JPH04263433A - 電気的接続接点の形成方法および電子部品の実装方法 - Google Patents
電気的接続接点の形成方法および電子部品の実装方法Info
- Publication number
- JPH04263433A JPH04263433A JP3024425A JP2442591A JPH04263433A JP H04263433 A JPH04263433 A JP H04263433A JP 3024425 A JP3024425 A JP 3024425A JP 2442591 A JP2442591 A JP 2442591A JP H04263433 A JPH04263433 A JP H04263433A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- substrate
- metal ball
- fine terminal
- recess
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3465—Application of solder
- H05K3/3478—Application of solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣチップに代表され
るチップ状の電子部品を基板上の端子電極群と接続する
ために、電気的接続接点を基板上の端子電極上のみに正
確に形成する電気的接続接点の形成法および実装基板の
製造方法に関するものである。
るチップ状の電子部品を基板上の端子電極群と接続する
ために、電気的接続接点を基板上の端子電極上のみに正
確に形成する電気的接続接点の形成法および実装基板の
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子部品の接続端子と基板上の回
路パターン端子との接続には半田がよく利用されていた
が、近年、たとえばＩＣフラットパッケージ等の小型化
と、接続端子間、いわゆるピッチ間隔が次第に狭くなり
、従来の半田付け技術で対処することが次第に困難にな
ってきた。また、最近では電卓、電子時計あるいは液晶
ディスプレイなどにあっては、裸のＩＣチップをガラス
基板上の電極に直付けして実装面積の効率的利用を図ろ
うとする動きがあり、有効かつ微細な電気的接続手段が
強く望まれている。裸のＩＣチップを基板の電極と電気
的に接続する方法としては、メッキ技術によりＩＣチッ
プの電極パッド上に形成した突出接点（バンプ）を用い
たものが知られている。既知の突出接点の形成方法は、
最初にＩＣ基板上の電極パッド上に、クロム（Ｃｒ）、
銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等の金属メッキ部を形成した後
、余分なレジストと金属蒸着膜を除去して、突出接点を
形成するというものである。また、最近、ワイヤボンデ
ィング技術を用いた突出接点の形成も行われている。
路パターン端子との接続には半田がよく利用されていた
が、近年、たとえばＩＣフラットパッケージ等の小型化
と、接続端子間、いわゆるピッチ間隔が次第に狭くなり
、従来の半田付け技術で対処することが次第に困難にな
ってきた。また、最近では電卓、電子時計あるいは液晶
ディスプレイなどにあっては、裸のＩＣチップをガラス
基板上の電極に直付けして実装面積の効率的利用を図ろ
うとする動きがあり、有効かつ微細な電気的接続手段が
強く望まれている。裸のＩＣチップを基板の電極と電気
的に接続する方法としては、メッキ技術によりＩＣチッ
プの電極パッド上に形成した突出接点（バンプ）を用い
たものが知られている。既知の突出接点の形成方法は、
最初にＩＣ基板上の電極パッド上に、クロム（Ｃｒ）、
銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等の金属メッキ部を形成した後
、余分なレジストと金属蒸着膜を除去して、突出接点を
形成するというものである。また、最近、ワイヤボンデ
ィング技術を用いた突出接点の形成も行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらメッキ技
術を用いたかかる方法においては、突出接点の形成方法
はかなり複雑で、多数の処理工程および高度のエッチン
グ、メッキ技術が必要であった。また、ワイヤボンディ
ング技術を用いた突出接点の形成は逐一形成するため生
産性が悪く、特に多数の端子電極を有する場合は最も顕
著にあらわれる。
術を用いたかかる方法においては、突出接点の形成方法
はかなり複雑で、多数の処理工程および高度のエッチン
グ、メッキ技術が必要であった。また、ワイヤボンディ
ング技術を用いた突出接点の形成は逐一形成するため生
産性が悪く、特に多数の端子電極を有する場合は最も顕
著にあらわれる。
【０００４】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、微細かつ密に電子部
品の電極パッドと基板上の電極群とを信頼性よく直付け
するために、基板上の電極群、あるいは電子部品、たと
えばＩＣチップの電極パッド上に電気的接続接点を簡易
に、かつ、信頼性よく一括形成しようとすることにある
。
であり、その目的とするところは、微細かつ密に電子部
品の電極パッドと基板上の電極群とを信頼性よく直付け
するために、基板上の電極群、あるいは電子部品、たと
えばＩＣチップの電極パッド上に電気的接続接点を簡易
に、かつ、信頼性よく一括形成しようとすることにある
。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決するため、微細ピッチ、微細端子電極が形成されてい
