JPH042632A - 非線形光学材料の製造方法 - Google Patents
非線形光学材料の製造方法Info
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- JPH042632A JPH042632A JP2099707A JP9970790A JPH042632A JP H042632 A JPH042632 A JP H042632A JP 2099707 A JP2099707 A JP 2099707A JP 9970790 A JP9970790 A JP 9970790A JP H042632 A JPH042632 A JP H042632A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は非線形光学効果を利用した光デバイスの基礎を
なす半導体微粒子分散ガラス非線形光学材料の製造方法
に関するものである。
なす半導体微粒子分散ガラス非線形光学材料の製造方法
に関するものである。
従来の技術
従来の技術としては例えば、ジャーナル・オブ・オプテ
ィカル・ソサエティ・オプ・アメリカ第７３巻第６４７
頁（Ｊ、Ｏｐｔ、Ｓｏｃ、Ａｍ、 Ｖｏｌ、７３ Ｐ
。
ィカル・ソサエティ・オプ・アメリカ第７３巻第６４７
頁（Ｊ、Ｏｐｔ、Ｓｏｃ、Ａｍ、 Ｖｏｌ、７３ Ｐ
。
６４７ （１９８３））に記載されているＣｄＳ、 Ｓ
ｅ、、をホウケイ酸ガラスに分散したカットオフフィル
タガラスを非線形光学材料に用いるものがある。このカ
ットオフフィルタガラスは、Ｃｄ５Ｘ５ｅｌ−ｘとホウ
ケイ酸ガラス材料を白金ルツボに入れ、１６００℃程度
の高温で溶融して作製している。
ｅ、、をホウケイ酸ガラスに分散したカットオフフィル
タガラスを非線形光学材料に用いるものがある。このカ
ットオフフィルタガラスは、Ｃｄ５Ｘ５ｅｌ−ｘとホウ
ケイ酸ガラス材料を白金ルツボに入れ、１６００℃程度
の高温で溶融して作製している。
また、ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス第
６３巻第９５７頁（Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、 Ｖｏ
ｌ。
６３巻第９５７頁（Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、 Ｖｏ
ｌ。
６３ Ｐ、９５７ （１９８８））に開示されている
ようなＣｄＳ微粒子分散薄膜ガラスがある。この薄膜ガ
ラスは、ターゲットにコーニング社製７０５９ガラス上
に粉末のＣｄＳを配置したものを用い、高周波マグネト
ロンスパッタリング法により、前記７０５９ガラス中に
ＣｄＳを２〜４重量％分散させたものである。
ようなＣｄＳ微粒子分散薄膜ガラスがある。この薄膜ガ
ラスは、ターゲットにコーニング社製７０５９ガラス上
に粉末のＣｄＳを配置したものを用い、高周波マグネト
ロンスパッタリング法により、前記７０５９ガラス中に
ＣｄＳを２〜４重量％分散させたものである。
発明が解決しようとする課題
従来の半導体微粒子分散ガラスの製造方法においては、
次のような２つの課題があった。
次のような２つの課題があった。
■ カットオフフィルタガラスの場合：溶融法ではスパ
ッタリング法に較べて冷却速度が遅いため、Ｃｄ５ＸＳ
ｅ＋−ｘをホウケイ酸ガラスに１重量％以上均一に分散
させることが困難である。
ッタリング法に較べて冷却速度が遅いため、Ｃｄ５ＸＳ
ｅ＋−ｘをホウケイ酸ガラスに１重量％以上均一に分散
させることが困難である。
また１６００″Ｃ以上の高温で溶融しなければ作製でき
ないため、半導体成分の揮発損失は大きく、その組成を
制御することは極めて難しく、またガラス組成自体の制
