （具体例１）で示した本発明の情報記録媒体に比べて第
１および第２の透明干渉膜をＺｎＳとＳｉＯ２　との混
合物で混合物中のＳｉＯ２　の存在率が５モル％で形成
した媒体を作製し、３６００ｒｐｍで回転させて同様に
記録再生特性を測定したところ、Ｃ／Ｎは５ｄＢ程度悪
かった。これは透明干渉膜が平坦でなくなり、ノイズが
大きくなったためである。

【００３５】また、８０℃９０％の高温高湿度環境に５
００Ｈ保存した後に外観検査したところ、膜の剥離が観
察され、本発明の媒体よりも耐候性に劣ることがわかっ
た。 （比較例７） （具体例１）で示した本発明の情報光記録媒体に比べて
第１および第２の透明干渉膜をＺｎＳとＳｉＯ２　との
混合物で混合物中のＳｉＯ２　の存在率が２０モル％で
形成した媒体を作製し、３６００ｒｐｍで回転させて同
様に記録再生特性を測定したところ、Ｃ／Ｎは２ｄＢ程
度悪かった。これは第１および第２の透明干渉膜の屈折
率ｎが２．０と小さくなったためである（本発明の第１
および第２の透明干渉膜の屈折率ｎは２．２である）。 （比較例８〜１４） （具体例１）で示した本発明の情報光記録媒体に比べて
各膜の材質は同じで膜厚のみを表２のようにかえた媒体
を作製し、３６００ｒｐｍで回転させて同様に記録再生
特性を測定したところ、表２の右欄に記した理由により
実用に供せる媒体ではなかった。 （具体例２） （具体例１）で示した情報光記録媒体に比べてＡｌＴｉ
反射膜の厚さのみを８０ｎｍにかえ、他は同様にして情
報光記録媒体を作製し、（具体例１）と同様にして評価
したところ、（具体例１）の媒体と比べると最適な高パ
ワーと中間パワーの値が約２ｍＷ高くなったことを除く
と、他の特性はほとんど同じで良好であった。 （具体例３） （具体例１）の媒体に比べてＵＶ硬化樹脂の保護膜の厚
さのみを１６μｍにかえ、他は同様にして情報光記録媒
体を作製し、（具体例１）と同様にして評価したところ
、（具体例１）とほとんど同じな良好な特性であった。

【００３６】

【発明の効果】本発明の情報光記録媒体とその記録再生
方法は、高速な書換記録が可能であり、かつ記録感度が
高く、かつＣ／Ｎ，消去率等の信号品質が良好であり、
しかも書換記録を多数回繰返しても上記記録再生特性の
劣化がなく、高温高湿度環境に長時間保存しておいても
上記記録再生特性および書換の繰返し性に劣化がない情
報光記録が可能になるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す概略断面図

【図２】従
来の一例を示す概略断面図

【符号の説明】

Ａ，Ｄ　　　　記録膜 １　　　　基板 ２，４，２２，２４　　　　透明干渉膜３，２３　　　
　相変化膜 ５，２５　　　　反射膜 ６，２６　　　　保護膜

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　基板上に形成された記録膜に光を照射
   することにより情報の記録・消去・再生が可能であり、
   情報の記録・消去が結晶状態と非晶状態の間の相変化に
   より行なわれる情報光記録媒体において、前記記録膜が
   少なくとも第１の透明干渉膜，相変化膜，第２の透明干
   渉膜，反射膜，保護膜を備え、かつ前記第１の透明干渉
   膜と前記第２の透明干渉膜とはＺｎＳとＳｉＯ２　との
   混合物であり、混合物中のＳｉＯ２　の存在率は１０モ
   ル％以上２０モル％未満であり、かつ前記相変化膜はＧ
   ｅ１　Ｓｂ２　Ｔｅ４の化合物組成であり、かつ前記反
   射膜はＡｌＴｉ合金であり、かつ前記保護膜はＵＶ硬化
   樹脂であり、それぞれの膜の厚さは第１の透明干渉膜が
   ２００ｎｍ〜２４０ｎｍの範囲，相変化膜が２５ｎｍ〜
   ３５ｎｍの範囲，第２の透明干渉膜が１５ｎｍ〜２５ｎ
   ｍの範囲，反射膜が３５ｎｍ〜８５ｎｍの範囲，保護膜
   が３μｍ〜２０μｍの範囲に設定されていることを特徴
   とする情報光記録媒体。
2. 【請求項２】　　基板上に、ＺｎＳとＳｉＯ２　との混
   合物であり混合物中のＳｉＯ２　の存在率が１０モル％
   以上２０モル％未満で厚さが２００ｎｍ〜２４０ｎｍの
   第１の透明干渉膜と、Ｇｅ１　Ｓｂ２　Ｔｅ４　の化合
   物組成で厚さが２５ｎｍ〜３５ｎｍの相変化膜と、Ｚｎ
   ＳとＳｉＯ２　との混合物であり混合物中のＳｉＯ２　
   の存在率が１０モル％以上２０モル％未満で厚さが１５
   ｎｍ〜２５ｎｍの第２の透明干渉膜と、ＡｌＴｉ合金で
   厚さが３５ｎｍ〜８５ｎｍの反射膜と、ＵＶ硬化樹脂で
   厚さが３μｍ〜２０μｍの保護膜を積層して構成された
   情報光記録媒体を用い記録したい２値情報に対応させて
   高パワーの光照射と中間パワーの光照射とを行なうこと
   により、相変化膜の昇温後の冷却速度を臨界速度に比べ
   て速い場合と遅い場合とに対応させ、相変化膜の状態を
   非晶状態と結晶状態とに対応させて情報を記録し、低パ
   ワーの光照射を行なうことにより、相変化膜の状態の違
   いを読出して情報を再生することを特徴とする情報光記
   録媒体の記録再生方法。
3. 【請求項３】　　媒体線速度が１１．３ｍ／ｓｅｃ〜２
   ２．６ｍ／ｓｅｃの範囲で記録再生することを特徴とす
   る請求項２記載の情報光記録媒体の記録再生方法。