る基板の微細端子電極上への電気的接続接点の形成にお
いて、低融点合金または金属を主成分とする金属ペース
トを支持基材表面に設けられた凹部に充填し、前記支持
基材を加熱して前記凹部に充填された金属ペーストを溶
融して金属ボールを形成する。さらに基板の微細端子電
極面を前記凹部中の前記金属ボールに合わせて圧着して
前記金属ボールを前記微細端子電極面上に転写すること
により電気的接続接点の形成を実現しようとするもので
ある。
決するため、微細ピッチ、微細端子電極が形成されてい
る基板の微細端子電極上への電気的接続接点の形成にお
いて、低融点合金または金属を主成分とする金属ペース
トを支持基材表面に設けられた凹部に充填し、前記支持
基材を加熱して前記凹部に充填された金属ペーストを溶
融して金属ボールを形成する。さらに基板の微細端子電
極面を前記凹部中の前記金属ボールに合わせて圧着して
前記金属ボールを前記微細端子電極面上に転写すること
により電気的接続接点の形成を実現しようとするもので
ある。
【０００６】
【作用】本発明の上記した方法によれば、基板上の微細
端子電極上に簡易に突出接点を信頼性よく一括形成する
ことができ、簡易で信頼性の高い電気的接続接点が形成
できる。
端子電極上に簡易に突出接点を信頼性よく一括形成する
ことができ、簡易で信頼性の高い電気的接続接点が形成
できる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例の電気的接続接点の
形成方法ならびにこれを用いた実装基板について図面に
基づき詳細に説明する。
形成方法ならびにこれを用いた実装基板について図面に
基づき詳細に説明する。
【０００８】図１（ａ）から（ｅ）は本発明の電気的接
続接点の形成方法の第１の実施例を示す工程断面図であ
る。また、図２（ａ）（ｂ）は本発明の電気接続接点の
形成方法を用いてＩＣチップを基板上に実装する実装工
程断面図を示す。
続接点の形成方法の第１の実施例を示す工程断面図であ
る。また、図２（ａ）（ｂ）は本発明の電気接続接点の
形成方法を用いてＩＣチップを基板上に実装する実装工
程断面図を示す。
【０００９】図１において、１は凹部を有する支持基材
、２は低融点合金または金属を主成分とする金属ペース
ト、３はスキージ、４と１０は加熱ヘッド、５はＩＣチ
ップ、６はＩＣチップの電極パッド、７はバンプ（突出
接点）、図２（ａ）（ｂ）において、８はＡｕ厚膜電極
、９はセラミック基板である。
、２は低融点合金または金属を主成分とする金属ペース
ト、３はスキージ、４と１０は加熱ヘッド、５はＩＣチ
ップ、６はＩＣチップの電極パッド、７はバンプ（突出
接点）、図２（ａ）（ｂ）において、８はＡｕ厚膜電極
、９はセラミック基板である。
【００１０】本発明の第１の実施例では、まず図１（ａ
）、（ｂ）に示すように低融点合金または金属を主成分
とする金属ペースト２を支持基材１の表面に設けられた
凹部にスキージを摺動させ充填する。支持基材１はガラ
ス基板を沸酸水溶液中でエッチングして１００μｍ□深
さ２０μｍの凹部設けたものを使用し、低融点合金また
は金属を主成分とする金属ペースト２としては５００メ
ッシュ以下の粒子からなる共晶半田ペーストを使用した
。次に加熱ヘッド４を用いて支持基材１を２３０℃に加
熱し、充填された前記金属ペースト２ｂを溶融して図１
（ｃ）に示すように金属ボール２ｃを得る。その後、図
１（ｄ）に示すように電極パッド６を溶融して形成した
金属ボール２ｃと対向させて圧着すると、図１（ｅ）に
示すように電極パッド６上のみに低融点合金または金属
から金属ボール２ｃが転写され、電気的接続接点７が一
括形成される。また、図２（ａ）（ｂ）に示すように第
１の実施例で得たＩＣチップ５の電極パッド６上に低融
点合金または金属２からなる電気的接続接点７とセラミ
ック基板９上のＡｕ厚膜電極８とを対向させ圧着した後
、加熱ヘッド１０によって突出接点７を再溶融させて固
着すると、ＩＣチップとセラミック基板上のＡｕ厚膜電
極との接続ができる。
）、（ｂ）に示すように低融点合金または金属を主成分
とする金属ペースト２を支持基材１の表面に設けられた
凹部にスキージを摺動させ充填する。支持基材１はガラ
ス基板を沸酸水溶液中でエッチングして１００μｍ□深
さ２０μｍの凹部設けたものを使用し、低融点合金また
は金属を主成分とする金属ペースト２としては５００メ
ッシュ以下の粒子からなる共晶半田ペーストを使用した
。次に加熱ヘッド４を用いて支持基材１を２３０℃に加
熱し、充填された前記金属ペースト２ｂを溶融して図１
（ｃ）に示すように金属ボール２ｃを得る。その後、図
１（ｄ）に示すように電極パッド６を溶融して形成した
金属ボール２ｃと対向させて圧着すると、図１（ｅ）に
示すように電極パッド６上のみに低融点合金または金属
から金属ボール２ｃが転写され、電気的接続接点７が一
括形成される。また、図２（ａ）（ｂ）に示すように第
１の実施例で得たＩＣチップ５の電極パッド６上に低融
点合金または金属２からなる電気的接続接点７とセラミ
ック基板９上のＡｕ厚膜電極８とを対向させ圧着した後
、加熱ヘッド１０によって突出接点７を再溶融させて固
着すると、ＩＣチップとセラミック基板上のＡｕ厚膜電
極との接続ができる。
【００１１】なお、上記実施例においては、電気的接続
接点が形成されたＩＣチップ５をセラミック基板９に実
装した例を示したが、ＩＣチップを実装する基板はセラ
ミック基板に限定されるものではなく、たとえばガラス
エポキシの基板、ガラス基板、およびフレキシブルプリ
ント基板等でもよいことは云うまでもない。低融点合金
または金属を主成分とする金属ペースト２としては５０