御も難しい。
ないため、半導体成分の揮発損失は大きく、その組成を
制御することは極めて難しく、またガラス組成自体の制
御も難しい。
■ スパッタリング法を用いた場合：従来のターゲット
のように、ガラスの上に半導体の粉末、ペレット、ある
いはチップを配置したものを用いると、半導体微粒子が
均一に分散したガラス薄膜を得ることは難しい。
のように、ガラスの上に半導体の粉末、ペレット、ある
いはチップを配置したものを用いると、半導体微粒子が
均一に分散したガラス薄膜を得ることは難しい。
本発明は、半導体微粒子を高密度で均質に分散させた非
線形光学材料の製造方法を提供することを目的とする。
線形光学材料の製造方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために本発明は、カドミウム源粉末
と、硫黄源粉末、セレン源粉末、テルル源粉末の３者の
内の少なくとも１つと、低融点ガラス粉末とを混合、焼
結して複合ガラスを作製し、この複合ガラスをターゲッ
トとし、スパッタリング法を用いて、化学量論性にすぐ
れた半導体微粒子がガラス中に均一かつ多量に分散した
構造を有する薄膜状の半導体微粒子分散ガラスを製造す
ることを特徴とする。
と、硫黄源粉末、セレン源粉末、テルル源粉末の３者の
内の少なくとも１つと、低融点ガラス粉末とを混合、焼
結して複合ガラスを作製し、この複合ガラスをターゲッ
トとし、スパッタリング法を用いて、化学量論性にすぐ
れた半導体微粒子がガラス中に均一かつ多量に分散した
構造を有する薄膜状の半導体微粒子分散ガラスを製造す
ることを特徴とする。
作用
本発明の非線形光学材料の製造方法では、溶融温度の低
いマトリックスガラスを用いるため、ターゲットを作製
する際の焼結温度を低くすることができ、半導体成分の
揮発損失を小さく抑えられる。また、ガラス中に半導体
微粒子としてＣｄＳ、 ＣｄＳｅあるいはＣｄＴｅを分
散させる場合、原材料としてＣｄＳ、 ＣｄＳｅあるい
はＣｄＴｅを用いるよりも、ＣｄＯなどのカドミウム源
粉末とＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ、 ＺｎＴｅなどの硫黄源粉末
、セレン源粉末、テルル源粉末の３者の内の少なくとも
１つを用いるほうが揮発損失は抑えられる。これらの理
由により、ガラス中に分散した半導体微粒子の化学量論
性がすぐれており、その組成制御も容易となる。
いマトリックスガラスを用いるため、ターゲットを作製
する際の焼結温度を低くすることができ、半導体成分の
揮発損失を小さく抑えられる。また、ガラス中に半導体
微粒子としてＣｄＳ、 ＣｄＳｅあるいはＣｄＴｅを分
散させる場合、原材料としてＣｄＳ、 ＣｄＳｅあるい
はＣｄＴｅを用いるよりも、ＣｄＯなどのカドミウム源
粉末とＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ、 ＺｎＴｅなどの硫黄源粉末
、セレン源粉末、テルル源粉末の３者の内の少なくとも
１つを用いるほうが揮発損失は抑えられる。これらの理
由により、ガラス中に分散した半導体微粒子の化学量論
性がすぐれており、その組成制御も容易となる。
また半導体成分がマトリックスガラス中に分散した均質
な複合ガラスをターゲットとして用いスパッタリングを
行うので、半導体微粒子が高濃度で均質に分散した薄膜
状の半導体微粒子分散ガラスを製造できる。
な複合ガラスをターゲットとして用いスパッタリングを
行うので、半導体微粒子が高濃度で均質に分散した薄膜
状の半導体微粒子分散ガラスを製造できる。
実施例
以下本発明の実施例について説明する。
実施例１
第１表Ａに示す組成を有する低融点ガラス原材料を白金
ルツボに入れ、９００°Ｃで溶融してガラスを作製した
。これを粉砕した後、このガラスに対して４０重量％の
ＣｄＳ含有量となるようＣｄＯ粉末とＺｎＳ粉末を混合
し、白金ルツボに入れ５５０″Ｃで焼結して複合ガラス
（直径１００ＩｌｌｌＩｌ、厚さ６ｍｍ）を作製した。
ルツボに入れ、９００°Ｃで溶融してガラスを作製した
。これを粉砕した後、このガラスに対して４０重量％の
ＣｄＳ含有量となるようＣｄＯ粉末とＺｎＳ粉末を混合
し、白金ルツボに入れ５５０″Ｃで焼結して複合ガラス
（直径１００ＩｌｌｌＩｌ、厚さ６ｍｍ）を作製した。
このガラス板をターゲットに使用して、高周波マグネト
ロンスパンタリング装置により、ガラスの薄膜化を行な
った。スパッタリングはアルゴンガス雰囲気下で行なっ
た。膜厚２００μｍの薄膜ガラスを石英ガラス基板（厚
さ０．３＋ｎｍ）上に形成した後、３００″Ｃの電気炉
中で３０分間加熱し、ＣｄＳの結晶を成長させた。薄膜
ガラス中のＣｄＳ分散量は３４重量％で、ＣｄとＳの化
学量論比は０．９７であり、粒径は１０〜５０人であっ
た。ＣｄＳ分散ガラスの光吸収スペクトルから得られた
バンドギャップはバルクのＣｄＳに比べ０．９ｅＶブル
ーシフトしていることから、ＣｄＳが量子ドツトになっ
ていることがわかった。
ロンスパンタリング装置により、ガラスの薄膜化を行な
った。スパッタリングはアルゴンガス雰囲気下で行なっ
た。膜厚２００μｍの薄膜ガラスを石英ガラス基板（厚
さ０．３＋ｎｍ）上に形成した後、３００″Ｃの電気炉
中で３０分間加熱し、ＣｄＳの結晶を成長させた。薄膜
ガラス中のＣｄＳ分散量は３４重量％で、ＣｄとＳの化
学量論比は０．９７であり、粒径は１０〜５０人であっ
た。ＣｄＳ分散ガラスの光吸収スペクトルから得られた
バンドギャップはバルクのＣｄＳに比べ０．９ｅＶブル
ーシフトしていることから、ＣｄＳが量子ドツトになっ
ていることがわかった。
なお上記のＣｄＳ原材料以外に、ＣｄＯとＡｌｚＳｓ、
ＣｄＯとＧａ２Ｓ３、ＣｄＯとＣａＳ、ＣｄＯとＳｒＳ
、ＣｄＯとｐｂｓあるいはＣｄＯとＺｒＳ、を用いても
、ＣｄＳ微粒子を１０〜４０重量％含有したガラス薄膜
を作製することができた。またマトリックスガラスに第
１表Ｂ−Ｄに示す組成を有するガラス原材料を用いても
、本実施例と同様なＣｄＳ分散ガラスを得ることができ
た。
ＣｄＯとＧａ２Ｓ３、ＣｄＯとＣａＳ、ＣｄＯとＳｒＳ
、ＣｄＯとｐｂｓあるいはＣｄＯとＺｒＳ、を用いても
、ＣｄＳ微粒子を１０〜４０重量％含有したガラス薄膜
を作製することができた。またマトリックスガラスに第
１表Ｂ−Ｄに示す組成を有するガラス原材料を用いても
、本実施例と同様なＣｄＳ分散ガラスを得ることができ
た。
第１表 （単位は重量％）
実施例２
第１表りに示す組成を有する低融点ガラス原材料を白金
ルツボに入れ、８００°Ｃで溶融してガラスを作製した
。これを粉砕した後、このガラスに対して４０重量％の
ＣｄＳｅ含有量となるようＣｄＯ粉末とＺｎ５ｅ粉末を
混合し、白金ルツボに入れ５００℃で焼結して複合ガラ
ス（直径１０抛ｍ、厚さ６ｍ＋ｌｌ）を作製した。また
同じマトリックスガラスに４０重量％のＣｄＴｅ含有量
となるようＣｄＯとＺｎＴｅを混合した複合ガラスも作
製した。これらのガラス板を夫々ターゲットに使用して
、高周波マグネトロンスパッタリング装置により、ガラ
スの薄膜化を行なった。スパッタリングはアルゴンガス
雰囲気下で行なった。膜厚２００μｍの薄膜ガラスを石
英ガラス基板（厚さ０．３ｍｍ）上に形成した後、３０
０℃の電気炉中で３０分間加熱し、ＣｄＳｅあるいはＣ
ｄＴｅの結晶を成長させた。ガラス中のＣｄＳｅ分散量
は３７重量％で、ＣｄとＳｅの化学量論比は０．９６で
あり、粒径は３０〜６０人であった。またＣｄＴｅ分散
量は３３重量％で、ＣｄとＴｅの化学量論比は０．９７