０メッシュ以下の粒子からなる共晶半田ペーストを使用
したが、材質としては鉛（Ｐｂ）、錫（Ｓｎ）、インジ
ウム（Ｉｎ）を主とする合金またはその単体、あるいは
Ａｕ−Ｓｎ２０％、Ａｕ−Ｓｎ９０％等の低融点合金ま
たは金属でもよく、金属ペースト中の金属体積分率が、
ペーストを加熱して金属ボールを形成した時点で、前記
金属ボールの直径が前記支持基材表面に設けられた凹部
の深さより大であるように調整された金属ペーストであ
れば何でもよい。さらにＩＣチップ上の電極パッドと溶
融して形成した金属ボールとを対向させて圧着場合に超
音波加振やスクラブ（微小摺動）を加えるとＩＣチップ
と金属ボールとの接続が確実となる。
接点が形成されたＩＣチップ５をセラミック基板９に実
装した例を示したが、ＩＣチップを実装する基板はセラ
ミック基板に限定されるものではなく、たとえばガラス
エポキシの基板、ガラス基板、およびフレキシブルプリ
ント基板等でもよいことは云うまでもない。低融点合金
または金属を主成分とする金属ペースト２としては５０
０メッシュ以下の粒子からなる共晶半田ペーストを使用
したが、材質としては鉛（Ｐｂ）、錫（Ｓｎ）、インジ
ウム（Ｉｎ）を主とする合金またはその単体、あるいは
Ａｕ−Ｓｎ２０％、Ａｕ−Ｓｎ９０％等の低融点合金ま
たは金属でもよく、金属ペースト中の金属体積分率が、
ペーストを加熱して金属ボールを形成した時点で、前記
金属ボールの直径が前記支持基材表面に設けられた凹部
の深さより大であるように調整された金属ペーストであ
れば何でもよい。さらにＩＣチップ上の電極パッドと溶
融して形成した金属ボールとを対向させて圧着場合に超
音波加振やスクラブ（微小摺動）を加えるとＩＣチップ
と金属ボールとの接続が確実となる。
【００１２】また、凹部を有する支持基材としてガラス
を用いたが、他の材質のものでも良く、例えば、ステン
レス板をエッチングし、表面にＴｉＣなどのセラミック
コートをかけて用いることも可能である。さらに金属ボ
ール形成時や、突出接点を再溶融してＩＣチップを基板
上に実装する場合の雰囲気は空気中のみならず、窒素雰
囲気や、水素を用いた還元性雰囲気なども用いることが
できる。
を用いたが、他の材質のものでも良く、例えば、ステン
レス板をエッチングし、表面にＴｉＣなどのセラミック
コートをかけて用いることも可能である。さらに金属ボ
ール形成時や、突出接点を再溶融してＩＣチップを基板
上に実装する場合の雰囲気は空気中のみならず、窒素雰
囲気や、水素を用いた還元性雰囲気なども用いることが
できる。
【００１３】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の電気的
接続接点の形成方法によれば、ＩＣチップの電極パッド
部に電気的接続接点を、選択的に精度よく低融点合金ま
たは金属からなる金属ボールを転写することにより容易
に一括形成することができ、ＩＣチップのセラミック基
板上の電極への接続に限らず、各種基板への電気的接続
において、従来困難な超微細接続に効果を発揮するので
、きわめて実用価値が高い。また、本発明の電気的接続
接点を用いて接続実装した基板はＩＣチップ周辺のリー
ドもなく実装用基板面積を有効かつ最小に利用すること
が可能となる。
接続接点の形成方法によれば、ＩＣチップの電極パッド
部に電気的接続接点を、選択的に精度よく低融点合金ま
たは金属からなる金属ボールを転写することにより容易
に一括形成することができ、ＩＣチップのセラミック基
板上の電極への接続に限らず、各種基板への電気的接続
において、従来困難な超微細接続に効果を発揮するので
、きわめて実用価値が高い。また、本発明の電気的接続
接点を用いて接続実装した基板はＩＣチップ周辺のリー
ドもなく実装用基板面積を有効かつ最小に利用すること
が可能となる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す工程断面図
【図２
】本発明の第１の実施例を示す実装工程断面図
】本発明の第１の実施例を示す実装工程断面図
１ 支持基材
２ 低融点合金または金属を主成分とする金属ペース
ト３ スキージ ４ 加熱ヘッド ５ ＩＣチップ ６ ＩＣチップの電極パッド ７ バンプ（突出接点） ８ Ａｕ厚膜電極 ９ セラミック基板 １０ 加熱ヘッド
ト３ スキージ ４ 加熱ヘッド ５ ＩＣチップ ６ ＩＣチップの電極パッド ７ バンプ（突出接点） ８ Ａｕ厚膜電極 ９ セラミック基板 １０ 加熱ヘッド
Claims (5)
- 【請求項１】 低融点合金または金属を主成分とする
金属ペーストを支持基材表面に設けられた凹部に充填す
る工程、前記支持基材を加熱して前記凹部に充填された
金属ペーストを溶融し金属ボールを形成する工程、基板
の微細端子電極面を前記凹部中の前記金属ボールに合わ
せて圧着して前記金属ボールを前記微細端子電極面上に
転写する工程より構成されることを特徴とする電気的接
続接点の形成方法。 - 【請求項２】 微細端子電極群を有する基板を加熱し
つつ、前記基板上微細端子電極面を凹部中の溶融して形
成した金属ボールに合わせて圧着して前記金属ボールを
前記微細端子電極上のみに転写する工程より構成される
ことを特徴とする請求項１記載の電気的接続接点の形成
方法。 - 【請求項３】 基板上の微細端子電極面を凹部中の溶
融して形成した金属ボールに合わせて圧着しつつ、超音
波加振またはスクラブ（微小摺動）を加えることを特徴
とする請求項１記載の電気的接続接点の形成方法。 - 【請求項４】 低融点合金または金属を主成分とする
金属ペースト中の金属体積分率が、前記ペーストを加熱
して金属ボールを形成した時点で、前記金属ボールの直
径が前記支持基材表面に設けられた凹部の深さより大で