であり、粒径は２０〜６０人であった。上記２種の半導
体を分散させたガラスの吸収スペクトルから得られたバ
ンドギャップはそれぞれバルクの半導体に比べ０．８ｅ
Ｖ、０．９ｅＶブルーシフトしていることから、半導体
が量子ドツトになっていることがわかった。
ルツボに入れ、８００°Ｃで溶融してガラスを作製した
。これを粉砕した後、このガラスに対して４０重量％の
ＣｄＳｅ含有量となるようＣｄＯ粉末とＺｎ５ｅ粉末を
混合し、白金ルツボに入れ５００℃で焼結して複合ガラ
ス（直径１０抛ｍ、厚さ６ｍ＋ｌｌ）を作製した。また
同じマトリックスガラスに４０重量％のＣｄＴｅ含有量
となるようＣｄＯとＺｎＴｅを混合した複合ガラスも作
製した。これらのガラス板を夫々ターゲットに使用して
、高周波マグネトロンスパッタリング装置により、ガラ
スの薄膜化を行なった。スパッタリングはアルゴンガス
雰囲気下で行なった。膜厚２００μｍの薄膜ガラスを石
英ガラス基板（厚さ０．３ｍｍ）上に形成した後、３０
０℃の電気炉中で３０分間加熱し、ＣｄＳｅあるいはＣ
ｄＴｅの結晶を成長させた。ガラス中のＣｄＳｅ分散量
は３７重量％で、ＣｄとＳｅの化学量論比は０．９６で
あり、粒径は３０〜６０人であった。またＣｄＴｅ分散
量は３３重量％で、ＣｄとＴｅの化学量論比は０．９７
であり、粒径は２０〜６０人であった。上記２種の半導
体を分散させたガラスの吸収スペクトルから得られたバ
ンドギャップはそれぞれバルクの半導体に比べ０．８ｅ
Ｖ、０．９ｅＶブルーシフトしていることから、半導体
が量子ドツトになっていることがわかった。
なお上記の半導体原材料以外に、ＣｄＯとＡｈＳｅ３、
ＣｄＯｌ！：Ｇａｚｓｅ３、ＣｄＯとＰｂＳｅ、 Ｃｄ
ＯとＡ１．Ｔｅ。
ＣｄＯｌ！：Ｇａｚｓｅ３、ＣｄＯとＰｂＳｅ、 Ｃｄ
ＯとＡ１．Ｔｅ。
あるいはＣｄＯとＰｂＴｅを用いても、ＣｄＳｅ微粒子
あるいはＣｄＴｅ微粒子を１０〜４０重量％含有したガ
ラス薄膜を作製することができた。またマトリックスガ
ラスに第１表Ａ−Ｃに示す組成を有するガラス原材料を
用いても、本実施例と同様な半導体分散ガラスを得るこ
とができた。
あるいはＣｄＴｅ微粒子を１０〜４０重量％含有したガ
ラス薄膜を作製することができた。またマトリックスガ
ラスに第１表Ａ−Ｃに示す組成を有するガラス原材料を
用いても、本実施例と同様な半導体分散ガラスを得るこ
とができた。
実施例３
第１表Ｃに示す組成を有する低融点ガラス原材料を白金
ルツボに入れ、８００°Ｃで溶融してガラスを作製した
。これを粉砕した後、このガラスに対して４０重量％の
Ｃｄ５ｇ５ｅｌ−ｘ（χ＝０．９）含有量となるようＣ
ｄＯ粉末とＺｎＳ粉末とＺｎ５ｅ粉末を混合し、白金ル
ツボに入れ、５００°Ｃで焼結して複合ガラス（直径１
００ｍｍ、厚さ６ＩＩＩＩ１１）を作製した。このガラ
ス板をターゲットに使用して、高周波マグネトロンスパ
ッタリング装置により、ガラスの薄膜化を行なった。ス
パッタリングはアルゴンガス雰囲気下で行なった。膜厚
２００μｍの薄膜ガラスを石英ガラス基板（厚さ０．３
ｍｍ）上に形成した後、３００℃の電気炉中で３０分間
加熱し、ＣｄＳ、、 、Ｓｅ、、、の混晶を成長させた
。ガラス中の分散量は３５重量％で、ＣｄとＳとＳｅの
化学量論比は１ ：０．８８：０．０９であり、粒径は
２０〜５０人であった。Ｃｄ５ｏ、 ｑｓｅｏ、 ＋分
散ガラスの吸収スペクトルから得られたバンドギャップ
はバルクのＣｄ５ｏ、 ＊Ｓｅｏ、 ｌ に比べ０．９
ｅＶブルーシフトしていることから、Ｃｄ５ｏ、 ＊Ｓ
ｅｏ、 ｒが量子ドツトになっていることがわかった。
ルツボに入れ、８００°Ｃで溶融してガラスを作製した
。これを粉砕した後、このガラスに対して４０重量％の
Ｃｄ５ｇ５ｅｌ−ｘ（χ＝０．９）含有量となるようＣ