あるように調整された前記金属ペーストを用いることを
特徴とする請求項１記載の電気的接続接点の形成方法。 - 【請求項５】 低融点合金または金属を主成分とする
金属ペーストを支持基材表面に設けられた凹部に充填す
る工程、前記支持基材を加熱して前記凹部に充填された
金属ペーストを溶融し金属ボールを形成する工程、基板
の微細端子電極面を前記凹部中の前記金属ボールに合わ
せて圧着して前記金属ボールを前記微細端子電極面上に
転写する工程、前記微細端子電極面上に形成された突出
電極を再溶融して他の基板上の電極群と接続する工程よ
り構成されることを特徴とする実装基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3024425A JPH04263433A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 電気的接続接点の形成方法および電子部品の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3024425A JPH04263433A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 電気的接続接点の形成方法および電子部品の実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04263433A true JPH04263433A (ja) | 1992-09-18 |
Family
ID=12137799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3024425A Pending JPH04263433A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 電気的接続接点の形成方法および電子部品の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04263433A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5607099A (en) * | 1995-04-24 | 1997-03-04 | Delco Electronics Corporation | Solder bump transfer device for flip chip integrated circuit devices |
| US5643831A (en) * | 1994-01-20 | 1997-07-01 | Fujitsu Limited | Process for forming solder balls on a plate having apertures using solder paste and transferring the solder balls to semiconductor device |
| JPH104127A (ja) * | 1996-04-16 | 1998-01-06 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 半田バンプを有する基板の製造方法 |
| US5872051A (en) * | 1995-08-02 | 1999-02-16 | International Business Machines Corporation | Process for transferring material to semiconductor chip conductive pads using a transfer substrate |
| WO1999009590A1 (en) * | 1997-08-19 | 1999-02-25 | Hitachi, Ltd. | Method for forming bump electrode and method for manufacturing semiconductor device |
| US5959346A (en) * | 1996-11-11 | 1999-09-28 | Fujitsu Limited | Method for fabricating metal bumps onto electronic device |
| US6025258A (en) * | 1994-01-20 | 2000-02-15 | Fujitsu Limited | Method for fabricating solder bumps by forming solder balls with a solder ball forming member |
| US6090301A (en) * | 1996-12-02 | 2000-07-18 | Fujitsu Limited | Method for fabricating bump forming plate member |
| US6271110B1 (en) | 1994-01-20 | 2001-08-07 | Fujitsu Limited | Bump-forming method using two plates and electronic device |
| US6319810B1 (en) | 1994-01-20 | 2001-11-20 | Fujitsu Limited | Method for forming solder bumps |
| US6528346B2 (en) | 1994-01-20 | 2003-03-04 | Fujitsu Limited | Bump-forming method using two plates and electronic device |