ｄＯ粉末とＺｎＳ粉末とＺｎ５ｅ粉末を混合し、白金ル
ツボに入れ、５００°Ｃで焼結して複合ガラス（直径１
００ｍｍ、厚さ６ＩＩＩＩ１１）を作製した。このガラ
ス板をターゲットに使用して、高周波マグネトロンスパ
ッタリング装置により、ガラスの薄膜化を行なった。ス
パッタリングはアルゴンガス雰囲気下で行なった。膜厚
２００μｍの薄膜ガラスを石英ガラス基板（厚さ０．３
ｍｍ）上に形成した後、３００℃の電気炉中で３０分間
加熱し、ＣｄＳ、、 、Ｓｅ、、、の混晶を成長させた
。ガラス中の分散量は３５重量％で、ＣｄとＳとＳｅの
化学量論比は１ ：０．８８：０．０９であり、粒径は
２０〜５０人であった。Ｃｄ５ｏ、 ｑｓｅｏ、 ＋分
散ガラスの吸収スペクトルから得られたバンドギャップ
はバルクのＣｄ５ｏ、 ＊Ｓｅｏ、 ｌ に比べ０．９
ｅＶブルーシフトしていることから、Ｃｄ５ｏ、 ＊Ｓ
ｅｏ、 ｒが量子ドツトになっていることがわかった。
なお、実施例１〜３では、半導体のカドミウム源にＣｄ
Ｏを用いたが、これ以外にＣｄ（ＯＨ）、、ＣｄＣＯ５
、ＣｄＣ２Ｏ４、あるいはＣｄ５１Ｏ：＋を用いても、
同様な半導体微粒子分散ガラス薄膜が得られた。また硫
黄源粉末、セレン源粉末、テルル源粉末の３者のうちの
上記とは異なる２者の組合せ、あるいは３者の組合せの
ものを用いることも可能である。
Ｏを用いたが、これ以外にＣｄ（ＯＨ）、、ＣｄＣＯ５
、ＣｄＣ２Ｏ４、あるいはＣｄ５１Ｏ：＋を用いても、
同様な半導体微粒子分散ガラス薄膜が得られた。また硫
黄源粉末、セレン源粉末、テルル源粉末の３者のうちの
上記とは異なる２者の組合せ、あるいは３者の組合せの
ものを用いることも可能である。
実施例４
実施例１に示した方法により作製したＣｄＳ分散ガラス
薄膜、あるいは実施例２に示した方法により作製したＣ
ｄＳｅ分散ガラス薄膜を用い、光双安定素子を作製した
。
薄膜、あるいは実施例２に示した方法により作製したＣ
ｄＳｅ分散ガラス薄膜を用い、光双安定素子を作製した
。
この素子の石英ガラス基板側から波長３８０ｎｍあるい
は５００ｎｍのレーザ光（ＮＺ光励起色素レザ光）をス
ポット径５μｍで入射した。
は５００ｎｍのレーザ光（ＮＺ光励起色素レザ光）をス
ポット径５μｍで入射した。
次に入射光の強度と出射光の強度の関係を室温（２５°
Ｃ）にて測定したところ、それぞれ第１図あるいは第２
図に示したような双安定特性を示した。
Ｃ）にて測定したところ、それぞれ第１図あるいは第２
図に示したような双安定特性を示した。
発明の効果
本発明によれば、ガラス組成、半導体組成の制御が容易
で、化学量論性にすぐれた半導体微粒子が低融点ガラス
マトリックスに高濃度に均一に分散した薄膜状の半導体
微粒子分散ガラスを製造できる。このガラス薄膜は大き
な非線形光学特性を有し、その応用として光双安定素子
等を作製することができる。
で、化学量論性にすぐれた半導体微粒子が低融点ガラス
マトリックスに高濃度に均一に分散した薄膜状の半導体
微粒子分散ガラスを製造できる。このガラス薄膜は大き
な非線形光学特性を有し、その応用として光双安定素子
等を作製することができる。
第１図及び第２図はそれぞれ本発明の半導体微粒子分散
ガラスを用いた双安定素子の光双安定特性を示す図であ
る。
ガラスを用いた双安定素子の光双安定特性を示す図であ
る。
Claims (5)
- （１）カドミウム源粉末と、硫黄源粉末、セレン源粉末
、テルル源粉末の３者の内の少なくとも１つと、低融点
ガラス粉末とを混合、焼結して複合ガラスを作製し、こ
の複合ガラスをターゲットとし、スパッタリング法を用
いて薄膜状の半導体微粒子分散ガラスを製造することを
特徴とする非線形光学材料の製造方法。 - （２）カドミウム源にはＣｄＯ、Ｃｄ（ＯＨ）＿２、Ｃ
ｄＣＯ＿３、ＣｄＣ＿２Ｏ＿４あるいはＣｄＳｉＯ＿３
を用いることを特徴とする請求項１記載の非線形光学材
料の製造方法。 - （３）硫黄源にはＺｎＳ、Ａｌ＿２Ｓ＿３、Ｇａ＿２Ｓ
＿３、ＣａＳ、ＳｒＳ、ＰｂＳあるいはＺｒＳ＿２を用
いることを特徴とする請求項１記載の非線形光学材料の
製造方法。 - （４）セレン源にはＺｎＳｅ、Ａｌ＿２Ｓｅ＿３、Ｇａ
＿２Ｓｅ＿３あるいはＰｂＳｅを用いることを特徴とす
る請求項１記載の非線形光学材料の製造方法。 - （５）テルル源にはＺｎＴｅ、Ａｌ＿２Ｔｅ＿３あるい
はＰｂＴｅを用いることを特徴とする請求項１記載の非
線形光学材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2099707A JPH042632A (ja) | 1990-04-16 | 1990-04-16 | 非線形光学材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2099707A JPH042632A (ja) | 1990-04-16 | 1990-04-16 | 非線形光学材料の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH042632A true JPH042632A (ja) | 1992-01-07 |
Family
ID=14254540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2099707A Pending JPH042632A (ja) | 1990-04-16 | 1990-04-16 | 非線形光学材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH042632A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS504796A (ja) * | 1973-05-17 | 1975-01-18 | ||
| US5955528A (en) * | 1996-07-04 | 1999-09-21 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Polymeric composite material and process for manufacturing the same |
| JP2007015307A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Fuji Mach Mfg Co Ltd | スキージヘッドおよび掻取部材 |
-
1990
- 1990-04-16 JP JP2099707A patent/JPH042632A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS504796A (ja) * | 1973-05-17 | 1975-01-18 | ||
| US5955528A (en) * | 1996-07-04 | 1999-09-21 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Polymeric composite material and process for manufacturing the same |
| JP2007015307A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Fuji Mach Mfg Co Ltd | スキージヘッドおよび掻取部材 |
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