| US6653219B2 (en) | 2000-01-13 | 2003-11-25 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing bump electrodes and a method of manufacturing a semiconductor device |
| JP2007013017A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Sony Corp | 電子デバイス装置およびその製造方法 |
| JP2007311678A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Denso Corp | 電子部品の実装方法および電子部品の実装構造 |
| JP2009164549A (ja) * | 2008-01-07 | 2009-07-23 | Secron Co Ltd | はんだバンプを形成するためのテンプレート、この製造方法およびこれを用いてのはんだバンプの検査方法。 |
| KR101427690B1 (ko) * | 2008-01-07 | 2014-08-07 | 세메스 주식회사 | 솔더 범프들을 형성하기 위한 템플릿 및 이를 이용하여웨이퍼를 정렬하는 방법 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61117888A (ja) * | 1984-11-14 | 1986-06-05 | 富士通株式会社 | 電気的接続装置の製造方法 |
| JPS645039A (en) * | 1987-06-27 | 1989-01-10 | Nippon Denso Co | Manufacture of protruding electrode |
| JPH01308037A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-12 | Hitachi Cable Ltd | 半田供給方法 |
| JPH02312240A (ja) * | 1989-05-26 | 1990-12-27 | Ricoh Co Ltd | バンプ形成方法およびバンプ形成装置およびバンプ |
-
1991
- 1991-02-19 JP JP3024425A patent/JPH04263433A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61117888A (ja) * | 1984-11-14 | 1986-06-05 | 富士通株式会社 | 電気的接続装置の製造方法 |
| JPS645039A (en) * | 1987-06-27 | 1989-01-10 | Nippon Denso Co | Manufacture of protruding electrode |
| JPH01308037A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-12 | Hitachi Cable Ltd | 半田供給方法 |
| JPH02312240A (ja) * | 1989-05-26 | 1990-12-27 | Ricoh Co Ltd | バンプ形成方法およびバンプ形成装置およびバンプ |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6528346B2 (en) | 1994-01-20 | 2003-03-04 | Fujitsu Limited | Bump-forming method using two plates and electronic device |
| US5643831A (en) * | 1994-01-20 | 1997-07-01 | Fujitsu Limited | Process for forming solder balls on a plate having apertures using solder paste and transferring the solder balls to semiconductor device |
| US6025258A (en) * | 1994-01-20 | 2000-02-15 | Fujitsu Limited | Method for fabricating solder bumps by forming solder balls with a solder ball forming member |
| US6271110B1 (en) | 1994-01-20 | 2001-08-07 | Fujitsu Limited | Bump-forming method using two plates and electronic device |
| US6319810B1 (en) | 1994-01-20 | 2001-11-20 | Fujitsu Limited | Method for forming solder bumps |
| US5607099A (en) * | 1995-04-24 | 1997-03-04 | Delco Electronics Corporation | Solder bump transfer device for flip chip integrated circuit devices |
| US5872051A (en) * | 1995-08-02 | 1999-02-16 | International Business Machines Corporation | Process for transferring material to semiconductor chip conductive pads using a transfer substrate |
| JPH104127A (ja) * | 1996-04-16 | 1998-01-06 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 半田バンプを有する基板の製造方法 |
| US5959346A (en) * | 1996-11-11 | 1999-09-28 | Fujitsu Limited | Method for fabricating metal bumps onto electronic device |
| US6090301A (en) * | 1996-12-02 | 2000-07-18 | Fujitsu Limited | Method for fabricating bump forming plate member |
| WO1999009590A1 (en) * | 1997-08-19 | 1999-02-25 | Hitachi, Ltd. | Method for forming bump electrode and method for manufacturing semiconductor device |
| US6335271B1 (en) | 1997-08-19 | 2002-01-01 | Hitachi, Ltd. | Method of forming semiconductor device bump electrodes |
| US6653219B2 (en) | 2000-01-13 | 2003-11-25 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing bump electrodes and a method of manufacturing a semiconductor device |
| JP2007013017A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Sony Corp | 電子デバイス装置およびその製造方法 |
| JP2007311678A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Denso Corp | 電子部品の実装方法および電子部品の実装構造 |
| JP2009164549A (ja) * | 2008-01-07 | 2009-07-23 | Secron Co Ltd | はんだバンプを形成するためのテンプレート、この製造方法およびこれを用いてのはんだバンプの検査方法。 |
| KR101427690B1 (ko) * | 2008-01-07 | 2014-08-07 | 세메스 주식회사 | 솔더 범프들을 형성하기 위한 템플릿 및 이를 이용하여웨이퍼를 정렬하는 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04263433A (ja) | 電気的接続接点の形成方法および電子部品の実装方法 | |
| JP2643613B2 (ja) | 電気的接続接点の形成方法および電子部品の実装方法 | |
| JPH0432541B2 (ja) | ||
| JP2650499B2 (ja) | 電気的接続接点の形成方法および電子部品の実装方法 | |
| JPH06267964A (ja) | バンプの形成法 | |
| JP2917595B2 (ja) | 金属ボールの形成方法 | |
| JPH081770B2 (ja) | 電気接点構造 | |
| JPS63122133A (ja) | 半導体チツプの電気的接続方法 | |
| JPH0666355B2 (ja) | 半導体装置の実装体およびその実装方法 | |
| JPH04342139A (ja) | 電気的接続接点の形成方法および実装基板の製造方法 | |
| JPS63122135A (ja) | 半導体チツプの電気的接続方法 | |
| JPS63304587A (ja) | 電気的接続接点の形成方法 | |
| JPH05136201A (ja) | 半導体装置用電極と実装体 | |
| JPS63168028A (ja) | 微細接続構造 | |
| JPH0521438A (ja) | 電気的接続接点の形成方法および実装基板の製造方法 | |
| KR100310037B1 (ko) | 복수개의집적회로칩을연성인쇄회로기판상에실장히기위한방법 | |
| JP3173109B2 (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
| JPH05166879A (ja) | Ｉｃ実装方法 | |
| JP3078781B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
| JP2002176267A (ja) | 電子部品、回路装置とその製造方法並びに半導体装置 | |
| JPS62285447A (ja) | 電気的接続接点の形成方法 | |
| JP3202138B2 (ja) | バンプ電極の形成方法 | |
| JPH0917824A (ja) | 電子回路装置およびその製造方法 | |
| JPH08115946A (ja) | フリップチップ実装方法 | |
| JPH01232735A (ja) | 半導体装置の実装体 |